專利名稱：輥輪濺射污染低的真空磁控濺射鍍膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種玻璃鍍膜設(shè)備，具體是一種輥輪濺射污染低的真空磁控濺射鍍膜裝置O
背景技術(shù)：
目前市場上用于大面積玻璃鍍膜的磁控濺射設(shè)備大部分都采用雙端式，有三室的、有五室的，通常鎖室同緩沖室之間通過狹縫閥進(jìn)行分離，而濺射室(濺射區(qū))和過渡室之間是不用隔離的，這樣就導(dǎo)致濺射陰極濺射出的粒子通過玻璃傳送間隙和傳送輥輪下部的空隙濺射到旁邊過渡室的傳送輥輪上，造成輥輪“O”形圈(S卩外圈)的污染。玻璃到達(dá)過渡室時，輥輪會有加速的過程，從而會導(dǎo)致玻璃因“O”形圈被濺射而被劃傷或是發(fā)生位置偏移的情況，而導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的技術(shù)目的是解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供一種輥軸濺射污染低的玻璃鍍膜設(shè)備。本發(fā)明的技術(shù)方案是一種輥輪濺射污染低的真空磁控濺射鍍膜裝置，設(shè)有濺射室、過渡室，其特征在于
所述濺射室、過渡室的腔體底板設(shè)有傳送輥輪，所述濺射室在其與過渡室銜接的出口的腔體底板上設(shè)置有擋板，所述擋板位于傳送滾軸的一側(cè)。進(jìn)一步的技術(shù)方案還包括
所述濺射室在其入口的腔體底板上也設(shè)有擋板。所述擋板的頂端高度低于所述傳送輥輪上表面3mm。所述擋板與所述傳送輥輪相平行。本發(fā)明通過使用擋板阻擋濺射陰極的多余粒子從玻璃之間的傳送間隙濺射到傳送輥輪上，這樣可以降低輥輪被污染的幾率，延長輥輪“0”形圈的使用壽命，減少玻璃發(fā)生劃傷及位置偏移的情況發(fā)生，從而節(jié)約了生產(chǎn)成本，保證了生產(chǎn)的延續(xù)性，提高產(chǎn)品的良品率。


圖1是本發(fā)明的主視結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本發(fā)明的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為了闡明本發(fā)明的技術(shù)方案及技術(shù)目的，下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施方式
對本發(fā)明做進(jìn)一步的介紹。如圖所示，一種輥輪濺射污染低的真空磁控濺射鍍膜裝置，設(shè)有濺射室1和過渡
3室2，所述濺射室1的上部設(shè)有旋轉(zhuǎn)陰極12，濺射室1和過渡室2的腔體底板上均設(shè)有傳送輥軸4，用于傳送玻璃。所述濺射室1在其入口及出口處的腔體底板上加裝有擋板3，特別是在濺射室1的出口處(即濺射室1與緩沖室2之間的區(qū)域)，加裝了一塊同傳送輥輪4平行的2mm厚金屬擋板，其頂部的高度低于傳送輥輪4上表面3mm，下部焊接在腔體底板上，保證該擋板在不接觸玻璃的情況下，最大效果地阻擋濺射室1的多余濺射粒子進(jìn)入過渡室2，從而減少了過渡室輥輪被污染的幾率，延長輥軸“0”形圈的使用壽命，減少玻璃的劃傷及位置偏移情況的發(fā)生。以上已以較佳實(shí)施例公開了本發(fā)明，然其并非用以限制本發(fā)明，凡采用等同替換或者等效變換方式所獲得的技術(shù)方案，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種輥輪濺射污染低的真空磁控濺射鍍膜裝置，設(shè)有濺射室、過渡室， 其特征在于所述濺射室、過渡室的腔體底板設(shè)有傳送輥輪，所述濺射室在其與過渡室銜接的出口的腔體底板上設(shè)置有擋板，所述擋板位于傳送滾軸的一側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輥輪濺射污染低的真空磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于所述濺射室在其入口的腔體底板上也設(shè)有擋板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種輥輪濺射污染低的真空磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于所述擋板的頂端高度低于所述傳送輥輪上表面3mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種輥輪濺射污染低的真空磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于所述擋板與所述傳送滾軸相平行。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種輥輪濺射污染低的真空磁控濺射鍍膜裝置，設(shè)有濺射室、過渡室，其特征在于所述濺射室、過渡室的腔體底板設(shè)有傳送輥輪，所述濺射室在其與過渡室銜接的出口的腔體底板上設(shè)置有擋板，所述擋板位于傳送滾軸的一側(cè)。本發(fā)明通過擋板阻擋濺射粒子通過玻璃傳送的間隙濺射到傳送輥軸外圈上，降低了濺射粒子對輥軸外圈的污染，大大減少了玻璃在傳送過程中因輥軸被濺射而發(fā)生劃傷及位置偏移的情況，保證了生產(chǎn)的延續(xù)性，提高了產(chǎn)品的良品率。
文檔編號C23C14/35GK102367569SQ201110374498
公開日2012年3月7日 申請日期2011年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月23日
發(fā)明者林嘉宏 申請人:林嘉宏