專利名稱：用于通過浸漬法制造具有疏水性表面的3d結(jié)構(gòu)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造具有疏水性表面的3D(三維)結(jié)構(gòu)(或3D狀結(jié)構(gòu))的 方法，更具體而言，涉及一種制造3D結(jié)構(gòu)的能夠向3D結(jié)構(gòu)的表面提供疏水性的方法——其 中使用浸漬法(dipping method)，在該浸漬法中，特定形狀的結(jié)構(gòu)被浸入到熔融金屬溶液 中。
背景技術(shù)：
通常，固體基材料，諸如金屬或聚合物，的表面都具有特定表面能。該特定表面能在當液體與固體接觸時表現(xiàn)為液體和固體之間的接觸角。這里，液體一般指的是水或油等，并且水可代表性地指下文中提到的液體。如果接觸角小于90°，球形水滴在固體表面上會失去其形狀，從而將固體表面弄 濕，呈現(xiàn)出可濕性。然而，如果接觸角大于90°，球形水滴在固體表面上會保持其形狀，通過外力其能 輕易地流動，而非將固體表面弄濕，呈現(xiàn)為不可濕性。例如，如果水滴落在荷葉上，它就不會弄濕荷葉而是在荷葉的表面上流動。這種現(xiàn) 象表明了不可濕性。如果固體基材料的表面經(jīng)處理具有細小的突出物和凹陷(不平整)，則在該固體 基材料的表面上的特定接觸角的值可變化。即是說，具有小于90的接觸角的親水性表面可通過表面處理具有更大的可濕性， 具有大于90的接觸角的疏水性表面可通過表面處理具有更大的不可濕性。固體基材料的疏水性表面可以各種方式得到應(yīng)用。如果疏水性表面被應(yīng)用至管道結(jié)構(gòu)，可有助于管道中的液體流動以增加流量和流 速。因此，將疏水性表面應(yīng)用至水務(wù)管道或鍋爐管道可相比于現(xiàn)有技術(shù)顯著地降低雜 質(zhì)的積聚。另外，如果將聚合物材料用于疏水性表面，則可防止管道的內(nèi)表面被腐蝕，并相應(yīng) 地，可降低水污染。然而，迄今為止，出于任意目的而改變固體表面上的接觸角的技術(shù)是為人所知的， 如一種被應(yīng)用至半導體制造技術(shù)的MEMS (微機電系統(tǒng))方法，通過該方法，固體的表面形成 為具有細小的微米級或納米級的突出物和凹陷。MEMS方法是一種通過機械工程使用半導體技術(shù)的最新技術(shù)，但是半導體方法導致 成本較高。即是說，為了通過使用MEMS方法在固體表面上形成納米級的突出物和凹陷，執(zhí)行 諸如將金屬表面氧化、應(yīng)用特定溫度和特定電壓以及在特殊溶液中進行氧化和蝕刻的操 作。所述MEMS方法不能在一般工作環(huán)境中執(zhí)行，而應(yīng)在特殊制造的清潔室中進行，并且操作所需的機器都是昂貴的設(shè)備。此外，MEMS方法的缺點在于它不能一次處理一個大面積。因此，由于用來形成疏水性表面的現(xiàn)有技術(shù)具有非常復雜的過程，不適于批量生 產(chǎn)，且導致高額的制造成本，所以應(yīng)用起來并不容易。在本背景技術(shù)部分中所公開的上述信息僅用于加深對本發(fā)明的背景的理解，因此 其可能包含有不構(gòu)成本國內(nèi)本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明致力于提供一種用于制造具有疏水性表面的3D(三維)結(jié)構(gòu)的方法，該方 法相比于現(xiàn)有技術(shù)方法簡化了工藝過程以允許批量生產(chǎn)。本發(fā)明還提供了一種通過使用浸漬法來很容易地制造具有疏水性表面的3D結(jié)構(gòu) 的方法，在該浸漬法中，特定形狀的結(jié)構(gòu)被浸入在熔融金屬溶液中。技術(shù)方案本發(fā)明的一個示例實施方案提供了一種通過使用浸漬法制造具有疏水性表面的 3D結(jié)構(gòu)的方法，包括將預定形狀結(jié)構(gòu)浸入在熔融金屬溶液中，以將熔融金屬材料涂覆在 該預定形狀結(jié)構(gòu)的表面上；對涂覆有所述熔融金屬材料的金屬基底進行陽極氧化處理，以 在涂覆有金屬的基底的外表面上形成納米級的孔；在該涂覆有金屬的基底的外表面上涂覆 聚合物材料，以使該聚合物材料形成為相應(yīng)于所述涂覆有金屬的基底的納米級孔的復制陰 模結(jié)構(gòu)(negative replica structure)；將所述復制陰模結(jié)構(gòu)的外表面覆以外部成形材 料；以及從所述復制陰模結(jié)構(gòu)和外部成形材料去除所述涂覆有金屬的基底。在本發(fā)明的示例實施方案中，所述熔融金屬溶液可以是通過將鋁熔化所制備的熔 融鋁溶液。根據(jù)本發(fā)明的示例實施方案的方法還可包括通過將固態(tài)的鋁熔化來制備熔融金 屬溶液。根據(jù)本發(fā)明的示例實施方案，所述預定形狀結(jié)構(gòu)可在電解質(zhì)溶液中被電解拋光， 以使所述預定形狀結(jié)構(gòu)的表面變得平整。根據(jù)本發(fā)明的示例實施方案，所述預定形狀結(jié)構(gòu)的涂覆厚度可通過使所述預定形 狀結(jié)構(gòu)被浸入在熔融金屬溶液中的時間長度的不同而加以調(diào)整。根據(jù)本發(fā)明的示例實施方案，可將所述預定形狀結(jié)構(gòu)從所述熔融金屬溶液中取 出，然后在預定溫度下將其干燥和硬化。根據(jù)本發(fā)明的示例實施方案的方法可進一步包括噴射微米級顆粒以在所述涂覆 有金屬的基底的外表面上形成微米級突出物和凹陷。根據(jù)本發(fā)明的示例實施方案，當涂覆所述聚合物材料時，所述聚合物材料可被注 入到所述涂覆有金屬的基底的納米級孔內(nèi)，使得所述復制陰模結(jié)構(gòu)包括相應(yīng)于所述納米級 孔的多個柱狀物(pillar)。根據(jù)本發(fā)明的示例實施方案，所述聚合物材料可以是如下材料中的至少一種 PTFE (聚四氟乙烯)、FEP (氟化乙烯丙烯)共聚物以及PFA (全氟烷氧基)。根據(jù)本發(fā)明的示例實施方案，所述涂覆有金屬的基底通過化學蝕刻被去除。
有益效果如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例實施方案的用于制造3D結(jié)構(gòu)的方法具有如下優(yōu)點 由于可在不使用諸如相關(guān)技術(shù)MEMS方法中的如此昂貴的設(shè)備的情況下，而向3D形狀結(jié)構(gòu) 的內(nèi)表面提供疏水性，因此可降低制造成本并簡化工藝過程。此外，在根據(jù)本發(fā)明的示例實施方案的用于制造3D形狀結(jié)構(gòu)的方法中，陽極氧化 過程的執(zhí)行借助于通過使用浸漬法僅在金屬基底材料的表面上形成鋁涂覆層，而非使用 由鋁材料制成的金屬基底。因此，盡管執(zhí)行了陽極氧化過程，但可使用相對低的成本來制造3D結(jié)構(gòu)，同時降 低材料損耗。



圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個示例實施方案的用于制造具有疏水性表面的3D(三 維)結(jié)構(gòu)的方法的過程的流程圖。圖2是示出在圖1中的用于制造具有疏水性表面的3D結(jié)構(gòu)的方法的系列過程之 一中的一個預定形狀結(jié)構(gòu)。圖3是示出其中熔融金屬溶液被涂覆在圖2中的預定形狀結(jié)構(gòu)的表面上的狀態(tài)的 示意圖。圖4是示出其中在圖3的涂覆有金屬的基底的表面上形成一陽極氧化層的狀態(tài)的 示意圖。圖5是示出其中在圖4的涂覆有金屬的基底的表面上形成復制陰模結(jié)構(gòu)的狀態(tài)的 示意圖。圖6是示出其中在圖5的復制陰模結(jié)構(gòu)的外表面上附著一外部成形材料的狀態(tài)的 示意圖。圖7是示出其中圖6中的涂覆有金屬的基底和陽極氧化層被去除以剩下復制陰模 結(jié)構(gòu)和外部成形材料的狀態(tài)的示意圖。圖8是示出用于在圖3的涂覆有金屬的基底上形成微米級突出物和凹陷的顆粒噴 射器的示意圖。圖9是示出用于將圖4中的涂覆有金屬的基底陽極氧化的陽極氧化裝置的示意 圖。圖10是示出在圖9中的對涂覆有金屬的基底進行陽極氧化處理之后在陽極氧化 層上形成的納米級孔的放大圖。圖11是示出用于復制圖5中的相應(yīng)于陽極氧化層的納米級孔的復制陰模形狀的 復制陰模裝置的示意圖。圖12是沿圖11中的XII-XII線所取的復制陰模裝置的橫截面圖。<對標示附圖中的主要元件的參考數(shù)字的說明>10 顆粒噴射器20:陽極氧化裝置30 復制陰模裝置100 :3D 結(jié)構(gòu)
101 預定形狀結(jié)構(gòu)110:涂覆有金屬的層120:陽極氧化層130 復制陰模結(jié)構(gòu)140 外部成形材料
具體實施方式
現(xiàn)在將參照附圖詳細描述本發(fā)明的示例實施方案，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以很容 易地執(zhí)行本發(fā)明。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到的，所描述的實施方案可以通過各種不同方式被修 改，所有修改都不偏離本發(fā)明的主旨或范圍。在本發(fā)明中，“微米級”被限定為在等于或大于1 μ m并小于1000 μ m的范圍內(nèi)的尺 寸，“納米級”被限定為在等于或大于Inm并小于IOOOnm的范圍內(nèi)的尺寸。圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個示例實施方案的用于制造具有疏水性表面的3D(三維) 結(jié)構(gòu)的方法的過程的流程圖。如圖1中所示，用于制造具有疏水性表面的3D結(jié)構(gòu)的方法包括浸入步驟Si、陽 極氧化步驟S2、涂覆聚合物材料的步驟S3、覆蓋步驟S4，以及去除步驟S5。相比于相關(guān)的技術(shù)MEMS (微機電系統(tǒng))方法，通過執(zhí)行這些步驟，根據(jù)本發(fā)明的示 例實施方案能夠通過簡單方式以低成本來制造具有疏水性表面的結(jié)構(gòu)。此外，根據(jù)所述制造步驟，3D結(jié)構(gòu)可以被制造為使得其內(nèi)表面具有疏水性。圖2至圖7是依次示出圖1的用于制造具有疏水性表面的3D結(jié)構(gòu)的方法的制造 過程的示意圖。圖2是示出一預定形狀結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖2中所示，根據(jù)本發(fā)明的示例實施方案的預定形狀結(jié)構(gòu)101是待被用于向管 道結(jié)構(gòu)的內(nèi)表面提供疏水性的圓柱形物體。在本發(fā)明的示例實施方案中，預定形狀結(jié)構(gòu)101被浸入在通過將高氯酸和乙醇以 1 4的體積比進行混合所獲得的溶液中，然后電解拋光以使所述預定形狀結(jié)構(gòu)101變平
iF. ο在本發(fā)明的示例實施方案中，熔融金屬溶液是通過在一提前制備步驟中將固體金 屬在一個容器諸如坩堝中熔化而制備的。鋁具有允許納米級孔通過陽極氧化(待被描述)而輕易形成的特性，因此通過將 鋁熔化而制備的熔融鋁溶液被用作本發(fā)明示例實施方案中的熔融金屬溶液。在預定形狀結(jié)構(gòu)101被浸入在熔融金屬溶液中時，熔融金屬材料可被涂覆到預定 形狀結(jié)構(gòu)101的表面上。通過熔融金屬材料，涂覆有金屬的層110的厚度取決于如下各種條件而變化例 如，預定形狀結(jié)構(gòu)101浸入在熔融金屬溶液中的時間，或者預定形狀結(jié)構(gòu)101的表面摩擦 力。因此，在本發(fā)明的示例實施方案中，通過改變所述預定形狀結(jié)構(gòu)101浸入在熔融 金屬溶液中的時間來對涂覆的厚度進行微調(diào)。涂覆以熔融金屬材料的預定形狀材料101被從熔融金屬溶液中取出，然后在預置溫度下干燥和硬化。然后，如圖3中所示，在預定形狀結(jié)構(gòu)101的表面上形成涂覆有金屬的層110。在本發(fā)明的示例實施方案中，其上形成有涂覆有金屬的層110的預定形狀結(jié)構(gòu) 101將被稱為“涂覆有金屬的基底”。圖8是示出用于在圖3的涂覆有金屬的基底110上形成微米級突出物和凹陷的顆 粒噴射器的示意圖。如圖1、圖3和圖8中所示，在本發(fā)明的示例實施方案中，噴射微米級顆粒以在涂覆 有金屬的基底的外表面上形成微米級突出物和凹陷。為了噴射微米級顆粒，在本發(fā)明的示例實施方案中使用一顆粒噴射器10。顆粒噴射器10可以使得微米級顆粒11以任意速度和壓力與涂覆有金屬的基底的 表面相撞擊。然后，當涂覆有金屬的基底由于顆粒11的沖擊能量而變形時，微米級突出物和凹 陷在涂覆有金屬的層110的外表面上形成。具體而言，在本發(fā)明的示例實施方案中，在噴射顆粒11的同時旋轉(zhuǎn)所述涂覆有金 屬的基底，以允許微米級突出物和凹陷均勻分布在涂覆有金屬的層110的表面上。在本發(fā)明的示例實施方案中使用的顆粒噴射器10是用于噴射砂粒的噴砂機，或 者可使用用于噴射細小顆粒(例如，金屬球，而非砂粒)的細小顆粒噴射器。然而，在這種情況下，如果涂覆有金屬的層110的厚度小于預定厚度值，則可在噴 射顆粒的同時去除所述涂覆有金屬的層110，因此噴射顆粒的步驟可以不必執(zhí)行。圖9是示出用于將圖4中的涂覆有金屬的基底陽極氧化的陽極氧化裝置的示意 圖。如圖1、圖4和圖9中所示，在本發(fā)明的示例實施方案中，執(zhí)行陽極氧化處理步驟 S2，以通過將所述涂覆有金屬的基底陽極氧化而在涂覆有金屬的基底的外表面上形成納米 級孔。在陽極氧化處理中，涂覆有金屬的基底被浸入在電解質(zhì)溶液23中，然后向其施加 電極以在涂覆有金屬的基底表面上形成陽極氧化層120。為了進行陽極氧化處理，在本發(fā)明的示例實施方案中使用如圖9中所示的陽極氧 化裝置20。在陽極氧化裝置20中，一定量的電解質(zhì)溶液23(例如，0. 3M的草酸C2H2O4,或磷 酸)被填充在主體21的內(nèi)部容納空間中以用于進行陽極氧化，將涂覆有金屬的基底浸入該 電解質(zhì)溶液中。陽極氧化裝置20包括電源供應(yīng)單元25，涂覆有金屬的基底連接至電源供應(yīng)單元 25的陽極和陰極中的一個，不同的金屬(鉬)基底材料26連接至該電源供應(yīng)單元25的另 一剩余端子。這里，不同的金屬基底材料26可以是任意材料，只要其是可提供用于通電的導 體。在實驗條件下，電源供應(yīng)單元25向涂覆有金屬的基底施加一個預定的恒定電壓 (例如，60V)，并且不同的金屬基底材料26被保持在距離該金屬箔片基底的一個預置距離 (例如，50mm)處。
7
在這種情況下，電解質(zhì)溶液23——其保持在某一溫度(例如，15°C )——被一攪拌 器攪拌，以防止溶液密度的局部偏差。然后，氧化鋁在涂覆有金屬的基底的表面上形成為陽極氧化層120。在執(zhí)行了陽極氧化處理之后，涂覆有金屬的基底被從電解質(zhì)溶液23中取出，使用 去離子水進行清洗(例如，約15分鐘)，然后在預置溫度(例如，60°C )下在一烤箱中干燥 一定時間段(例如，約一小時)。然后，在涂覆有金屬的基底的陽極氧化層120上形成如圖10中所示的具有納米單 位直徑的孔121。圖11是示出用于復制圖5中的相應(yīng)于陽極氧化層的納米級孔的復制陰模形狀的 復制陰模裝置的示意圖，以及圖12是沿圖11中的XII-XII線所取的復制陰模裝置的橫截 面圖。如圖1、圖5、圖11和圖12中所示，在本發(fā)明的示例實施方案中，聚合物材料被涂 覆到相應(yīng)于涂覆有金屬的基底的外表面的陽極氧化層120上。然后，聚合物材料形成為相應(yīng)于陽極氧化層120的納米級孔121的復制陰模結(jié)構(gòu) 130。即是說，在本發(fā)明的示例實施方案中，執(zhí)行涂覆聚合物材料的步驟S3，以在涂覆有 金屬的基底的表面上形成復制陰模結(jié)構(gòu)130。在本發(fā)明的示例實施方案中，具有納米級孔121的涂覆有金屬的基底被提供作為 復制模板，如圖11和圖12中所示的復制陰模裝置30被用于執(zhí)行陽極氧化步驟S2。在本發(fā)明的示例實施方案中，復制陰模裝置30包括主體31、在主體31中具有一定 容納空間的容納部分32、容納在該容納部分32中的聚合物溶液33，以及冷卻單元34，該冷 卻單元沿主體31的側(cè)面設(shè)置，且使容納部分32內(nèi)的聚合物溶液33凝結(jié)以便硬化。在復制陰模裝置30中，涂覆有金屬的基底被浸入在聚合物溶液33中作為復制模 板，并且聚合物材料被涂覆在涂覆有金屬的基底的陽極氧化層120上。即是說，聚合物溶液33被注入到陽極氧化層120的納米級孔121中，并且當復制 陰模裝置30的冷卻單元34運行時，與涂覆有金屬的基底相接觸的聚合物材料硬化。通過這種方式，在本發(fā)明的示例實施方案中，通過將聚合物材料涂覆到陽極氧化 層120的外表面上，形成具有相應(yīng)于納米級孔121的形狀的陰模形狀表面的復制陰模結(jié)構(gòu) 130。即是說，因為復制陰模結(jié)構(gòu)130是相應(yīng)于納米級孔121的陰模形狀表面，所以其包 括相應(yīng)于各個納米級孔121的多個柱狀物。聚合物溶液33由選自如下材料中的一種制成PTFE(聚四氟乙烯)、FEP(氟化乙 烯丙烯)共聚物以及PFA (全氟烷氧基)。接下來，在本發(fā)明的示例實施方案中，如圖6中所示，執(zhí)行覆蓋步驟S4，以將復制 陰模結(jié)構(gòu)130的外表面覆以外部成形材料140。該外部成形材料140是具有特定粘性和柔性的材料，以便附著在復制陰模結(jié)構(gòu) 130的不平整的外表面上。特別地，本發(fā)明的示例實施方案示例性地示出了用于制造具有疏水性內(nèi)表面的管 道結(jié)構(gòu)的方法，使得圓柱形的涂覆有金屬的基底的圓周面被覆以待被用作管道材料的丙烯酸膜。對于外部成形材料140，可使用除了丙烯酸膜之外的各種其他材料。隨后，在本發(fā)明的示例實施方案中，其上形成有陽極氧化層120的涂覆有金屬的 基底被從復制陰模結(jié)構(gòu)130和外部成形材料140去除(S5)。在這種情況下，如果涂覆有金屬的基底的預定形狀結(jié)構(gòu)101是非金屬材料，其可 利用機械方法被去除；如果預定形狀結(jié)構(gòu)101是金屬材料，其可利用諸如蝕刻的化學方法 被去除。在去除了預定形狀結(jié)構(gòu)101之后，涂覆有金屬的層110和陽極氧化層120通過濕 式蝕刻被去除。通過執(zhí)行本發(fā)明的示例實施方案中的這些步驟，復制陰模結(jié)構(gòu)130和外部成形材 料140保留，如圖7所示。如上所述，通過形成在內(nèi)表面上的多個納米級柱狀物，復制陰模結(jié)構(gòu)130最終獲 得了納米級的疏水性表面。即是說，由于復制陰模結(jié)構(gòu)130具有的內(nèi)表面的截面結(jié)構(gòu)如同荷葉的截面結(jié)構(gòu)， 因此其具有最小潤濕特性的疏水性表面特征，相應(yīng)地，復制陰模結(jié)構(gòu)130和液體之間的接 觸角可極大地增加至160°以上。盡管本發(fā)明已結(jié)合目前被認為是可實施的示例性實施方案進行了描述，但應(yīng)理解 的是，本發(fā)明并不限于所公開的實施方案，相反地，本發(fā)明意在覆蓋包括在所附權(quán)利要求書 的主旨和范圍內(nèi)的各種修改和等同替換。
權(quán)利要求
一種通過使用浸漬法制造具有疏水性表面的3D(三維)結(jié)構(gòu)的方法，包括將預定形狀結(jié)構(gòu)浸入在熔融金屬溶液中，以將熔融金屬材料涂覆在該預定形狀結(jié)構(gòu)的表面上；對涂覆有所述熔融金屬材料的金屬基底進行陽極氧化處理，以在涂覆有金屬的基底的外表面上形成納米級的孔；在該涂覆有金屬的基底的外表面上涂覆聚合物材料，以使該聚合物材料形成為相應(yīng)于所述涂覆有金屬的基底的納米級孔的復制陰模結(jié)構(gòu)；將所述復制陰模結(jié)構(gòu)的外表面覆以外部成形材料；以及從所述復制陰模結(jié)構(gòu)和外部成形材料去除所述涂覆有金屬的基底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述熔融金屬溶液是通過將鋁熔化所制備的熔融 鋁溶液。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，進一步包括通過將固態(tài)的鋁熔化來制備熔融金屬溶液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述預定形狀結(jié)構(gòu)在電解質(zhì)溶液中被電解拋光， 以使所述預定形狀結(jié)構(gòu)的表面變得平整。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述預定形狀結(jié)構(gòu)的涂覆厚度通過使所述預定 形狀結(jié)構(gòu)被浸入在熔融金屬溶液中的時間段的長度的不同而加以調(diào)整。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述預定形狀結(jié)構(gòu)從所述熔融金屬溶液中取 出，然后以預定溫度將其干燥和硬化。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括噴射微米級顆粒，以在所述涂覆有金屬的 基底的外表面上形成微米級突出物和凹陷。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在涂覆所述聚合物材料時，所述聚合物材料被注 入到所述涂覆有金屬的基底的納米級孔內(nèi)，使得所述復制陰模結(jié)構(gòu)包括相應(yīng)于所述納米級 孔的多個柱狀物。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述聚合物材料選自如下材料中的至少一種 PTFE (聚四氟乙烯)、FEP (氟化乙烯丙烯)共聚物以及PFA (全氟烷氧基)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述涂覆有金屬的基底通過化學蝕刻被去除。
全文摘要
公開了一種用于制造3D(三維)結(jié)構(gòu)的方法，其通過使用浸漬法向3D結(jié)構(gòu)的表面提供疏水性，在該浸漬法中，預定形狀的結(jié)構(gòu)被浸入在熔融金屬溶液中。該方法包括將預定形狀結(jié)構(gòu)浸入在熔融金屬溶液中，以將熔融金屬材料涂覆在該預定形狀結(jié)構(gòu)的表面上；對涂覆有所述熔融金屬材料的金屬基底進行陽極氧化處理；在該涂覆有金屬的基底的外表面上涂覆聚合物材料，以形成復制陰模結(jié)構(gòu)；將所述復制陰模結(jié)構(gòu)的外表面覆蓋以外部成形材料；以及從所述復制陰模結(jié)構(gòu)和外部成形材料去除所述涂覆有金屬的基底。
文檔編號C23C2/12GK101970705SQ200980108668
公開日2011年2月9日 申請日期2009年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月14日
發(fā)明者樸賢哲, 李尚珉, 李建弘, 李炳柱, 林根培, 金東燮, 金俊源, 黃云峰 申請人:浦項工科大學校產(chǎn)學協(xié)力團