專利名稱：一種工藝氣體的輸送法蘭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，尤其涉及一種晶體硅太陽能電池生產(chǎn)中PECVD工藝 氣體的輸送法蘭。
背景技術(shù)：
PECVD是一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，主要用于晶體硅太陽能電池制造中電池片的減反 射膜生長工藝。在晶體硅太陽能電池生產(chǎn)中，電池片減反射膜的鍍膜效果直接關(guān)系到電池 片的最終轉(zhuǎn)換效率與電性能參數(shù)。PECVD鍍膜工藝要求其反應(yīng)管內(nèi)氣流穩(wěn)定，且工藝氣體分布均勻。但是現(xiàn)有的 PECVD鍍膜設(shè)備，一般用“Y”型氣嘴將兩種工藝氣體在爐口法蘭處匯集起來，直接往PECVD 的石英管反應(yīng)室內(nèi)吹氣，受氣體流速的影響，在靠近氣嘴處的工藝氣體濃度必然高于石英 管反應(yīng)室內(nèi)其它地方的濃度，這種供氣方式影響到反應(yīng)室內(nèi)工藝氣體分布的均勻性，從而 影響鍍膜工藝時的化學(xué)反應(yīng)，繼而影響到電池片鍍膜工藝質(zhì)量。另外，供氣氣嘴還容易受到 工藝氣體氣流的沖擊而松動。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的現(xiàn)有PECVD鍍膜工藝中反應(yīng)室內(nèi)工藝氣體分布均勻、氣嘴易松 動的技術(shù)問題，提出一種這使得工藝氣體混合更加充分、在反應(yīng)室內(nèi)的分布更加均勻、氣嘴 連接可靠的工藝氣體輸送法蘭。為解決所述技術(shù)問題，本發(fā)明提出的工藝氣體的輸送法蘭，其包括環(huán)形的法蘭體、 設(shè)于該法蘭體內(nèi)一側(cè)的冷卻水流道、設(shè)于該法蘭體外緣的與冷卻水流道一端口聯(lián)通的進(jìn)水 管以及與其另一端口聯(lián)通的出水管。該輸送法蘭還包括設(shè)于所述法蘭體內(nèi)另一側(cè)的工藝氣 體流道。沿工藝氣體流道內(nèi)壁設(shè)置的并與法蘭體內(nèi)壁導(dǎo)通的一圈針孔、設(shè)于法蘭體外緣的 并與工藝氣體流道聯(lián)通的氣嘴設(shè)于法蘭體的內(nèi)圈、靠近冷卻水流道一側(cè)的密封圈。所述的 兩個流道之間是完全隔離，互不相通的。其中，氣嘴可以由不銹鋼材料制作所述針孔的直徑為0. 5 4mm。所述針孔的間隔角度為10度 60度。本發(fā)明安裝于反應(yīng)爐爐口，工藝氣體(NH3-氨氣和SiH4-硅烷)通過設(shè)于法蘭內(nèi) 壁的一圈針孔往石英管反應(yīng)室內(nèi)滲透，而不是采用傳統(tǒng)的方式通過氣嘴直接往里吹氣。這 種供氣方式使得工藝氣體混合更加充分，在反應(yīng)室內(nèi)的分布更加均勻，也提高了反應(yīng)室內(nèi) 氣場的穩(wěn)定性，很好地改善了硅片的鍍膜效果。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作詳細(xì)地說明，其中圖1本發(fā)明的主視圖2為圖1中A-A向的剖視圖；圖3為本發(fā)明的工作原理示意圖。
具體實(shí)施例方式圖1、圖2示出了本發(fā)明較佳實(shí)施例的基本結(jié)構(gòu)，所述的工藝氣體的輸送法蘭，其 包括環(huán)形的法蘭體1、設(shè)于該法蘭體內(nèi)右側(cè)的冷卻水流道2、設(shè)于該法蘭體外緣頂部的與冷 卻水流道2左邊端口聯(lián)通的進(jìn)水管3以及與其右邊端口聯(lián)通的出水管4。還包括設(shè)于法蘭 體1內(nèi)右側(cè)的工藝氣體流道5、沿工藝氣體流道內(nèi)壁設(shè)置的并與法蘭體內(nèi)壁導(dǎo)通的一圈針 孔6、設(shè)于法蘭體外緣下部的并與工藝氣體流道5聯(lián)通的不銹鋼氣嘴7，設(shè)于法蘭體1的內(nèi) 圈、靠近冷卻水流道2 —側(cè)的密封圈15。冷卻水流道2與工藝氣體流道5之間是完全隔離， 互不相通的。針孔6的直徑為0. 5 4mm。針孔6的間隔角度為10度 60度。本實(shí)施例 的針孔6的直徑為0. 8mm。針孔6的間隔角度為10度。如圖3所示，本發(fā)明的工藝氣體的輸送法蘭安裝在PECVD鍍膜工藝中石英管反應(yīng) 室8爐口的一側(cè)(右側(cè))，法蘭體1的冷卻水流道2的一側(cè)貼近石英管反應(yīng)室8安裝，法蘭 體1的內(nèi)徑與石英管反應(yīng)室8的內(nèi)徑相同，推舟機(jī)構(gòu)再將裝載硅片的石墨舟9送入石英管 反應(yīng)室8中，氣路控制系統(tǒng)關(guān)上爐門，并利用安裝在爐口的氟膠密封圈15密封石英管反應(yīng) 室。法蘭體1上的不銹鋼氣嘴7與外部各路工藝氣體(NH3-氨氣和SiH4-硅烷)管道10、 11聯(lián)通并將各路工藝氣體匯集起來。在開始做工藝之前，先用真空泵將石英管反應(yīng)室和工 藝氣體管道內(nèi)部抽空，直到符合工藝要求的真空度。然后外部供氣系統(tǒng)將工藝氣體分別從 相應(yīng)的工藝氣體管道輸往爐口的法蘭體1內(nèi)。工藝氣體在氣嘴7處匯集進(jìn)入法蘭體1的工 藝氣體流道5后，在該流道內(nèi)再次充分混合，隨著外部供氣系統(tǒng)按設(shè)定的流量值不斷的往 石英管反應(yīng)室8輸送工藝氣體，即進(jìn)入到工藝氣體流道5內(nèi)的工藝氣體將以恒定的流量從 針孔6滲透出來(混合工藝氣體的流動方向13，是沿法蘭內(nèi)部的工藝氣體流道向兩邊分散 流動，又從針孔6徑向流出來，參見圖1)，進(jìn)入到石英管反應(yīng)室8內(nèi)。由于石英管反應(yīng)室兩 端分別有相應(yīng)的密封圈將其密封，如此使得石英管反應(yīng)室8的壓力在工藝過程中保持恒定 的值。從而使得工藝氣體混合更加充分，在石英管反應(yīng)室內(nèi)的分布更加均勻，也提高了反應(yīng) 室內(nèi)氣場的穩(wěn)定性，很好地改善了硅片的鍍膜效果。另外，在工藝進(jìn)行的同時，冷卻水也按 照設(shè)定的流量從冷卻水進(jìn)水管3進(jìn)入法蘭體1的冷卻水流道2內(nèi)，沿法蘭逆時循環(huán)一周(與 氣流方向相反，參見圖1)后從出水管4排出。如此不斷循環(huán)，使?fàn)t口溫度維持在一定的水 平，從而保證了安裝在爐口的氟膠密封圈15不因爐體的高溫而受損，繼而保證了石英管反 應(yīng)室內(nèi)的反應(yīng)壓力處于恒定的值，確保工藝的正常運(yùn)行。
權(quán)利要求
一種工藝氣體的輸送法蘭，其特征在于，包括環(huán)形的法蘭體(1)、設(shè)于該法蘭體內(nèi)一側(cè)的冷卻水流道(2)、設(shè)于該法蘭體外緣的與冷卻水流道(2)一端口聯(lián)通的進(jìn)水管(3)以及與其另一端口聯(lián)通的出水管(4)；還包括設(shè)于所述法蘭體(1)內(nèi)另一側(cè)的工藝氣體流道(5)、沿工藝氣體流道內(nèi)壁設(shè)置的并與法蘭體內(nèi)壁導(dǎo)通的一圈針孔(6)、設(shè)于法蘭體外緣的并與工藝氣體流道(5)聯(lián)通的氣嘴(7)，設(shè)于法蘭體(1)的內(nèi)圈、靠近冷卻水流道(2)一側(cè)的密封圈(15)。
2.如權(quán)利要求1所述的工藝氣體的輸送法蘭，其特征在于，所述的氣嘴(7)為不銹鋼材 料制作。
3.如權(quán)利要求2所述的工藝氣體的輸送法蘭，其特征在于，所述的針孔(6)的直徑為 0. 5 4mm。
4.如權(quán)利要求3所述的工藝氣體的輸送法蘭，其特征在于，所述針孔(6)的間隔角度為 10度 60度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種工藝氣體的輸送法蘭，其包括環(huán)形的法蘭體、設(shè)于該法蘭體內(nèi)一側(cè)的冷卻水流道、設(shè)于該法蘭體外緣的與冷卻水流道一端口聯(lián)通的進(jìn)水管以及與其另一端口聯(lián)通的出水管；還包括設(shè)于所述法蘭體內(nèi)另一側(cè)的工藝氣體流道、沿工藝氣體流道內(nèi)壁設(shè)置的并與法蘭體內(nèi)壁導(dǎo)通的一圈針孔、設(shè)于法蘭體外緣的并與工藝氣體流道聯(lián)通的氣嘴，設(shè)于法蘭體的內(nèi)圈、靠近冷卻水流道一側(cè)的密封圈。本發(fā)明將工藝氣體通過法蘭體針孔往石英管反應(yīng)室內(nèi)滲透，而不是采用傳統(tǒng)的方式通過氣嘴直接往里吹氣。這使得工藝氣體混合更加充分，在反應(yīng)室內(nèi)的分布更加均勻，也提高了反應(yīng)室內(nèi)氣場的穩(wěn)定性，很好地改善了硅片的鍍膜效果。
文檔編號C23C16/455GK101899653SQ20101023572
公開日2010年12月1日 申請日期2010年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月23日
發(fā)明者伍波, 張勇, 李時俊 申請人:深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設(shè)備有限公司