專利名稱：一種硼摻雜納米金剛石薄膜及制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種硼摻雜納米金剛石薄膜及其制備方法。
背景技術(shù)：
金剛石薄膜具有優(yōu)異的物理性能和極高的應(yīng)用價(jià)值，在金剛石薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中摻 入硼雜質(zhì)，可以得到具有良好導(dǎo)電性能的P型金剛石膜。這種P型金剛石薄膜可以用作電 學(xué)器件和電極材料等。硼摻雜微晶金剛石薄膜(指金剛石晶粒尺寸在微米級(jí))制成的電極具 有很寬的電化學(xué)窗口、很低的背景電流、很高的化學(xué)和電化學(xué)穩(wěn)定性、低吸附和抗污染等優(yōu)
點(diǎn)O納米金剛石薄膜是由納米金剛石晶粒和非晶碳晶界組成的復(fù)合薄膜，它除了具有 常規(guī)金剛石的優(yōu)異性質(zhì)外，還具有表面光滑、比表面積大等特點(diǎn)，在其中摻入硼雜質(zhì)可望獲 得比硼摻雜微晶金剛石薄膜更優(yōu)異的電學(xué)和電化學(xué)性能，在納米電子器件和電極材料等方 面有較好的應(yīng)用前景。但是，納米金剛石薄膜中存在大量晶界和缺陷，在薄膜的化學(xué)氣相 沉積過(guò)程中，硼趨于優(yōu)先進(jìn)入晶界位置，使得納米金剛石晶粒中的硼含量較低，因此納米金 剛石晶粒對(duì)導(dǎo)電的貢獻(xiàn)較??；并且薄膜的非晶碳晶界中含有大量與氫有關(guān)的反式聚乙炔 (transpolyacetylene)，降低了薄膜的電導(dǎo)率和遷移率。因此，硼摻雜納米金剛石薄膜的電 阻率較摻入相同硼濃度的微晶金剛石薄膜高，載流子遷移率低，這較大地影響了它的電學(xué) 性能和電化學(xué)性能，使其P型導(dǎo)電性能和電化學(xué)性能較摻入相同硼濃度的微晶金剛石薄膜 差。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)硼摻雜納米金剛石薄膜的ρ型導(dǎo)電性能和電化學(xué)性能較摻入相同濃度硼的 微晶金剛石薄膜差的問(wèn)題，本發(fā)明對(duì)化學(xué)氣相沉積制備得到的硼摻雜納米金剛石薄膜進(jìn)行 后處理，有效地提高了薄膜的P型導(dǎo)電性能和電化學(xué)性能。采用的技術(shù)方案是
一種硼摻雜納米金剛石薄膜的制備方法，所述的方法包括以下步驟
(1)采用化學(xué)氣相沉積法，在單晶硅襯底上制備硼摻雜納米金剛石薄膜前體；
(2)將步驟(1)制備得到的硼摻雜納米金剛石薄膜前體在80(Γ1200 下真空退火 30^60分鐘，制得所述硼摻雜納米金剛石薄膜。本發(fā)明還提供一種硼摻雜納米金剛石薄膜，所述硼摻雜納米金剛石薄膜按以下方 法制備得到(1)采用化學(xué)氣相沉積法，在單晶硅襯底上制備硼摻雜納米金剛石薄膜前體; (2)將步驟(1)制備得到的硼摻雜納米金剛石薄膜前體在80(Γ1200 下真空退火3(Γ60分 鐘，制得所述硼摻雜納米金剛石薄膜。所述真空退火通常在相對(duì)真空度為3 10mmHg (優(yōu)選5mmHg)下進(jìn)行退火。更具體的，所述步驟(1)按以下步驟進(jìn)行在單晶硅襯底上，采用化學(xué)氣相沉積設(shè) 備，以丙酮為碳源，B2H6為硼源，硼濃度為50(T5000 ppm，采用氫氣鼓泡方式將溶有硼源的丙 酮帶入到反應(yīng)室中，反應(yīng)溫度60(T70(TC、反應(yīng)時(shí)間為5飛小時(shí)，在單晶硅襯底上制備得到厚度為1 15 μ m的硼摻雜納米金剛石薄膜前體。本發(fā)明在納米金剛石薄膜中摻入不同含量的硼雜質(zhì)，并對(duì)硼摻雜納米金剛石薄膜 進(jìn)行真空退火處理，使沉積在晶界上的硼擴(kuò)散進(jìn)入到納米金剛石晶粒中，提高納米金剛石 晶粒的電導(dǎo)率；真空退火去除薄膜晶界中的反式聚乙炔，提高非晶碳晶界的導(dǎo)電能力，從而 全面提高硼摻雜納米金剛石薄膜的電導(dǎo)率，改善薄膜的電化學(xué)性能。本發(fā)明對(duì)提高納米硼 摻雜金剛石薄膜的導(dǎo)電性能和電化學(xué)性能及實(shí)現(xiàn)其在納米金剛石電學(xué)器件的制作和廢水 處理等方面的實(shí)際應(yīng)用具有十分重要的科學(xué)意義和工程價(jià)值。本發(fā)明所述退火使薄膜中非晶碳晶界上的反式聚乙炔及晶界含量大大減少，位于 晶界上的硼擴(kuò)散進(jìn)入到納米金剛石晶粒中。本發(fā)明提供的硼摻雜納米金剛石薄膜呈P型電導(dǎo)。本發(fā)明提供的硼摻雜納米金剛石薄膜可應(yīng)用作為電化學(xué)電極，電化學(xué)窗口為 2. 4 3. IV，析氧電位為和1. 7 2. 3V，對(duì)苯酚的氧化峰電流密度可達(dá)2. 12 mA/cm2。本發(fā)明與申請(qǐng)?zhí)?00910155306的《一種η型納米金剛石薄膜及制備方法》相比， 現(xiàn)有技術(shù)是采用離子注入方法，在納米金剛石薄膜中注入磷、氧等，經(jīng)過(guò)退火后，獲得導(dǎo)電 類型為η型的納米金剛石薄膜。本發(fā)明是針對(duì)在化學(xué)氣相沉積過(guò)程中摻硼后的納米金剛石 薄膜的P型導(dǎo)電性能和電化學(xué)性能，通過(guò)對(duì)化學(xué)氣相沉積制備得到的薄膜進(jìn)行真空退火處 理，來(lái)提高它的P型導(dǎo)電和電化學(xué)性能。雖然都使用了退火，但本發(fā)明是針對(duì)硼摻雜納米金 剛石薄膜的P型導(dǎo)電性能和電化學(xué)性能，利用退火使得聚集在納米金剛石晶界上的硼擴(kuò)散 進(jìn)入到納米金剛石晶粒中，并去掉晶界上的反式聚乙炔，提高其P型導(dǎo)電和電化學(xué)性能。本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在(1)方法簡(jiǎn)單、易于操作；(2)采用真空退火方 法對(duì)化學(xué)氣相沉積制備得到的硼摻雜納米金剛石薄膜進(jìn)行退火處理，可使聚集在納米金剛 石晶界中的硼擴(kuò)散進(jìn)入到納米金剛石晶粒中，提高薄膜中納米金剛石晶粒的導(dǎo)電性能，使 薄膜具有較好的P型導(dǎo)電性能。(3)真空退火方法可以有效去除聚集在晶界中的反式聚乙 炔，提高了薄膜的電導(dǎo)率和載流子遷移率，獲得了較好導(dǎo)電能力的P型金剛石薄膜。(4)真 空退火改善了薄膜的導(dǎo)電性能，從而提高了薄膜作為電極的電化學(xué)性能。本發(fā)明對(duì)實(shí)現(xiàn)硼 摻雜納米金剛石薄膜在電學(xué)器件、水處理和金屬離子檢測(cè)等領(lǐng)域的應(yīng)用具有十分重要的科 學(xué)意義和工程價(jià)值。


圖1為硼摻雜納米金剛石薄膜(B :C=500ppm)的場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FESEM)照片。圖2 (a)為未退火硼摻雜納米金剛石薄膜(B :C=500ppm)的高分辨透射電鏡 (HRTEM)照片；圖2 (b)為1000°C真空退火30分鐘后硼摻雜納米金剛石薄膜(B :C=500ppm) 的高分辨透射電鏡(HRTEM)照片。圖3為1000°C真空30分鐘后退火后的硼摻雜納米金剛石薄膜(B :C=500ppm)的 Raman光譜。圖4為1000°C真空退火30分鐘后的硼摻雜納米金剛石薄膜的循環(huán)伏安曲線圖。圖5為1000°C真空退火30分鐘后的硼摻雜納米金剛石薄膜對(duì)苯酚的催化曲線。圖6為1150°C真空退火30分鐘后的硼摻雜納米金剛石薄膜的Raman光譜。圖7為1150°C真空退火30分鐘后的硼摻雜納米金剛石薄膜的循環(huán)伏安曲線圖。
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圖8為1150°C真空退火30分鐘后的硼摻雜納米金剛石薄膜對(duì)苯酚的催化曲線。圖9為1000°C真空退火60分鐘后的硼摻雜納米金剛石薄膜(B :C=5000ppm)的循 環(huán)伏安曲線圖。圖10為1000°C真空退火60分鐘后的硼摻雜納米金剛石薄膜(B :C=5000ppm)對(duì)苯 酚的催化曲線。圖11為1000°C真空退火30分鐘后的硼摻雜納米金剛石薄膜(B :C=1060ppm)對(duì)苯 酚的催化曲線。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步描述，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不僅限 于此
實(shí)施例1
用納米級(jí)金剛石粉打磨單晶硅片，打磨時(shí)間約半小時(shí)。打磨過(guò)的硅片經(jīng)過(guò)超聲機(jī)清洗 后，作為納米金剛石薄膜生長(zhǎng)的襯底。采用熱絲化學(xué)氣相沉積方法(化學(xué)氣相沉積設(shè)備購(gòu)自 上海交友鉆石涂層有限公司)，以丙酮為碳源，B2H6為硼源，硼濃度為500 ppm ；采用氫氣鼓 泡方式將丙酮帶入到反應(yīng)室中，反應(yīng)室溫度控制在60(T70(TC，制備時(shí)間為5小時(shí)，制備出 厚度為12. 1 μ m的硼摻雜納米金剛石薄膜。將制備得到的薄膜放置在石英管中，用真空泵把石英管中的空氣抽出，相對(duì)真空 度為5torr(ltorr即1毫米水銀柱(mmHg))，然后將石英管封閉，在1000°C真空退火30分 鐘。圖1為硼摻雜納米金剛石薄膜的場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FESEM)照片，可見薄膜是由納米級(jí) 的金剛石晶粒組成；采用高分辨透射電鏡(HRTEM)分析未退火和1000°C退火后的薄膜微結(jié) 構(gòu)，如圖2所示?？梢钥闯觯瑘D2 (a)中，未退火的薄膜中納米金剛石晶粒直徑為15nm左右 (黑色)鑲嵌在非晶碳相(淺灰色)中，表明納米金剛石薄膜是由納米金剛石晶粒和非晶碳晶 界組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。圖2 (b)中，1000°C退火后薄膜中的金剛石晶粒直徑在10 nm左右，晶 界的寬度較退火前明顯減少。進(jìn)一步采用Raman光譜分析1000°C退火后薄膜的成分，如圖 3所示?？梢钥闯觯∧び山饎偸?、非晶碳相和石墨相組成。在未退火樣品中，可以明顯見 到反式聚乙炔的特征峰1120CHT1和1480CHT1 ；而在圖3中，未見到這兩個(gè)峰，說(shuō)明1000°C真 空退火后，薄膜中的反式聚乙炔已經(jīng)被去除。由于反式聚乙炔位于薄膜的晶界上，反式聚乙 炔的去除證明了透射電鏡中觀察到的非晶碳晶界的減少。晶界的減少迫使晶界上的大量硼 原子擴(kuò)散到納米金剛石晶粒中。循環(huán)伏安是檢測(cè)薄膜的電化學(xué)性能的有力工具。在lmol/L WH2SO4溶液介質(zhì)中測(cè) 試硼摻雜納米金剛石薄膜電極的循環(huán)伏安曲線，如圖4所示?？梢钥闯觯∧さ碾娀瘜W(xué)窗口 和析氧電位分別為2. 42V和1. 74V，說(shuō)明薄膜具有較好的電化學(xué)性能。各電極的背景電流很 低，在-10—5 ICT5A范圍，說(shuō)明各電極的電流效率高，能耗低。薄膜的電催化性能可以通過(guò)對(duì)酸性苯酚溶液的催化氧化實(shí)驗(yàn)測(cè)試得到，酸性苯酚 溶液是由苯酚溶于1 mol/L H2SO4溶液得到，其中苯酚的濃度為100mg/L，結(jié)果如圖5所示。 從譜線中可以看到明顯的氧化峰，峰的電流密度為2. 12 mA/cm2,比未退火的硼摻雜納米金 剛石薄膜的電流密度0. 096 mA/cm2提高了 20倍左右，說(shuō)明1000°C退火后的薄膜對(duì)苯酚的 催化氧化能力得到大幅度提高。
實(shí)施例2
采用納米級(jí)金剛石粉打磨單晶硅片，打磨時(shí)間約半小時(shí)。打磨過(guò)的硅片經(jīng)過(guò)超聲機(jī)清 洗后，作為納米金剛石薄膜生長(zhǎng)的襯底。采用熱絲化學(xué)氣相沉積方法(化學(xué)氣相沉積設(shè)備購(gòu) 自上海交友鉆石涂層有限公司)，以丙酮為碳源，B2H6為硼源，硼濃度為500 ppm ；采用氫氣 鼓泡方式將丙酮帶入到反應(yīng)室中，反應(yīng)室溫度控制在60(T70(TC，制備時(shí)間為6小時(shí)，制備 出厚度為12. 1 μ m的納米金剛石薄膜。將制備得到的薄膜放置在石英管中，用真空泵把石英管中的空氣抽出，相對(duì)真空 度為5torr，然后將石英管封閉，在1150°C真空退火30分鐘。采用Raman光譜分析薄膜的 成分，如圖6所示?？梢钥闯?，薄膜由金剛石相、非晶碳相和石墨相組成；譜圖中未見到反式 聚乙炔的特征峰1120CHT1和HSOcnT1，說(shuō)明1150°C真空退火后，薄膜中的反式聚乙炔已經(jīng)被 去除。采用循環(huán)伏安測(cè)試薄膜的電化學(xué)性能，測(cè)試條件同實(shí)施例1，從圖7的循環(huán)伏安譜 圖可以看出，薄膜的電化學(xué)窗口和析氧電位分別為3. IOV和2. 25V，說(shuō)明薄膜具有較好的電 化學(xué)性能。各電極的背景電流很低，在-10—5 10、范圍，說(shuō)明各電極的電流效率高，能耗 低。薄膜的電催化性能可以通過(guò)對(duì)酸性苯酚溶液的催化氧化實(shí)驗(yàn)測(cè)試得到。 測(cè)試條件同實(shí)施例1，結(jié)果如圖8所示，譜線中可以看到明顯的氧化峰，峰的電流密度為 1. 47mA/cm2,比未退火的硼摻雜納米金剛石薄膜的電流密度0. 096 mA/cm2提高了 15倍左 右，說(shuō)明1150°C退火后的薄膜對(duì)苯酚的催化氧化能力得到大幅度提高。實(shí)施例3
采用納米級(jí)金剛石粉打磨單晶硅片，打磨時(shí)間約半小時(shí)。打磨過(guò)的硅片經(jīng)過(guò)超聲機(jī)清 洗后，作為納米金剛石薄膜生長(zhǎng)的襯底。采用熱絲化學(xué)氣相沉積方法(化學(xué)氣相沉積設(shè)備購(gòu) 自上海交友鉆石涂層有限公司)，以丙酮為碳源，B2H6為硼源，硼濃度為5000 ppm ；采用氫氣 鼓泡方式將丙酮帶入到反應(yīng)室中，反應(yīng)室溫度控制在60(T70(TC，制備時(shí)間為6小時(shí)，制備 出厚度為12. 3 μ m的納米金剛石薄膜。將制備得到的薄膜放置在石英管中，用真空泵把石英管中的空氣抽出，相對(duì)真空 度為5torr，然后將石英管封閉，在1000°C真空退火60分鐘。采用循環(huán)伏安測(cè)試薄膜的電 化學(xué)性能，循環(huán)伏安測(cè)試條件同實(shí)施例1，從圖9的循環(huán)伏安譜圖可以看出，薄膜的電化學(xué) 窗口和析氧電位分別為2. 86V和1. 96V，說(shuō)明薄膜具有較好的電化學(xué)性能。各電極的背景電 流很低，在-10—5 ICT5A范圍，說(shuō)明各電極的電流效率高，能耗低。薄膜的電催化性能可以通過(guò)對(duì)氯化鉀溶液中的苯酚的催化氧化實(shí)驗(yàn)測(cè)試 得到。測(cè)試條件同實(shí)施例1，測(cè)試所用溶液由苯酚溶于1 mol/L KCl溶液得到，其中苯酚的 濃度為100mg/L。結(jié)果如圖10所示，譜線中可以看到明顯的氧化峰，峰的電流密度為1.0 mA/cm2,比未退火的硼摻雜納米金剛石薄膜的電流密度0. 002 mA/cm2提高了 500倍左右，說(shuō) 明1000°C退火60分鐘后的薄膜對(duì)苯酚的催化氧化能力得到大幅度提高。
實(shí)施例4
采用納米級(jí)金剛石粉打磨單晶硅片，打磨時(shí)間約半小時(shí)。打磨過(guò)的硅片經(jīng)過(guò)超聲機(jī)清洗后，作為納米金剛石薄膜生長(zhǎng)的襯底。采用熱絲化學(xué)氣相沉積方法(化學(xué)氣相沉積設(shè)備購(gòu) 自上海交友鉆石涂層有限公司)，以丙酮為碳源，B2H6為硼源，硼濃度為1060 ppm;采用氫氣 鼓泡方式將丙酮帶入到反應(yīng)室中，反應(yīng)室溫度控制在60(T70(TC，制備時(shí)間為6小時(shí)，制備 出厚度為3. 67 μ m的納米金剛石薄膜。將制備得到的薄膜放置在石英管中，用真空泵把石英管中的空氣抽出，相對(duì)真空 度為5t0rr，然后將石英管封閉，在1000°C真空退火30分鐘。循環(huán)伏安測(cè)試條件同實(shí)施例 1，從圖10的循環(huán)伏安譜圖可以看出，薄膜的電化學(xué)窗口和析氧電位分別為2. 80V和2. 2V, 說(shuō)明薄膜具有較好的電化學(xué)性能。各電極的背景電流很低，在-10—5 ICT5A范圍，說(shuō)明各電 極的電流效率高，能耗低。
實(shí)施例5
采用納米級(jí)金剛石粉打磨單晶硅片，打磨時(shí)間約半小時(shí)。打磨過(guò)的硅片經(jīng)過(guò)超聲機(jī)清 洗后，作為納米金剛石薄膜生長(zhǎng)的襯底。采用熱絲化學(xué)氣相沉積方法(化學(xué)氣相沉積設(shè)備購(gòu) 自上海交友鉆石涂層有限公司)，以丙酮為碳源，B2H6為硼源，硼濃度為500 ppm ；采用氫氣 鼓泡方式將丙酮帶入到反應(yīng)室中，反應(yīng)室溫度控制在60(T70(TC，制備時(shí)間為6小時(shí)，制備 出厚度為12. 1 μ m的納米金剛石薄膜。將制備得到的薄膜放置在石英管中，用真空泵把石英管中的空氣抽出，相對(duì)真空 度為5torr，然后將石英管封閉，在800°C真空退火30分鐘。采用Hall效應(yīng)測(cè)試薄膜的電 學(xué)性能，結(jié)果表明薄膜的電阻率為0.32 Ω cm，載流子遷移率為629 cmW1 ;Hall系數(shù)為 正值，說(shuō)明薄膜導(dǎo)電類型為P型。該薄膜的電阻率低，載流子遷移率高，具有良好的P型導(dǎo) 電性能。
實(shí)施例6
采用納米級(jí)金剛石粉打磨單晶硅片，打磨時(shí)間約半小時(shí)。打磨過(guò)的硅片經(jīng)過(guò)超聲機(jī)清 洗后，作為納米金剛石薄膜生長(zhǎng)的襯底。采用熱絲化學(xué)氣相沉積方法(化學(xué)氣相沉積設(shè)備購(gòu) 自上海交友鉆石涂層有限公司)，以丙酮為碳源，B2H6為硼源，硼濃度為5000 ppm ；采用氫氣 鼓泡方式將丙酮帶入到反應(yīng)室中，反應(yīng)室溫度控制在60(T70(TC，制備時(shí)間為6小時(shí)，制備 出厚度為12. 1 μ m的納米金剛石薄膜。將制備得到的薄膜放置在石英管中，用真空泵把石英管中的空氣抽出，相對(duì)真空 度為5torr，然后將石英管封閉，在1000°C真空退火30分鐘。采用Hall效應(yīng)測(cè)試薄膜的電 學(xué)性能，結(jié)果表明薄膜的電阻率為0.028Ω cm，載流子遷移率為39. 3 Cm2W1iT1 ;Hall系數(shù) 為正值，說(shuō)明薄膜導(dǎo)電類型為P型。該薄膜的電阻率低，載流子遷移率高，具有良好的P型 導(dǎo)電性能。
權(quán)利要求
一種硼摻雜納米金剛石薄膜的制備方法，其特征在于所述的方法包括以下步驟(1)采用化學(xué)氣相沉積法，在單晶硅襯底上制備硼摻雜納米金剛石薄膜前體；(2)將步驟(1)制備得到的硼摻雜納米金剛石薄膜前體在800~1200℃下真空退火30~60分鐘，制得所述硼摻雜納米金剛石薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的硼摻雜納米金剛石薄膜的制備方法，其特征在于所述步驟(1) 的制備方法如下采用化學(xué)氣相沉積設(shè)備，以單晶硅為襯底，以丙酮為碳源，B2H6為硼源， 硼濃度為50(T5000 ppm，采用氫氣鼓泡方式將溶有硼源的丙酮帶入到反應(yīng)室中，反應(yīng)溫度 60(T70(TC、反應(yīng)時(shí)間5飛小時(shí)，在單晶硅襯底上制備得到厚度為1 15 μ m的硼摻雜納米 金剛石薄膜前體。
3.如權(quán)利要求1所述的硼摻雜納米金剛石薄膜的制備方法，其特征在于所述步驟(2) 中的真空退火是在相對(duì)真空度為3 10mmHg下進(jìn)行的。
4.一種采用如權(quán)利要求1所述方法制備的硼摻雜納米金剛石薄膜，其特征在于所述 退火使薄膜中非晶碳晶界上的反式聚乙炔及晶界含量大大減少，位于晶界上的硼擴(kuò)散進(jìn)入 到納米金剛石晶粒中；所述硼摻雜納米金剛石薄膜呈P型電導(dǎo)；所述硼摻雜納米金剛石薄 膜的電化學(xué)窗口為2. Γ3. IV，析氧電位為和1. Tl. 3V，對(duì)苯酚的氧化峰電流密度可達(dá)2. 12 mA/cm2 ο
5.一種硼摻雜納米金剛石薄膜，其特征在于所述硼摻雜納米金剛石薄膜按以下方法制 備得到(1)采用化學(xué)氣相沉積法，在單晶硅襯底上制備硼摻雜納米金剛石薄膜前體；(2) 將步驟(1)制備得到的硼摻雜納米金剛石薄膜前體在80(Γ1200 下真空退火3(Γ60分鐘， 制得所述硼摻雜納米金剛石薄膜。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種硼摻雜納米金剛石薄膜，可按以下方法制得采用化學(xué)氣相沉積方法，在單晶硅襯底上制備硼摻雜納米金剛石薄膜，并將薄膜在800~1200℃下真空退火30~60分鐘，即得所述硼摻雜納米金剛石薄膜。本發(fā)明使用真空退火方法，使聚集在納米金剛石薄膜的晶界上的硼原子擴(kuò)散到納米金剛石晶粒中，并使晶界上的反式聚乙炔的量大大減少，有效地提高了硼摻雜納米金剛石薄膜的p型導(dǎo)電性能和電化學(xué)性能。本發(fā)明對(duì)實(shí)現(xiàn)硼摻雜納米金剛石薄膜在納米電子器件及水處理和重金屬檢測(cè)等電化學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用具有十分重要的科學(xué)意義和工程價(jià)值。
文檔編號(hào)C23C16/27GK101956178SQ20101029565
公開日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2010年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月28日
發(fā)明者劉會(huì)君, 胡曉君 申請(qǐng)人:浙江工業(yè)大學(xué)