專利名稱：透明導(dǎo)電膜和其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種透明導(dǎo)電膜和其制造方法。
背景技術(shù)：
透明導(dǎo)電膜可用于液晶顯示器、有機(jī)EL顯示器、等離子顯示器等顯示器的電 極、太陽(yáng)能電池的電極、窗玻璃的熱線反射膜、防靜電膜等。作為透明導(dǎo)電膜熟知ITO膜 (In2O3-SnO2系)，但由于h為稀有金屬，因此，正在追求h含量少的透明導(dǎo)電膜。作為那 樣的透明導(dǎo)電膜，在日本特開(kāi)平8-1718M號(hào)公報(bào)中記載有將混合·燒成ZnO和SnA而得 到的燒成粉末作為靶，通過(guò)濺射成膜，得到Zn2SnO4或SiSnO3的透明導(dǎo)電膜的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
但是，在現(xiàn)有的技術(shù)中，透明導(dǎo)電膜在其導(dǎo)電性等膜特性方面還有改良的余地，其 膜特性還沒(méi)有達(dá)到替代ITO膜的水平。本發(fā)明的目的在于提供一種可以減少h含量、且可 以將導(dǎo)電性等膜特性改良至和ITO膜匹敵的水平的透明導(dǎo)電膜和其制造方法。本發(fā)明人為了解決上述課題而進(jìn)行了潛心研究，完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明提供以下方面。<1> 一種透明導(dǎo)電膜的制造方法，其包含使用燒結(jié)體作為靶，利用物理成膜法在支 撐體上形成透明導(dǎo)電膜的工序，在此，燒結(jié)體含有SuSn及0，Sn的摩爾數(shù)相對(duì)Sn的摩爾數(shù) 和Si的摩爾數(shù)之和的比(Sn/(Sn+ai))為0. 7以上且0. 9以下的范圍。<2>如上述<1>所述的方法，其中，燒結(jié)體含有ZruSn及0、且實(shí)質(zhì)上不含有其它的
金屬元素。<3>如上述<2>所述的方法，其中，燒結(jié)體的結(jié)晶結(jié)構(gòu)包含Si2SnO4的尖晶石型結(jié) 晶結(jié)構(gòu)和SnA的金紅石型結(jié)晶結(jié)構(gòu)的混合相。<4>如上述<1> <3>中任一項(xiàng)所述的方法，其中，物理成膜法為濺射法。<5>如上述<4>所述的方法，其中，濺射的氣氛包含惰性氣體、或包含惰性氣體及 氧的混合氣體。<6>如上述<5>所述的方法，其中，濺射氣氛的氧濃度為0體積％以上且0. 5體 積％以下。<7>如上述<1> <6>中任一項(xiàng)所述的方法，其中，支撐體的溫度為100°C以上且 300°C以下的范圍。<8> 一種透明導(dǎo)電膜，其利用上述<1> <7>中任一項(xiàng)所述的制造方法而得到，且 為非晶質(zhì)膜。<9> 一種透明導(dǎo)電膜，其含有ZruSn及0，且Sn的摩爾數(shù)相對(duì)Sn的摩爾數(shù)和Si的 摩爾數(shù)之和的比(Sn/(Sn+ai))為0.8以上且0.9以下的范圍，且所述透明導(dǎo)電膜為非晶質(zhì)膜。<10>如上述<8>或<9>所述的透明導(dǎo)電膜，其中，電阻率小于5Χ10_3Ω .cm。
<11> 一種透明導(dǎo)電膜制造用靶，其為含有ZruSn及0且實(shí)質(zhì)上不含有其它金屬元 素的燒結(jié)體，其中，Sn的摩爾數(shù)相對(duì)Sn的摩爾數(shù)和Si的摩爾數(shù)之和的比(Sn/(Sn+ai))為 0. 7以上且0. 9以下的范圍，其結(jié)晶結(jié)構(gòu)包含Si2SnO4的尖晶石型結(jié)晶結(jié)構(gòu)和SnA的金紅石 型結(jié)晶結(jié)構(gòu)的混合相。
具體實(shí)施例方式誘明導(dǎo)電膜的制造方法本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜的制造方法包含以下工序使用含有Zn、Sn及0、且Sn的摩 爾數(shù)相對(duì)Sn的摩爾數(shù)和Si的摩爾數(shù)之和的比(Sn/(Sn+ai))為0. 7以上且0. 9以下的范 圍的燒結(jié)體作為靶，利用物理成膜法在支撐體上形成透明導(dǎo)電膜。燒結(jié)體含有Zn、Sn及0，通常，含有Zn、Sn及0作為主成分。更具體而言，是指相 對(duì)于包含于燒結(jié)體中的全部金屬元素的摩爾量，Si及Sn的合計(jì)摩爾量為0.95以上。對(duì)燒 結(jié)體而言，在不損害本發(fā)明效果的范圍內(nèi)，可以含有與Zn、Sn不同的金屬元素作為摻雜元 素，作為這樣的摻雜元素，可以舉出Al、Sb、In等。另外，為了盡可能減少得到的透明導(dǎo)電 膜的h含量，優(yōu)選的燒結(jié)體為由Zn、Sn及0構(gòu)成的燒結(jié)體，詳細(xì)而言，為含有Zn、Sn及0、 且實(shí)質(zhì)上不含有其它的金屬元素的燒結(jié)體。其它的金屬元素例如為Al、Sb、In，這些金屬元 素的量通常小于0.1重量％。此時(shí)，不排除后述的燒結(jié)體制造時(shí)使用的粘合劑等添加物的殘留物(例如碳、鹵 素等)等。使用由ZruSn及0構(gòu)成的燒結(jié)體作為靶時(shí)，可以得到由ZruSn及0構(gòu)成的透明 導(dǎo)電膜。另外，燒結(jié)體包含含Su Sn及0的氧化物。 接著，更具體地說(shuō)明本發(fā)明。首先，稱規(guī)定量的含鋅化合物、含錫化合物、以及根據(jù)需要使用的含摻雜元素的化 合物，將混合而得到的混合物成形、燒結(jié)，由此可以得到燒結(jié)體。另外，也可以燒成該混合 物，形成氧化物粉末，根據(jù)需要將該氧化物粉末粉碎，進(jìn)一步成形、燒結(jié)，得到燒結(jié)體。所述 混合物中的SuSn及根據(jù)需要使用的摻雜元素的組成(摩爾比)反映在燒結(jié)體中的它們的 組成。另外，對(duì)于混合物，可以在燒成前進(jìn)行預(yù)燒，也可以在預(yù)燒后進(jìn)行粉碎。作為所述含鋅化合物，例如可以舉出氧化鋅、氫氧化鋅、碳酸鋅、硝酸鋅、硫酸鋅、 磷酸鋅、焦磷酸鋅、氯化鋅、氟化鋅、碘化鋅、溴化鋅、羧酸鋅(醋酸鋅、草酸鋅等)、堿性碳酸 鋅、鋅的烷氧化物及這些化合物的水合鹽等，從操作性的方面考慮，優(yōu)選粉末狀氧化鋅。另 外，作為所述含錫化合物，例如可以舉出氧化錫(Sn02、SnO)、氫氧化錫、硝酸錫、硫酸錫、氯 化錫、氟化錫、碘化錫、溴化錫、羧酸錫(醋酸錫、草酸錫等)、錫的烷氧化物、及這些化合物 的水合鹽等，從操作性的方面考慮，優(yōu)選粉末狀氧化錫(特別是SnO2)。另外，作為所述含摻 雜元素的化合物，例如可以舉出含有摻雜元素的氧化物、氫氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、硫酸 鹽、磷酸鹽、焦磷酸鹽、氯化物、氟化物、碘化物、溴化物、羧酸鹽(醋酸鹽、草酸鹽等)、烷氧 化物、及這些化合物的水合鹽等，從操作性的方面考慮，優(yōu)選粉末狀氧化物。另外，這些化合 物的純度越高越好，具體而言，優(yōu)選為99重量％以上。所述混合可以利用干式混合法、濕式混合法的任一種。另外，在混合時(shí)通常也伴隨 有粉碎。作為具體的混合法，優(yōu)選利用可以更均一地混合含鋅化合物、含錫化合物、以及根 據(jù)需要使用的含摻雜元素的化合物的方法，作為混合裝置，可以舉出球磨機(jī)、振動(dòng)磨、磨碎機(jī)(attritors)、砂磨機(jī)(dyno-mills)、動(dòng)磨機(jī)(dynamic mill)等裝置。另外，在混合后， 可以利用加熱干燥(靜置干燥、噴霧干燥)、真空干燥、凍結(jié)干燥等方法進(jìn)行干燥。另外，含有摻雜元素時(shí)，作為含摻雜元素的化合物使用水溶性化合物，混合該化合 物的水溶液和含鋅化合物及含錫化合物的混合粉末，根據(jù)需要干燥這些粉末，也可以得到 混合物。另外，可以代替該水溶液，使用下述溶液即，作為含摻雜元素的化合物，使用可溶 于乙醇等有機(jī)溶劑的化合物，使該化合物溶解在有機(jī)溶劑中所得的溶液。通過(guò)燒成或燒結(jié) 這樣得到的混合物，可以得到摻雜元素的均一性更優(yōu)異的以Zn、Sn及0作為主成分的氧化 物。另外，可以使用通過(guò)共沉淀而得到的混合物。例如，作為含鋅化合物、含錫化合 物、以及根據(jù)需要使用的含摻雜元素的化合物，可以分別使用水溶性的化合物，制備它們的 混合水溶液，使用該水溶液和堿等結(jié)晶劑，進(jìn)行共沉淀，將得到的共沉淀物根據(jù)需要進(jìn)行干 燥，以混合物的形式使用。通過(guò)燒成或燒結(jié)這樣得到的混合物，可以得到構(gòu)成元素的均一性 更優(yōu)異、摻雜元素的均一性更優(yōu)異的以Zn、Sn及0作為主成分的氧化物。上述成形可以通過(guò)單軸擠壓成形、冷等靜壓成形(CIP)等進(jìn)行。另外，也可以在單 軸擠壓成形后進(jìn)行冷等靜壓成形(CIP)等，組合兩者使用。成形壓通常為100 3000kgf/ cm2的范圍。通過(guò)進(jìn)行冷等靜壓成形(CIP)，可以提高成形體的密度，也可以提高燒結(jié)體的 密度，可以使得到的透明導(dǎo)電膜的電阻率更低，故優(yōu)選。成形而得到的成形體的形狀通常為 圓板狀或四角板狀。進(jìn)行該成形時(shí)，混合物可以包含粘合劑、分散劑、脫模劑等。所述燒結(jié)如下進(jìn)行將通過(guò)上述成形而得到的成形體在空氣等含氧氣氛中，在最 高到達(dá)溫度在1150°C以上且1350°C以下的范圍的溫度保持0. 5 48小時(shí)，進(jìn)行燒結(jié)。作 為燒結(jié)裝置，可以使用電爐、煤氣爐等工業(yè)上常用的爐。另外，對(duì)于通過(guò)燒結(jié)而得到的燒結(jié) 體，可以通過(guò)進(jìn)行切斷或研削來(lái)調(diào)整其尺寸。需要說(shuō)明的是，尺寸的調(diào)整可以通過(guò)加工比燒 結(jié)體簡(jiǎn)單的成形體的切斷或研削來(lái)進(jìn)行。另外，上述成形可以代替燒結(jié)，使用熱壓、熱等靜 壓成形(HIP)而同時(shí)進(jìn)行成形及燒結(jié)。另外，特別是燒結(jié)體不包含摻雜元素時(shí)，即，燒結(jié)體 由ZruSn及0構(gòu)成時(shí)，通過(guò)將所述最高到達(dá)溫度保持在1150°C以上且1350°C以下的溫度進(jìn) 行燒結(jié)而得到的燒結(jié)體，其結(jié)晶結(jié)構(gòu)由Zn2SnO4的尖晶石型結(jié)晶結(jié)構(gòu)和SnA的金紅石型結(jié) 晶結(jié)構(gòu)的混合相構(gòu)成。由燒結(jié)體構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜制造用靶從得到更低電阻的透明導(dǎo)電膜 的觀點(diǎn)考慮，為優(yōu)選的靴，其中，上述燒結(jié)體為由Zn、Sn及0構(gòu)成的燒結(jié)體，且Sn的摩爾數(shù) 相對(duì)Sn的摩爾數(shù)和Si的摩爾數(shù)之和的比(Sn/(Sn+ai))為0. 7以上且0. 9以下的范圍，其 結(jié)晶結(jié)構(gòu)為由Zn2SnO4的尖晶石型結(jié)晶結(jié)構(gòu)和SnA的金紅石型結(jié)晶結(jié)構(gòu)的混合相。所述燒成通過(guò)將混合物在空氣等含氧氣氛中，在最高到達(dá)溫度在1150°C以上且 1350°C以下的范圍的溫度保持0. 5 48小時(shí)來(lái)進(jìn)行即可。作為燒成裝置，可以使用電爐、 煤氣爐等工業(yè)上常用的爐。燒成后，根據(jù)需要進(jìn)行粉碎，進(jìn)而成形、燒結(jié)時(shí)，優(yōu)選將燒成時(shí)的 最高到達(dá)溫度設(shè)定為比燒結(jié)時(shí)更低的溫度。另外，燒成后，根據(jù)需要進(jìn)行的粉碎可以通過(guò)和 上述混合法同樣的方式進(jìn)行。另外，此時(shí)，在成形時(shí)，粉碎物可以含有粘合劑、分散劑、脫模 劑等。另外，燒成前的預(yù)燒在比燒成時(shí)的最高到達(dá)溫度低的溫度下進(jìn)行即可，也可以在預(yù)燒 后進(jìn)行粉碎。本發(fā)明中，作為物理成膜法，可以舉出脈沖激光蒸鍍法(激光消融)、濺射法、離 子鍍法、EB蒸鍍法。從成膜裝置的通用性的觀點(diǎn)考慮，在上述成膜法中，優(yōu)選濺射法。另外，為了可以容易地得到非晶質(zhì)膜，這些物理成膜法中的支撐體的溫度優(yōu)選為100°C以上且 300°C以下的范圍。在通過(guò)濺射形成透明導(dǎo)電膜時(shí)，使用通過(guò)上述操作而得到的以Zn、Sn及0為主成 分的燒結(jié)體作為濺射靶，通過(guò)濺射在支撐體上形成透明導(dǎo)電膜。此時(shí)，作為濺射氣氛，優(yōu)選 使用惰性氣體或使用惰性氣體及氧的混合氣體。作為濺射氣氛，使用惰性氣體或使用惰性 氣體及氧的混合氣體時(shí)，氧濃度(體積％ )通常為0以上且3以下左右，優(yōu)選為0以上且1 以下，更優(yōu)選為0以上且0.5以下。另外，可以為0.01以上且0.5以下。特別是，通過(guò)將所 述氧濃度(體積％ )設(shè)定為0以上且0.5以下，可以得到電阻率(Ω · cm)小于5X10—3的 透明導(dǎo)電膜。氧濃度(體積％)超過(guò)0.5時(shí)，難以形成電阻率小于5Χ10_3Ω 的透明導(dǎo) 電膜。另外，在不損害本發(fā)明的范圍的情況下，可以并用金屬芯片靶。此時(shí)，作為金屬芯片， 可以舉出由Si芯片、Sn芯片、摻雜元素構(gòu)成的金屬芯片。濺射時(shí)，腔室內(nèi)的氣氛壓力通常為0. 1 10 左右。作為濺射裝置，可以使用rf 磁控濺射裝置，作為此時(shí)的條件，優(yōu)選rf輸入功率(input power)為10 300W、壓力為 0.1 1 左右的條件。另外，作為所述惰性氣體，可以舉出Ar氣體。另外，混合氣體中，優(yōu) 選惰性氣體、氧以外的氣體盡可能少。支撐體是指成膜的位置。作為支撐體，可以使用玻璃、石英玻璃、塑料等基板。將 透明導(dǎo)電膜用作透明電極時(shí)，支撐體優(yōu)選為透明。另外，支撐體可以為結(jié)晶性基板，作為結(jié) 晶性基板，可以舉出A1203(藍(lán)寶石)、MgO、YSZ(ZrO2-Y2O3)、CaF2, SrTiO3等基板。另外，根 據(jù)需要，可以對(duì)得到的透明導(dǎo)電膜進(jìn)行熱處理。透明導(dǎo)電膜本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜含有Si、Sn及0，通常含有Zn、Sn及0作為主成分。對(duì)透明 導(dǎo)電膜而言，Sn的摩爾數(shù)相對(duì)Sn的摩爾數(shù)和Si的摩爾數(shù)之和的比(Sn/(Sn+ai))為0. 8 以上且0.9以下的范圍，為非晶質(zhì)膜。根據(jù)這些特征，可以得到蝕刻特性也優(yōu)異的透明導(dǎo)電 膜，而且膜特性為和ITO膜匹敵的水平，可以向柔性顯示器、觸摸面板用等賦予更合適的透 明導(dǎo)電膜。所述比(Sn/(Sn+ai))超過(guò)0.9時(shí)，有形成結(jié)晶質(zhì)膜的傾向，從柔性的觀點(diǎn)考慮 也不優(yōu)選。另外，小于0.8時(shí)，從穩(wěn)定性等膜特性的觀點(diǎn)考慮，不優(yōu)選。另外，更優(yōu)選的所述 比(Sn/(Sn+Zn))為0. 80以上且0. 87以下的范圍。透明導(dǎo)電膜可以利用上述透明導(dǎo)電膜的制造方法得到。例如，作為物理成膜法，采 用濺射法時(shí)，作為濺射氣氛，使用惰性氣體、或惰性氣體及氧的混合氣體時(shí)，特別是在氧濃 度(體積％ )為0以上且0. 5以下時(shí)，透明導(dǎo)電膜中的Sn的摩爾數(shù)相對(duì)Sn的摩爾數(shù)和Si 的摩爾數(shù)之和的比(Sn/(Sn+ai)，以下，有時(shí)稱為Sn組成比。)依存于作為靶使用的燒結(jié)體 中的Sn組成比。例如，如果靶中的Sn組成比為0. 70,0. 75,0. 80，則透明導(dǎo)電膜中的Sn組 成比分別為0. 80,0. 83,0. 87。透明導(dǎo)電膜含有Zn、Sn及0，通常以Zn、Sn及0作為主成分，更具體而言，是指相 對(duì)于透明導(dǎo)電膜中所含的全部金屬元素的摩爾量，Si及Sn的合計(jì)摩爾量為0.95以上。對(duì) 透明導(dǎo)電膜而言，在不損害本發(fā)明效果的范圍內(nèi)，可以含有與Zn、Sn不同的金屬元素作為 摻雜元素，作為這樣的摻雜元素，可以舉出Al、SbUn等。作為靶使用的燒結(jié)體在不包含摻 雜元素時(shí)，透明導(dǎo)電膜為由Zn、Sn及0構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜。另外，透明導(dǎo)電膜為非晶質(zhì)膜。在非晶質(zhì)膜的XRD測(cè)定中，沒(méi)有檢測(cè)出表示結(jié)晶質(zhì)的峰，即使進(jìn)行檢測(cè)也只檢測(cè)出表示非晶質(zhì)膜的暈(halo)。另外，透明導(dǎo)電膜優(yōu)選電阻率(Ω -cm)小于5 X 10_3，更優(yōu)選小于3 X 10_3。為了得 到這樣的低電阻率的透明導(dǎo)電膜，例如，參照后述的實(shí)施例即可。實(shí)施例以下，使用實(shí)施例更具體地說(shuō)明本發(fā)明。需要說(shuō)明的是，只要沒(méi)有特別說(shuō)明，則對(duì) 得到的膜的電特性、光學(xué)特性、結(jié)晶構(gòu)造進(jìn)行以下評(píng)價(jià)。電特性的評(píng)價(jià)如下進(jìn)行通過(guò)利用依據(jù)JIS R 1637的4探針?lè)ǖ臏y(cè)定方法，測(cè)定 表面電阻(薄層電阻)，通過(guò)觸針式膜厚計(jì)，測(cè)定膜厚，使用該表面電阻的值和膜厚的值，通 過(guò)下式(1)求得膜的電阻率。電阻率(Ω cm)=表面電阻(Ω / □ ) X膜厚(cm)(1)光學(xué)特性的評(píng)價(jià)通過(guò)使用可見(jiàn)分光光度計(jì)，利用JIS R 1635規(guī)定的方法，測(cè)定可 見(jiàn)光透射率而進(jìn)行。膜、燒結(jié)體的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的評(píng)價(jià)是通過(guò)使用粉末X射線衍射測(cè)定裝置(株式會(huì)社 Rigaku制RINT2500TTR型)，對(duì)膜、燒結(jié)體照射CuK α射線，得到X射線衍射圖，鑒定結(jié)晶類 型而進(jìn)行的。膜的組成分析是使用熒光X射線分析裝置(PANalytical制MagiX ProXRF spectrometer)，測(cè)定Sn和Si的峰強(qiáng)度，利用標(biāo)準(zhǔn)曲線法進(jìn)行的。實(shí)施例1將氧化鋅粉末(&ι0、株式會(huì)社高純度化學(xué)制、純度99. 99% )及氧化錫粉末(Sn02、 株式會(huì)社高純度化學(xué)制、純度99. 99% )以Sn的摩爾數(shù)相對(duì)Si的摩爾數(shù)和Sn的摩爾數(shù)之 和的比(Sn/Si+Sn)為0. 70的方式進(jìn)行稱量，使用直徑5mm的氧化鋯制球利用干式球磨機(jī) 進(jìn)行混合。將得到的混合粉末放入氧化鋁制坩堝，在空氣氣氛中以900°C保持5小時(shí)，進(jìn)行 燒成后，進(jìn)而使用直徑5mm的氧化鋯制球利用干式球磨機(jī)進(jìn)行粉碎。將得到的粉末使用模 具通過(guò)單軸擠壓成形在500kgf/cm2的壓力下成形為圓板狀。進(jìn)一步將成形體使用冷等靜壓 成形(CIP)在2000kgf/cm2的壓力下加壓后，在氧氣氛中，在常壓下，以1200°C保持5小時(shí)， 進(jìn)行燒結(jié)，得到燒結(jié)體。通過(guò)該燒結(jié)體的X射線衍射測(cè)定，可知其結(jié)晶結(jié)構(gòu)由Zn2SnO4的尖 晶石型結(jié)晶結(jié)構(gòu)和SnA的金紅石型結(jié)晶結(jié)構(gòu)的混合相構(gòu)成。另外，沒(méi)有確認(rèn)到SiSnO3的結(jié) 晶結(jié)構(gòu)。根據(jù)這些結(jié)果，計(jì)算該燒結(jié)體中的Si2SnO4 SnO2的摩爾比，為3 11。加工該燒 結(jié)體作為直徑3英寸的濺射用靶使用，設(shè)置于濺射裝置(德田制作所制CFS-4ES-231)內(nèi)， 進(jìn)而使用玻璃基板作為支撐體，將該基板設(shè)置于濺射裝置內(nèi)。在Ar氣氛中，在壓力0. 5Pa、 基板溫度265°C、功率50W的條件下進(jìn)行濺射，得到形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜 的電阻率為3. 3 X 10_3 Ω cm。測(cè)定形成透明導(dǎo)電膜的玻璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高 的透射率超過(guò)80%。通過(guò)得到的透明導(dǎo)電膜的X射線衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。實(shí)施例2除了使濺射中的氣氛為Ar-氧混合氣體(氧濃度0. 1體積％ )以外，通過(guò)和實(shí)施例 1相同的方式，得到形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜的電阻率為2.5X10_3Qcm。測(cè) 定形成透明導(dǎo)電膜的玻璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高的透射率超過(guò)80%。通過(guò)得到 的透明導(dǎo)電膜的X射線衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。對(duì)得到的透明導(dǎo)電膜，利用熒光X射線 法，測(cè)定Sn的摩爾數(shù)相對(duì)Sn的摩爾數(shù)和Zn的摩爾數(shù)之和的比(Sn/(Sn+Zn))時(shí)，為0. 80。
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實(shí)施例3除了使濺射中的氣氛為Ar-氧混合氣體(氧濃度0. 2體積％ )以外，通過(guò)和實(shí)施 例1相同的方式，得到形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜的電阻率為2.7X10_3Qcm。 測(cè)定形成透明導(dǎo)電膜的玻璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高的透射率超過(guò)80%。通過(guò)得 到的透明導(dǎo)電膜的X射線衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。實(shí)施例4除了使濺射中的氣氛為Ar-氧混合氣體(氧濃度0. 3體積％ )以外，通過(guò)和實(shí)施 例1相同的方式，得到形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜的電阻率為2.9X10_3Qcm。 測(cè)定形成透明導(dǎo)電膜的玻璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高的透射率超過(guò)80%。通過(guò)得 到的透明導(dǎo)電膜的X射線衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。實(shí)施例5除了使濺射中的氣氛為Ar-氧混合氣體(氧濃度0. 5體積％ )以外，通過(guò)和實(shí)施 例1相同的方式，得到形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜的電阻率為4. 5X ΙΟ"3Ω cm0 測(cè)定形成透明導(dǎo)電膜的玻璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高的透射率超過(guò)80%。通過(guò)得 到的透明導(dǎo)電膜的X射線衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。實(shí)施例6將氧化鋅粉末(&ι0、株式會(huì)社高純度化學(xué)制、純度99. 99% )及氧化錫粉末(Sn02、 株式會(huì)社高純度化學(xué)制、純度99. 99% )以Sn的摩爾數(shù)相對(duì)Si的摩爾數(shù)和Sn的摩爾數(shù)之 和的比(Sn/Si+Sn)為0. 75的方式進(jìn)行稱量，使用直徑5mm的氧化鋯制球利用干式球磨機(jī) 進(jìn)行混合。將得到的混合粉末放入氧化鋁制坩堝，在空氣氣氛中以900°C保持5小時(shí)，進(jìn)行 燒成后，進(jìn)而使用直徑5mm的氧化鋯制球利用干式球磨機(jī)進(jìn)行粉碎。將得到的粉末使用模 具通過(guò)單軸擠壓成形在500kgf/cm2的壓力下成形為圓板狀。進(jìn)一步將成形體使用冷等靜壓 成形(CIP)在2000kgf/cm2的壓力下加壓后，在氧氣氛中，在常壓下，以1200°C保持5小時(shí)， 進(jìn)行燒結(jié)，得到燒結(jié)體。通過(guò)該燒結(jié)體的X射線衍射測(cè)定，可知其結(jié)晶結(jié)構(gòu)由Zn2SnO4的尖 晶石型結(jié)晶結(jié)構(gòu)和SnA的金紅石型結(jié)晶結(jié)構(gòu)的混合相構(gòu)成。另外，沒(méi)有確認(rèn)到SiSnO3的結(jié) 晶結(jié)構(gòu)。根據(jù)這些結(jié)果，計(jì)算該燒結(jié)體中的Si2SnO4 SnO2的摩爾比，為1 5。加工該燒 結(jié)體作為直徑3英寸的濺射用靶使用，設(shè)置于濺射裝置(德田制作所制CFS-4ES-231)內(nèi)， 進(jìn)而使用玻璃基板作為支撐體，將該基板設(shè)置于濺射裝置內(nèi)。在Ar氣氛中，在壓力0. 5Pa、 基板溫度265°C、功率50W的條件下進(jìn)行濺射，得到形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜 的電阻率為3. 6 X 10_3 Ω cm。測(cè)定形成透明導(dǎo)電膜的玻璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高 的透射率超過(guò)80%。通過(guò)得到的透明導(dǎo)電膜的X射線衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。實(shí)施例7除了使濺射中的氣氛為Ar-氧混合氣體(氧濃度0. 1體積％ )以外，通過(guò)和實(shí)施 例6相同的方式，得到形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜的電阻率為2. IXlO-3Qcm0 測(cè)定形成透明導(dǎo)電膜的玻璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高的透射率超過(guò)80%。通過(guò)得 到的透明導(dǎo)電膜的X射線衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。實(shí)施例8除了使濺射中的氣氛為Ar-氧混合氣體(氧濃度0. 2體積％)以外，通過(guò)和實(shí)施例 6相同的方式，得到形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜的電阻率為2.0X10_3Qcm。測(cè)定形成透明導(dǎo)電膜的玻璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高的透射率超過(guò)80%。通過(guò)得到 的透明導(dǎo)電膜的X射線衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。對(duì)得到的透明導(dǎo)電膜，利用熒光X射線 法，測(cè)定Sn的摩爾數(shù)相對(duì)Sn的摩爾數(shù)和Si的摩爾數(shù)之和的比(Sn/(Sn+Zn))時(shí)，為0.83。實(shí)施例9除了使濺射中的氣氛為Ar-氧混合氣體(氧濃度0. 3體積％ )以外，通過(guò)和實(shí)施 例6相同的方式，得到形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜的電阻率為2.3X10_3Qcm。 測(cè)定形成透明導(dǎo)電膜的玻璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高的透射率超過(guò)80%。通過(guò)得 到的透明導(dǎo)電膜的X射線衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。實(shí)施例10除了使濺射中的氣氛為Ar-氧混合氣體(氧濃度0. 4體積％ )以外，通過(guò)和實(shí)施 例6相同的方式，得到形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜的電阻率為2. IXlO-3Qcm0 測(cè)定形成透明導(dǎo)電膜的玻璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高的透射率超過(guò)80%。通過(guò)得 到的透明導(dǎo)電膜的X射線衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。實(shí)施例11除了使濺射中的氣氛為Ar-氧混合氣體(氧濃度0. 5體積％ )以外，通過(guò)和實(shí)施 例6相同的方式，得到形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜的電阻率為2.3X10_3Qcm。 測(cè)定形成透明導(dǎo)電膜的玻璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高的透射率超過(guò)80%。通過(guò)得 到的透明導(dǎo)電膜的X射線衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。實(shí)施例12將氧化鋅粉末(&ι0、株式會(huì)社高純度化學(xué)制、純度99. 99% )及氧化錫粉末(Sn02、 株式會(huì)社高純度化學(xué)制、純度99. 99% )以Sn的摩爾數(shù)相對(duì)Si的摩爾數(shù)和Sn的摩爾數(shù)之 和的比(Sn/Si+Sn)為0. 80的方式進(jìn)行稱量，使用直徑5mm的氧化鋯制球利用干式球磨機(jī) 進(jìn)行混合。將得到的混合粉末放入氧化鋁制坩堝，在空氣氣氛中以900°C保持5小時(shí)，進(jìn)行 燒成后，進(jìn)而使用直徑5mm的氧化鋯制球利用干式球磨機(jī)進(jìn)行粉碎。將得到的粉末使用模 具通過(guò)單軸擠壓成形在500kgf/cm2的壓力下成形為圓板狀。進(jìn)一步將成形體使用冷等靜壓 成形(CIP)在2000kgf/cm2的壓力下加壓后，在氧氣氛中，在常壓下，以1200°C保持5小時(shí)， 進(jìn)行燒結(jié)，得到燒結(jié)體。通過(guò)該燒結(jié)體的X射線衍射測(cè)定，可知其結(jié)晶結(jié)構(gòu)由Zn2SnO4的尖 晶石型結(jié)晶結(jié)構(gòu)和SnA的金紅石型結(jié)晶結(jié)構(gòu)的混合相構(gòu)成。另外，沒(méi)有確認(rèn)到SiSnO3的結(jié) 晶結(jié)構(gòu)。根據(jù)這些結(jié)果，計(jì)算該燒結(jié)體中的Si2SnO4 SnO2的摩爾比，為1 7。加工該燒 結(jié)體作為直徑3英寸的濺射用靶使用，設(shè)置于濺射裝置(德田制作所制CFS-4ES-231)內(nèi)， 進(jìn)而使用玻璃基板作為支撐體，將該基板設(shè)置于濺射裝置內(nèi)。在Ar-氧混合氣體(氧濃度 0. 2體積％ )氣氛中，在壓力0. 5Pa、基板溫度265°C、功率50W的條件下進(jìn)行濺射，得到形成 于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜的電阻率為3.4X10_3Qcm。測(cè)定形成透明導(dǎo)電膜的玻 璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高的透射率超過(guò)80%。通過(guò)得到的透明導(dǎo)電膜的X射線 衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。對(duì)得到的透明導(dǎo)電膜，利用熒光X射線法，測(cè)定Sn的摩爾數(shù)相 對(duì)Sn的摩爾數(shù)和Zn的摩爾數(shù)之和的比(Sn/(Sn+Zn))時(shí)，為0. 87。實(shí)施例13除了使濺射中的氣氛為Ar-氧混合氣體(氧濃度0. 3體積％ )以外，通過(guò)和實(shí)施 例12相同的方式，得到形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜的電阻率為2.4X10_3Qcm。測(cè)定形成透明導(dǎo)電膜的玻璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高的透射率超過(guò)80%。通過(guò)得 到的透明導(dǎo)電膜的X射線衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。實(shí)施例14除了使濺射中的氣氛為Ar-氧混合氣體(氧濃度0. 4體積％ )以外，通過(guò)和實(shí)施 例12相同的方式，得到形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜的電阻率為2.4X10_3Qcm。 測(cè)定形成透明導(dǎo)電膜的玻璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高的透射率超過(guò)80%。通過(guò)得 到的透明導(dǎo)電膜的X射線衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。實(shí)施例15除了使濺射中的氣氛為Ar-氧混合氣體(氧濃度0. 5體積％ )以外，通過(guò)和實(shí)施 例12相同的方式，得到形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜的電阻率為2.2X10_3Qcm。 測(cè)定形成透明導(dǎo)電膜的玻璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高的透射率超過(guò)80%。通過(guò)得 到的透明導(dǎo)電膜的X射線衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。實(shí)施例16將氧化鋅粉末(&ι0、株式會(huì)社高純度化學(xué)制、純度99. 99% )及氧化錫粉末(Sn02、 株式會(huì)社高純度化學(xué)制、純度99. 99% )以Sn的摩爾數(shù)相對(duì)Si的摩爾數(shù)和Sn的摩爾數(shù)之 和的比(Sn/Si+Sn)為0. 85的方式進(jìn)行稱量，使用直徑5mm的氧化鋯制球利用干式球磨機(jī) 進(jìn)行混合。將得到的混合粉末放入氧化鋁制坩堝，在空氣氣氛中以900°C保持5小時(shí)，進(jìn)行 燒成后，進(jìn)而使用直徑5mm的氧化鋯制球利用干式球磨機(jī)進(jìn)行粉碎。將得到的粉末使用模 具通過(guò)單軸擠壓成形在500kgf/cm2的壓力下成形為圓板狀。進(jìn)一步將成形體使用冷等靜 壓成形(CIP)在2000kgf/cm2的壓力下加壓后，在氧氣氛中，在常壓下，以1200°C保持5小 時(shí)，進(jìn)行燒結(jié)，得到燒結(jié)體。通過(guò)該燒結(jié)體的X射線衍射測(cè)定，可知其結(jié)晶結(jié)構(gòu)由Si2SnO4的 尖晶石型結(jié)晶結(jié)構(gòu)和SnA的金紅石型結(jié)晶結(jié)構(gòu)的混合相構(gòu)成。另外，沒(méi)有確認(rèn)到SiSnO3的 結(jié)晶結(jié)構(gòu)。根據(jù)這些結(jié)果，計(jì)算該燒結(jié)體中的Si2SnO4 SnO2W摩爾比時(shí)，為3 31。加工 該燒結(jié)體作為直徑3英寸的濺射用靶使用，設(shè)置于濺射裝置(德田制作所制CFS-4ES-231) 內(nèi)，進(jìn)而使用玻璃基板作為支撐體，將該基板設(shè)置于濺射裝置內(nèi)。在Ar-氧混合氣體(氧濃 度0. 1體積％ )氣氛中，在壓力0. 5Pa、基板溫度265°C、功率50W的條件下進(jìn)行濺射，得到 形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜的電阻率為3.3X10_3Qcm。測(cè)定形成透明導(dǎo)電膜 的玻璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高的透射率超過(guò)80%。通過(guò)得到的透明導(dǎo)電膜的X 射線衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。實(shí)施例17除了使濺射中的氣氛為Ar-氧混合氣體(氧濃度0. 3體積％ )以外，通過(guò)和實(shí)施 例16相同的方式，得到形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜的電阻率為3.6X10_3Qcm。 測(cè)定形成透明導(dǎo)電膜的玻璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高的透射率超過(guò)80%。通過(guò)得 到的透明導(dǎo)電膜的X射線衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。實(shí)施例18除了使濺射中的氣氛為Ar-氧混合氣體(氧濃度0. 5體積％ )以外，通過(guò)和實(shí)施 例16相同的方式，得到形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜的電阻率為2.5X10_3Qcm。 測(cè)定形成透明導(dǎo)電膜的玻璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高的透射率超過(guò)80%。通過(guò)得 到的透明導(dǎo)電膜的X射線衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。
實(shí)施例19將氧化鋅粉末(&ι0、株式會(huì)社高純度化學(xué)制、純度99. 99% )及氧化錫粉末(Sn02、 株式會(huì)社高純度化學(xué)制、純度99. 99% )以Sn的摩爾數(shù)相對(duì)Si的摩爾數(shù)和Sn的摩爾數(shù)之 和的比(Sn/Si+Sn)為0. 90的方式進(jìn)行稱量，使用直徑5mm的氧化鋯制球利用干式球磨機(jī) 進(jìn)行混合。將得到的混合粉末放入氧化鋁制坩堝，在空氣氣氛中以900°C保持5小時(shí)，進(jìn)行 燒成后，進(jìn)而使用直徑5mm的氧化鋯制球利用干式球磨機(jī)進(jìn)行粉碎。將得到的粉末使用模 具通過(guò)單軸擠壓成形在500kgf/cm2的壓力下成形為圓板狀。進(jìn)一步將成形體使用冷等靜壓 成形(CIP)在2000kgf/cm2的壓力下加壓后，在氧氣氛中，在常壓下，以1200°C保持5小時(shí)， 進(jìn)行燒結(jié)，得到燒結(jié)體。通過(guò)該燒結(jié)體的X射線衍射測(cè)定，可知其結(jié)晶結(jié)構(gòu)由Si2SnO4的尖晶 石型結(jié)晶結(jié)構(gòu)和SnA的金紅石型結(jié)晶結(jié)構(gòu)的混合相構(gòu)成。另外，沒(méi)有確認(rèn)到SiSnO3的結(jié)晶 結(jié)構(gòu)。根據(jù)這些結(jié)果，計(jì)算該燒結(jié)體中的Si2SnO4 SnO2W摩爾比時(shí)，為1 17。加工該燒 結(jié)體作為直徑3英寸的濺射用靶使用，設(shè)置于濺射裝置(德田制作所制CFS-4ES-231)內(nèi)， 進(jìn)而使用玻璃基板作為支撐體，將該基板設(shè)置于濺射裝置內(nèi)。在Ar氣氛中，在壓力0. 5Pa、 基板溫度265°C、功率50W的條件下進(jìn)行濺射，得到形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜 的電阻率為3. lX10_3Qcm。測(cè)定形成透明導(dǎo)電膜的玻璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高 的透射率超過(guò)80%。通過(guò)得到的透明導(dǎo)電膜的X射線衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。實(shí)施例20除了使濺射中的氣氛為Ar-氧混合氣體(氧濃度0. 5體積％ )以外，通過(guò)和實(shí)施 例19相同的方式，得到形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜的電阻率為3. IXlO-3Qcm0 測(cè)定形成透明導(dǎo)電膜的玻璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高的透射率超過(guò)80%。通過(guò)得 到的透明導(dǎo)電膜的X射線衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。比較例1將氧化鋅粉末(&ι0、株式會(huì)社高純度化學(xué)制、純度99. 99% )及氧化錫粉末(Sn02、 株式會(huì)社高純度化學(xué)制、純度99. 99% )以Sn的摩爾數(shù)相對(duì)Si的摩爾數(shù)和Sn的摩爾數(shù) 之和的比(Sn/Si+Sn)為0. 67的方式進(jìn)行稱量，使用直徑5mm的氧化鋯制球通過(guò)干式球磨 機(jī)進(jìn)行混合。將得到的混合粉末放入氧化鋁制坩堝，在空氣氣氛中以900°C保持5小時(shí)，進(jìn) 行燒成后，進(jìn)而使用直徑5mm的氧化鋯制球利用干式球磨機(jī)進(jìn)行粉碎。將得到的粉末使用 模具通過(guò)單軸擠壓成形在500kgf/cm2的壓力下成形為圓板狀。進(jìn)一步將成形體使用冷等 靜壓成形(CIP)在2000kgf/cm2的壓力下加壓后，在氧氣氛中，在常壓下，以1200°C保持5 小時(shí)，進(jìn)行燒結(jié)，得到燒結(jié)體。加工該燒結(jié)體而作為直徑3英寸的濺射用靶使用，設(shè)置于濺 射裝置(德田制作所制CFS-4ES-231)內(nèi)，進(jìn)而使用玻璃基板作為支撐體，將該基板設(shè)置于 濺射裝置內(nèi)。在Ar-氧混合氣體(氧濃度0.5體積％)氣氛中，在壓力0.5Pa、基板溫度 265°C、功率50W的條件下進(jìn)行濺射，得到形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。得到的膜的電阻率 為1. lX10_2Qcm。測(cè)定形成透明導(dǎo)電膜的玻璃基板的透射率時(shí)，可見(jiàn)光中的最高的透射率 超過(guò)80%。通過(guò)得到的透明導(dǎo)電膜的X射線衍射測(cè)定，可知為非晶質(zhì)膜。比較例2將氧化鋅粉末(&ι0、株式會(huì)社高純度化學(xué)制、純度99. 99% )及氧化錫粉末(Sn02、 株式會(huì)社高純度化學(xué)制、純度99. 99% )以Sn的摩爾數(shù)相對(duì)Si的摩爾數(shù)和Sn的摩爾數(shù)之 和的比(Sn/Si+Sn)為0. 95的方式進(jìn)行稱量，使用直徑5mm的氧化鋯制球通過(guò)干式球磨機(jī)進(jìn)行混合。將得到的混合粉末放入氧化鋁制坩堝，在空氣氣氛中以900°c保持5小時(shí)，進(jìn)行 燒成后，進(jìn)而使用直徑5mm的氧化鋯制球利用干式球磨機(jī)進(jìn)行粉碎。將得到的粉末使用模 具通過(guò)單軸擠壓成形在500kgf/cm2的壓力下成形為圓板狀。進(jìn)一步將成形體使用冷等靜壓 成形(CIP)在2000kgf/cm2的壓力下加壓后，在氧氣氛中，在常壓下，以1200°C保持5小時(shí)， 進(jìn)行燒結(jié)，得到燒結(jié)體。加工該燒結(jié)體而作為直徑3英寸的濺射用靶使用，設(shè)置于濺射裝置 (德田制作所制CFS-4ES-231)內(nèi)，進(jìn)而使用玻璃基板作為支撐體，將該基板設(shè)置于濺射裝 置內(nèi)。在Ar-氧混合氣體(氧濃度0.5體積％)氣氛中，在壓力0.5Pa、基板溫度沈51、功 率50W的條件下進(jìn)行濺射，得到形成于基板上的透明導(dǎo)電膜。通過(guò)得到的透明導(dǎo)電膜的X 射線衍射測(cè)定，檢測(cè)出SnA的金紅石型結(jié)晶，不能說(shuō)是非晶質(zhì)膜。這樣的膜從蝕刻性、撓性 的觀點(diǎn)考慮是不充分的。工業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種可以減少高價(jià)的h含量、且將透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性等 膜特性改良至可以匹敵ITO膜的水平的透明導(dǎo)電膜和其制造方法。另外，由于本發(fā)明的透 明導(dǎo)電膜的蝕刻性也優(yōu)異，因此，可適用于液晶顯示器、有機(jī)EL顯示器、等離子顯示器等顯 示器的電極、太陽(yáng)能電池的電極、窗玻璃的熱線反射膜、防靜電膜等。進(jìn)而，本發(fā)明的透明導(dǎo) 電膜也為非晶質(zhì)膜，因此，可充分應(yīng)用于柔性顯示器、觸摸面板等。
權(quán)利要求
1.一種透明導(dǎo)電膜的制造方法，其中，包括使用燒結(jié)體作為靶，利用物理成膜法在支撐體上形成透明導(dǎo)電膜的工序， 在此，燒結(jié)體含有Zn、Sn及0，Sn的摩爾數(shù)相對(duì)Sn的摩爾數(shù)和Si的摩爾數(shù)之和的比 Sn/ (Sn+Zn)在0. 7以上且0. 9以下的范圍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，燒結(jié)體含有Zn、Sn及0，且實(shí)質(zhì)上不含有其它金屬元素。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，燒結(jié)體的結(jié)晶結(jié)構(gòu)包含Si2SnO4的尖晶石型結(jié)晶結(jié)構(gòu)和SnA的金紅石型結(jié)晶結(jié)構(gòu)的混 合相。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的方法，其中， 物理成膜法為濺射法。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，濺射的氣氛包含惰性氣體，或者包含惰性氣體及氧的混合氣體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，濺射氣氛的氧濃度在0體積％以上且0. 5體積％以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的方法，其中， 支撐體的溫度在100°C以上且300°C以下的范圍。
8.—種透明導(dǎo)電膜，其中，所述透明導(dǎo)電膜通過(guò)權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的制造方法而得到，且所述透明導(dǎo) 電膜為非晶質(zhì)膜。
9.一種透明導(dǎo)電膜，其中，含有Si、Sn及0，且Sn的摩爾數(shù)相對(duì)Sn的摩爾數(shù)和Si的摩爾數(shù)之和的比Sn/ (Sn+Zn) 在0.8以上且0.9以下的范圍， 所述透明導(dǎo)電膜為非晶質(zhì)膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的透明導(dǎo)電膜，其中， 電阻率小于5Χ1(Γ3Ω · cm。
11.一種透明導(dǎo)電膜制造用靶，其中，所述透明導(dǎo)電膜制造用靶為含有ZruSn及0，且實(shí)質(zhì)上不含有其它金屬元素的燒結(jié)體， 其中，Sn的摩爾數(shù)相對(duì)Sn的摩爾數(shù)和Si的摩爾數(shù)之和的比Sn/(Sn+Zn)在0. 7以上 且0. 9以下的范圍，所述燒結(jié)體的結(jié)晶結(jié)構(gòu)包含Si2SnO4的尖晶石型結(jié)晶結(jié)構(gòu)和SnA的金 紅石型結(jié)晶結(jié)構(gòu)的混合相。
全文摘要
本發(fā)明提供一種透明導(dǎo)電膜和其制造方法。透明導(dǎo)電膜的制造方法包含使用燒結(jié)體作為靶，利用物理成膜法在支撐體上形成透明導(dǎo)電膜的工序，在此，燒結(jié)體含有Zn、Sn及O，Sn的摩爾數(shù)相對(duì)Sn的摩爾數(shù)和Zn的摩爾數(shù)之和的比(Sn/(Sn+Zn))為0.7以上且0.9以下的范圍。
文檔編號(hào)C23C14/34GK102067247SQ200980123679
公開(kāi)日2011年5月18日 申請(qǐng)日期2009年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月25日
發(fā)明者長(zhǎng)谷川彰 申請(qǐng)人:住友化學(xué)株式會(huì)社