專(zhuān)利名稱(chēng)：離子注入系統(tǒng)及改善束流流強(qiáng)和角度分布的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種離子注入系統(tǒng)及改善束流流強(qiáng)和角 度分布的方法。
背景技術(shù)：
離子注入是一種在半導(dǎo)體襯底中摻入雜質(zhì)，以改變襯底的電性能和材料屬性的工 藝。由于半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)逐漸趨向較大的半導(dǎo)體晶圓(從8英寸到12英寸，現(xiàn)在已向18 英寸發(fā)展)，單晶圓工藝(一次處理一片晶圓)最近已被廣泛地采用?，F(xiàn)在已有了幾種不同 的摻雜單晶圓的工藝方法。圖1所示即為一種在美國(guó)專(zhuān)利7，326，941中被公開(kāi)的離子注入裝置，該裝置依次 包含一個(gè)離子源101、一個(gè)用于從該離子源101引出離子束的引出系統(tǒng)102、一個(gè)用于從該 離子束中選擇預(yù)設(shè)能量范圍內(nèi)的離子束的質(zhì)量分析磁鐵103、一個(gè)用于調(diào)整束流的縱向密 度分布的束流均勻度控制器104以及一校準(zhǔn)器105。該引出系統(tǒng)102中的引出電極具有一 個(gè)幾何凸面，從而使束流在離開(kāi)引出電極時(shí)發(fā)散，離子束的發(fā)散狀態(tài)由引出電極的形狀決 定。該束流均勻度控制器104具有一相對(duì)高而窄的橫截面，其中，該橫截面的縱向?yàn)樵撡|(zhì)量 分析磁鐵103的無(wú)色散的平面所在。由于離子束在被引出時(shí)是發(fā)散的，隨著束流的持續(xù)傳 播，束流的縱向分布范圍在傳輸過(guò)程中會(huì)持續(xù)變大，當(dāng)離子束到達(dá)目標(biāo)晶圓的時(shí)候，其縱向 分布范圍已經(jīng)足以覆蓋晶圓的直徑尺寸。而該校準(zhǔn)器105則用于終止束流的發(fā)散趨勢(shì)，使 束流變?yōu)槠叫袀鞑?，并控制束流在目?biāo)晶圓的注入面上的注入角度的變化。該離子注入裝置還包含一個(gè)設(shè)置在目標(biāo)晶圓處的束流測(cè)量設(shè)備106，用于在離子 束的橫截面處進(jìn)行縱向掃描，從而對(duì)束流的與注入相關(guān)的各項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量，例如束流的 流強(qiáng)和角度分布數(shù)據(jù)，并且該束流測(cè)量設(shè)備106還可以將上述測(cè)量數(shù)據(jù)反饋給該束流均勻 度控制器104。上述的離子注入裝置中存在有以下缺陷由于離子源中的等離子體與引出系統(tǒng)的 離子引出電場(chǎng)之間的復(fù)雜交互作用，使得束流的流強(qiáng)分布在離子束橫截面的縱向上呈現(xiàn)出 中部束流的流強(qiáng)較高、而頂部和底部束流的流強(qiáng)則由于被質(zhì)量分析磁鐵的入口阻擋而急劇 下降的狀態(tài)，圖3中的虛線所示即為該裝置中沿離子束橫截面縱向的流強(qiáng)分布曲線，從圖 中可以明顯看出，該流強(qiáng)曲線在從相對(duì)較平坦的峰值區(qū)域下降時(shí)形成的肩非常長(zhǎng)，而中部 的束流流強(qiáng)曲線也不夠平坦。由于被質(zhì)量分析磁鐵的入口所阻擋(圖3中的A區(qū)域即對(duì)應(yīng) 于質(zhì)量分析磁鐵入口處的束流損失)，束流路徑頂部和底部的大量束流都被損失掉了 ；而 為了獲得均勻的束流流強(qiáng)分布，必須將引出電極的幾何凸面設(shè)計(jì)得更凸，由此更多的中部 束流移向邊緣，導(dǎo)致更多的束流將被質(zhì)量分析磁鐵的入口阻擋從而被損失掉，這就導(dǎo)致最 終能夠傳輸?shù)骄A處的束流大為減少，這對(duì)于離子注入制程來(lái)說(shuō)，會(huì)導(dǎo)致同樣注入劑量的 制程所需的時(shí)間更長(zhǎng)，嚴(yán)重影響了注入制程的效率。美國(guó)專(zhuān)利7，3 ，941中還公開(kāi)了具有兩個(gè)角度控制器的離子注入系統(tǒng)。其中，所 述的角度控制器均由幾個(gè)分別繞在一對(duì)低碳鋼棒上的電磁線圈組成，但該美國(guó)專(zhuān)利并沒(méi)有提出具有兩個(gè)角度控制器的該系統(tǒng)在離子束角度分布修正方面的具體應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中質(zhì)量分析磁鐵的入口會(huì)造成大 量束流損失的缺陷，提供一種能夠使得通過(guò)質(zhì)量分析磁鐵的束流大幅提升從而獲得較高的 束流傳輸效率的離子注入系統(tǒng)及相應(yīng)的改善束流流強(qiáng)和角度分布的方法。本發(fā)明是通過(guò)下述技術(shù)方案來(lái)解決上述技術(shù)問(wèn)題的一種離子注入系統(tǒng)，其包括 一離子源和一引出系統(tǒng)，該引出系統(tǒng)用于從該離子源引出離子束；一質(zhì)量分析磁鐵，用于從 來(lái)自該引出系統(tǒng)的離子束中選擇一預(yù)設(shè)能量范圍內(nèi)的離子束；一束流均勻度控制器，用于 調(diào)整來(lái)自該質(zhì)量分析磁鐵的該預(yù)設(shè)能量范圍內(nèi)的離子束的縱向密度分布；一校準(zhǔn)器，用于 使來(lái)自該束流均勻度控制器的該預(yù)設(shè)能量范圍內(nèi)的離子束變?yōu)槠叫袀鞑ズ笞⑷刖A；其特 點(diǎn)在于，該系統(tǒng)還包括兩個(gè)分別設(shè)于該引出系統(tǒng)與該質(zhì)量分析磁鐵之間的束流路徑的頂部 與底部的二極磁鐵。較佳地，該系統(tǒng)還包括一設(shè)于晶圓所在平面內(nèi)并且鄰接晶圓的束流測(cè)量設(shè)備，用 于測(cè)量晶圓處束流的流強(qiáng)分布和角度分布。較佳地，該束流測(cè)量設(shè)備包括法拉第杯式束流電流測(cè)量器以及法拉第杯式束流角 度測(cè)量器。較佳地，該束流測(cè)量設(shè)備將測(cè)得的流強(qiáng)分布和角度分布數(shù)據(jù)反饋至該束流均勻度 控制器。較佳地，該束流均勻度控制器和該校準(zhǔn)器均包括一對(duì)低碳鋼棒，每根該低碳鋼棒 上均繞有多個(gè)電磁線圈。本發(fā)明的另一技術(shù)方案為一種上述離子注入系統(tǒng)中改善束流流強(qiáng)和角度分布 的方法，其特點(diǎn)在于，基于該束流測(cè)量設(shè)備測(cè)得的流強(qiáng)分布和角度分布數(shù)據(jù)執(zhí)行以下步驟 S1、調(diào)節(jié)該兩個(gè)二極磁鐵的驅(qū)動(dòng)電流，使該引出系統(tǒng)與該質(zhì)量分析磁鐵之間的束流路徑頂 部和底部的束流均向中部偏轉(zhuǎn)；S2、調(diào)節(jié)該束流均勻度控制器和/或該校準(zhǔn)器，使該預(yù)設(shè)能 量范圍內(nèi)的離子束在經(jīng)過(guò)該校準(zhǔn)器后其束流路徑的頂部、中部和底部的束流均為平行傳 播。較佳地，當(dāng)步驟&中結(jié)合利用該束流均勻度控制器和該校準(zhǔn)器時(shí)，步驟&包括以 下步驟s21、開(kāi)啟并調(diào)節(jié)該校準(zhǔn)器，使該校準(zhǔn)器后的束流路徑中部的束流為平行傳播；s22、 開(kāi)啟并調(diào)節(jié)該束流均勻度控制器，使該校準(zhǔn)器后的束流路徑頂部和底部的束流均為平行傳播。其中，當(dāng)該束流均勻度控制器和該校準(zhǔn)器均包括一對(duì)低碳鋼棒，每根該低碳鋼棒 上均繞有多個(gè)電磁線圈時(shí)，在步驟S21中通過(guò)調(diào)節(jié)該校準(zhǔn)器的線圈的電流值，使該校準(zhǔn)器后 的束流路徑中部的束流為平行傳播；在步驟S22中通過(guò)調(diào)節(jié)該束流均勻度控制器的頂部和 底部線圈的電流值，使該校準(zhǔn)器后的束流路徑頂部和底部的束流均為平行傳播。本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于本發(fā)明通過(guò)在引出系統(tǒng)與質(zhì)量分析磁鐵之間的束流 路徑的頂部與底部各設(shè)置一個(gè)二極磁鐵，使得頂部和底部原先將被質(zhì)量分析磁鐵的入口所 阻擋的束流向中部偏轉(zhuǎn)，從而減少了質(zhì)量分析磁鐵造成的束流損失，由此能夠通過(guò)質(zhì)量分 析磁鐵的束流大幅提升，獲得了較高的束流傳輸效率，并且在調(diào)整束流的均勻度分布時(shí)，也能夠更方便地優(yōu)化束流的密度分布。然而，在質(zhì)量分析磁鐵之前增設(shè)的該兩個(gè)二極磁鐵勢(shì) 必會(huì)引起一些非線性角度變化，因此為了解決這個(gè)問(wèn)題，本發(fā)明還提出了將束流均勻度控 制器和校準(zhǔn)器分別作為第一和第二角度控制器，根據(jù)束流測(cè)量設(shè)備測(cè)得的束流參數(shù)數(shù)據(jù)， 修正上述非線性角度變化的方法，從而在獲得較高束流傳輸效率的同時(shí)，進(jìn)一步地改善了 束流的流強(qiáng)和角度分布。


圖1為現(xiàn)有的離子注入裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明的離子注入系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為現(xiàn)有裝置中和本發(fā)明系統(tǒng)中的束流流強(qiáng)分布圖。圖4a4c為本發(fā)明系統(tǒng)中的束流角度分布圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖給出本發(fā)明較佳實(shí)施例，以詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案。如圖2所示，本發(fā)明的離子注入系統(tǒng)包括一離子源101和一引出系統(tǒng)102，該引 出系統(tǒng)102用于從該離子源101引出發(fā)散的離子束；一質(zhì)量分析磁鐵103，用于從來(lái)自該引 出系統(tǒng)102的離子束中選擇一預(yù)設(shè)能量范圍內(nèi)的離子束；一束流均勻度控制器104，用于調(diào) 整來(lái)自該質(zhì)量分析磁鐵103的該預(yù)設(shè)能量范圍內(nèi)的離子束的縱向密度分布；一校準(zhǔn)器105， 設(shè)于該質(zhì)量分析磁鐵103的橫向焦點(diǎn)處，用于使來(lái)自該束流均勻度控制器104的該預(yù)設(shè)能 量范圍內(nèi)的離子束終止發(fā)散趨勢(shì)、變?yōu)槠叫袀鞑?，并且控制束流在晶圓上的注入角度。上述 各設(shè)備均可采用現(xiàn)有結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，例如，該束流均勻度控制器104和該校準(zhǔn)器105均可以由一 對(duì)分別繞有多個(gè)電磁線圈的低碳鋼棒組成。而與現(xiàn)有的離子注入裝置不同的是，該系統(tǒng)還包括兩個(gè)分別設(shè)于該引出系統(tǒng)102 與該質(zhì)量分析磁鐵103之間的束流路徑的頂部與底部的二極磁鐵，即圖2中所示的第一二 極磁鐵107和第二二極磁鐵108，該兩個(gè)二極磁鐵107、108會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)，使位于頂部和底部 的部分束流向中部偏轉(zhuǎn)，從而不再被質(zhì)量分析磁鐵103的入口阻擋。調(diào)節(jié)該二極磁鐵107、 108的驅(qū)動(dòng)電流便可以調(diào)制束流強(qiáng)度，使束流強(qiáng)度增加，補(bǔ)償了質(zhì)量分析磁鐵103引起的束 流損失。然而，在質(zhì)量分析磁鐵103之前增設(shè)的該兩個(gè)二極磁鐵107、108會(huì)導(dǎo)致一些非線 性角度變化，因此需要在離子束通過(guò)質(zhì)量分析磁鐵103之后，采用角度控制器對(duì)這些角度 變化進(jìn)行修正。在本發(fā)明中，直接利用束流均勻度控制器104作為第一角度控制器，并將校 準(zhǔn)器105作為第二角度控制器。在本實(shí)施例中，當(dāng)束流均勻度控制器104和校準(zhǔn)器105均 由幾個(gè)繞在低碳鋼棒上的電磁線圈組成時(shí)，通入電流后，在兩個(gè)分別繞在一對(duì)低碳鋼棒上 的線圈之間的間隙中便會(huì)形成四極磁場(chǎng)，由于每個(gè)線圈均可被單獨(dú)控制，因此便可以在局 部產(chǎn)生不同的四極磁場(chǎng)，從而在束流路徑的頂部、中部、底部等不同位置處?kù)`活地改變束流 的角度，由此便可以實(shí)現(xiàn)對(duì)非線性角度變化的修正。而為了能夠精確地實(shí)現(xiàn)對(duì)束流流強(qiáng)的調(diào)制以及對(duì)非線性角度變化的修正，需要實(shí) 時(shí)地了解晶圓處束流的與注入相關(guān)的各項(xiàng)參數(shù)，例如流強(qiáng)分布和角度分布數(shù)據(jù)，因此，本發(fā) 明的該離子注入系統(tǒng)也可以在晶圓所在平面內(nèi)并且鄰接晶圓處設(shè)置一與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相同的束流測(cè)量設(shè)備106，該束流測(cè)量設(shè)備106可以包括法拉第杯式束流電流測(cè)量器以及法拉第 杯式束流角度測(cè)量器等等，其會(huì)在離子束的橫截面處進(jìn)行縱向掃描，以對(duì)束流參數(shù)進(jìn)行測(cè) 量，其還可以將上述測(cè)量數(shù)據(jù)反饋給該束流均勻度控制器104。基于該束流測(cè)量設(shè)備106測(cè)得的流強(qiáng)分布和角度分布數(shù)據(jù)，本發(fā)明的改善束流流 強(qiáng)和角度分布的方法主要包括以下步驟S1、接通該兩個(gè)二極磁鐵107、108的驅(qū)動(dòng)電流，使其產(chǎn)生磁場(chǎng)，引起該引出系統(tǒng)102 與該質(zhì)量分析磁鐵103之間的束流路徑頂部和底部的束流向中部偏轉(zhuǎn)，并且參考束流測(cè)量 設(shè)備106測(cè)得的流強(qiáng)分布數(shù)據(jù)，進(jìn)一步地調(diào)節(jié)該驅(qū)動(dòng)電流的大小，使得束流的流強(qiáng)分布達(dá) 到圖3中實(shí)線所示的較理想狀態(tài)。&、調(diào)節(jié)第一和/或第二角度控制器，即該束流均勻度控制器104和/或該校準(zhǔn)器 105，使其在執(zhí)行各自的原有功能的同時(shí)，對(duì)束流的角度分布進(jìn)行調(diào)制，從而使得離子束在 經(jīng)過(guò)該校準(zhǔn)器105后其束流路徑的頂部、中部和底部的束流均實(shí)現(xiàn)平行傳播。在步驟S1中，如圖3所示的實(shí)施例，虛線為未增設(shè)二極磁鐵107、108時(shí)，沿離子束 橫截面縱向的束流流強(qiáng)分布曲線，而實(shí)線則為設(shè)置了兩個(gè)二極磁鐵107、108后相應(yīng)的束流 流強(qiáng)分布曲線。二極磁鐵產(chǎn)生的磁場(chǎng)使束流路徑頂部和底部的束流向中部偏轉(zhuǎn)，從而使感 興趣的區(qū)域(士 150mm，適用于覆蓋直徑300mm的晶圓)內(nèi)的束流密度增加且更加均勻，反應(yīng) 在圖形上即為峰值區(qū)域更高更加平坦，并且還銳化了曲線上平坦峰值區(qū)域的下降邊緣，由 此便提高了中部束流的強(qiáng)度，減少了質(zhì)量分析磁鐵103入口處的束流損失(圖3中的區(qū)域 A即對(duì)應(yīng)于質(zhì)量分析磁鐵103入口處的束流損失)，從而使得能夠通過(guò)質(zhì)量分析磁鐵103的 束流大幅提升，在獲得較高的束流傳輸效率的同時(shí)，亦能夠在調(diào)整束流均勻度分布時(shí)更方 便地優(yōu)化束流的密度分布。在步驟&中，當(dāng)結(jié)合利用該束流均勻度控制器104和該校準(zhǔn)器105進(jìn)行束流角度 的校準(zhǔn)時(shí)，具體包括以下步驟S21、在二極磁鐵107、108已經(jīng)運(yùn)作、而第一和第二角度控制器均還未開(kāi)啟的狀態(tài) 下，使用束流測(cè)量設(shè)備106的例如法拉第杯式束流角度測(cè)量器，測(cè)量得到如圖如中實(shí)線所 示的沿離子束橫截面縱向的束流角度分布曲線，而圖如中的虛線則對(duì)比性地表示出了現(xiàn) 有的未采用二極磁鐵的離子注入裝置在同樣條件下的束流角度分布曲線，由該圖中同樣能 夠看出二極磁鐵107、108使頂部和底部的束流發(fā)生的偏轉(zhuǎn)調(diào)制。S22、開(kāi)啟并調(diào)節(jié)第二角度控制器，即該校準(zhǔn)器105，在本實(shí)施例中即調(diào)節(jié)其線圈的 電流值，使離子束在經(jīng)過(guò)該校準(zhǔn)器105后其束流路徑中部的束流為平行傳播，如圖4b所示， 即中部束流對(duì)應(yīng)的束流角度為零。S23、開(kāi)啟第一角度控制器，即該束流均勻度控制器104，然后基于該束流測(cè)量設(shè)備 106測(cè)得的角度分布數(shù)據(jù)，反復(fù)調(diào)節(jié)該束流均勻度控制器104，在本實(shí)施例中即調(diào)節(jié)其頂部 和底部線圈的電流值，直至離子束在經(jīng)過(guò)該校準(zhǔn)器105后其束流路徑頂部和底部的束流均 基本為平行傳播。S24、再次利用束流測(cè)量設(shè)備106測(cè)量角度分布數(shù)據(jù)，針對(duì)其中仍然存在的局部微 小角度變化，對(duì)相應(yīng)線圈的電流值進(jìn)行微調(diào)，最終的束流角度分布曲線如圖4c所示，此時(shí) 束流路徑的頂部、中部和底部的束流均已被基本調(diào)制為平行傳播，非線性角度變化已經(jīng)得 到了完全修正。
綜上所述，本發(fā)明減少了質(zhì)量分析磁鐵的入口所造成的束流損失，使得能夠通過(guò) 質(zhì)量分析磁鐵的束流大幅提升，獲得了較高的束流傳輸效率，并且在調(diào)整束流的均勻度分 布時(shí)，也能夠更方便地優(yōu)化束流的密度分布。本發(fā)明還能夠修正由二極磁鐵所引起的非線 性角度變化，從而在獲得較高束流傳輸效率的同時(shí)，進(jìn)一步地改善了束流的流強(qiáng)分布和角 度分布。雖然以上描述了本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，這些 僅是舉例說(shuō)明，本發(fā)明的保護(hù)范圍是由所附權(quán)利要求書(shū)限定的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不背 離本發(fā)明的原理和實(shí)質(zhì)的前提下，可以對(duì)這些實(shí)施方式做出多種變更或修改，但這些變更 和修改均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種離子注入系統(tǒng)，其包括一離子源和一引出系統(tǒng)，該引出系統(tǒng)用于從該離子源引出離子束；一質(zhì)量分析磁鐵，用于從來(lái)自該引出系統(tǒng)的離子束中選擇一預(yù)設(shè)能量范圍內(nèi)的離子束；一束流均勻度控制器，用于調(diào)整來(lái)自該質(zhì)量分析磁鐵的該預(yù)設(shè)能量范圍內(nèi)的離子束的 縱向密度分布；一校準(zhǔn)器，用于使來(lái)自該束流均勻度控制器的該預(yù)設(shè)能量范圍內(nèi)的離子束變?yōu)槠叫袀?播后注入晶圓；其特征在于，該系統(tǒng)還包括兩個(gè)分別設(shè)于該引出系統(tǒng)與該質(zhì)量分析磁鐵之間的束流路 徑的頂部與底部的二極磁鐵。
2.如權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其特征在于，該系統(tǒng)還包括一設(shè)于晶圓所在平 面內(nèi)并且鄰接晶圓的束流測(cè)量設(shè)備，用于測(cè)量晶圓處束流的流強(qiáng)分布和角度分布。
3.如權(quán)利要求2所述的離子注入系統(tǒng)，其特征在于，該束流測(cè)量設(shè)備包括法拉第杯式 束流電流測(cè)量器以及法拉第杯式束流角度測(cè)量器。
4.如權(quán)利要求2所述的離子注入系統(tǒng)，其特征在于，該束流測(cè)量設(shè)備將測(cè)得的流強(qiáng)分 布和角度分布數(shù)據(jù)反饋至該束流均勻度控制器。
5.如權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的離子注入系統(tǒng)，其特征在于，該束流均勻度控制 器和該校準(zhǔn)器均包括一對(duì)低碳鋼棒，每根該低碳鋼棒上均繞有多個(gè)電磁線圈。
6.一種如權(quán)利要求2所述的離子注入系統(tǒng)中改善束流流強(qiáng)和角度分布的方法，其特征 在于，基于該束流測(cè)量設(shè)備測(cè)得的流強(qiáng)分布和角度分布數(shù)據(jù)執(zhí)行以下步驟.S1、調(diào)節(jié)該兩個(gè)二極磁鐵的驅(qū)動(dòng)電流，使該引出系統(tǒng)與該質(zhì)量分析磁鐵之間的束流路 徑頂部和底部的束流均向中部偏轉(zhuǎn)；.6.調(diào)節(jié)該束流均勻度控制器和/或該校準(zhǔn)器，使該預(yù)設(shè)能量范圍內(nèi)的離子束在經(jīng)過(guò)該 校準(zhǔn)器后其束流路徑的頂部、中部和底部的束流均為平行傳播。
7.如權(quán)利要求6所述的改善束流流強(qiáng)和角度分布的方法，其特征在于，當(dāng)步驟&中結(jié) 合利用該束流均勻度控制器和該校準(zhǔn)器時(shí)，步驟&包括以下步驟.521、開(kāi)啟并調(diào)節(jié)該校準(zhǔn)器，使該校準(zhǔn)器后的束流路徑中部的束流為平行傳播；.522、開(kāi)啟并調(diào)節(jié)該束流均勻度控制器，使該校準(zhǔn)器后的束流路徑頂部和底部的束流均 為平行傳播。
8.如權(quán)利要求7所述的改善束流流強(qiáng)和角度分布的方法，其特征在于，當(dāng)該束流均勻 度控制器和該校準(zhǔn)器均包括一對(duì)低碳鋼棒，每根該低碳鋼棒上均繞有多個(gè)電磁線圈時(shí)，在 步驟S21校準(zhǔn)器的線圈的電流值，使該校準(zhǔn)器后的束流路徑中部的束流為平行傳播；在步驟 ^中通過(guò)調(diào)節(jié)該束流均勻度控制器的頂部和底部線圈的電流值，使該校準(zhǔn)器后的束流路徑 頂部和底部的束流均為平行傳播。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種離子注入系統(tǒng)中改善束流流強(qiáng)和角度分布的方法，基于該束流測(cè)量設(shè)備測(cè)得的流強(qiáng)分布和角度分布數(shù)據(jù)執(zhí)行以下步驟S1、調(diào)節(jié)該兩個(gè)二極磁鐵的驅(qū)動(dòng)電流，使該引出系統(tǒng)與該質(zhì)量分析磁鐵之間的束流路徑頂部和底部的束流均向中部偏轉(zhuǎn)；S2、調(diào)節(jié)該束流均勻度控制器和/或該校準(zhǔn)器，使該預(yù)設(shè)能量范圍內(nèi)的離子束在經(jīng)過(guò)該校準(zhǔn)器后其束流路徑的頂部、中部和底部的束流均為平行傳播。本發(fā)明還公開(kāi)了一種離子注入系統(tǒng)。本發(fā)明能夠使通過(guò)質(zhì)量分析磁鐵的束流大幅提升，獲得了較高的束流傳輸效率。
文檔編號(hào)C23C14/48GK102102189SQ200910201388
公開(kāi)日2011年6月22日 申請(qǐng)日期2009年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月18日
發(fā)明者陳炯 申請(qǐng)人:上海凱世通半導(dǎo)體有限公司