專利名稱：太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)卷繞鍍膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能集熱器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)巻繞鍍膜裝置。
背景技術(shù)：
平板型太陽集熱器是集熱器中一種基本的類型，結(jié)構(gòu)簡單、運(yùn)行穩(wěn)定可靠、成本適宜，還具有承壓能力強(qiáng)、吸熱面積大等特點(diǎn)，是太陽能與建筑結(jié)合最佳選擇的集熱器類型之一。太陽能選擇性吸收膜是其核心部件之一，其性能好壞以及成本直接決定了集熱器的熱效率以及制造成本。
對(duì)于太陽能選擇性吸收膜的制備方法大體分為化學(xué)涂層法和真空鍍膜
法兩種。如專利ZL91104451.5 ^Hf了一種通過直流陽才及氧化和交流電解方法制備太陽能選擇性吸收層的方法及設(shè)備，該設(shè)備較為簡單，且可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)的生產(chǎn)，但制備的吸收膜層材料較為單一，因此吸收效率較低，且制備過程污染嚴(yán)重。國際上較為先進(jìn)的制備選擇性吸收膜的方法多采用真空鍍膜技術(shù)。真空4 技術(shù)生產(chǎn)工藝不存在污染問題，膜光學(xué)性能優(yōu)良。但就目前所公開的真空鍍蹲方法存在以下的缺點(diǎn)(l)鍍制膜層材料單一，從而影響選擇性吸收膜的吸收效率；(2)各功能膜層的制備不能在同一真空室體中連續(xù)進(jìn)行，不但影響生產(chǎn)效率，更為主要的是環(huán)境對(duì)膜層存在污染，從而影響薄膜效率，如專利99126652.8公開了一種光-熱轉(zhuǎn)換效率較高，機(jī)械強(qiáng)度較大且制造工藝相對(duì)簡單的太陽能選擇性吸收涂層及制備方法，其創(chuàng)新點(diǎn)為設(shè)計(jì)有活化金屬層由偏壓濺鍍完成，鋁/氧/氮復(fù)合層由磁控濺鍍完成。對(duì)應(yīng)于現(xiàn)有技術(shù)的真空鍍膜設(shè)備則為間歇式真空鍍膜設(shè)備，但這類設(shè)備存在以下缺點(diǎn)(l)每完成一個(gè)工序，都要打開真空室門，裝卸帶巻，生產(chǎn)效率低，不適合工業(yè)連續(xù)生產(chǎn)，如專利200810020179.1公開了一種太陽能選擇性吸收涂層及其制備方法，制備工藝為將基體裝入鍍膜機(jī)中、負(fù)電壓轟擊清洗基體，隨后通負(fù)偏壓，'使鈥耙通電，沉積TiN層；隨后通入氧氣，沉積TiO層和
6Ti02。接著使Si02靶通電，通入氬氣和氧氣，沉積減反射層。(2)鍍膜參數(shù) 難以保證一致，產(chǎn)品質(zhì)量一致性差；(3)靶材由于冷卻不良，每次裝卸基片， 暴露大氣后有一定程度的氧化和污染，影響膜層質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于避免現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種太陽能選擇性吸收膜 的連續(xù)巻繞4M裝置。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)在于可在金屬薄板帶上鍍多層膜、 反應(yīng)膜、膜層厚度可獨(dú)立進(jìn)行控制、膜層均勻致密、附著力強(qiáng)、適合工業(yè)化生產(chǎn)。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案為 一種太陽能選擇性吸收膜 的連續(xù)巻繞鍍膜裝置，包括開巻機(jī)組(IO),其主要特點(diǎn)設(shè)置的真空鍍膜室 包括有A低真空室(20a、 20b)，離子處理室(30) ， B低真空室(40)， 高真空室(50) , 5個(gè)真空鍍膜室(60)，室與室之間有法蘭密封連接，并 設(shè)有金屬薄板帶(1)通過的窗口 (2) ; A低真空室(20a、 20b)、離子處 理室(30) 、 B低真空室(40)、高真空室(50)、真空鍍膜室(60)與真 空機(jī)組(90)相連；在真空鍍膜室外還設(shè)有收巻機(jī)組(80)，連續(xù)鍍膜的控 制系統(tǒng)(100)。
所述的太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)巻繞鍍膜裝置，所述的開巻機(jī)組(10 ) 包括上巻滾輪(10-1),開巻滾輪(10-2)，在上巻滾輪(10-1)與開巻 滾輪(10-2 )的前方設(shè)有切頭(10-3 )、焊接(10-4 );在1#S輥(10-5) 和2#S輥(10-7 )之間設(shè)有入口金屬薄板帶(1)張緊輪系統(tǒng)(10-6 );在 2#S輥(10-7 )之后設(shè)有清洗系統(tǒng)(10-8 )，熱風(fēng)干燥(10-9 )。
所述的太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)巻繞鍍膜裝置，所述的A低真空室
(20a、 20b )包括有室體(20-1)，其內(nèi)設(shè)有隔板(20-1-1)將室體(20-1) 分隔成2-6個(gè)真空室；隔板(20-1-1)上設(shè)有金屬薄板帶(1)通過的窗口
(2);在室體(20-1 )的入口處或出口處或室體(20-1)部隔板的窗口 (2) 處設(shè)有密封輸送輥裝置(20-2)，動(dòng)力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(20-3)設(shè)于密封輸送輥裝 置(20-2)上；室體(20-1)的上部設(shè)有上蓋(20-4)，其間設(shè)有上蓋密封 裝置(20-6 ),下部設(shè)有機(jī)架(20-5 );室體連接處設(shè)有密封裝置(20-7 ); 室體(20-1)內(nèi)與滑閥泵機(jī)組(90-1、 90-2)、羅茨泵(90-3)相連通；A低真空室(20a、 20b)的真空度為300Pa-2000Pa。
所述的太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)巻繞鍍膜裝置，所述的密封輸送輥裝置(20-2 )包括相互平行的兩個(gè)橡膠輥(20-2-3)支撐于兩端的軸承座(20-2-5)上，傳動(dòng)齒輪(20-2-1)分別設(shè)于兩個(gè)橡膠輥(20-2-3)的兩端，在橡膠輥(20-2-3)軸的一端連接有動(dòng)力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(20-3);在橡膠輥(20-2-3)軸的兩端設(shè)有彈簧(20-2-2)，密封板(20-2-4)設(shè)于橡膠輥(20-2-3)上；在金屬薄板帶(1)通過的窗口 (2)的兩側(cè)設(shè)有通過密封墊(20-2-6)與室體連接的聯(lián)結(jié)座(20-2-7),其上設(shè)有彈簧片(20-2-8)，將塑料板(20-2-9)壓緊在兩個(gè)橡膠輥(20-2-3)上。
所述的太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)巻繞鍍膜裝置，所述的離子處理室
(30)包括有室體(30-1)，其內(nèi)設(shè)有隔板(30-1-1)將室體(30-1)分隔成2-4個(gè)真空室；在室體(30-1)的兩端及隔板(30-1-1)上設(shè)有金屬薄板帶(l)通過的窗口 (2);在室體(30-1)內(nèi)設(shè)有高壓離子處理系統(tǒng)(30-2);在室體(30-1 )內(nèi)設(shè)有布?xì)庀到y(tǒng)(30-3 );室體(30-1 )的上部設(shè)有上蓋(30-4 )，其間設(shè)有上蓋密封裝置(30-7),中部設(shè)有觀察窗(30-5)，下部設(shè)有機(jī)架
(30-6);室體連接處設(shè)有密封裝置(30-8);室體(30-1)內(nèi)與滑閥泵機(jī)組、羅茨泵(9.0-4)相連通；離子處理室(30)的真空度為lPa-5Pa。
所述的太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)巻繞鍍膜裝置，所述的B低真空室
(40)包括有室體(40-1)，其內(nèi)設(shè)有隔板(40-1-1)'將室體(40-1)分隔成2-4個(gè)真空室；在室體(40-1)的兩端及隔板(40-1-1)上設(shè)有金屬薄板帶(1)通過的窗口 ( 2 );室體(40-1)的上部設(shè)有上蓋(40-2 )，其間設(shè)有上蓋密封裝置(40-3 )，中部設(shè)有觀察窗(40-5 ),下部設(shè)有機(jī)架(40-6 );室體連接處設(shè)有密封裝置(40-4);室體(40-1)內(nèi)與滑閥泵機(jī)組、羅茨泵
(90-5)相連通；B低真空室(40)的真空度為1Pa-350Pa。
所述的太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)巻繞鍍膜裝置，所述的高真空室(50)包括有室體(50-1),其內(nèi)設(shè)有隔板(50-1-1)將室體(50-1)分隔成2-4個(gè)真空室；在室體(50-1)的兩端及隔板(50-1-1)上設(shè)有金屬薄板帶(1)通過的窗口 (2);室體(50-1)的上部設(shè)有上蓋(5Q-2)，其間設(shè)有上蓋密封裝置(50-4),下部設(shè)有機(jī)架(50-3);室體連接處設(shè)有密封裝置(50-5 );室體(50-1)內(nèi)與擴(kuò)散泵、滑閥泵積i且、羅茨泵(90-6)相連通；高真空室(50 )的真空度為7 x 10-3Pa-5Pa。
所述的太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)巻繞鍍膜裝置，所述的鍍膜室(60)包括有室體(60-1);其內(nèi)設(shè)有隔板(60-1-1)將室體(60-1)分隔成2-4個(gè)真空室；在室體(60-1)的兩端及隔板(60-1-1)上設(shè)有金屬薄板帶(1)通過的窗口 (2);在室體(60-1)內(nèi)設(shè)有平面^茲控靶或電子搶(60-3);室體(60-1)的上部設(shè)有上蓋(60-2),其間設(shè)有上蓋密封裝置(60-6)，中部設(shè)有觀察窗(60-4),下部設(shè)有機(jī)架(60-5);室體連接處設(shè)有密封裝置(60-7) ; 室(60)的真空度為0.1Pa-1Pa。
所述的太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)巻繞鍍膜裝置，所述的收巻機(jī)組(80 )包括有在真空鍍膜室外金屬薄板帶(1)上設(shè)有貼保護(hù)膜機(jī)構(gòu)(80-1) , 3#S輥(80-2 )與4#S輥(80-4 )之間設(shè)有出口金屬薄板帶(1 )張緊輪系統(tǒng)(80-3 );在4#S輥(80-4 )之后設(shè)有剪切(80-5 ),夾送輥(80-6 ),巻取(80-7 )，卸巻(80-8)。
所述的太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)巻繞鍍膜裝置，所述的連續(xù)鍍膜裝置的控制系統(tǒng)(100)包括有計(jì)算機(jī)集中控制機(jī)拒(100-1),過程控制接口模塊機(jī)拒(100-2 ),真空系統(tǒng)控制機(jī)拒(100-3 ),傳動(dòng)系統(tǒng)控制機(jī)拒(100-4 )，真空離子處理電源機(jī)拒連續(xù)鍍膜電源機(jī)拒(100-5)，收巻操作輔助控制機(jī)柜(100-6)和開巻操作輔助控制機(jī)拒(100-7)。
本發(fā)明的有益效果是(1)設(shè)備各部件正確組合的總體布置方案及配置；(2 )空氣-空氣真空連續(xù)鍍膜的動(dòng)密封結(jié)構(gòu)；(3)鍍膜源可根據(jù)工藝需要進(jìn)行多種組合。該生產(chǎn)線采用計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制技術(shù)，具有豐富的人機(jī)界面，操作方便。該生產(chǎn)線采用空氣-空氣的真空連續(xù) 方式，鍍膜效率高，鍍膜過程環(huán)保無污染、可鍍制多種膜、多層膜、膜層質(zhì)量好。


圖l為本發(fā)明的主^見示意圖2為本發(fā)明的開巻機(jī)組(10)主視示意圖3為本發(fā)明的A低真空室(20a、 20b)主碎見示意圖； 圖4a為本發(fā)明的密封輸送輥裝置(20-2)主視示意圖；圖4b為圖5a的左視示意圖； 圖5為本發(fā)明的離子處理室(30)主^L示意圖； 圖6為本發(fā)明的B低真空室(40)主視示意圖； 圖7為本發(fā)明的高真空室(50)主視示意圖； 圖8為本發(fā)明的鍍膜室(60)主視示意圖； 圖9為本發(fā)明的收巻機(jī)組(80)主視示意圖； 圖IO為本發(fā)明的控制系統(tǒng)(100)主^見示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋 本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。 實(shí)施例1:
見圖1， 一種太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)巻繞鍍膜裝置，包括開巻機(jī)組 10,設(shè)置的真空 室包括有A低真空室20a、 20b，離子處理室30, B低真 空室40，高真空室50， 5個(gè)真空鍍膜室60，室與室之間有法蘭密封連接， 并設(shè)有金屬薄板帶l通過的窗口 2; A低真空室20a、 20b、離子處理室30、 B低真空室40、高真空室50、真空鍍膜室60與真空機(jī)組90相連；在真空鍍 膜室外還設(shè)有收巻機(jī)組80，連續(xù)鍍膜的控制系統(tǒng)100。
見圖2，所述的開巻機(jī)組IO包括有上巻滾輪10-1，開巻滾輪10-2，在 上巻滾輪10-1與開巻滾輪10-2的前方設(shè)有切頭10-3、焊接10-4;在1#S 輥10-5和2#S輥10-7之間設(shè)有入口金屬薄板帶1張緊輪系統(tǒng)10-6;在2#S 輥10-7之后設(shè)有清洗系統(tǒng)10-8，熱風(fēng)干燥10-9。
見圖3,所述的A低真空室20a、 20b包括有室體20-1,其內(nèi)設(shè)有隔板20-1-1將室體20-1分隔成4個(gè)真空室；隔板20-1-1上設(shè)有金屬薄板帶1 通過的窗口 2;在室體20-1的入口處或出口處或室體20-l中部隔板的窗口 2處設(shè)有密封輸送輥裝置20-2，動(dòng)力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)20-3設(shè)于密封輸送輥裝置20-2 上；室體20-1的上部設(shè)有上蓋20-4，其間設(shè)有上蓋密封裝置20-6，下部設(shè) 有機(jī)架20-5;室體連接處設(shè)有密封裝置20-7;室體20-1內(nèi)與滑閥泵機(jī)組 90-1、 90-2、羅茨泵90-3相連通。A低真空室(20a、 20b)的真空度為 300Pa-200Pa。室體中間位置通過3套密封輥裝置把室體分隔成三至五部分， 從進(jìn)料C低真空室，20b為從出料端，開始每部分真空度有一個(gè)階梯形的降 低，經(jīng)過A低真空室20a、 C低真空室20b后真空度可達(dá)到5Pa以下。室體
根據(jù)制造需要，可做成整體或分兩件。
見圖4，所述的密封輸送輥裝置20-2包括相互平行的兩個(gè)橡膠輥20-2-3 支撐于兩端的軸承座20-2-5上，傳動(dòng)齒輪20-2-1分別設(shè)于兩個(gè)橡膠輥 20-2-3的兩端，在橡膠輥20-2-3軸的一端連接有動(dòng)力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)20-3;在橡 膠輥20-2-3軸'的兩端設(shè)有彈簧20-2-2，密封板20-2-4設(shè)于橡膠輥20-2-3 上；在金屬薄板帶1通過的窗口 2的兩側(cè)設(shè)有通過密封墊20-2-6與室體連 接的聯(lián)結(jié)座20-2-7,其上設(shè)有彈簧片20-2-8，將塑料板20-2-9壓緊在兩個(gè) 橡膠輥2Q-2-3上。
見圖5,所述的離子處理室30包括有室體30-1，其內(nèi)設(shè)有隔板30-l-l 將室體30-1分隔成2個(gè)真空室；在室體30-1的兩端及隔板30-1-1上設(shè)有 金屬薄板帶1通過的窗口 2;在室體30-1內(nèi)設(shè)有高壓離子處理系統(tǒng)30-2; 在室體30-1內(nèi)i殳有布?xì)庀到y(tǒng)30-3;室體30-1的上部i殳有上蓋30-4,其間 設(shè)有上蓋密封裝置30-7，中部設(shè)有觀察窗30-5,下部設(shè)有機(jī)架30-6;室體 連接處設(shè)有密封裝置30-8;室體30-1內(nèi)與滑閥泵才幾組、羅茨泵90-4相連通；離子處理室(30)的真空度為1Pa-5Pa。
見圖6，所述的B低真空室40包括有室體40-1，其內(nèi)設(shè)有隔板40-1-1 將室體40-1分隔成2個(gè)真空室；在室體40-1的兩端及隔板40-1-1上設(shè)有 金屬薄板帶1通過的窗口 2;室體40-1的上部設(shè)有上蓋40-2，其間設(shè)有上 蓋密封裝置40-3，中部設(shè)有觀察窗40-5，下部設(shè)有機(jī)架40-6;室體連接處 設(shè)有密封裝置40-4;室體40-l內(nèi)與滑閥泵機(jī)組、羅茨泵90-5相連通；B低 真空室(40)的真空度為lPa-350Pa。室內(nèi)真空度可達(dá)到5Pa以下。
見圖7,所述的高真空室50包括有室體50-l，其內(nèi)i殳有隔板50-1-1將 室體50-1分隔成2個(gè)真空室；在室體50-1的兩端及隔板50-1-1上設(shè)有金 屬薄板帶1通過的窗口 2;室體50-1的上部設(shè)有上蓋50-2，其間設(shè)有上蓋 密封裝置50-4，下部設(shè)有機(jī)架50-3;室體連接處設(shè)有密封裝置50-5;室體 50-l內(nèi)與擴(kuò)散泵、滑閥泵機(jī)組、羅茨泵90-6相連通；高真空室(50)的真 空度為7 x 10'3pa-5Pa。室內(nèi)極限壓力可達(dá)到1 x 10-3Pa以下。高真空室在鍍 膜室兩側(cè)各i殳置一個(gè)。
見圖8，所述的鍍膜室60包括有室體60-1;其內(nèi)設(shè)有隔板60-1-1將室 體60-1分隔成2個(gè)真空室；在室體60-1的兩端及隔板60-1-1上設(shè)有金屬 薄板帶1通過的窗口 2;在室體60-1內(nèi)設(shè)有平面》茲控靶或電子搶60-3;室 體60-l的上部設(shè)有上蓋60-2，其間設(shè)有上蓋密封裝置60-6，中部設(shè)有觀察 窗60-4,下部設(shè)有機(jī)架60-5;室體連接處設(shè)有密封裝置60-7;鍍膜室(60) 的真空度為0. lPa-1Pa。
見圖9，所述的收巻機(jī)組80包括有在真空鍍膜室外金屬薄板帶1上設(shè)有 貼保護(hù)膜機(jī)構(gòu)80-1， 3#S輥80-2與4#S輥80-4之間設(shè)有出口金屬薄板帶1 張緊輪系統(tǒng)80-3;在4#S輥80-4之后設(shè)有剪切80-5,夾送輥80-6,巻取
1280-7，卸巻80-8。
見圖IO，所述的連續(xù)鍍膜裝置的控制系統(tǒng)IOO包括有計(jì)算機(jī)集中控制機(jī) 拒100-1，過程控制接口模塊機(jī)沖巨100-2,真空系統(tǒng)控制機(jī)柜100-3,傳動(dòng)系 統(tǒng)控制機(jī)拒100-4，真空離子處理電源機(jī)拒連續(xù)鍍膜電源才幾拒100-5,收巻 操作輔助控制機(jī)拒100-6和開巻操作輔助控制機(jī)拒100-7。
計(jì)算機(jī)集中控制機(jī)拒100-1通過觸摸屏等人機(jī)接口，以圖形、表格和棒
圖等形式實(shí)時(shí)顯示從生產(chǎn)線各控制器接受的數(shù)據(jù)，并將操作員的指令傳送給 控制器，完成生產(chǎn)線中傳動(dòng)系統(tǒng)、真空抽氣系統(tǒng)、鍍膜工藝系統(tǒng)和輔助控制 系統(tǒng)的Wt控制和管理、過程控制、設(shè)備故障診斷、人機(jī)交互等功能。
過程控制接口模塊機(jī)拒100-2主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)線各工藝控制環(huán)節(jié)模擬量的 采集、輸出和實(shí)時(shí)控制；
真空系統(tǒng)掛制機(jī)拒100-3，根據(jù)計(jì)算機(jī)控制機(jī)拒的指令實(shí)現(xiàn)對(duì)生產(chǎn)線真 空抽氣系統(tǒng)的控制，為鍍膜生產(chǎn)線獲得持續(xù)的高真空工作環(huán)境；
傳動(dòng)系統(tǒng)控制機(jī)拒100-4，根據(jù)計(jì)算機(jī)控制機(jī)拒的指令實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)線多傳 動(dòng)系統(tǒng)開巻度、收巻險(xiǎn)和工藝段的調(diào)速控制和張力控制和糾偏控制。
收巻操作輔助控制機(jī)拒100-6和開巻操作輔助控制機(jī)拒100-7主要實(shí)現(xiàn) 系統(tǒng)上料巻、卸料巻、預(yù)設(shè)張力、轉(zhuǎn)動(dòng)點(diǎn)動(dòng)的輔助功能。提高連續(xù)鍍膜生產(chǎn) 線的工作效率。
使用時(shí)，所述的開巻機(jī)組的上巻小車，位于開巻才幾的巻筒下面，將金屬 薄板帶從入口鞍座上到開巻機(jī)巻筒上，開巻機(jī)設(shè)置有自動(dòng)對(duì)中裝置，當(dāng)帶巻 安裝位置同設(shè)定位置有偏差時(shí)，可自動(dòng)進(jìn)行修正；通過開巻機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)，使板 帶通過向前夾送的夾送輥，然后通過夾送輥向前將板帶送至入口剪，由入口 剪去此板帶的帶頭，板帶通過焊機(jī)進(jìn)入1#S輥；此時(shí)，另一個(gè)上巻小車按前面所述步驟將板帶送至入口剪處，當(dāng)前一巻板帶的帶尾到達(dá)入口剪時(shí)，通過 入口剪剪切此巻的帶尾及后一巻的帶頭，然后一起到達(dá)焊機(jī)處進(jìn)行焊接，焊
接后的帶材繼續(xù)勻速向前通過1號(hào)s輥，帶材在1號(hào)s輥的驅(qū)動(dòng)下進(jìn)入入
口活套，入口活套用于先儲(chǔ)存金屬薄板帶，以保證機(jī)組入口段在金屬薄板帶 停止并進(jìn)行焊接工作時(shí)，入口活套釋放板帶以使工藝段金屬薄板帶仍能連續(xù)
穩(wěn)定的運(yùn)行；在入口活套后面布置有2號(hào)S輥，板帶經(jīng)過2號(hào)S輥后，在2 號(hào)S輥的輸送作用下，板帶通過后面的清洗裝置進(jìn)行清洗；板帶經(jīng)過清洗后， 經(jīng)過擠干糾偏裝置，對(duì)板帶起去除水分及糾偏矯正的作用；在擠干糾偏裝置 后布置有熱風(fēng)干燥裝置，通過向板帶表面噴吹高速熱風(fēng)，來吹干脫脂留在板 帶表面的水分。板帶經(jīng)過擠干糾偏裝置后進(jìn)入A低真空室20a，然后依次通 過離子處理室30、 B低真空室40、高真空室50、鍍膜室60、 C低真空室20b， 到達(dá)收巻機(jī)組；在收巻機(jī)組，板帶鍍膜的一面通過貼膜裝置在其表面貼上保 護(hù)的塑料薄膜或紙，板帶繼續(xù)向前，通過3號(hào)S輥，通過3號(hào)S輥的引送進(jìn) 入出口活套，出口用于在卸膜板帶停止時(shí)儲(chǔ)存金屬薄板帶，以保證在板帶停 止并進(jìn)行焊接工作時(shí)，工藝段板帶仍能連續(xù)穩(wěn)定的運(yùn)行，在換巻完成后，釋 放板帶，以備下次卸巻儲(chǔ)存板帶；板帶經(jīng)過出口活套后進(jìn)入4號(hào)S輥，在其 引送下通過壓剪機(jī)及夾送輥，到達(dá)收巻機(jī)進(jìn)行收巻，當(dāng)帶巻巻徑達(dá)到一定大 小后，通過壓剪把板帶剪斷，換巻后進(jìn)行新巻的收巻。
在完成穿帶后，各低真空室同時(shí)進(jìn)行抽真空，在高真空室真空度達(dá)到5Pa 以下時(shí)，采用高真空枳i且對(duì)高真空室進(jìn)行抽真空。在離子處理室真空達(dá)到一 定真空度后，通過布?xì)庀到y(tǒng)向室內(nèi)充入N2，利用離子處理器對(duì)板帶進(jìn)行表面 處理；同時(shí)，在鍍膜室達(dá)到一定的真空度時(shí)，采用鍍膜系統(tǒng)(電子束蒸發(fā)或 磁控濺射系統(tǒng))對(duì)板帶表面進(jìn)行鍍膜處理；板帶的傳動(dòng)速度及鍍膜功率大小根據(jù)工藝要求進(jìn)行調(diào)節(jié)。
應(yīng)用例 一種高性能多層復(fù)合太陽選擇性吸收涂層的鍍膜，包括有在基 體上順序設(shè)有遠(yuǎn)紅外反射層、復(fù)合熱吸收層和抗氧化和減反射層，遠(yuǎn)紅外反 射層為'減射沉積在基體上的Al層；復(fù)合熱吸收層為濺射沉積在遠(yuǎn)紅外反射 層上的TiNOx層，抗氧化和減反射層為濺射沉積在復(fù)合熱吸收層上的Si02 層。所述的基體為磷脫氧銅帶或無氧銅帶或鋁帶。所述遠(yuǎn)紅外反射層的厚度 為100- 120nrn。所述復(fù)合熱系數(shù)層的厚度為100~120nm。所述抗氧化和減 反射層的厚度為60 ~ 70nm。
其步驟為①將進(jìn)行預(yù)處理后的基體裝入臥室磁控濺射鍍膜機(jī)中，并將 臥室磁控濺射鍍膜機(jī)的真空室的真空度抽至2. 0 x l(r2 ~ 8. 0 x i(y3;所述的 預(yù)處理為高壓離子清潔，充入氮?dú)猓瑝毫?~5Pa，電壓轟擊3200~3500V， 電流2 4A。②向真空室內(nèi)通入純度為99. 95%的氬氣，使真空度為6.5xl(T2-9. Oxl(T2Pa，在氬氣氣氛中接通直流負(fù)電壓轟擊清洗基體5min，去除基體 表面雜質(zhì)，活化基體表面；③向真空室內(nèi)通入純度為99. 95%的氬氣，起鋁靶， 在基體上沉積A1層，其中Ar流量為260sccm，氣壓為6.5x1 (T2Pa，直流電 壓為580V,電流為100A,沉積時(shí)間為300s, Al層的厚度為100 ~ 200nm; ④向真空室內(nèi)通入純度為99. 95%的氬氣，起鈥靶，在基體上沉積Ti層，其 中Ar流量為170sccm，氣壓為7.5xlO_2Pa，直流電壓為640 V，電流為35 A, 沉積時(shí)間為300 s;然后向真空室內(nèi)通入純度均為99.95%的氬氣和乙炔，起 鈦靶，在基體上沉積TiC層，其中Ar流量為170 sccm， C2H2流量為120sccm, 氣壓為5.7xlO-2Pa，直流電壓為660V,電流為29A,時(shí)間為300s， Ti+TiC 層的厚度為50~100nm;⑤向真空室內(nèi)通入純度均為99.95°/0的氬氣、氧氣和 氮?dú)猓疴€靶，在基體上沉積TiNOx層，其中Ar流量為60 sccm, Nz流量 為90sccm， 02流量為100sccm,氣壓為O.llPa，直流電壓為440-490 V,電 流為37A,時(shí)間為30min, TiNOx層的厚度為100 ~ 200nm; 向真空室內(nèi)通入純度均為99.95%的氬氣和氧氣，起硅靶，在基體上沉積Si02層，其中Ar流量為60 sccm， 02流量為120sccm，氣壓為0.2Pa,直流電壓為400-450V，電流為39A,時(shí)間為10min， Si02層的厚度為60 ~ 100nm。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)
明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)卷繞鍍膜裝置，包括開卷機(jī)組(10)，其特征在于設(shè)置的真空鍍膜室包括有A低真空室(20a、20b)，離子處理室(30)，B低真空室(40)，高真空室(50)，5個(gè)真空鍍膜室(60)，室與室之間有法蘭密封連接，并設(shè)有金屬薄板帶(1)通過的窗口(2)；A低真空室(20a、20b)、離子處理室(30)、B低真空室(40)、高真空室(50)、各真空鍍膜室與真空機(jī)組(90)相連；在真空鍍膜室外還設(shè)有收卷機(jī)組(80)，連續(xù)鍍膜的控制系統(tǒng)(100)。
2. 如權(quán)利要求1所述的太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)巻繞鍍膜裝置，其特征 在于所述的開巻機(jī)組(10)包括上巻滾輪(10-1)，開巻滾輪(10-2 ), 在上巻滾輪(10-1)與開巻滾輪(10-2 )的前方設(shè)有切頭(10-3 )、焊接(10-4 );在1#S輥(10-5 )和2#S輥(10-7 )之間設(shè)有入口金屬薄板帶 (1)張緊輪系統(tǒng)(10-6 );在2#S輥(10-7 )之后設(shè)有清洗系統(tǒng)(10-8 )， 熱風(fēng)干燥(10-9)。
3. 如權(quán)利要求1所述的太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)巻繞鍍膜裝置，其特征在 于所述的A低真空室(20a、 20b)包括有室體(20-1)，其內(nèi)設(shè)有隔板(20-1-1)將室體(20-1)分隔成2-6個(gè)真空室；隔板(20-1-1)上設(shè)有 金屬薄板帶(1)通過的窗口 (2);在室體(20-1)的入口處或出口處或 室體(20-1)中部隔板的窗口 (2)處設(shè)有密封輸送輥裝置(20-2)，動(dòng) 力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(20-3 )設(shè)于密封輸送輥裝置(20_2 )上；室體(20-1)的上 部設(shè)有上蓋(20-4 )，其間設(shè)有上蓋密封裝置(20-6 ),下部設(shè)有機(jī)架(20-5 ); 室體連接處設(shè)有密封裝置(20-7 );室體(20-1)內(nèi)與滑閥泵機(jī)組(90-1、 90-2 )、羅茨泵(90-3)相連通；A低真空室(20a、 20b)的真空度為300Pa-200Pa。
4 如權(quán)利要求3所述的太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)巻繞鍍膜裝置，其特征在 于所述的密封輸送輥裝置(20-2)包括相互平行的兩個(gè)橡膠輥(20-2-3) 支撐于兩端的軸承座(20-2-5)上，傳動(dòng)齒輪(20-2-1)分別設(shè)于兩個(gè)橡膠輥 (20-2-3)的兩端，在橡膠輥(20-2-3)軸的 一 端連接有動(dòng)力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu) (20-3);在橡膠輥(20-2-3)軸的兩端設(shè)有彈簧(20-2-2)，密封板(20-2-4) 設(shè)于橡膠輥(20-2-3)上；在金屬薄板帶(1)通過的窗口 (2)的兩側(cè)設(shè)有 通過密封墊(20-2-6)與室體連接的聯(lián)結(jié)座(20-2-7),其上設(shè)有彈簧片 (20-2-8)，將塑料板(20-2-9)壓緊在兩個(gè)橡膠輥(20-2-3)上。
5. 權(quán)利要求1所述的太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)巻繞鍍膜裝置，其特征在 于所述的離子處理室(30)包括有室體(30-1)，其內(nèi)設(shè)有隔板(30-1-1) 將室體(30-1 )分隔成2-4個(gè)真空室；在室體(30-1 )的兩端及隔板(30-l-l) 上設(shè)有金屬薄板帶(1)通過的窗口 (2);在室體(30-1)內(nèi)設(shè)有高壓離 子處理系統(tǒng)(30-2 );在室體(30-1)內(nèi)設(shè)有布?xì)庀到y(tǒng)(30-3 );室體(30-1) 的上部設(shè)有上蓋(30-4)，其間設(shè)有上蓋密封裝置(30-7)，中部設(shè)有觀 察窗(30-5 )，下部設(shè)有機(jī)架(30-6 );室體連接處設(shè)有密封裝置(30-8 ); 室體(30-1)內(nèi)與滑閥泵才幾組、羅茨泵(90-4)相連通；離子處理室(30) 的真空度為1Pa-5Pa。
6. 權(quán)利要求1所述的太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)巻繞鍍膜裝置,其特征在于 所述的B低真空室(40)包括有室體(40-1)，其內(nèi)設(shè)有隔板(40-1-1) 將室體(40-1 )分隔成2-4個(gè)真空室；在室體(40-1 )的兩端及隔板(40-1-1) 上設(shè)有金屬薄板帶(1)通過的窗口 (2);室體(40-1)的上部設(shè)有上蓋(40-2)，其間設(shè)有上蓋密封裝置(40-3)，中部設(shè)有觀察窗(40-5)，下部設(shè)有機(jī)架(40-6 );室體連接處設(shè)有密封裝置(40-4 );室體(40-1)內(nèi)與滑閥泵機(jī)組、羅茨泵(90-5)相連通；B低真空室(40)的真空度為1Pa-350Pa。
7.權(quán)利要求1所述的太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)巻繞鍍膜裝置，其特征在于所述的高真空室(50)包括有室體(50-1),其內(nèi)設(shè)有隔板(50-l-l)將室體(50-1 )分隔成2-4個(gè)真空室；在室體(50-1 )的兩端及隔板(50-1-1)上設(shè)有金屬薄板帶(1)通過的窗口 ( 2 );室體(50-1)的上部設(shè)有上蓋(50-2)，其間設(shè)有上蓋密封裝置(50-4),下部設(shè)有機(jī)架(50-3);室體連接處設(shè)有密封裝置(50-5 );室體(50-1)內(nèi)與擴(kuò)散泵、滑閥泵機(jī)組、羅茨泵(90-6)相連通；高真空室(50)的真空度為7x l()-3Pa-5Pa。
8.如權(quán)利要求1所述的太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)巻繞鍍膜裝置，其特征在于所述的鍍膜室(60)包括有室體(60-1);其內(nèi)設(shè)有隔板(60-1-1)將室體(60-1 )分隔成2-4個(gè)真空室；在室體(60-1 )的兩端及隔板(60-1-1)上設(shè)有金屬薄板帶(1)通過的窗口 (2);在室體(60-1)內(nèi)設(shè)有平面磁控靶或電子搶(60-3);室體(60-1)的上部設(shè)有上蓋(60-2)，其間設(shè)有上蓋密封裝置(60-6 ),中部設(shè)有觀察窗(60-4 )，下部設(shè)有機(jī)架(60-5 );室體連接處設(shè)有密封裝置(60-7 );鍍膜室(60 )的真空度為0. lPa-1Pa。
9. 如權(quán)利要求I所述的太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)巻繞鍍膜裝置，其特征在于所述的收巻機(jī)組(80)包括有在真空鍍膜室外金屬薄板帶(1)上設(shè)有貼保護(hù)膜機(jī)構(gòu)(80-1) ， 3#S輥(80-2 )與4#S輥(80-4 )之間設(shè)有出口金屬薄板帶(1)張緊輪系統(tǒng)(80-3);在4#S輥(80-4)之后設(shè)有剪切(80-5 ),夾送輥(80-6 )，巻取(80-7 ),卸巻(80-8 )。
10. 如權(quán)利要求1所述的太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)巻繞鍍膜裝置，其特征在于所述的連續(xù)鍍膜裝置的控制系統(tǒng)(100)包括有計(jì)算機(jī)集中控制機(jī) 拒(100-1 )，過程控制接口模塊機(jī)拒(100-2 )，真空系統(tǒng)控制機(jī)拒(100-3 )， 傳動(dòng)系統(tǒng)控制機(jī)拒(100-4)，真空離子處理電源機(jī)拒連續(xù)鍍膜電源機(jī)拒(100-5)，收巻操作輔助控制機(jī)柜(100-6)和開巻操作輔助控制機(jī)拒(100-7)。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于金屬薄板帶在真空條件下表面物理氣相沉積的領(lǐng)域。一種太陽能選擇性吸收膜的連續(xù)卷繞鍍膜裝置，包括開卷機(jī)組(10)，其主要特點(diǎn)設(shè)置的真空鍍膜室包括有A低真空室(20a、20b)，離子處理室(30)，B低真空室(40)，高真空室(50)，5個(gè)真空鍍膜室(60)，室與室之間有法蘭密封連接，并設(shè)有金屬薄板帶(1)通過的窗口(2)；A低真空室(20a、20b)、離子處理室(30)、B低真空室(40)、高真空室(50)、真空鍍膜室(60)與真空機(jī)組(90)相連；在真空鍍膜室外還設(shè)有收卷機(jī)組(80)，連續(xù)鍍膜的控制系統(tǒng)(100)。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)在于可在金屬薄板帶上鍍多層膜、反應(yīng)膜，膜層厚度可獨(dú)立進(jìn)行控制，膜層均勻致密，附著力強(qiáng)適合工業(yè)化生產(chǎn)。
文檔編號(hào)C23C14/56GK101649447SQ200910166870
公開日2010年2月17日 申請(qǐng)日期2009年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月26日
發(fā)明者令曉明, 孔令剛, 范多望, 范多進(jìn) 申請(qǐng)人:蘭州大成自動(dòng)化工程有限公司