專利名稱：濺鍍?cè)O(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及鍍膜技術(shù)，尤其涉及一種濺鍍?cè)O(shè)備。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的金屬與塑料殼體的外觀裝飾鍍膜，其制程可使用物理氣相沉積(Wiysical Vapor Deposition, PVD)，并利用鍍膜室進(jìn)行反應(yīng)式濺鍍，如以反應(yīng)式磁控濺射鍍膜方式的進(jìn)行鍍制。但是，由于該殼體的幾何形狀日趨復(fù)雜，故于鍍膜制程時(shí)，所制膜層易產(chǎn)生膜厚不均所引起的物性不良，如耐磨程度及硬度不理想。有鑒于此，提供一種可使鍍膜厚度均勻的濺鍍?cè)O(shè)備實(shí)為必要。

發(fā)明內(nèi)容
一種濺鍍?cè)O(shè)備，其包括第一鍍膜室、位于該第一鍍膜室的第一陽極載板、第一陰極載板及第一擋板裝置，該第一陽極載板與該第一陰極載板相對(duì)設(shè)置，該第一陽極載板用于承載鍍膜工件，該第一陰極載板用于承載第一濺鍍靶材，該第一擋板裝置可轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置于該第一陽極載板與該第一陰極載板間且包括轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤、第一懸臂、第二懸臂、第一擋板及第二擋板，該第一懸臂及該第二懸臂沿該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤的徑向依次固定在該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤，且該第一懸臂沿遠(yuǎn)離該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤的延伸方向與該第二懸臂沿遠(yuǎn)離該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤的延伸方向相反，該第一擋板固定在該第一懸臂，該第二擋板固定在該第二懸臂，該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤用于帶動(dòng)該第一擋板及該第二擋板遮擋或暴露該第一濺鍍靶材。本發(fā)明提供的濺鍍?cè)O(shè)備，其采用擋板裝置對(duì)濺鍍靶材進(jìn)行遮擋或暴露，使電漿難以或容易撞擊濺鍍靶材以調(diào)整靶材濃度，從而達(dá)到均勻化鍍上鍍膜工件的膜層厚度的目的。



加熱室50第三真空鎖室60離子清洗室70第四真空鎖室80第一鍍膜室90第五真空鎖室100第二鍍膜室110第六真空鎖室120第二過渡室130第七真空鎖室140卸載室150傳輸裝置160馬達(dá)700鍍膜工件400傳輸帶161夾具162進(jìn)件口31出件口32第一陽極載板901第一陰極載板902第一擋板裝置903轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤913第一懸臂923第二懸臂933第一擋板943第二擋板953第一電磁組件904第二陽極載板111第二陰極載板112第二擋板裝置113第二電磁組件114第一濺鍍靶材500第二濺鍍靶材600本體71轉(zhuǎn)軸72導(dǎo)向通道800
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合圖式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
請(qǐng)參閱圖1至圖6，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種濺鍍?cè)O(shè)備300，特別是一種反應(yīng)式磁控濺鍍的連續(xù)式αη-Line)鍍膜設(shè)備，包括裝載室10、第一真空鎖室20、第一過渡室30、第二真空鎖室40、加熱室50、第三真空鎖室60、離子清洗室70、第四真空鎖室80、第一鍍膜室 90、第五真空鎖室100、第二鍍膜室110、第六真空鎖室120、第二過渡室130、第七真空鎖室 140、卸載室150、傳輸裝置160及馬達(dá)700。該第一真空鎖室20連接該裝載室10及該第一過渡室30，該第二真空鎖室40連接該第一過渡室30與該加熱室50，該第三真空鎖室60連接該加熱室50與該離子清洗室70， 該第四真空鎖室80連接該離子清洗室70與該第一鍍膜室90，該第五真空鎖室100連接該第一鍍膜室90與該第二鍍膜室110，該第六真空鎖室120連接該第二鍍膜室110與該第二過渡室130，該第七真空鎖室140連接該第二過渡室130與該卸載室150。上述每個(gè)室之間均設(shè)置有密封移動(dòng)門(圖未示)，用于單獨(dú)密封每個(gè)室及開放兩個(gè)相鄰室的通道。該傳輸裝置160包括傳輸帶161及固定在該傳輸帶161上的夾具162，該夾具162 用于夾持該鍍膜工件400。該傳輸裝置160用于將該鍍膜工件400依次從該裝載室10、該第一真空鎖室20、該第一過渡室30、該第二真空鎖室40、該加熱室50、該第三真空鎖室60、 該離子清洗室70、該第四真空鎖室80、該第一鍍膜室90、該第五真空鎖室100、該第二鍍膜室110、該第六真空鎖室120、該第二過渡室130、該第七真空鎖室140傳輸至該卸載室150。 操作人員從卸載室150將已鍍的鍍膜工件拆下來收集。第一鍍膜室90及第二鍍膜室110在相對(duì)兩側(cè)面均開設(shè)有進(jìn)件口 31及出件口 32。 上述的密封移動(dòng)門可密封該進(jìn)件口 31及出件口 32。鍍膜工件400由進(jìn)件口 31進(jìn)入相應(yīng)的鍍膜室，并從出件口 32進(jìn)入相應(yīng)的真空鎖室。該濺鍍?cè)O(shè)備300在該第一鍍膜室90內(nèi)設(shè)置有第一陽極載板901、第一陰極載板 902、第一擋板裝置903及第一電磁組件904(參圖2)。該第一陽極載板901與該第一陰極載板902相對(duì)設(shè)置，該第一陽極載板901用于承載鍍膜工件400。該第一陰極載板902用于承載第一濺鍍靶材500。該第一擋板裝置903可轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置于第一陽極載板901與第一陰極載板902之間，并設(shè)置于該第一濺鍍靶材500的上方預(yù)定位置。第一擋板裝置903包括轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤913、 第一懸臂923、第二懸臂933、第一擋板943及第二擋板953。該第一懸臂923及該第二懸臂933沿該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤913的徑向依次固定在該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤913。該第一懸臂923沿遠(yuǎn)離該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤913的延伸方向與該第二懸臂933沿遠(yuǎn)離該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤913的延伸方向相反。該第一擋板943固定在該第一懸臂923，該第二擋板953固定在該第二懸臂933。本實(shí)施方式中，第一擋板943平行于第二擋板953。該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤913 用于帶動(dòng)該第一擋板943及該第二擋板953遮擋或暴露該第一濺鍍靶材500。具體地，請(qǐng)參圖2，第一擋板943及第二擋板953大致垂直于第一濺鍍靶材500，因此，第一擋板943及第二擋板953在平行于第一濺鍍靶材500的平面上的正投影面積較小。在圖2的這種狀態(tài)下，第一擋板943及第二擋板953暴露該第一濺鍍靶材500。隨著轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤913的轉(zhuǎn)動(dòng)，第一擋板943及第二擋板953在第一濺鍍靶材500上的正投影面積慢慢變大，直至第一擋板 943及第二擋板953完全遮擋第一濺鍍靶材500，如圖6所示。在圖6的這種狀態(tài)下，第一擋板943及第二擋板953遮擋該第一濺鍍靶材500，使鍍膜時(shí)的電漿難以撞擊第一濺鍍靶材 500，進(jìn)而控制及調(diào)整靶材濃度。
5于第一陰極載板902內(nèi)。第一電磁組件904產(chǎn)生的磁場(chǎng)與第一陽極載板901及第一陰極載板902間的電場(chǎng)的電磁力，將會(huì)影響電漿內(nèi)電子的移動(dòng)，使得電子將進(jìn)行螺旋式的運(yùn)動(dòng)。螺旋式的運(yùn)動(dòng)使得電子從電漿里消失前所行經(jīng)的距離拉長， 因此增加電子與氣體分子間的碰撞次數(shù)，而使得氣體分子離子化的機(jī)率大增，便有更多的離子撞擊靶材，濺射出更多的粒子沉積于鍍膜工件400上，因此第一電磁組件904可提升濺鍍的沉積速。該濺鍍?cè)O(shè)備300在該第二鍍膜室110內(nèi)設(shè)置有第二陽極載板111、第二陰極載板 112、第二擋板裝置113及第二電磁組件114(參圖4)。第二陰極載板112用于承載第二濺鍍靶材600。第二濺鍍靶材600的材料與第一濺鍍靶材500的材料不相同。因此，該鍍膜工件400表面可層上兩個(gè)材料不同的膜層。第二擋板裝置113的結(jié)構(gòu)與第一擋板裝置903的結(jié)構(gòu)相同。第二陽極載板111、第二陰極載板112、第二擋板裝置113及第二電磁組件114的配置與第一陽極載板901、第一陰極載板902、第一擋板裝置903及第一電磁組件904的配置相同。馬達(dá)700包括本體71及與本體71轉(zhuǎn)動(dòng)連接的轉(zhuǎn)軸72。本體71位于第一鍍膜室 90外。轉(zhuǎn)軸72可轉(zhuǎn)動(dòng)地穿設(shè)于第一鍍膜室90并與轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤913固接以驅(qū)動(dòng)該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤 913轉(zhuǎn)動(dòng)以帶動(dòng)第一擋板943及第二擋板953遮擋或暴露該第一濺鍍靶材500。雖然圖未示，可以理解的是，位于第二鍍膜室Iio內(nèi)的第二擋板裝置113也由另一馬達(dá)驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)。工作時(shí)，鍍膜工件400自裝載室10夾持至傳輸裝置160上，并由傳輸裝置160依次經(jīng)第一真空鎖室20、第一過渡室30、第二真空鎖室40、加熱室50、第三真空鎖室60、離子清洗室70、第四真空鎖室80后到達(dá)第一鍍膜室90內(nèi)。鍍膜時(shí)，利用第一擋板裝置903在第一濺鍍靶材500前方加修正引導(dǎo)濺射離子行進(jìn)路徑，例如，若被濺鍍出來的靶材濃度出現(xiàn)不均勻，如位于第一鍍膜室90左側(cè)的靶材濃度比位于第一鍍膜室90右側(cè)的靶材濃度大的話，則操作員可控制馬達(dá)700驅(qū)動(dòng)第一擋板裝置903從圖2的位置沿逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)以使第二擋板953逐漸遮擋第一濺鍍靶材500以使電漿難以撞擊第一濺鍍靶材500靠近第一鍍膜室90左側(cè)的靶材部分。同時(shí)，由于第一擋板裝置903轉(zhuǎn)動(dòng)后，第一擋板943與第二擋板953 相對(duì)于第一濺鍍靶材500傾斜以共同形成一個(gè)導(dǎo)向通道800(請(qǐng)參圖幻，以利于將位于第一鍍膜室90內(nèi)上方的電漿導(dǎo)向至第一濺鍍靶材500靠近第一鍍膜室90右側(cè)的靶材部分以使更多的電漿能撞擊該靶材部分。因此，位于第一鍍膜室90左側(cè)的靶材濃度與位于第一鍍膜室90右側(cè)的靶材濃度慢慢趨于均勻，進(jìn)而均勻化鍍上鍍膜工件400的膜層厚度?？梢岳斫?，可將現(xiàn)有感測(cè)件，如濃度傳感器設(shè)置于第一鍍膜室90內(nèi)的不同位置以感測(cè)靶材濃度并將感測(cè)結(jié)果輸出至可視化的設(shè)備(如顯示器)以供操作員參考控制馬達(dá)700。完成第一層鍍膜的鍍膜工件400被傳送至第二鍍膜室110進(jìn)行第二層的鍍膜。鍍膜完成后，鍍膜工件 400自卸載室150被卸載收集。本發(fā)明提供的濺鍍?cè)O(shè)備，其采用利用擋板裝置對(duì)濺鍍靶材進(jìn)行遮擋或暴露，使電漿難以或容易撞擊濺鍍靶材以調(diào)整靶材濃度，從而達(dá)到均勻化鍍上鍍膜工件的膜層厚度的目的?？梢岳斫?，上述鍍膜室的數(shù)量可視鍍膜工件400所需的膜層數(shù)量而定。另外，在其它實(shí)施方式中，第一擋板943與第二擋板953可相互傾斜以共同形成漏斗狀導(dǎo)向通道800。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化。當(dāng)然，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種濺鍍?cè)O(shè)備，其包括第一鍍膜室、位于該第一鍍膜室的第一陽極載板、第一陰極載板及第一擋板裝置，該第一陽極載板與該第一陰極載板相對(duì)設(shè)置，該第一陽極載板用于承載鍍膜工件，該第一陰極載板用于承載第一濺鍍靶材，該第一擋板裝置可轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置于該第一陽極載板與該第一陰極載板間且包括轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤、第一懸臂、第二懸臂、第一擋板及第二擋板，該第一懸臂及該第二懸臂沿該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤的徑向依次固定在該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤，且該第一懸臂沿遠(yuǎn)離該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤的延伸方向與該第二懸臂沿遠(yuǎn)離該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤的延伸方向相反，該第一擋板固定在該第一懸臂，該第二擋板固定在該第二懸臂，該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤用于帶動(dòng)該第一擋板及該第二擋板遮擋或暴露該第一濺鍍靶材。
2.如權(quán)利要求1所述的濺鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，該濺鍍?cè)O(shè)備包括用于驅(qū)動(dòng)該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤轉(zhuǎn)動(dòng)的馬達(dá)。
3.如權(quán)利要求1所述的濺鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，該濺鍍?cè)O(shè)備還包括裝載室、第一真空鎖室、第一過渡室、第二真空鎖室、加熱室、第三真空鎖室、離子清洗室、第四真空鎖室、第五真空鎖室、第二鍍膜室、第六真空鎖室、第二過渡室、第七真空鎖室、卸載室及傳輸裝置，該第一真空鎖室連接該裝載室及該第一過渡室，該第二真空鎖室連接該第一過渡室與該加熱室，該第三真空鎖室連接該加熱室與該離子清洗室，該第四真空鎖室連接該離子清洗室與該第一鍍膜室，該第五真空鎖室連接該第一鍍膜室與該第二鍍膜室，該第六真空鎖室連接該第二鍍膜室與該第二過渡室，該第七真空鎖室連接該第二過渡室與該卸載室，該傳輸裝置用于將該鍍膜工件依次從該裝載室、該第一真空鎖室、該第一過渡室、該第二真空鎖室、 該加熱室、該第三真空鎖室、該離子清洗室、該第四真空鎖室、該第一鍍膜室、該第五真空鎖室、該第二鍍膜室、該第六真空鎖室、該第二過渡室、該第七真空鎖室傳輸至該卸載室。
4.如權(quán)利要求3所述的濺鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，該濺鍍?cè)O(shè)備包括位于該第二鍍膜室內(nèi)的第二陽極載板、第二陰極載板及第二擋板裝置，該第二陽極載板與該第二陰極載板相對(duì)設(shè)置，該第二陽極載板用于承載該鍍膜工件，該第二陰極載板用于承載第二濺鍍靶材，該第二擋板裝置的結(jié)構(gòu)與該第一擋板裝置的結(jié)構(gòu)相同，該第二擋板裝置的轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤用于帶動(dòng)該第二擋板裝置的第一擋板及該第二擋板裝置的第二擋板遮擋或暴露該第二濺鍍靶材，該第二濺鍍靶材的材料與該第一濺鍍靶材的材料不同。
5.如權(quán)利要求3所述的濺鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，該傳輸裝置包括傳輸帶及固定在該傳輸帶上的夾具，該夾具用于夾持該鍍膜工件。
6.如權(quán)利要求1所述的濺鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，該濺鍍?cè)O(shè)備還包括位于該第一陰極載板內(nèi)的電磁組件。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種濺鍍?cè)O(shè)備，其包括第一鍍膜室、位于該第一鍍膜室的第一陽極載板、第一陰極載板及第一擋板裝置。該第一陽極載板與該第一陰極載板相對(duì)設(shè)置，該第一陽極載板用于承載鍍膜工件，該第一陰極載板用于承載第一濺鍍靶材。該第一擋板裝置可轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置于該第一陽極載板與該第一陰極載板間且包括轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤、第一懸臂、第二懸臂、第一擋板及第二擋板，該第一懸臂及該第二懸臂沿該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤的徑向依次固定在該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤。該第一懸臂沿遠(yuǎn)離該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤的延伸方向與該第二懸臂沿遠(yuǎn)離該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤的延伸方向相反。該第一擋板固定在該第一懸臂，該第二擋板固定在該第二懸臂，該轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤用于帶動(dòng)該第一擋板及該第二擋板遮擋或暴露該第一濺鍍靶材。
文檔編號(hào)C23C14/34GK102433538SQ20101029664
公開日2012年5月2日 申請(qǐng)日期2010年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月29日
發(fā)明者王仲培 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司