專利名稱：具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)及其制法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的熱絲化學(xué)氣相沉積法(Hot Wire Chemical Vapor Deposition, 或簡(jiǎn) 稱HWCVD)，以及電漿增強(qiáng)型化學(xué)式氣相沉積(Plasma EnhancedChemical Vapor. Deposition,或簡(jiǎn)稱PECVD)，均已廣泛的應(yīng)用于各類薄膜制程中，包括半導(dǎo)體制程、液 晶面板、太陽(yáng)能板制程等，以便在一基板上形成一薄膜，此薄膜可為非晶硅(Amorphous Silicon,或簡(jiǎn)稱a-Si)或是其它成份的薄膜(視供入的反應(yīng)氣體而定)。PECVD的主要缺點(diǎn)為低沉積速率、低生產(chǎn)率、沉積時(shí)間長(zhǎng)、成本高。而 HWCVD的缺點(diǎn)包括自由基濃度控制不易、燈絲溫度不易控制、低薄膜質(zhì)量。請(qǐng)參閱圖1，此為現(xiàn)有的結(jié)合熱絲化學(xué)氣相沉積法與電漿增強(qiáng)型化 學(xué)式氣相沉積 的混合型化學(xué)氣相沉積法(專利公開(kāi)號(hào)WO 2009/2009499)。其中，一封閉反應(yīng)室810包 括一反應(yīng)空間820、一電漿產(chǎn)生裝置830、一熱絲裝置840、一基板850、一基板承載組 件860、一加熱器870、一基板移入部875及一基板移出部880。該電漿產(chǎn)生裝置830是 用以產(chǎn)生一氣態(tài)化學(xué)物的電漿激化(plasma-excited)原子，而該熱絲裝置840用以產(chǎn)生一 氣態(tài)化學(xué)物的熱激化(thermally-excited)原子。舉例來(lái)說(shuō)，該反應(yīng)空間820可通入一氫氣 (H2)與硅烷(SiH4)氣體的混合氣，比例為1 100，該熱絲裝置840是加熱至1850°C， 而該電漿產(chǎn)生裝置830是對(duì)該基板產(chǎn)生每IOOcm2有25瓦的能量，該加熱器870是保持在 400°C。借此，同時(shí)利用合熱絲化學(xué)氣相沉積法與電漿增強(qiáng)型化學(xué)式氣相沉積兩種機(jī)制， 而在該基板850上產(chǎn)生一非晶硅薄膜。請(qǐng)參閱圖2，此為另一現(xiàn)有熱絲化學(xué)氣相沉積法(Hot Wire ChemicalVapor Deposition,或簡(jiǎn)稱HWCVD)的技術(shù)(專利公開(kāi)號(hào)EP1986242A2)，其主要構(gòu)造包括一 反應(yīng)室91、一供氣部92、一直流電源93、一觸媒熱絲94、一排氣閥95、一載臺(tái)96及一 加熱器97。此載臺(tái)96上設(shè)有一底層920，可被該加熱器97加熱，而該底層920上則逐 漸形成一薄膜910。然而，對(duì)于上述兩現(xiàn)有技術(shù)，此熱絲裝置840與觸媒熱絲94均為純鎢制成的細(xì) 絲結(jié)構(gòu)，當(dāng)反應(yīng)空間820及該反應(yīng)室91內(nèi)充入硅烷(SiH4)氣體時(shí)，一旦熱絲裝置840或 觸媒熱絲94的溫度未達(dá)硅的熔點(diǎn)(約1410°C )時(shí)，氣體就和此熱絲裝置840或觸媒熱絲 94接觸，將會(huì)造成氣體不能完全產(chǎn)生分解反應(yīng)而殘留于該熱絲裝置840或觸媒熱絲94的 表面，亦即形成硅化物，例如硅化鎢(tungsten silicide)，造成燈絲電阻率改變。若以觸媒 熱絲94為例，圖3A及圖3B分別為觸媒熱絲94的表面未形成硅化物及已形成硅化物的 外觀圖，而圖4A及圖4B分別為觸媒熱絲94的表面未形成硅化物及已形成硅化物的局部 放大剖視的示意圖。其中，可明顯看出，當(dāng)觸媒熱絲94的表面上形成硅化物941時(shí)，由 于觸媒熱絲94的表面在未工作時(shí)為常溫，而工作時(shí)是1850°C的高溫，此硅化物941易因 熱脹冷縮而形成許多裂紋942，此外，當(dāng)該硅化物941整個(gè)包住該觸媒熱絲94時(shí)，此觸媒熱絲94的功能也將喪失，嚴(yán)重影響整個(gè)熱絲化學(xué)氣相沉積的進(jìn)行。因此，如何避免鎢絲(不論是熱絲裝置840或是觸媒熱絲94)由常溫升至1850°C 的高溫時(shí)，不會(huì)與供入的氣體反應(yīng)產(chǎn)生硅化物，一直是各界研究的目標(biāo)。因此，有必要研發(fā)新產(chǎn)品，以解決上述缺點(diǎn)及問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的主要技術(shù)問(wèn)題在于，克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，而提供 一種具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)及其制法，其兼具無(wú)硅化物的產(chǎn)生及可達(dá)到保護(hù)效 果等優(yōu)點(diǎn)及功效，用以解決現(xiàn)有技術(shù)會(huì)產(chǎn)生硅化物，進(jìn)而影響觸媒功能等問(wèn)題。
本發(fā)明解決上述問(wèn)題的技術(shù)手段是提供一種具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)， 其包括一核心部，其為細(xì)絲狀，其材質(zhì)是金屬；一保護(hù)層，其材質(zhì)是金屬碳化物、金屬氮化物其中之一，該保護(hù)層通過(guò)放電反 應(yīng)的鍍覆過(guò)程，在5000°c以上溫度使得該保護(hù)層逐漸結(jié)合于該核心部外表面至一預(yù)定的 保護(hù)層厚度，而完全包覆住該核心部。本發(fā)明又提供一種具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)制法，其包括下列步驟準(zhǔn)備步驟準(zhǔn)備一核心部及一放電設(shè)備，該核心部為細(xì)絲狀，其材質(zhì)是金屬； 該放電設(shè)備具有一電源的正極、一電源的負(fù)極、一放電反應(yīng)槽、一放電加工媒介、一電 極固定部及一放電反應(yīng)元件；該放電加工媒介置于該放電反應(yīng)槽中，該電極固定部固定 該核心部且該核心部連接至該電源的負(fù)極，該放電反應(yīng)元件為金屬且該放電反應(yīng)元件連 接至該電源的正極，該核心部與該放電反應(yīng)元件間具有一預(yù)定的放電間隙，且該放電間 隙充滿該放電加工媒介；又，該放電加工媒介包括碳原子、氮原子其中之一；放電步驟該放電設(shè)備進(jìn)行放電，使得該核心部與該放電反應(yīng)元件間產(chǎn)生放電 過(guò)程，此放電過(guò)程的局部溫度高于5000°C以上，使得核心部的金屬原子會(huì)四散撞擊至該 放電反應(yīng)元件的外表面，同時(shí)該放電反應(yīng)元件的金屬原子會(huì)與放電加工媒介中的原子結(jié) 合并四散撞擊至該核心部的外表面，進(jìn)而在該核心部外表面逐形成一保護(hù)層；完成步驟制成一種具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)，其包括一核心部，其為細(xì)絲狀，其材質(zhì)是金屬；一保護(hù)層，其材質(zhì)是金屬碳化物、金屬氮化物其中之一，該保護(hù)層通過(guò)放電反 應(yīng)的鍍覆過(guò)程，在高于5000°C以上溫度使得該保護(hù)層逐漸結(jié)合于該核心部外表面至一預(yù) 定的保護(hù)層厚度，而完全包覆住該核心部。本發(fā)明的有益效果是，其兼具無(wú)硅化物的產(chǎn)生及可達(dá)到保護(hù)效果等優(yōu)點(diǎn)及功 效，用以解決現(xiàn)有技術(shù)會(huì)產(chǎn)生硅化物，進(jìn)而影響觸媒功能等問(wèn)題。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。圖1是第一種現(xiàn)有技術(shù)的示意2是第二種現(xiàn)有技術(shù)的示意3A是現(xiàn)有觸媒熱絲的表面未形成硅化物的外觀示意3B是現(xiàn)有觸媒熱絲的表面已形成硅化物的外觀示意圖 圖4A是現(xiàn)有觸媒熱絲的表面未形成硅化物的局部放大剖視的示意圖 圖4B是現(xiàn)有觸媒熱絲的表面已形成硅化物的局部放大剖視的示意圖 圖5是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖 圖6是本發(fā)明的方法流程圖 圖7是本發(fā)明的加工系統(tǒng)的示意圖 圖8是圖7所示部位的局部放大示意圖 圖9A是本發(fā)明的放電過(guò)程一的示意圖 圖9B是本發(fā)明的放電過(guò)程二的示意圖 圖9C是本發(fā)明的放電過(guò)程三的示意圖
圖10是將本發(fā)明的結(jié)構(gòu)應(yīng)用于一熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備的示意圖 圖11是將本發(fā)明的結(jié)構(gòu)應(yīng)用于一熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備的另一示意圖 圖12是將本發(fā)明的結(jié)構(gòu)應(yīng)用于一熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備的局部放大示意圖 圖13是一般鎢絲的外觀示意圖 圖14是本發(fā)明的外觀示意圖 圖15是本發(fā)明的局部放大示意圖 圖16是本發(fā)明的保護(hù)層的EDS分析的示意圖 圖17是一般鎢絲加熱至600°C的示意圖 圖18是本發(fā)明加熱至600°C的示意圖 圖中標(biāo)號(hào)說(shuō)明
100具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)
20核心部 11準(zhǔn)備步驟 13完成步驟 41電源的正極 43放電反應(yīng)槽 45電極固定部 S放電間隙 Al第一點(diǎn) A3 點(diǎn) A5第五點(diǎn) A7第七點(diǎn) A9第九點(diǎn) All第十一點(diǎn) A13第十三點(diǎn) Bl第一位置 B3第三位置 B5第五位置 B7第七位置
30保護(hù)層 12放電步驟 40放電設(shè)備 42電源的負(fù)極 44放電加工媒介 46放電反應(yīng)元件
A2 _ 點(diǎn) A4第四點(diǎn) A6第陸點(diǎn) A8第八點(diǎn) AlO第十點(diǎn) A12第十二點(diǎn) A14第十四點(diǎn) B2第二位置 B4第四位置 B6第六位置 B8第八位置
B9第九位置 BlO第十位置Bll第i^一位置 B12第十二位置B13第十三位置 B14第十四位置810封閉反應(yīng)室 820反應(yīng)空間830電漿產(chǎn)生裝置 840熱絲裝置850基板860基板承載組件870加熱器 875基板移入部880基板移出部 91反應(yīng)室92供氣部 93直流電源94觸媒熱絲 95排氣閥96載臺(tái)97加熱器920底層910薄膜
具體實(shí)施例方式本發(fā)明是為一種具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)及其制法，如圖5所示，關(guān)于 本發(fā)明的具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)100，其包括一核心部20，其為細(xì)絲狀，其材質(zhì)是金屬；一保護(hù)層30，其材質(zhì)是金屬碳化物、金屬氮化物其中之一，該保護(hù)層30通過(guò)放 電反應(yīng)的鍍覆過(guò)程，在5000°C以上溫度使得該保護(hù)層30逐漸結(jié)合于該核心部20外表面至 一預(yù)定的保護(hù)層厚度，而完全包覆住該核心部20 ；又，該核心部20的截面形狀是圓形 (如圖5所示)、矩形、扁條狀或其它幾合圖形。請(qǐng)參閱圖6，關(guān)于本發(fā)明的方法部分，其包括下列步驟準(zhǔn)備步驟11:準(zhǔn)備一核心部20及一放電設(shè)備40，該核心部20為細(xì)絲狀，其材 質(zhì)是金屬；該放電設(shè)備40具有一電源的正極41、一電源的負(fù)極42、一放電反應(yīng)槽43、 一放電加工媒介44、一電極固定部45及一放電反應(yīng)元件46 ；該放電加工媒介44置于該 放電反應(yīng)槽43中，該電極固定部45固定該核心部20且該核心部20連接至該電源的負(fù)極 42，該放電反應(yīng)元件46為金屬且該放電反應(yīng)元件46連接至該電源的正極41，該核心部 20與該放電反應(yīng)元件46間具有一預(yù)定的放電間隙S，且該放電間隙S充滿該放電加工媒 介44;又，該放電加工媒介44包括碳原子、氮原子其中之一；放電步驟12 該放電設(shè)備40進(jìn)行放電，使得該核心部20與該放電反應(yīng)元件46 間產(chǎn)生放電過(guò)程，參閱圖9A、圖9B及圖9C，此放電過(guò)程的局部溫度高于5000°C以上， 使得核心部20的金屬原子會(huì)四散撞擊至該放電反應(yīng)元件46的外表面，同時(shí)該放電反應(yīng)元 件46的金屬原子會(huì)與放電加工媒介44中的原子(即碳原子或氮原子)結(jié)合并四散撞擊至 該核心部20的外表面，進(jìn)而在該核心部20外表面逐形成一保護(hù)層30 ；完成步驟13 制成一種具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)100，其包括一核心部20，其為細(xì)絲狀，其材質(zhì)是金屬；一保護(hù)層30，其材質(zhì)是金屬碳化物、金屬氮化物其中之一，該保護(hù)層30通過(guò)放 電反應(yīng)的鍍覆過(guò)程，在高于5000°C以上溫度使得該保護(hù)層30逐漸結(jié)合于該核心部20外表 面至一預(yù)定的保護(hù)層厚度，而完全包覆住該核心部20。
更詳細(xì)的說(shuō)，該核心部20的材質(zhì)為鎢(W)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、鉬(Mo)、鈦 (Ti)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、錳(Mn)或上述金屬的合金，而保 護(hù)層30的材質(zhì)可為鎢(W)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、 鈷(Co)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、錳(Mn)、含鎢合金、含鉬合金、含鈀合金、含鉬合金、含 鈦合金、含鈮合金、含鉭合金、含鈷合金、含鎳合金、含鉻合金、含錳合金等金屬碳化 物或金屬氮化物其中之一(例如碳化鈦(TiC)、碳化鉭(TaC)、氮化鈦(TiN)、碳化鎢 (WC)、碳化鉻(CrC)等)。另外，該核心部20與該保護(hù)層30是選用熱膨脹系數(shù)相近的材質(zhì)，避免受 熱膨脹的程度不同而影響結(jié)合關(guān)系，例如當(dāng)該核心部20為鎢時(shí)，其膨脹系數(shù)約為 4.6 (IO-V0C),則該保護(hù)層30的材質(zhì)，可選用碳化鎢(WC)或碳化鈦，碳化鎢的熱膨脹系 數(shù)約為3.7至5.7，碳化鈦的熱膨脹系數(shù)約為5.5，使該核心部20與該保護(hù)層30的熱膨脹 系數(shù)相近。假設(shè)該放電反應(yīng)元件46材質(zhì)為鈦，而該放電加工媒介44為一含有碳原子的液 體；本發(fā)明的關(guān)鍵特征在于利用放電機(jī)制，在放電時(shí)產(chǎn)生5000°C以上的溫度，使得放電 反應(yīng)元件46的鈦原子與該放電加工媒介44中的碳原子化合成為碳化鈦，并撞擊至該電極 (假設(shè)材質(zhì)為鎢)上，并緊密的鍵結(jié)于電極上，逐漸形成一薄的碳化鈦保護(hù)層，且此屬于 原子與原子間的鍵結(jié)，因此結(jié)合的緊密度極佳。換言之，當(dāng)使用本發(fā)明的具有高熔點(diǎn)保 護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)100時(shí)(假設(shè)該核心部20的材質(zhì)為鎢)，通電后此鎢絲的工作溫度約 為1850°C 2100°C，遠(yuǎn)低于此碳化鈦保護(hù)層的生成溫度，所以，此碳化鈦保護(hù)層不會(huì)再 和反應(yīng)氣體(例如硅烷或氫氣)反應(yīng)，亦不會(huì)再產(chǎn)生硅化物。當(dāng)然，放電加工過(guò)程中， 該放電加工媒介44亦可為一含有氮原子的氣體(如氮?dú)?，N2),使鈦原子與氮原子化合成 為氮化鈦(TiN)，并撞擊至該電極上，并緊密的鍵結(jié)于電極上，逐漸形成一薄的氮化鈦保 護(hù)層。另外，在進(jìn)行放電加工后形成一具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)100。本發(fā)明是可使用于一熱絲化學(xué)氣相沉積法的設(shè)備中(即將現(xiàn)有技術(shù)的觸媒熱絲 94更換為本發(fā)明的具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)100)，如圖10、圖11及圖12所示， 當(dāng)該反應(yīng)室91內(nèi)充入硅烷(SiH4)氣體(如圖中的箭頭)且該核心部20的溫度未達(dá)硅的 熔點(diǎn)(約1410°C )時(shí)，該保護(hù)層30是保護(hù)該核心部20而不與氣體接觸(該保護(hù)層30的 熔點(diǎn)是高于5000°C以上)，解決現(xiàn)有技術(shù)氣體不能完全產(chǎn)生分解反應(yīng)而殘留于該觸媒熱 絲94的表面(亦即形成硅化物)的缺點(diǎn)。關(guān)于本發(fā)明的成品的應(yīng)用領(lǐng)域，是列舉下列兩應(yīng)用例作為說(shuō)明應(yīng)用一將本發(fā)明的具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)加熱，并使通過(guò)該保護(hù)層 30表面的反應(yīng)氣體被加熱產(chǎn)生游離基，進(jìn)行硅(Si)、鋁(Al)、氮化鈦(TiN)等材料表 面及銅膜(即Cu膜)等阻礙膜清潔化的技術(shù)應(yīng)用。而反應(yīng)氣體可使用從氫(H2)、氨 (NH3)、硅烷(SiH4)、聯(lián)氨(NH2NH2)及水(H2O)氣體所構(gòu)成的群組中選擇一種(含)以 上的氣體。例如反應(yīng)氣體為氫氣(H2)或水蒸氣(H2O)時(shí)可生成H原子游離基，反應(yīng)氣 體為氨(NH3)時(shí)可生成NH和NH2原子游離基。應(yīng)用二 將本發(fā)明的具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)加熱，并讓通過(guò)金屬 絲表面的反應(yīng)氣體(例如CH4)被加熱產(chǎn)生游離基(C原子等)進(jìn)行類鉆碳(DLC，Diamond-Like Carbon)的鍍膜。關(guān)于本發(fā)明的實(shí)際測(cè)試結(jié)果，說(shuō)明如下如圖13及圖14所示，其分別為一般鎢絲的外觀示意圖及本發(fā)明的外觀示意圖， 而圖15是本發(fā)明的局部放大示意圖，圖15中明顯的觀察出，本發(fā)明具有2至3μιη的保 護(hù)層30。請(qǐng)參閱圖16，其是為該保護(hù)層30的EDS (能量散布分析儀，EnergyDispersive
Spectrometer)分析，其中，碳原子67%，鈦原子3%，鎢原子30%，證實(shí)該保護(hù)層30的 批覆效果。在硬度方面，利用維氏硬度量測(cè)的結(jié)果顯示，一般鎢絲為HV400，而本發(fā)明則 提升至HV700，有助于鋼性的提升；關(guān)于加熱方面，一般鎢絲在通電(直流電壓)加熱 至600°C時(shí)，即軟化下垂(如圖17所示)，而本發(fā)明加熱至600°C時(shí)，則無(wú)下垂現(xiàn)象(如 圖18所示)。另外，請(qǐng)參照下列的第一表與圖17 (第一表的位置編號(hào)是對(duì)應(yīng)圖17中的位置編 號(hào)第一點(diǎn)Al至第十四點(diǎn)A14)，其是為一般鎢絲的溫度分布情形，由此可知，在均溫方 面，一般鎢絲的高低溫分布極不平均(高溫集中在右邊)；請(qǐng)參照下列第二表及圖18 (第 二表的位置編號(hào)是對(duì)應(yīng)圖18中的位置編號(hào)第一位置Bl至第十四位置B14)，其是為本發(fā) 明的溫度分布情形，由此可知，在均溫方面，本發(fā)明具有較平均的溫度分布。第一表一般鎢絲的溫度分布表
權(quán)利要求
1.一種具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一核心部，其為細(xì)絲狀，其材質(zhì)是金屬；一保護(hù)層，其材質(zhì)是金屬碳化物、金屬氮化物其中之一，該保護(hù)層通過(guò)放電反應(yīng)的 鍍覆過(guò)程，在5000°c以上溫度使得該保護(hù)層逐漸結(jié)合于該核心部外表面至一預(yù)定的保護(hù) 層厚度，而完全包覆住該核心部。
2.—種具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)制法，其特征在于，包括下列步驟準(zhǔn)備步驟準(zhǔn)備一核心部及一放電設(shè)備，該核心部為細(xì)絲狀，其材質(zhì)是金屬；該放 電設(shè)備具有一電源的正極、一電源的負(fù)極、一放電反應(yīng)槽、一放電加工媒介、一電極固 定部及一放電反應(yīng)元件；該放電加工媒介置于該放電反應(yīng)槽中，該電極固定部固定該核 心部且該核心部連接至該電源的負(fù)極，該放電反應(yīng)元件為金屬且該放電反應(yīng)元件是連接 至該電源的正極，該核心部與該放電反應(yīng)元件間具有一預(yù)定的放電間隙，且該放電間隙 充滿該放電加工媒介；又，該放電加工媒介包括碳原子、氮原子其中之一；放電步驟該放電設(shè)備進(jìn)行放電，使得該核心部與該放電反應(yīng)元件間產(chǎn)生放電過(guò) 程，此放電過(guò)程的局部溫度高于5000°C以上，使得核心部的金屬原子會(huì)四散撞擊至該放 電反應(yīng)元件的外表面，同時(shí)該放電反應(yīng)元件的金屬原子會(huì)與放電加工媒介中的原子結(jié)合 并四散撞擊至該核心部的外表面，進(jìn)而在該核心部外表面逐形成一保護(hù)層；完成步驟制成一種具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)，其包括一核心部，其為細(xì)絲狀，其材質(zhì)是金屬；一保護(hù)層，其材質(zhì)是金屬碳化物、金屬氮化物其中之一，該保護(hù)層通過(guò)放電反應(yīng)的 鍍覆過(guò)程，在高于5000°C以上溫度使得該保護(hù)層逐漸結(jié)合于該核心部外表面至一預(yù)定的 保護(hù)層厚度，而完全包覆住該核心部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)，其特征在于所述核 心部的材質(zhì)為鎢、鉬、鈀、鉬、鈦、鈮、鉭、鈷、鎳、鉻、錳、含鎢合金、含鉬合金、 含鈀合金、含鉬合金、含鈦合金、含鈮合金、含鉭合金、含鈷合金、含鎳合金、含鉻合 金、含錳合金其中之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)制法，其特征在于所 述放電反應(yīng)元件的材質(zhì)為鎢、鉬、鈀、鉬、鈦、鈮、鉭、鈷、鎳、鉻、錳、含鎢合金、 含鉬合金、含鈀合金、含鉬合金、含鈦合金、含鈮合金、含鉭合金、含鈷合金、含鎳合 金、含鉻合金及含錳合金其中之一。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)，其特征在于所述保護(hù) 層的材質(zhì)為鎢、鉬、鈀、鉬、鈦、鈮、鉭、鈷、鎳、鉻、錳、含鎢合金、含鉬合金、含 鈀合金、含鉬合金、含鈦合金、含鈮合金、含鉭合金、含鈷合金、含鎳合金、含鉻合金 及含錳合金的金屬碳化物其中之一。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)，其特征在于所述保護(hù) 層的材質(zhì)為鎢、鉬、鈀、鉬、鈦、鈮、鉭、鈷、鎳、鉻、錳、含鎢合金、含鉬合金、含 鈀合金、含鉬合金、含鈦合金、含鈮合金、含鉭合金、含鈷合金、含鎳合金、含鉻合金 及含錳合金的金屬氮化物其中之一。
全文摘要
一種具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)及其制法，其結(jié)構(gòu)包括一核心部及一保護(hù)層，該核心部的材質(zhì)是金屬，該保護(hù)層的材質(zhì)為金屬碳化物或金屬氮化合物；其制法包括下列步驟準(zhǔn)備步驟、放電步驟及完成步驟，該保護(hù)層通過(guò)放電反應(yīng)的鍍覆過(guò)程，在5000℃以上溫度使得該保護(hù)層逐漸結(jié)合于該核心部外表面至一預(yù)定的保護(hù)層厚度，而完全包覆住該核心部；故，本發(fā)明是兼具無(wú)硅化物的產(chǎn)生及可達(dá)到保護(hù)效果等優(yōu)點(diǎn)及功效。
文檔編號(hào)C23C16/44GK102021574SQ20091017030
公開(kāi)日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2009年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月11日
發(fā)明者林茂城, 郭佳籠 申請(qǐng)人:東捷科技股份有限公司