專利名稱：一種金屬真空濺射裝置及濺射方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種金屬真空濺射系統(tǒng)及控制方法。更具體一點，本發(fā)明涉及電磁場方向和強(qiáng)度控制的設(shè)計。
背景技術(shù)：
石英晶體諧振器和振蕩器由于其頻率的準(zhǔn)確性及穩(wěn)定性、出色的可靠性、小體積以及低成本等特點，在現(xiàn)代電子行業(yè)如通訊、電腦、娛樂設(shè)備、工業(yè)控制及其它我們所涉及的領(lǐng)域中都是一種不可缺少的非常重要的電子元器件。金屬真空濺射系統(tǒng)可有效的應(yīng)用于石英晶體諧振器和振蕩器這類頻率控制元器件的生產(chǎn)中。在石英晶體諧振器和振蕩器用的石英晶片電極的形成過程中，需要在真空狀態(tài)下給晶片的兩面各鍍上一層金屬膜形成電極以便導(dǎo)電。金屬真空濺射系統(tǒng)則是在真空狀態(tài)下同時給大量晶片的兩面各鍍上一層金屬電極膜的極佳系統(tǒng)，此系統(tǒng)非常適合用于大規(guī)模生產(chǎn)。通常情況下，金屬真空濺射系統(tǒng)是在抽真空后將一定濃度的氬氣充滿整個工作室，啟動棒狀金屬靶和晶片金屬工裝之間的高直流DC電壓(棒狀金屬靶帶負(fù)電壓并且內(nèi)部有永久性磁鐵產(chǎn)生主磁場，此主磁場和高電壓產(chǎn)生的電場正交。晶片金屬工裝帶正電壓。電壓一般在35(T450V之間)。在高電壓下的正負(fù)極之間產(chǎn)生輝光放電，極間的氬氣分子被離子化而產(chǎn)生帶電荷離子，分解成正離子和負(fù)電子。氬氣正離子在棒狀金屬靶負(fù)電壓的作用下定向高速撞擊帶負(fù)電壓的金屬靶(如銀靶、銅靶或鉻靶)，從而從棒狀金屬靶的表面濺射出高速金屬分子流。這些高速金屬分子流又高速撞擊附近帶正電壓的晶片(排列有晶片的金屬工裝帶正電壓)，并依附在這些晶片的表面，增加這些晶片的有效厚度，降低這些晶片的厚度切變諧振頻率。被離子化而分解出來的負(fù)電子在高電壓產(chǎn)生的電場的作用下高速沖向帶正電壓的晶片金屬工裝，在此過程中，電子又碰撞氬氣產(chǎn)生更多的氬氣離子和電子。帶負(fù)電荷的電子在電場和磁場的同時作用下運動，不斷地碰撞氬氣產(chǎn)生大量的氬氣離子。所有這些氬氣離子都在棒狀金屬靶負(fù)電壓的作用下定向高速撞擊帶負(fù)電壓的棒狀金屬靶(如銀靶、銅靶或鉻靶)，從而從棒狀金屬靶的表面濺射出更多高速金屬分子流，然后這些金屬分子流沖向并附在對面的大量石英晶片的表面，同一時間在大量的晶片表面上形成金屬電極膜。由于同時對大量晶片進(jìn)行濺射鍍膜，結(jié)果是離棒狀金屬靶中間部位近的石英晶片要比離棒狀金屬靶中間部位遠(yuǎn)的石英晶片獲得更多的金屬分子，從而增加了這些獲得更多金屬分子的晶片的有效厚度。由于在石英晶片的厚度切變振蕩模式中，晶片的振蕩頻率和晶片的有效厚度成反比，所以這些離棒狀金屬靶中間部位近并且獲得更多金屬分子的晶片的頻率要比離棒狀金屬靶中間部位遠(yuǎn)并且獲得較少金屬分子的晶片的頻率低。這樣就使得大量在同時濺射電極膜晶片于晶片之間的頻率相差較大，變差較大，頻率特性的一致性較差，成為大批量生產(chǎn)石英晶體諧振器和振蕩器的一個重大不利因素。在此情況下，迫切需要解決上述諸多問題，提供一種簡單易行的技術(shù)，以便使同時
3大量通過金屬真空濺射系統(tǒng)鍍上金屬電極膜的晶片的頻率一致性較好。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述的問題，本發(fā)明提出了對金屬真空濺射系統(tǒng)的一種新型控制方法，該方法能夠有效地減少通過金屬真空濺射系統(tǒng)鍍上金屬電極膜的晶片的頻率變差并且能大批量同時生產(chǎn)一致性好的晶片。本發(fā)明的另一個目的是提供一種易于實現(xiàn)的金屬真空濺射自動控制系統(tǒng)，提高諧振器及振蕩器的生產(chǎn)效率和質(zhì)量。為實現(xiàn)上述目地，本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的。一種金屬真空濺射裝置，該裝置包括有棒狀金屬靶、晶片工裝，其特征在于棒狀金屬靶的中間位置設(shè)置有平衡線圈，平衡線圈與電源連接，在通電情況下，平衡線圈產(chǎn)生附加電磁場，通過附加電磁場影響金屬真空濺射系統(tǒng)中的總電磁場，從而減少到達(dá)在平衡線圈附近的晶片表面的金屬分子量，使棒狀金屬靶所產(chǎn)生的金屬分子能夠均衡的濺射到晶片上，達(dá)到提高這些晶片的厚度切變諧振頻率的效果。因此，本發(fā)明的主要思路是設(shè)計一個能產(chǎn)生電磁場的平衡線圈。平衡線圈是由至少一個導(dǎo)線繞制而成，最好是由單數(shù)或者復(fù)數(shù)個導(dǎo)線按照一定的直徑排列繞制而成，改變此平衡線圈的直徑、導(dǎo)線的直徑和匝數(shù)以及通過導(dǎo)線的電流后，平衡線圈產(chǎn)生的電磁場可以使周圍電磁場在方向和強(qiáng)度方面產(chǎn)生變化。平衡線圈的直徑、導(dǎo)線的直徑和圈數(shù)以及通過導(dǎo)線的電流由設(shè)計要求來決定。提供給導(dǎo)線的電壓可為交流AC電壓也可為直流DC電壓。所述棒狀金屬靶也可為長條狀結(jié)構(gòu)，在棒狀金屬靶的中間部位應(yīng)用平衡線圈。平衡線圈由至少一條導(dǎo)線繞制而成，在應(yīng)用時要注意平衡線圈的導(dǎo)線方向要和原來氬氣離子流的方向相同或者180度相反，或者和原來氬氣離子流的方向形成其它任何經(jīng)過調(diào)試后的實際夾角，實際夾角通常是不包括90度或者270度的任何夾角。如果是90度或者270度， 則其產(chǎn)生的磁力線和原來氬離子流的方向平行，起不到影響氬離子流方向的作用。或者使線圈構(gòu)成的平面的法線可和棒狀金屬靶的中軸形成一定夾角，只要此法線不和棒狀金屬靶的中軸平行就可，以便由這個導(dǎo)電平衡線圈產(chǎn)生的附加電磁場和原來的強(qiáng)電磁場在主要方向上成成正交或形成一定的夾角，線圈平面法線的偏移也可使電子流在切割線圈產(chǎn)生的磁力線時而產(chǎn)生的力較容易地將電子流推向棒狀金屬靶兩端所對應(yīng)的空間。這樣，附加的電磁場就會在棒狀金屬靶中間部位和原來強(qiáng)電磁場一起在電磁場方向和強(qiáng)度方面產(chǎn)生新的綜合矢量分布，從而影響棒狀金屬靶中間部位的電子流的運動方向、速度和密度，繼而影響電離出的氬氣離子的密度，也就影響在棒狀金屬靶中間部位附近的金屬分子流的密度，也就影響在棒狀金屬靶中間部位附近的晶片獲得金屬分子的密度，最終影響這些晶片的有效厚度和頻率。當(dāng)在選用適當(dāng)?shù)钠胶饩€圈直徑、所用導(dǎo)線直徑和匝數(shù)以及通過導(dǎo)線的電流后， 可改變在棒狀金屬靶中間部位附近的電子流的運動方向、速度和降低密度，繼而降低其電離出的氬氣離子的密度，從而降低由氬離子從棒狀金屬靶表面碰撞出的金屬分子的密度以及附近的晶片獲得金屬分子的密度，從而升高這個部位晶片的頻率，使得這個部位晶片的頻率和邊緣部位的晶片的頻率趨于一致，減少了晶片于晶片之間的頻率變差。所述金屬真空濺射裝置還包括頻率檢測儀和電源控制器，頻率檢測儀連接到晶片金屬工裝，電源控制器則連接到平衡線圈。為了自動控制和調(diào)整平衡線圈所產(chǎn)生的電磁場，本發(fā)明使用頻率檢測儀實時監(jiān)視和測量不同位置晶片的頻率，并將這些數(shù)據(jù)實時返饋給電源控制器，電源控制器根據(jù)這些返饋的數(shù)據(jù)實時調(diào)整供給平衡線圈的電壓，以便實時調(diào)整由平衡線圈產(chǎn)生的附加電磁場，從而調(diào)整電子流的運動方向、速度和降低密度，繼而降低電離出的氬氣離子的密度，從而降低由氬離子從棒狀金屬靶表面碰撞出的金屬分子的密度， 從而能夠調(diào)整在棒狀金屬靶中間部位附近的晶片獲得金屬分子的密度，更好地起到實時調(diào)整這些晶片的頻率，使得這個部位晶片的頻率和邊緣部位的晶片的頻率趨于一致，達(dá)到了減少晶片于晶片之間的頻率變差的目的。因此實現(xiàn)本發(fā)明的方法為一種金屬真空濺射的控制方法，其特征在于該方法在棒狀金屬靶的中部設(shè)置平衡線圈，在濺射時，平衡線圈產(chǎn)生附加電磁場，附加電磁場疊加在棒狀金屬靶所產(chǎn)生的主電磁場上，附加電磁場來改變電子運動的方向，從而減少棒狀金屬靶中部附近氬氣離子的密度，以減少棒狀金屬靶中部附近的晶片獲得金屬分子的厚度，使整個晶片工裝上的晶片濺射厚度一致，從而保證濺射的金屬電極膜的晶片的頻率一致性較好。所述的附加電磁場，其原來的主電磁場在主要方向上成垂直，從而調(diào)整電子流的運動方向、速度和降低密度，降低電離出的氬氣離子的密度，降低由氬離子從棒狀金屬靶表面碰撞出的金屬分子的密度，從而能夠調(diào)整在棒狀金屬靶中間部位附近的晶片獲得金屬分子的密度。具體地說，該方法主要的實現(xiàn)步驟如下
A.抽真空將安裝在不同晶片工裝位置的晶片的濺射系統(tǒng)工作室抽真空；
B.啟動離子源和主電磁場將氬氣充滿整個工作室，啟動金屬靶和晶片金屬工裝之間的高電壓，產(chǎn)生帶電荷氬離子，在棒狀金屬靶負(fù)電壓的作用下定向高速撞擊帶負(fù)電壓的棒狀金屬靶，從而從棒狀金屬靶的表面濺射出高速金屬分子；
C.附加電磁場啟動平衡線圈產(chǎn)生附加電磁場，影響主電磁場和附加電磁場形成的整個電磁場的綜合方向和強(qiáng)度；
D.濺射金屬電極將大量的金屬分子均勻地濺射到位于不同晶片工裝位置的晶片表面上，形成金屬電極。進(jìn)一步，為了更好地進(jìn)行控制及滿足不同晶片的濺射要求，所述方法在步驟C后， 還包括如下步驟。Cl.監(jiān)控頻率對晶片金屬工裝的各個安裝晶片部位進(jìn)行監(jiān)控，實時自動監(jiān)控棒狀金屬靶對面的各個部位的晶片的頻率。C2.反饋頻率將上述步驟監(jiān)測到的頻率數(shù)據(jù)反饋給平衡線圈的電源控制器。C3.調(diào)整電源平衡線圈的電源控制器根據(jù)反饋結(jié)果和控制要求自動調(diào)整供平衡線圈使用的電壓。在供給平衡線圈使用的電壓發(fā)生變化后，附加電磁場的強(qiáng)度會發(fā)生調(diào)整，調(diào)整附加電磁場的強(qiáng)度后，也會調(diào)整和控制由主電磁場和附加電磁場形成的整個電磁場的綜合方向和強(qiáng)度。這樣，在整個電磁場的綜合方向和強(qiáng)度實時受到自動調(diào)整時，電子流的方向和密度以及由電子流電離出的氬離子流密度會實時受到自動調(diào)整，從而被氬離子流碰撞出的金屬分子流的密度也實時自動受到調(diào)整和控制。平衡線圈所用的電源是由一個自動電源控制器來控制當(dāng)平衡線圈附近的晶片的厚度切變諧振頻率比其它位置晶片的厚度切變諧振頻率較低時，表明此時在平衡線圈附近的晶片表面獲得的金屬分子流量比其它位置晶片所獲得的金屬分子流量較多，使得平衡線圈附近的晶片的有效厚度較厚，因為晶片的厚度切變諧振頻率和晶片的厚度成反比。而自動電源控制器接收到平衡線圈附近的晶片較低的諧振頻率后，會自動提升電壓來加強(qiáng)平衡線圈所產(chǎn)生的附加電磁場。加強(qiáng)后的平衡線圈電磁場會使附近的電子流更大地偏離原來的方向，使得附近電離出的氬離子密度減少，從而使由氬離子碰撞而濺射出來的金屬分子流減少，從而減少流向在平衡線圈附近晶片的金屬分子流量，從而降低這些晶片頻率的下降速率，使這些晶片的厚度切變諧振頻率的下降速率和其它位置的晶片的厚度切變諧振頻率的下降速率趨于一致，從而減少在不同位置的晶片之間的頻率變差。當(dāng)平衡線圈附近的晶片的厚度切變諧振頻率比其它位置晶片的厚度切變諧振頻率較高時，表明此時在平衡線圈附近的晶片表面獲得的金屬分子流量比其它位置晶片所獲得的金屬分子流量較少。自動電源控制器接收到平衡線圈附近的晶片較高的諧振頻率后，會自動降低電壓來減弱平衡線圈所產(chǎn)生的附加電磁場。減弱后的平衡線圈電磁場會使附近的電子流較小地偏離原來的方向，使得附近電離出的氬離子密度增加，從而使由氬離子碰撞而濺射出來的金屬分子流增加，從而增加流向在平衡線圈附近晶片的金屬分子流量，從而提高這些晶片頻率的下降速率，使這些晶片的厚度切變諧振頻率的下降速率和其它位置的晶片的厚度切變諧振頻率的下降速率趨于一致，從而減少在不同位置的晶片之間的頻率變差。通常情況下，通過自動電源控制器控制電壓的提高或降低來微調(diào)一下平衡線圈所用的電壓就可達(dá)到減少位于不同位置的晶片之間頻率變差的目的。本發(fā)明通過控制電子流和由電子流電離出的氬離子流，能夠控制好真空金屬濺射系統(tǒng)內(nèi)被氬離子流碰撞出的金屬分子流，使金屬分子均勻地濺射到所加工晶片上，可大批量低成本地生產(chǎn)具有金屬電極的晶片，滿足生產(chǎn)的需求。而且本發(fā)明實現(xiàn)簡單、成本低廉。


圖1為本發(fā)明實施的控制系統(tǒng)示意圖。圖2為本發(fā)明實施前后的濺射頻率對比示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖所示，對本發(fā)明的實施作更進(jìn)一步地說明。圖1所示，實現(xiàn)本發(fā)明的裝置包括棒狀金屬靶1、平衡線圈2、晶片金屬工裝3、頻率檢測儀4，棒狀金屬靶1為任何金屬(如銀、銅或鉻等)，晶片金屬工裝3位于棒狀的金屬離子源的兩側(cè)，晶片工裝3的內(nèi)側(cè)安裝有晶片5，棒狀金屬靶在獲得強(qiáng)電磁場能量的氬氣離子的高速撞擊下，所產(chǎn)生的金屬分子濺射到晶片5上，形成電極。棒狀金屬靶1的中部安裝有平衡線圈2，平衡線圈2采用一條金屬導(dǎo)線按照一定的直徑排列繞制而成(在其它的實施方式中，平衡線圈也可以采用復(fù)數(shù)個金屬導(dǎo)線連接繞制而成)，導(dǎo)線的直徑、匝數(shù)可以依據(jù)實際要濺射的晶片5進(jìn)行設(shè)置，也可以實現(xiàn)預(yù)置好。平衡線圈2的導(dǎo)線方向最好要和驅(qū)動氬離子流濺射的方向相同或者180°相反， 以便由這個導(dǎo)電平衡線圈產(chǎn)生的附加電磁場和原來的強(qiáng)電磁場在主要方向上成垂直。平滑
6線圈2所產(chǎn)生的附加電磁場就會在棒狀金屬靶中間部位和原來強(qiáng)電磁場一起在電磁場方向和強(qiáng)度方面產(chǎn)生新的綜合矢量分布，影響電子流的方向和密度，這樣可降低在棒狀金屬靶中間部位附近電離的氬離子密度，從而降低由氬離子碰撞而濺射出來的金屬分子流的密度以及附近的晶片獲得金屬分子的密度，從而升高這個部位晶片的頻率，使得這個部位晶片的頻率和邊緣部位的晶片的頻率趨于一致，減少晶片于晶片之間的頻率變差?？紤]到不同晶片對金屬離子濺射的具體應(yīng)用效果不一致，為了保證多種規(guī)格晶片都能夠適用，以及濺射過程中其它因素帶來的不良影響，晶片工裝3都連接到一個頻率檢測儀4上，頻率檢測儀4又與電源控制器6連接，電源控制器6單獨給平衡線圈2供電，使用頻率檢測儀4實時監(jiān)視和測量不同位置晶片的頻率，并將這些數(shù)據(jù)實時返饋給電源控制器6，電源控制器6根據(jù)這些返饋的數(shù)據(jù)實時調(diào)整供給平衡線圈2的電壓，以便實時調(diào)整由平衡線圈2產(chǎn)生的附加電磁場，從而實時調(diào)整在棒狀金屬靶1中間部位附近的電子流，繼而實時調(diào)整電子流電離的氬離子密度，然后實時調(diào)整晶片獲得氬氣離子濺射出來的金屬分子的密度，更好地起到實時調(diào)整這些晶片的頻率。具體來講，本發(fā)明的主要控制流程如下。1.抽真空按照要求將安裝在不同位子的晶片的濺射系統(tǒng)工作室抽真空。2.啟動離子源和主電磁場將一定濃度的氬氣充滿整個工作室，啟動棒狀金屬靶和晶片金屬工裝之間的高電壓，產(chǎn)生帶電荷氬氣離子，在棒狀金屬靶負(fù)電壓的作用下定向高速撞擊帶負(fù)電壓的金屬靶，從而從棒狀金屬靶的表面濺射出高速金屬分子流。這些高速金屬分子流又高速撞擊附近帶正電壓的晶片并依附在這些晶片的表面，增加這些晶片的有效厚度，降低這些晶片的厚度切變諧振頻率。3.啟動附加電磁場啟動平衡線圈產(chǎn)生附加電磁場，影響主電磁場和附加電磁場形成的整個電磁場的綜合方向和強(qiáng)度。4.自動監(jiān)控頻率實時自動監(jiān)控金屬離子源對面的各個部位的晶片的頻率。5.自動返饋頻率實時返饋監(jiān)測到的頻率數(shù)據(jù)給平衡線圈的電源控制器。6.自動調(diào)整電源電源控制器根據(jù)頻率數(shù)據(jù)調(diào)整供平衡線圈使用的電壓源。7.自動調(diào)整電磁場自動調(diào)整附加電磁場的強(qiáng)度后，也會調(diào)整和控制由主電磁場和附加電磁場形成的整個電磁場的綜合方向和強(qiáng)度。8.自動調(diào)整金屬分子流在整個電磁場的綜合方向和強(qiáng)度實時受到自動調(diào)整時， 電子流的方向和密度實時自動受到調(diào)整和控制，從而使由電子電離出來的氬氣離子流的密度實時自動受到調(diào)整和控制，從而又使由氬氣離子流碰撞而濺射出來的金屬分子流的密度也實時自動受到調(diào)整和控制。9.濺射金屬電極將大量的金屬分子流均勻地濺射到位于不同位置的晶片表面上，形成金屬電極。通過這種方法，能夠通過控制電子流方向和密度的方法控制好真空金屬濺射系統(tǒng)內(nèi)的金屬分子流，可大批量低成本地生產(chǎn)具有金屬電極的晶片，滿足國內(nèi)產(chǎn)家的需求。而且本發(fā)明所提及的控制方法，實現(xiàn)簡單、成本低廉。圖2顯示本發(fā)明實施前和實施后的晶片頻率分布示意圖，圖中A為實施本發(fā)明的頻率曲線，B為未實施本發(fā)明的頻率曲線，從A和B兩條曲線對比，明顯看到，A曲線的頻率相對一致性要遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于B曲線。以上所述，僅僅是對本發(fā)明實施的具體描述，并不代表本發(fā)明所實施的所有方式。在本發(fā)明目的及技術(shù)方案的基礎(chǔ)上所做的等同變化及修飾，均在發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種金屬真空濺射裝置，該裝置包括有棒狀金屬靶、晶片工裝，其特征在于棒狀金屬靶的中間位置設(shè)置有平衡線圈，平衡線圈與電源連接，在通電情況下，平衡線圈產(chǎn)生附加電磁場，通過附加電磁場影響金屬真空濺射系統(tǒng)中的總電磁場。
2.如權(quán)利要求1所述的金屬真空濺射裝置，其特征在于所述棒狀金屬靶為長條狀結(jié)構(gòu)，在棒狀金屬靶的中間部位設(shè)置平衡線圈，且平衡線圈由至少一條導(dǎo)線繞制而成，平衡線圈的導(dǎo)線方向要和原來氬氣離子流的方向形成非90度或者270度的夾角。
3.如權(quán)利要求1所述的金屬真空濺射裝置，其特征在于該裝置還包括頻率檢測儀和電源控制器，頻率檢測儀連接到晶片金屬工裝，電源控制器則連接到平衡線圈。
4.一種金屬真空濺射的濺射方法，該方法通過高壓電場電離氬氣來產(chǎn)生氬氣離子和電子流電離氬氣來產(chǎn)生氬氣離子，又通過氬氣離子撞擊棒狀金屬靶產(chǎn)生金屬分子，再將金屬分子濺射到晶片上，其特征在于該方法在棒狀金屬靶的中部設(shè)置平衡線圈，在濺射時，平衡線圈產(chǎn)生附加電磁場來改變電子運動的方向，從而減少棒狀金屬靶中部附近氬氣離子的密度，進(jìn)一步減少棒狀金屬靶中部附近的晶片獲得的金屬分子的厚度，使整個晶片工裝上的晶片濺射的金屬分子厚度趨于一致。
5.如權(quán)利要求4所述的金屬真空濺射的濺射方法，其特征在于該方法主要的實現(xiàn)步驟如下A.抽真空將安裝在不同晶片金屬工裝位置的晶片的濺射系統(tǒng)工作室抽真空；B.啟動離子源和主電磁場將氬氣充滿整個工作室，啟動金屬靶和晶片金屬工裝之間的高電壓，產(chǎn)生帶電荷氬氣離子，在棒狀金屬靶負(fù)電壓的作用下定向高速撞擊帶負(fù)電壓的棒狀金屬靶，從而從棒狀金屬靶的表面濺射出高速金屬分子；C.附加電磁場啟動平衡線圈產(chǎn)生附加電磁場，影響主電磁場和附加電磁場形成的整個電磁場的綜合方向和強(qiáng)度；D.將大量的金屬分子均勻地濺射到位于不同晶片工裝位置的晶片表面上，形成金屬電極。
6.如權(quán)利要求5所述的金屬真空濺射的濺射方法，其特征在于所述方法在步驟C后，還包括如下步驟Cl.監(jiān)控頻率對晶片金屬工裝的各個安裝晶片部位進(jìn)行監(jiān)控，實時自動監(jiān)控棒狀金屬靶對面的各個部位的晶片的頻率；；C2.反饋頻率將上述步驟監(jiān)測到的頻率數(shù)據(jù)反饋給平衡線圈的電源控制器；C3.調(diào)整電源平衡線圈的電源控制器根據(jù)反饋結(jié)果和控制要求自動調(diào)整供平衡線圈使用的電壓。
7.如權(quán)利要求5所述的金屬真空濺射的濺射方法，其特征在于平衡線圈所用的電源是由一個自動電源控制器來控制，當(dāng)平衡線圈附近的晶片的厚度切變諧振頻率比其它位置晶片的厚度切變諧振頻率較低時，自動電源控制器接收到平衡線圈附近的晶片較低的諧振頻率后，會自動提升電壓來加強(qiáng)平衡線圈所產(chǎn)生的附加電磁場；當(dāng)平衡線圈附近的晶片的厚度切變諧振頻率比其它位置晶片的厚度切變諧振頻率較高時，自動電源控制器接收到平衡線圈附近的晶片較高的諧振頻率后，會自動降低電壓來減弱平衡線圈所產(chǎn)生的附加電磁場。
全文摘要
本發(fā)明是一種金屬真空濺射裝置及濺射方法，該裝置包括有棒狀金屬靶、晶片工裝，棒狀金屬靶的中間位置設(shè)置有平衡線圈，平衡線圈與電源連接，在通電情況下，平衡線圈產(chǎn)生附加電磁場，通過附加電磁場影響金屬真空濺射系統(tǒng)中的總電磁場，從而減少到達(dá)在平衡線圈附近的晶片表面的離子量，最后提高這些晶片的厚度切變諧振頻率，使整個晶片工裝上的晶片濺射厚度一致，從而保證濺射的金屬電極膜的晶片的頻率一致性較好。
文檔編號C23C14/35GK102181841SQ201110128749
公開日2011年9月14日 申請日期2011年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月18日
發(fā)明者丁力, 劉青健, 王艷格, 趙敏, 陳清亮 申請人:應(yīng)達(dá)利電子(深圳)有限公司