專利名稱：鉭濺射環(huán)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種鉭濺射環(huán)。
背景技術(shù)：
目前，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面形成電極膜通常采用濺射的方法。濺射是一種物理氣相 淀積(PVD)的鍍膜方式，其是用帶電粒子轟擊靶材，使靶材發(fā)生表面原子碰撞并發(fā)生能量 和動量的轉(zhuǎn)移，靶材原子從表面逸出并淀積在襯底上的過程。利用濺射工藝可在襯底表面 形成金屬、合金或電介質(zhì)薄膜。由于帶電粒子轟擊靶材的方向是不確定的，導(dǎo)致從靶材表面逸出的靶材原子的方 向性較差，即靶材原子會從各個角度脫離靶材表面，之后沿直線到達(dá)襯底表面，進(jìn)而使得靶 材原子對襯底表面內(nèi)接觸孔或通孔的底部和側(cè)壁覆蓋能力差，以及對臺階的側(cè)壁覆蓋能力 也很差，因此為了在接觸孔或通孔的底部和側(cè)壁以及臺階的側(cè)壁取得較好的覆蓋效果，通 常采用準(zhǔn)直濺射。準(zhǔn)直濺射是在靶材和襯底之間設(shè)置一個濺射環(huán)，所述濺射環(huán)通常接地，用于將等 離子體中的粒子聚集在一定范圍內(nèi)，若從靶材上被濺射出的靶材粒子角度較大，有可能這 些靶材粒子會淀積在準(zhǔn)直器上，被聚集后的靶材粒子將通過濺射環(huán)淀積在接觸孔或通孔的 底部和側(cè)壁。鉭濺射環(huán)是這樣一種常用的濺射環(huán)，但是現(xiàn)有技術(shù)中8英寸硅片生產(chǎn)用的鉭濺射 環(huán)往往使用壽命較短，一般使用兩次后就需要進(jìn)行處理，不然生產(chǎn)出的產(chǎn)品電性能就會降 低，影響產(chǎn)品的質(zhì)量。

實用新型內(nèi)容本實用新型實施例提供一種鉭濺射環(huán)，較現(xiàn)有技術(shù)中8英寸硅片生產(chǎn)用的鉭濺射 環(huán)延長了使用壽命。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型實施例提供了如下技術(shù)方案一種鉭濺射環(huán)，該鉭濺射環(huán)上具有花紋，所述花紋的大小大于80TPI，且深度大于 100 μ m0優(yōu)選的，所述花紋的大小為大于50TPI，且小于20TPI。優(yōu)選的，所述花紋的大小為大于45TPI，且小于25TPI。優(yōu)選的，所述花紋的大小為大于40TPI，且小于30TPI。優(yōu)選的，所述花紋的深度為大于200 μ m,且小于800 μ m。優(yōu)選的，所述花紋的深度為大于300 μ m,且小于700 μ m。優(yōu)選的，所述花紋的深度為大于400 μ m,且小于600 μ m。優(yōu)選的，所述花紋由多個菱形結(jié)構(gòu)重復(fù)排列形成。優(yōu)選的，所述花紋采用滾花的方式制作。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點[0018]本實用新型實施例提供的鉭濺射環(huán)，通過增大鉭濺射環(huán)上的花紋大小，并加深花 紋深度，解決了現(xiàn)有技術(shù)中因鉭濺射環(huán)的花紋過于細(xì)小，且深度淺而導(dǎo)致的對大角度的靶 材粒子吸附能力差從而導(dǎo)致的使用壽命短的問題，本實用新型實施例中的鉭濺射環(huán)的花紋 能夠吸附的更多的靶材粒子，進(jìn)而增加了鉭濺射環(huán)的使用次數(shù)，延長了使用壽命。

通過附圖所示，本實用新型的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附 圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點在 于示出本實用新型的主旨。圖1為本實用新型實施例公開的鉭濺射環(huán)的花紋形狀示意圖；圖2為本實用新型實施例公開的鉭濺射環(huán)的花紋深度示意圖；圖3為本實用新型實施例公開的鉭濺射環(huán)的花紋結(jié)構(gòu)的圖片。
具體實施方式
為使本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，
以下結(jié)合附圖對本 實用新型的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實用新型，但是本實用新 型還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實 用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本實用新型不受下面公開的具體實施例的限制。其次，本實用新型結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本實用新型實施例時，為便于 說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在 此不應(yīng)限制本實用新型保護(hù)的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空 間尺寸。正如背景技術(shù)部分所述，現(xiàn)有技術(shù)中8英寸硅片生產(chǎn)用的鉭濺射環(huán)使用壽命短， 一般情況下使用兩次之后若不進(jìn)行處理，生產(chǎn)出的產(chǎn)品的電性就會降低。本實用新型發(fā)明 人研究發(fā)現(xiàn)，產(chǎn)生這種問題的本質(zhì)原因在于，現(xiàn)有技術(shù)中8英寸硅片生產(chǎn)用的鉭濺射環(huán)的 花紋較淺所致，所述鉭濺射環(huán)一般為滾花花紋，花紋較密，一般為80TPI (Tooth Per Inch), 并且深度較淺，一般在100 μ m以下，由于鉭濺射環(huán)上的花紋的作用是吸附從靶材上濺射出 的大角度的靶材粒子，而花紋過于細(xì)密，且深度較淺，經(jīng)過兩次使用后，這些靶材粒子就會 填滿花紋的間隙，此時，如果繼續(xù)使用，鉭濺射環(huán)對粒子的吸附作用就會減弱，并且吸附的 粒子會掉落到下面的襯底上，影響薄膜的形狀，進(jìn)而使產(chǎn)品的電性降低。基于上述原因，本實用新型實施例提供的鉭濺射環(huán)的花紋如圖1、圖2和圖3所示， 圖1為花紋形狀的示意圖，圖2為圖1沿A-A方向的剖視圖，即花紋深度的示意圖，圖中標(biāo) 號h所指示的厚度即為花紋的深度，圖3為花紋結(jié)構(gòu)的圖片，顯示了花紋的立體結(jié)構(gòu)。本實施例中鉭濺射環(huán)的花紋的大小大于80TPI，且深度大于100 μ m。優(yōu)選的，所 述花紋的大小為大于50TPI，且小于20TPI ；更優(yōu)選的，所述花紋的大小為大于45TPI，且小 于25TPI ；再為優(yōu)選的，所述花紋的大小為大于40TPI，且小于30TPI。并且，優(yōu)選的，所述花 紋的深度為大于200 μ m,且小于800 μ m ；更優(yōu)選的，所述花紋的深度為大于300 μ m,且小于 700 μ m ；再為優(yōu)選的，所述花紋的深度為大于400 μ m,且小于600 μ m。[0029]需要說明的是，本實施例中限定，所述花紋的大小特指鉭濺射環(huán)上每英寸范圍內(nèi) 的花紋中最小結(jié)構(gòu)的個數(shù)，花紋的深度是指鉭濺射環(huán)上花紋中最小結(jié)構(gòu)的底部與頂部間的距離。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，所述花紋一般由多個最小結(jié)構(gòu)重復(fù)排列形成的，這種 最小結(jié)構(gòu)可以有很多種形狀，如菱形、圓形、矩形、正方形、多邊形或其他不規(guī)則形狀等，如 圖1所示本實施例中的花紋是由多個菱形結(jié)構(gòu)重復(fù)排列形成，所述菱形結(jié)構(gòu)實際上為四棱 錐形的凹坑，由具有四棱錐凸起的工具加工而成，但本實施例中的花紋形狀并不用于限定 本實用新型實施例的保護(hù)范圍。并且，在工藝制作方面，形成上述花紋的方法有很多，如噴砂、軋制、拉絲、滾花工 藝等，本實施例中選用滾花工藝制作上述花紋，選擇合適的刀具，制作出的花紋效果符合生 產(chǎn)實際的要求，但本實施例中選用的花紋的制作工藝并不用于限定本實用新型實施例的保 護(hù)范圍。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在實際生產(chǎn)中，本實施例中的鉭濺射環(huán)設(shè)置于濺射靶 材和襯底材料之間，相當(dāng)于準(zhǔn)直濺射中的準(zhǔn)直器的作用。其中，所述襯底可以包括半導(dǎo)體元 素，例如單晶、多晶或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺(SiGc)，也可以包括化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，例如碳 化硅、銻化銦、碲化鉛、砷化銦、磷化銦、砷化鎵或銻化鎵、合金半導(dǎo)體或其組合；也可以是絕 緣體上外延硅(silicon on insulator, SOI)。此外，襯底還可以包括其它的材料，例如外 延層或掩埋層的多層結(jié)構(gòu)。并且，上述襯底還包括在其上制造的多個集成電路，這些集成電 路可以處在工序中的任何一個階段，因此，上述襯底包括各種各樣的類型。雖然在此描述了 可以形成襯底材料的幾個示例，但是可以作為襯底的任何材料均落入本實用新型的精神和 范圍之內(nèi)。優(yōu)選的，本實施例中的鉭濺射環(huán)應(yīng)用于8英寸襯底上進(jìn)行濺射過程中，與現(xiàn)有技 術(shù)相比，由于增大了花紋的大小，且加深了花紋深度，使得該鉭濺射環(huán)能夠吸附更多的從靶 材上濺射出的大角度的靶材粒子，進(jìn)而增加了鉭濺射環(huán)的使用次數(shù)，延長了使用壽命。并 且，由于花紋的大小和深度都有所增加，也便于鉭濺射環(huán)吸附的靶材粒子過多后需進(jìn)行的 必要的清理過程，使得清理更方便且清理的也更干凈，避免出現(xiàn)清理不干凈的死角，清理 后的再次使用時，也不會影響生產(chǎn)過程。以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例而已，并非對本實用新型作任何形式上 的限制。雖然本實用新型已以較佳實施例披露如上，然而并非用以限定本實用新型。任何 熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本實用新型技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的 方法和技術(shù)內(nèi)容對本實用新型技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的 等效實施例。因此，凡是未脫離本實用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實用新型的技術(shù)實質(zhì)對 以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本實用新型技術(shù)方案保護(hù)的 范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種鉭濺射環(huán)，該鉭濺射環(huán)上具有花紋，其特征在于，所述花紋的大小大于80TPI， 且深度大于100 μ m。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉭濺射環(huán)，其特征在于，所述花紋的大小為大于50TPI，且小 于 20TPI。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鉭濺射環(huán)，其特征在于，所述花紋的大小為大于45TPI，且小 于 25TPI。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鉭濺射環(huán)，其特征在于，所述花紋的大小為大于40TPI，且小 于 30TPI。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉭濺射環(huán)，其特征在于，所述花紋的深度為大于200μ m,且小 于 800 μ Hlo
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鉭濺射環(huán)，其特征在于，所述花紋的深度為大于300μ m,且小 于 700 μ Hlo
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鉭濺射環(huán)，其特征在于，所述花紋的深度為大于400μ m,且小 于 600 μ m0
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項所述的鉭濺射環(huán)，其特征在于，所述花紋由多個菱形結(jié)構(gòu) 重復(fù)排列形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鉭濺射環(huán)，其特征在于，所述花紋采用滾花的方式制作。
專利摘要本實用新型實施例公開了一種鉭濺射環(huán)，應(yīng)用于8英寸硅片的生產(chǎn)過程，該鉭濺射環(huán)上具有花紋，所述花紋的大小大于80TPI，且深度大于100μm。本實用新型實施例提供的鉭濺射環(huán)，通過增大鉭濺射環(huán)上的花紋大小，并加深花紋深度，解決了現(xiàn)有技術(shù)中因鉭濺射環(huán)的花紋過于細(xì)小，且深度淺而導(dǎo)致的對大角度的靶材原子吸附能力差從而導(dǎo)致使用壽命短的問題，本實用新型實施例中的鉭濺射環(huán)的花紋能夠吸附的更多的靶材原子，進(jìn)而增加了鉭濺射環(huán)的使用次數(shù)，延長了使用壽命。
文檔編號C23C14/34GK201842886SQ20102052396
公開日2011年5月25日 申請日期2010年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月8日
發(fā)明者周友平, 姚力軍, 潘杰, 王學(xué)澤 申請人:寧波江豐電子材料有限公司