專利名稱：清洗晶片的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種清洗晶片的方法。
背景技術(shù)：
在集成電路的制造過(guò)程中，常常需要使用鋁進(jìn)行金屬化。這是因?yàn)椋X的耐腐蝕性較好且價(jià)格低廉、易于加工并且便于焊接。鋁在集成電路中常用作焊接區(qū)金屬，即在晶片上形成鋁墊，作為與外部電路的電連接點(diǎn)(焊盤)。一般通過(guò)使用氯基氣體的刻蝕鋁而生成鋁墊，然后需要立即對(duì)鋁墊進(jìn)行清洗，以除去由刻蝕產(chǎn)生的雜質(zhì)，因?yàn)檫@些雜質(zhì)可能會(huì)侵蝕所形成的鋁墊，而導(dǎo)致鋁墊的表面產(chǎn)生缺陷。但清洗時(shí)，晶片所處環(huán)境變得潮濕，上述雜質(zhì)中的氯化鋁(AlCl3)在潮濕環(huán)境中會(huì)與水分子發(fā)生反應(yīng)生成鹽酸和氫氧化鋁(A1C13+3H20 = Al (0H)3+3HC1)。鹽酸又會(huì)與鋁反應(yīng)生成氯化鋁(6HC1+2A1 = 2A1C13+3H2)，然后所生成的氯化鋁又會(huì)繼續(xù)與水發(fā)生反應(yīng)。其中，氫氧化鋁呈堿性并難溶于水，在潮濕環(huán)境中會(huì)附著在鋁墊上而形成凝膠狀物質(zhì)。這種難溶物會(huì)降低鋁墊的可靠性，從而造成半導(dǎo)體器件的虛焊等缺陷。由于這種凝膠不易溶于水，很難通過(guò)水洗將其去除。如果采用常用的酸性溶液將其清洗去除，酸性溶液還會(huì)與構(gòu)成鋁墊的鋁發(fā)生氧化反應(yīng)，進(jìn)一步加重鋁墊的缺陷。因此，潮濕的環(huán)境和氯基氣體的使用會(huì)給鋁墊帶來(lái)侵蝕缺陷的問(wèn)題。而且，如上所示，該過(guò)程中所發(fā)生的多個(gè)反應(yīng)為鏈?zhǔn)椒磻?yīng)，因此單個(gè)晶片上的缺陷會(huì)愈趨嚴(yán)重，且會(huì)傳遞給同一晶片盒中的其他晶片，從而降低同批晶片的品質(zhì)。圖1是現(xiàn)有技術(shù)鋁墊上的侵蝕缺陷的掃描式電子顯微鏡照片。如圖1所示，可以看出鋁墊101上附著了難溶物102而形成了侵蝕缺陷。因此，如何有效地減少晶片上的鋁墊的侵蝕缺陷并阻止其惡化或傳染至其他晶片就成為亟待解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式
部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。為解決現(xiàn)有技術(shù)無(wú)法有效地減少晶片上的鋁墊的侵蝕缺陷并阻止其惡化或傳染至其他晶片的問(wèn)題，本發(fā)明提供了第一方案，即一種清洗晶片的方法，所述晶片上具有鋁墊，其中，所述方法包括以下清洗步驟使用四甲基氫氧化銨水溶液對(duì)所述晶片進(jìn)行清洗； 所述四甲基氫氧化銨水溶液中的四甲基氫氧化銨的含量為1. 0重量％至9. 8重量％，所述清洗步驟的持續(xù)時(shí)間為15秒至40秒，所述清洗步驟在15°C至30°C的溫度下進(jìn)行。根據(jù)本發(fā)明的第一方案，可以有效地減少晶片上的鋁墊的侵蝕缺陷并阻止其惡化或傳染至其他晶片，從而提高半導(dǎo)體器件的鋁墊的可靠性。由于清洗后的晶片可重新恢復(fù)原有的性能，因此該方法可有效提高良品率。本發(fā)明的第二方案是如第一方案所述的方法，其中，所述四甲基氫氧化銨水溶液中的四甲基氫氧化銨的含量為4. 0重量％至6. 0重量％。根據(jù)本發(fā)明的第二方案，可以進(jìn)一步有效地減少晶片上的鋁墊的侵蝕缺陷并阻止其惡化或傳染至其他晶片，從而提高半導(dǎo)體器件的鋁墊的可靠性。本發(fā)明的第三方案是如第一或第二方案所述的方法，其中，所述清洗步驟在20°C 至25 °C的溫度下進(jìn)行。根據(jù)本發(fā)明的第三方案，可以在節(jié)能環(huán)保的同時(shí)，有效地減少晶片上的鋁墊的侵蝕缺陷并阻止其惡化或傳染至其他晶片，從而提高半導(dǎo)體器件的鋁墊的可靠性。本發(fā)明的第四方案是如第一至第三方案中任一方案所述的方法，其中，所述方法還包括在實(shí)施所述清洗步驟之前和/或之后，對(duì)所述晶片進(jìn)行狀態(tài)穩(wěn)定處理，所述狀態(tài)穩(wěn)定處理包括將所述晶片移入晶片穩(wěn)定處理裝置內(nèi)靜置10秒至30秒，所述晶片穩(wěn)定處理裝置的溫度為20°C至25°C。根據(jù)本發(fā)明的第四方案，可以更有效地減少晶片上的鋁墊的侵蝕缺陷并阻止其惡化或傳染至其他晶片，從而提高半導(dǎo)體器件的鋁墊的可靠性，而且還可以防止鋁墊被再次侵蝕。本發(fā)明的第五方案是如第四方案所述的方法，所述晶片穩(wěn)定處理裝置內(nèi)的壓力為常壓。根據(jù)本發(fā)明的第五方案，可以更有效地減少晶片上的鋁墊的侵蝕缺陷并阻止其惡化或傳染至其他晶片，從而提高半導(dǎo)體器件的鋁墊的可靠性，而且還可以防止鋁墊被再次侵蝕。本發(fā)明的第六方案是如第一或第二方案所述的方法，其中，在所述清洗步驟之后， 所述方法還包括以下水洗步驟使用去離子水對(duì)所述晶片進(jìn)行水洗。根據(jù)本發(fā)明的第六方案，可以在達(dá)到上述效果的同時(shí)，去除上述清洗步驟的殘留物。本發(fā)明的第七方案是如第六方案所述的方法，其中，所述方法還包括在所述水洗步驟之后，對(duì)所述晶片進(jìn)行狀態(tài)穩(wěn)定處理，所述狀態(tài)穩(wěn)定處理包括將所述晶片移入晶片穩(wěn)定處理裝置內(nèi)靜置10秒至30秒，所述晶片穩(wěn)定處理裝置內(nèi)的溫度為20°C至25°C。根據(jù)本發(fā)明的第七方案，可以更有效地減少晶片上的鋁墊的侵蝕缺陷并阻止其惡化或傳染至其他晶片，從而提高半導(dǎo)體器件的鋁墊的可靠性，而且還可以防止鋁墊被再次侵蝕。本發(fā)明的第八方案是如第一至第七方案中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述清洗步驟在常壓中進(jìn)行。根據(jù)本發(fā)明的第八方案，可以在節(jié)能環(huán)保的同時(shí)，有效地減少晶片上的鋁墊的侵蝕缺陷并阻止其惡化或傳染至其他晶片，從而提高半導(dǎo)體器件的鋁墊的可靠性。


本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施方式及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。在附圖中，圖1是現(xiàn)有技術(shù)中鋁墊上的侵蝕缺陷的掃描式電子顯微鏡照片；圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式的清洗晶片的方法的流程4
圖3是經(jīng)過(guò)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式所述的方法清洗的晶片的局部(鋁墊)的掃描式電子顯微鏡照片。
具體實(shí)施例方式在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。為了徹底了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便說(shuō)明本發(fā)明是如何有效地減少鋁墊的侵蝕缺陷。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施方式詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。為了有效地減少晶片上的鋁墊的侵蝕缺陷并阻止其惡化或傳染至其他晶片，提高半導(dǎo)體器件的鋁墊的可靠性。本發(fā)明提出了一種清洗具有鋁墊的晶片的方法。本發(fā)明所要清洗的晶片是已通過(guò)沉積和刻蝕等工藝形成有鋁墊的晶片，本實(shí)施方式的清洗具有鋁墊的晶片的方法包括以下清洗步驟使用四甲基氫氧化銨水溶液對(duì)該晶片進(jìn)行清洗。具體地，通過(guò)沉積和刻蝕工藝在晶片上生成鋁墊后，本實(shí)施方式采用四甲基氫氧化銨((CH3)4NOH)溶液對(duì)該晶片進(jìn)行清洗，以去除附著在鋁墊上的難溶物。同時(shí)，通過(guò)所述清洗步驟還可以使侵蝕過(guò)程中所發(fā)生的鏈?zhǔn)椒磻?yīng)有效地終止，不僅解決了單個(gè)晶片上的缺陷，還使單個(gè)晶片上的缺陷不會(huì)傳遞給同一晶片盒中的其他晶片，從而有效地提高同批晶片的品質(zhì)。四甲基氫氧化銨會(huì)與構(gòu)成鋁墊的侵蝕缺陷的含有氫氧化鋁和氯化鋁的難溶物發(fā)生以下反應(yīng)Al (OH) 3+ (CH3) 4Ν0Η — Al ((CH3) 4N0) 3AL3.+ (CH3) 4Ν0Η — Al ((CH3) 4N0) 3由于四甲基氫氧化銨與含有氫氧化鋁和氯化鋁的難溶物反應(yīng)所生成的 Al ((CH3) 4N0) 3是一種可溶于水的物質(zhì)。因此，在清洗的過(guò)程中所生成的Al ((CH3) 4N0) 3可溶于清洗步驟所用的四甲基氫氧化銨水溶液。這樣就可以將鋁墊上附著的難溶物有效地去除，從而減少侵蝕缺陷。優(yōu)選地，還可以在該清洗步驟之后，再用去離子水進(jìn)行水洗步驟，以徹底去除Al((CH3)4NO)3以及殘留的清洗液。通過(guò)采用四甲基氫氧化銨水溶液對(duì)鋁墊進(jìn)行清洗，一方面去除了鋁墊上附著的難溶物，另一方面還去除了在生成鋁墊時(shí)由刻蝕殘留的含有氯化鋁的雜質(zhì)。當(dāng)鋁墊上的氯化鋁被完全去除后，潮濕的生產(chǎn)環(huán)境也不會(huì)對(duì)鋁墊產(chǎn)生影響。采用本發(fā)明的方法，不僅去除了鋁墊上附著的難溶物，還從根源上阻止了難溶物的產(chǎn)生，從而有效地克服了現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題，使鋁墊的可靠性得到了有效的保證，并可提高同批晶片的品質(zhì)。本發(fā)明中所用的四甲基氫氧化銨水溶液可通過(guò)使用市售的含結(jié)晶水的四甲基氫氧化銨與去離子水混合而進(jìn)行制備。優(yōu)選地，四甲基氫氧化銨水溶液的四甲基氫氧化銨的含量為1. 0重量％至9. 8重量％。根據(jù)生產(chǎn)實(shí)踐，選用四甲基氫氧化銨的含量為1. 0重量％至9. 8重量％的四甲基氫氧化銨水溶液對(duì)晶片進(jìn)行清洗，可更有效地去除晶片上的鋁墊上附著的難溶物，從而更有效地減少了鋁墊的侵蝕缺陷。優(yōu)選地，選用四甲基氫氧化銨的含量為4. 0重量％至6. 0重量％的四甲基氫氧化銨水溶液對(duì)晶片進(jìn)行清洗，因?yàn)檫@樣的清洗效果更好。該四甲基氫氧化銨水溶液可以是僅含有四甲基氫氧化銨的水溶液，也可以包含其他可選成分，例如其他清洗劑。進(jìn)一步優(yōu)選地，清洗步驟的持續(xù)時(shí)間為15秒至40秒。當(dāng)采用四甲基氫氧化銨的含量為1. 0重量％至9. 8重量％的四甲基氫氧化銨水溶液對(duì)晶片進(jìn)行清洗時(shí)，清洗步驟的時(shí)間控制在15秒至40秒即可有效地去除晶片上的鋁墊上附著的難溶物。優(yōu)選地，清洗步驟在15°C至30°C的溫度下進(jìn)行。本優(yōu)選實(shí)施方式中，在15°C至 30°C的溫度下進(jìn)行清洗步驟，可有效地去除晶片上的鋁墊上附著的難溶物。其中，當(dāng)清洗步驟的溫度控制在20°C至25°C時(shí)，既有利于節(jié)能，也可以獲得很好的清洗效果，所以是更優(yōu)選的。優(yōu)選地，清洗步驟在常壓中進(jìn)行。本優(yōu)選實(shí)施方式中的清洗步驟可在常壓或壓力為標(biāo)準(zhǔn)大氣壓的環(huán)境中進(jìn)行。在實(shí)施清洗步驟的過(guò)程中，不需要改變反應(yīng)室的壓力，使反應(yīng)室的壓力與半導(dǎo)體制造車間中的氣壓一致即可有效地去除晶片上的鋁墊上附著的難溶物。為便于技術(shù)人員對(duì)清洗步驟的壓力的控制，進(jìn)行清洗步驟的反應(yīng)室的壓力可控制在約 IO5Pa0本實(shí)施方式的清洗具有鋁墊的晶片的方法，可以有效地減少晶片上的鋁墊的侵蝕缺陷并阻止其惡化或傳染至其他晶片。此外，還可以提高半導(dǎo)體器件的鋁墊的可靠性，從而提高半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電性和可靠性，并且通過(guò)清洗還可以提高同批晶片的品質(zhì)，因此提高了良品率。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式的清洗具有鋁墊的晶片的方法的流程圖。 如圖2所示，本優(yōu)選實(shí)施方式的清洗具有鋁墊的晶片的方法包括以下步驟在清洗步驟202前，對(duì)晶片進(jìn)行第一狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟201，第一狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟201包括將晶片移入晶片穩(wěn)定處理裝置內(nèi)靜置，第一狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟201的處理時(shí)間為10秒至30秒，晶片穩(wěn)定處理裝置的溫度為20°C至25°C。具體地，執(zhí)行第一狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟201的目的是，使晶片達(dá)到一個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)， 從而便于清洗步驟202的進(jìn)行。在進(jìn)行清洗步驟202前，將晶片移入半導(dǎo)體制造機(jī)臺(tái)的晶片穩(wěn)定處理裝置內(nèi)靜置，通過(guò)晶片穩(wěn)定處理裝置的溫度和壓力使晶片達(dá)到便于進(jìn)行清洗步驟202的狀態(tài)。其中，由于清洗步驟202控制在20°C至25°C時(shí)，清洗的效果較佳，因此在第一狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟201中，可以先使晶片的溫度達(dá)到20°C至25°C。在一般情況下，晶片在晶片穩(wěn)定處理裝置中的進(jìn)行第一狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟201的時(shí)間為10秒至30秒時(shí)，即可有效地使晶片的溫度達(dá)到20°C至25°C，從而便于清洗步驟202的進(jìn)行。優(yōu)選地，第一狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟201在常壓中進(jìn)行。本優(yōu)選實(shí)施方式的第一狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟201可在常壓或壓力為標(biāo)準(zhǔn)大氣壓的環(huán)境中進(jìn)行。在第一狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟 201的過(guò)程中，不需要改變晶片穩(wěn)定處理裝置的壓力，使晶片穩(wěn)定處理裝置的壓力與半導(dǎo)體制造車間中的氣壓一致即可有效地使晶片達(dá)到便于進(jìn)行侵蝕缺陷修復(fù)清洗步驟202的狀態(tài)。為便于技術(shù)人員對(duì)第一狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟201的晶片穩(wěn)定處理裝置的壓力的控制，進(jìn)CN 102373480 A
說(shuō)明書(shū)
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行第一狀態(tài)穩(wěn)定 處理步驟201的晶片穩(wěn)定處理裝置內(nèi)的壓力可控制在105Pa。然后進(jìn)行清洗步驟202，其中，如上所述，采用四甲基氫氧化銨的含量為1. 0重量％至9. 8重量％的四甲基氫氧化銨水溶液對(duì)晶片進(jìn)行清洗，并將清洗時(shí)間控制在15-40 秒，清洗溫度控制在20-25°C。該清洗步驟202可以在常壓下進(jìn)行。在該清洗步驟202之后，如上所述，還優(yōu)選可以使用去離子水進(jìn)行水洗步驟(未示出)。在清洗步驟202后，優(yōu)選對(duì)晶片進(jìn)行第二狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟203。第二狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟203包括將晶片移入晶片穩(wěn)定處理裝置內(nèi)靜置。第二狀態(tài)穩(wěn)定處理的時(shí)間為10 秒至30秒，所述晶片穩(wěn)定處理裝置內(nèi)的溫度為20°C至25°C。執(zhí)行第二狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟203的目的是，使晶片達(dá)到一個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)，利用空氣中的氧氣使其鈍化，從而防止剛進(jìn)行清洗步驟202后不久的鋁墊由于生產(chǎn)環(huán)境中的氯原子和水分子的存在而再次受到侵蝕。將晶片移入半導(dǎo)體制造機(jī)臺(tái)的晶片穩(wěn)定處理裝置內(nèi)后，可通過(guò)晶片穩(wěn)定處理裝置中設(shè)置的溫度和壓力使晶片處于不易產(chǎn)生侵蝕缺陷的狀態(tài)。 在第二狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟203中，可使晶片的溫度保持在20°C至25°C。在一般情況下，晶片在晶片穩(wěn)定處理裝置中的進(jìn)行第二狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟203的時(shí)間為10秒至30秒。優(yōu)選地，第二狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟203在常壓中進(jìn)行。本優(yōu)選實(shí)施方式的第二狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟203可在常壓或壓力為標(biāo)準(zhǔn)大氣壓的環(huán)境中進(jìn)行。在第二狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟 203的過(guò)程中，不需要改變晶片穩(wěn)定處理裝置的壓力，使晶片穩(wěn)定處理裝置的壓力與半導(dǎo)體制造車間中的氣壓一致即可有效地使晶片達(dá)到不易產(chǎn)生侵蝕缺陷的狀態(tài)。為便于技術(shù)人員對(duì)第二狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟203的晶片穩(wěn)定處理裝置的壓力的控制，進(jìn)行第二狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟203的晶片穩(wěn)定處理裝置內(nèi)的壓力可控制在105Pa。需要說(shuō)明的是，上述狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟并非是本發(fā)明的清洗方法所必需的，換言之，本發(fā)明的清洗方法只要包括上述清洗步驟即可實(shí)現(xiàn)發(fā)明的基本效果，即減少晶片上的鋁墊的侵蝕缺陷并阻止其惡化或傳染至其他晶片。上述優(yōu)選實(shí)施方式所述的清洗具有鋁墊的晶片的方法可以有效地減少晶片上的鋁墊的侵蝕缺陷并阻止其惡化或傳染至其他晶片，并且通過(guò)對(duì)晶片進(jìn)行狀態(tài)穩(wěn)定處理，提高了清洗鋁墊的持續(xù)效果。此外，還可以提高半導(dǎo)體器件的鋁墊的可靠性，有效提高同批晶片的品質(zhì)。圖3是經(jīng)過(guò)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式所述的清洗方法清洗的鋁墊的掃描式電子顯微鏡照片。在通過(guò)采用本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式所述的清洗晶片的方法對(duì)具有如圖 1所示的存在侵蝕缺陷的鋁墊的晶片進(jìn)行清洗后，如圖3所示，鋁墊101表面的難溶物已經(jīng)完全去除。由此可見(jiàn)，本發(fā)明的清洗具有鋁墊的晶片的方法取得了良好的技術(shù)效果。本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施方式只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施方式范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施方式，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書(shū)及其等效范圍所界定。
權(quán)利要求
1.一種清洗晶片的方法，所述晶片上具有鋁墊，其中，所述方法包括以下清洗步驟使用四甲基氫氧化銨水溶液對(duì)所述晶片進(jìn)行清洗；所述四甲基氫氧化銨水溶液中的四甲基氫氧化銨的含量為1. 0重量％至9. 8重量％，所述清洗步驟的持續(xù)時(shí)間為15秒至40秒，所述清洗步驟在15°C至30°C的溫度下進(jìn)行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述四甲基氫氧化銨水溶液中的四甲基氫氧化銨的含量為4. 0重量％至6. 0重量％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述清洗步驟在20°C至25°C的溫度下進(jìn)行。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述方法還包括在實(shí)施所述清洗步驟之前和/ 或之后，對(duì)所述晶片進(jìn)行狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟，所述狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟包括將所述晶片移入晶片穩(wěn)定處理裝置內(nèi)靜置10秒至30秒，所述晶片穩(wěn)定處理裝置的溫度為20°C至25°C。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，所述晶片穩(wěn)定處理裝置內(nèi)的壓力為常壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，在實(shí)施所述清洗步驟之后，所述方法還包括以下水洗步驟使用去離子水對(duì)所述晶片進(jìn)行水洗。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述方法還包括在所述水洗步驟之后實(shí)施的狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟，所述狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟包括將所述晶片移入晶片穩(wěn)定處理裝置內(nèi)靜置 10秒至30秒，所述晶片穩(wěn)定處理裝置內(nèi)的溫度為20°C至25°C。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述清洗在常壓中進(jìn)行。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種清洗晶片的方法，所述晶片上具有鋁墊，其中，所述方法包括使用四甲基氫氧化銨水溶液對(duì)所述晶片進(jìn)行清洗；所述四甲基氫氧化銨水溶液中的四甲基氫氧化銨的含量為1.0重量％至9.8重量％，所述清洗的時(shí)間為15秒至40秒，所述清洗在15℃至30℃的溫度下進(jìn)行。所述方法還可以包括狀態(tài)穩(wěn)定處理步驟。根據(jù)本發(fā)明的清洗具有鋁墊的晶片的方法，可以有效地減少晶片上的鋁墊的侵蝕缺陷并阻止其惡化或傳染至其他晶片。
文檔編號(hào)C23G5/036GK102373480SQ20101026325
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2010年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月19日
發(fā)明者呂增富 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司