專利名稱：一種金屬陶瓷復(fù)合膜真空離子鍍膜機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及用于金屬表面處理的真空離子鍍膜設(shè)備，尤其涉及一種金屬陶瓷 復(fù)合膜真空離子鍍膜機(jī)。
背景技術(shù)：
目前，對金屬表面處理的方法主要是通過真空離子機(jī)對金屬表面進(jìn)行鍍膜，以提 高金屬的耐磨損度和耐腐蝕性，其主要的原理是通過電弧蒸發(fā)或磁控濺射在金屬的表面形 成一層金屬膜，但是采取這樣的鍍膜方式得到的膜結(jié)構(gòu)的抗腐蝕性能仍然滿足不了人們的 需求。而實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，陶瓷和金屬混合在一起形成的膜結(jié)構(gòu)，其耐磨損度和耐腐蝕性都有顯著 的提高，而且呈現(xiàn)透明狀，這樣的膜結(jié)構(gòu)更加符合人們對膜的使用要求，所以急需一種可以 生產(chǎn)出高耐磨損度和高耐腐蝕性，且呈透明狀態(tài)的金屬陶瓷復(fù)合膜的真空離子鍍膜機(jī)。

實(shí)用新型內(nèi)容為了得到一種可以生產(chǎn)高耐磨損度和高耐腐蝕性，呈透明狀態(tài)的金屬陶瓷復(fù)合 膜，并且結(jié)構(gòu)簡單，成本低廉，組裝方便的真空離子鍍膜機(jī)，本實(shí)用新型提出一個(gè)新的技術(shù) 解決方案，具體內(nèi)容如下一種金屬陶瓷復(fù)合膜真空離子鍍膜機(jī)，包括真空鍍膜室，樣品架，機(jī)架，所述機(jī)架 連接所述真空鍍膜室底部外壁，所述樣品架位于所述真空鍍膜室腔內(nèi)并與真空鍍膜室底部 內(nèi)壁固定相接，所述真空鍍膜室內(nèi)配置有電弧靶和射頻磁控濺射裝置。所述電弧靶位于所述真空鍍膜室的一個(gè)側(cè)面的內(nèi)壁上，所述射頻磁控濺射裝置位 于電弧靶所在真空鍍膜室側(cè)面的相對面中部。所述電弧靶呈矩形，數(shù)量為四，電弧靶互相隔開，其中兩個(gè)電弧靶位于真空鍍膜室 側(cè)面上靠近該側(cè)面頂端的位置，另外兩個(gè)電弧靶則位于所述真空室鍍膜室側(cè)面上靠近該側(cè) 面底端的位置；所述射頻磁控濺射裝置數(shù)量為一。所述射頻磁控濺射裝置包括一射頻磁控濺射靶和一射頻匹配器，所述射頻磁控濺 射靶呈平面形，其一側(cè)與真空鍍膜室相連，另一側(cè)與所述射頻匹配器連接。當(dāng)同時(shí)啟動(dòng)電弧靶和射頻磁控濺射裝置時(shí)，就可以在工件上實(shí)現(xiàn)金屬相和陶瓷相 的離子彌散復(fù)合。又或者通過直流磁控濺射裝置得到金屬相的離子，再與射頻磁控濺射裝置產(chǎn)生的 陶瓷相離子復(fù)合，該真空離子鍍膜機(jī)的原理如下一種金屬陶瓷復(fù)合膜真空離子鍍膜機(jī)，包括真空鍍膜室，樣品架，機(jī)架，所述機(jī)架 連接所述真空鍍膜室底部外壁，所述樣品架位于所述真空鍍膜室腔內(nèi)并與真空鍍膜室底部 內(nèi)壁固定相接，所述真空鍍膜室內(nèi)配置有直流磁控濺射裝置和射頻磁控濺射裝置。所述直流磁控濺射裝置包括一個(gè)柱型直流磁控濺射靶和一矩形平面直流磁控濺 射靶；所述柱型直流磁控濺射靶的一端連接真空鍍膜室的頂面中心；所述平面直流磁控濺 射靶位于真空鍍膜室的前端或后端。
3[0012]或者所述直流磁控濺射裝置包括一個(gè)柱型直流磁控濺射靶和四個(gè)圓形平面直流 磁控濺射靶；所述柱型直流磁控濺射靶的一端連接真空鍍膜室頂面中心；所述四個(gè)圓形平 面直流磁控濺射靶互相隔開，并位于真空鍍膜室的前端或后端。用圓形平面磁控濺射靶的 主要有點(diǎn)是靶材選取比較容易，而且體積小方便小樣試驗(yàn)，但是鍍膜的均勻度就不如矩形 平面直流磁控濺射靶好。所述射頻磁控濺射裝置固定在真空鍍膜室前表面內(nèi)壁中部；所述射頻磁控濺射裝 置包括一射頻磁控濺射靶和一射頻匹配器，所述射頻磁控濺射靶呈平面形，其一側(cè)與真空 鍍膜室相連，另一側(cè)與所述射頻匹配器連接。當(dāng)同時(shí)啟動(dòng)直流磁控濺射裝置和射頻磁控濺射裝置時(shí)，就可以在工件上實(shí)現(xiàn)金屬 相和陶瓷相的離子彌散復(fù)合。本實(shí)用新型產(chǎn)生如下有益效果本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，裝配方便，產(chǎn)品成本低廉，效率高，滿足人們對金屬表面處 理工藝的使用要求，高耐磨損度和高耐腐蝕性。

圖1為本實(shí)用新型第一種結(jié)構(gòu)側(cè)視圖；圖2為本實(shí)用新型第二種結(jié)構(gòu)側(cè)視圖；圖3為本實(shí)用新型第三種結(jié)構(gòu)側(cè)視圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的第一種結(jié)構(gòu)，如圖1所示，主要包括真空鍍膜室1、樣品架2、機(jī)架3、 射頻磁控濺射裝置4、四個(gè)矩形電弧靶5。機(jī)架3連接真空鍍膜室1底部外壁，而樣品架2 則位于真空鍍膜室1腔內(nèi)并與真空鍍膜室1的底部內(nèi)壁固定相接。四個(gè)電弧靶5主要用于 產(chǎn)生金屬離子，它們位于所述真空鍍膜室1的一個(gè)側(cè)面的內(nèi)壁上，各個(gè)電弧靶5之間互相隔 開，其中兩個(gè)電弧靶5位于真空鍍膜室1側(cè)面上靠近該側(cè)面頂端的位置，另外兩個(gè)電弧靶則 位于所述真空室鍍膜室側(cè)面上靠近該側(cè)面底端的位置。而射頻磁控濺射裝置4就用來產(chǎn)生 非金屬離子，如陶瓷，它位于電弧靶所在真空鍍膜室側(cè)面的相對面中部，它主要包括一個(gè)平 面射頻磁控濺射靶和一個(gè)射頻匹配器，平面射頻磁控濺射靶一側(cè)與真空鍍膜室1相連，另 一側(cè)就與射頻匹配器連接。當(dāng)同時(shí)啟動(dòng)電弧靶5和射頻磁控濺射裝置4時(shí)，就可以在工件 上實(shí)現(xiàn)金屬相和陶瓷相的離子彌散復(fù)合。如圖2所示，本實(shí)用新型第二種結(jié)構(gòu)主要包括真空鍍膜室1、樣品架2、機(jī)架3、射頻 磁控濺射裝置4、直流磁控濺射裝置6。樣品架2、機(jī)架3在真空鍍膜室1內(nèi)的安裝位置與第 一種結(jié)構(gòu)相同，而用于產(chǎn)生金屬離子的直流磁控濺射裝置6就位于真空鍍膜室1內(nèi)，它包括 一個(gè)柱型直流磁控濺射靶和一矩形平面直流磁控濺射靶；柱型直流磁控濺射靶的一端連接 真空鍍膜室1的頂面中心；而平面直流磁控濺射靶就位于真空鍍膜室1的前端或后端。另 外，射頻磁控濺射裝置4固定在真空鍍膜室1的前表面內(nèi)壁中部，其基本構(gòu)成與第一種結(jié)構(gòu) 中描述的射頻磁控濺射裝置結(jié)構(gòu)一樣。當(dāng)同時(shí)啟動(dòng)直流磁控濺射裝置和射頻磁控濺射裝置 時(shí)，就可以在工件上實(shí)現(xiàn)金屬相和陶瓷相的離子彌散復(fù)合。如圖3所示的本實(shí)用新型第三種結(jié)構(gòu)，它與第二種結(jié)構(gòu)的區(qū)別在于用于產(chǎn)生金屬離子的直流磁控濺射裝置6的結(jié)構(gòu)不同，第三種結(jié)構(gòu)中的直流磁控濺射裝置6主要包括一 個(gè)柱型直流磁控濺射靶和四個(gè)圓形平面直流磁控濺射靶。柱型直流磁控濺射靶的一端連接 真空鍍膜室1的頂面中心；而四個(gè)圓形平面直流磁控濺射靶則互相隔開后位于真空鍍膜室 1的前端或后端。用圓形平面磁控濺射靶的主要有點(diǎn)是靶材選取比較容易，而且體積小方便 小樣試驗(yàn)，但是鍍膜的均勻度就不如矩形平面直流磁控濺射靶好，滿足不同使用者的不同 使用要求。由于利用本實(shí)用新型所產(chǎn)生的復(fù)合膜同時(shí)具有陶瓷相和金屬相的特性，因此具有 更耐熱、耐磨、耐腐蝕的良好特性。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，作出其他各 種相應(yīng)的改變以及變形，而所有的這些改變以及變形都應(yīng)該屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求的保 護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種金屬陶瓷復(fù)合膜真空離子鍍膜機(jī)，包括真空鍍膜室，樣品架，機(jī)架，所述機(jī)架連 接所述真空鍍膜室底部外壁，所述樣品架位于所述真空鍍膜室腔內(nèi)并與真空鍍膜室底部內(nèi) 壁固定相接，其特征在于，所述真空鍍膜室內(nèi)配置有電弧靶和射頻磁控濺射裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的一種金屬陶瓷復(fù)合膜真空離子鍍膜機(jī)，其特征在于，所述電弧 靶位于所述真空鍍膜室的一個(gè)側(cè)面的內(nèi)壁上，所述射頻磁控濺射裝置位于電弧靶所在真空 鍍膜室側(cè)面的相對面中部。
3.如權(quán)利要求2所述的一種金屬陶瓷復(fù)合膜真空離子鍍膜機(jī)，其特征在于，所述電弧 靶呈矩形，數(shù)量為四，電弧靶互相隔開，其中兩個(gè)電弧靶位于真空鍍膜室側(cè)面上靠近該側(cè)面 頂端的位置，另外兩個(gè)電弧靶則位于所述真空室鍍膜室側(cè)面上靠近該側(cè)面底端的位置；所 述射頻磁控濺射裝置數(shù)量為一。
4.如權(quán)利要求3所述的一種金屬陶瓷復(fù)合膜真空離子鍍膜機(jī)，其特征在于，所述射頻 磁控濺射裝置包括一射頻磁控濺射靶和一射頻匹配器，所述射頻磁控濺射靶呈平面形，其 一側(cè)與真空鍍膜室相連，另一側(cè)與所述射頻匹配器連接。
5.一種金屬陶瓷復(fù)合膜真空離子鍍膜機(jī)，包括真空鍍膜室，樣品架，機(jī)架，所述機(jī)架連 接所述真空鍍膜室底部外壁，所述樣品架位于所述真空鍍膜室腔內(nèi)并與真空鍍膜室底部內(nèi) 壁固定相接，其特征在于，所述真空鍍膜室內(nèi)配置有直流磁控濺射裝置和射頻磁控濺射裝 置。
6.如權(quán)利要求5所述的一種金屬陶瓷復(fù)合膜真空離子鍍膜機(jī)，其特征在于，所述直流 磁控濺射裝置包括一個(gè)柱型直流磁控濺射靶和一矩形平面直流磁控濺射靶；所述柱型直流 磁控濺射靶的一端連接真空鍍膜室的頂面中心；所述平面直流磁控濺射靶位于真空鍍膜室 的前端或后端。
7.如權(quán)利要求5所述的一種金屬陶瓷復(fù)合膜真空離子鍍膜機(jī)，其特征在于，所述直流 磁控濺射裝置包括一個(gè)柱型直流磁控濺射靶和四個(gè)圓形平面直流磁控濺射靶；所述柱型直 流磁控濺射靶的一端連接真空鍍膜室頂面中心；所述四個(gè)圓形平面直流磁控濺射靶互相隔 開，并位于真空鍍膜室的前端或后端。
8.如權(quán)利要求6或7所述的一種金屬陶瓷復(fù)合膜真空離子鍍膜機(jī)，其特征在于，所述射 頻磁控濺射裝置固定在真空鍍膜室前表面內(nèi)壁中部；所述射頻磁控濺射裝置包括一射頻磁 控濺射靶和一射頻匹配器，所述射頻磁控濺射靶呈平面形，其一側(cè)與真空鍍膜室相連，另一 側(cè)與所述射頻匹配器連接。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種金屬陶瓷復(fù)合膜真空離子鍍膜機(jī)，包括真空鍍膜室，樣品架，機(jī)架，所述機(jī)架連接所述真空鍍膜室底部外壁，所述樣品架位于所述真空鍍膜室腔內(nèi)并與真空鍍膜室底部內(nèi)壁固定相接，所述真空鍍膜室內(nèi)配置有金屬離子裝置和射頻磁控濺射裝置。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，裝配方便，產(chǎn)品成本低廉，效率高，滿足人們對金屬表面處理工藝的使用要求，高耐磨損度和高耐腐蝕性。
文檔編號(hào)C23C14/22GK201890917SQ201020629049
公開日2011年7月6日 申請日期2010年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月26日
發(fā)明者黃瑞安 申請人:黃瑞安