技術(shù)編號：3352432
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種離子注入系統(tǒng)及改善束流流強(qiáng)和角 度分布的方法。背景技術(shù)離子注入是一種在半導(dǎo)體襯底中摻入雜質(zhì)，以改變襯底的電性能和材料屬性的工 藝。由于半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)逐漸趨向較大的半導(dǎo)體晶圓(從8英寸到12英寸，現(xiàn)在已向18 英寸發(fā)展)，單晶圓工藝(一次處理一片晶圓)最近已被廣泛地采用?，F(xiàn)在已有了幾種不同 的摻雜單晶圓的工藝方法。圖1所示即為一種在美國專利7，326，941中被公開的離子注入裝置，該裝置依次 包含一個(gè)離子源101、一...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。