專利名稱：非晶外表層的納米晶材料制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種納米晶材料的制備方法，特別是一種非晶外表層 的納米晶材料制備方法，具體的是一種外表層為非晶的納米晶磁敏材 料制備方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的非晶和納米晶材料制的備方法，只能制備單一形態(tài)的非晶 或納米晶材料。不同形態(tài)的材料有各自不同的優(yōu)缺點(diǎn)。納米晶形態(tài)的 材料具有明顯優(yōu)于常規(guī)晶態(tài)和非晶態(tài)材料的電學(xué)和磁學(xué)性能，如納米
晶軟磁合金(FINEMET)，就具有特別好的軟磁性能，力學(xué)性能不佳，易碎；非 晶形態(tài)材料則具有高強(qiáng)度、高韌性、耐磨、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，但其電學(xué) 和磁學(xué)性能往往不如經(jīng)退火過程而形成的納米晶材料。所以，現(xiàn)有的 材料制備方法只能制備單獨(dú)性能的單一形態(tài)的材料，不能結(jié)合非晶和 納米晶兩種形態(tài)材料的優(yōu)點(diǎn)，難以滿足當(dāng)今科技發(fā)展迫切需要。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)以上問題，本發(fā)明的目的是提供一種能制備結(jié)構(gòu)緊密的能結(jié) 合兩種形態(tài)材料優(yōu)點(diǎn)為一體的非晶外表層的納米晶材料制備方法。
一種非晶外表層的納米晶材料制備方法，其特征在于在流動(dòng)氣 體中用焦耳熱對(duì)非晶材料進(jìn)行處理。
本發(fā)明的目的是通過在流動(dòng)氣體中用焦耳熱對(duì)非晶材料進(jìn)行處理 實(shí)現(xiàn)的。因持續(xù)的電流通過，使非晶材料不斷升溫，當(dāng)溫度升至材料 納米晶化溫度后，材料被納米晶化；但表層在流動(dòng)氣體的作用下，帶
走了大量熱量，溫度達(dá)不到納米晶化溫度，而未被納米晶化，還是原
來的非晶態(tài)；就形成了外表層為非晶的納米晶材料。所以，具有能制 備結(jié)構(gòu)緊密、能結(jié)合兩種形態(tài)材料優(yōu)點(diǎn)為一體的材料，即組分相同而 兩種形態(tài)不同的材料優(yōu)點(diǎn)，還具有能制備性能優(yōu)越且性價(jià)比高的材料。 如外表層為非晶的納米晶磁敏材料，不僅具有縱向易磁化和縱向高磁 導(dǎo)率的優(yōu)點(diǎn)，還具有垂直于縱向的環(huán)向易磁化和環(huán)向高磁導(dǎo)率的優(yōu)點(diǎn)；能大大提高阻抗變化率和磁場(chǎng)靈敏度，大大提高在微弱磁場(chǎng)的磁場(chǎng)靈 敏度，大大提高低靈敏響應(yīng)臨界磁場(chǎng)(其靈敏響應(yīng)磁場(chǎng)可以小于
5A/m)，可以在無(wú)需偏置場(chǎng)的情況下對(duì)微弱磁場(chǎng)敏感，降低磁敏傳感 器的功耗。


圖1為實(shí)施例1的阻抗變化率隨磁場(chǎng)變化的曲線。 圖2為實(shí)施例2的阻抗變化率隨磁場(chǎng)變化的曲線。 圖3為實(shí)施例3的阻抗變化率隨磁場(chǎng)變化的曲線。 圖4為實(shí)施例4的阻抗變化率隨磁場(chǎng)變化的曲線。 圖5為實(shí)施例5的阻抗變化率隨磁場(chǎng)變化的曲線。 圖6為比較實(shí)施例1的阻抗變化率隨磁場(chǎng)變化的曲線。 圖7為比較實(shí)施例2的阻抗變化率隨磁場(chǎng)變化的曲線。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合實(shí)施例進(jìn)行詳述 實(shí)施例1
按如下方法制備本發(fā)明的磁敏材料
(1) 母合金的選擇母合金的組成按原子比包括36%原子比的Fe、
36%原子比的Co、 19. 2%原子比的B、 4. 8%原子比的Si、 4%原子比的Nb。
(2) 利用包括以下子步驟的單輥快淬法制備出本發(fā)明的非晶合金絲。
(a) 將按上述原子比組成的母合金放入軟化溫度高于140(TC的 石英玻璃管中。
(b) 在氬氣保護(hù)下，用高頻感應(yīng)法加熱母合金，直至熔化，并繼 續(xù)加熱至過熱。
(c) 通氣加壓使熔融合金從石英玻璃管底部噴嘴噴向高速旋轉(zhuǎn)的 冷卻輥光滑表面，使熔融合金液冷卻成橫截面為半橢圓形，長(zhǎng)軸直徑 為115ym，短軸直徑為45ii m的非晶絲。
(3) 采用流動(dòng)氮?dú)庵绷鹘苟鸁崽幚淼姆椒▽?duì)得到的非晶合金細(xì)絲 進(jìn)行后處理，工藝參數(shù)為電流密度28A/mm2，電流保持時(shí)間600秒，氣流速度14cm/min。
經(jīng)過上述處理后，得到36。/。原子比的Fe、 36。/。原子比的Co、 19.2% 原子比的B、 4.8%原子比的Si和4%原子比的Nb組成的芯狀納米晶化 的高靈敏磁敏材料。
圖1為該組分的高靈敏磁敏材料的縱向驅(qū)動(dòng)阻抗變化率隨磁場(chǎng)變 化的曲線，測(cè)量時(shí)驅(qū)動(dòng)電流的幅值為10mA，頻率為300KHz。
測(cè)試結(jié)果，最大阻抗變化率為1080%， 0 50A/m磁場(chǎng)范圍內(nèi)的靈 敏度為474%/Oe;最小敏感磁場(chǎng)小于20A/m; 50 400A/m磁場(chǎng)范圍內(nèi) 的靈敏度為160%/0e。
實(shí)施例2
按如下方法制備本發(fā)明的高靈敏磁敏材料
(1) 母合金的選擇母合金的組成按原子比包括56%原子比的 Fe、 16呢原子比的Co、 19.2。/。原子比的B、 4.8y。原子比的Si、 4%原子比 的Nb。
(2) 利用包括以下子步驟的單輥快淬法制備出本發(fā)明的非晶合金絲。
(a) 將按上述原子比組成的母合金放入軟化溫度高于140(TC的 石英玻璃管中。
(b) 在氬氣保護(hù)下，用高頻感應(yīng)法加熱母合金，直至熔化，并繼 續(xù)加熱至過熱。
(c) 通氣加壓使熔融合金從石英玻璃管底部噴嘴噴向高速旋轉(zhuǎn)的 冷卻輥使熔融合金液冷卻成橫截面為矩形厚度30微米，寬度為200 微米的非晶薄帶。
(3) 采用流動(dòng)氮?dú)庵绷鹘苟鸁崽幚淼姆椒▽?duì)得到的非晶合金細(xì)絲 進(jìn)行后處理，工藝參數(shù)為電流密度32A/mm2，電流保持時(shí)間600S， 氣流速度20cm/min。經(jīng)過上述處理后，得到56%原子比的Fe、 16%原 子比的Co、 19. 2W原子比的B、 4. 8%原子比的Si和4%原子比的Nb組
成的芯狀納米晶化的高靈敏磁敏材料。
圖2為該組分的高靈敏磁敏材料的縱向驅(qū)動(dòng)阻抗變化率隨磁場(chǎng)變化的曲線，測(cè)量時(shí)驅(qū)動(dòng)電流的幅值為10mA，頻率為180KHz。
作為測(cè)試結(jié)果，最大阻抗變化率為2899%，最小敏感磁場(chǎng)小于
5A/m; 0 50A/m磁場(chǎng)范圍內(nèi)的靈敏度為3200%/Oe; 50 300A/m磁場(chǎng)
范圍內(nèi)的靈敏度為192%/0e。 實(shí)施例3
按如下方法制備本發(fā)明的高靈敏磁敏材料
(1) 母合金的選擇母合金的組成按原子比包括73.5%原子比 的Fe、 "/o原子比的Cu、 99i原子比的B、 13.59&原子比的Si、 3%原子比 的Nb。
(2) 利用包括以下子步驟的單輥快淬法制備出本發(fā)明的非晶合金絲。
(a) 將按上述原子比組成的母合金放入軟化溫度高于140(TC的 石英玻璃管中。
(b) 在氬氣保護(hù)下，用高頻感應(yīng)法加熱母合金，直至熔化，并繼 續(xù)加熱至過熱。
(c) 通氣加壓使熔融合金從石英玻璃管底部噴嘴噴向髙速旋轉(zhuǎn)的 水中，使熔融合金液冷卻成橫截面為圓形的直徑為85u m的非晶絲。
(3) 采用流動(dòng)氮?dú)庵绷鹘苟鸁崽幚淼姆椒▽?duì)得到的非晶合金細(xì)絲 進(jìn)行后處理，工藝參數(shù)為電流密度26A/mm2，電流保持時(shí)間600S， 氣流速度20cm/niin。經(jīng)過上述處理后，得到73.5%原子比的Fe、 1% 原子比的Cu、 9%原子比的B、 13.5%原子比的Si和3%原子比的Nb組 成的芯狀納米晶化的高靈敏磁敏材料。
圖3為該組分的高靈敏磁敏材料的縱向驅(qū)動(dòng)阻抗變化率隨磁場(chǎng)變 化的曲線。測(cè)量時(shí)驅(qū)動(dòng)電流的幅值為10mA，頻率為300KHz。
作為測(cè)試結(jié)果，最大阻抗變化率為2425%，最小敏感磁場(chǎng)小于 5A/m; 0 100A/m磁場(chǎng)范圍內(nèi)的靈敏度為1229%/Oe; 100 400A/m磁 場(chǎng)范圍內(nèi)的靈敏度為226%/0e。
實(shí)施例4
按如下方法制備本發(fā)明磁敏材料
6(1) 母合金的選擇母合金的組成按原子比包括88%原子比的 Fe、 7Q/。原子比的Zr、 4。/。原子比的B、 P/。原子比的Cu。
(2) 利用包括以下子步驟的旋轉(zhuǎn)水紡法制備出本發(fā)明的非晶合金絲。
(a) 將按上述原子比組成的母合金放入軟化溫度高于140(TC的 石英玻璃管中。
(b) 在氬氣保護(hù)下，用高頻感應(yīng)法加熱母合金，直至熔化，并繼 續(xù)加熱至過熱。
(c) 通氣加壓使熔融合金從石英玻璃管底部噴嘴噴向高速旋轉(zhuǎn)的 水中，使熔融合金液冷卻成橫截面為圓形的直徑為85iim的非晶絲。
(3) 采用流動(dòng)氮?dú)庵绷鹘苟鸁崽幚淼姆椒▽?duì)得到的非晶合金細(xì)絲 進(jìn)行后處理，工藝參數(shù)為電流密度26A/mm2，電流保持時(shí)間600S， 氣流速度20cm/min。經(jīng)過上述處理后，得到組分為原子比包括88%原 子比的Fe、 7。/。原子比的Zr、 4%原子比的B和1%原子比的Cu組成的芯 狀納米晶化的高靈敏磁敏材料。
圖4為該組分的高靈敏磁敏材料的縱向驅(qū)動(dòng)阻抗變化率隨磁場(chǎng)變 化的曲線。測(cè)量時(shí)驅(qū)動(dòng)電流的幅值為10mA，頻率為300KHz。
作為測(cè)試結(jié)果，最大阻抗變化率為1328%， 0 190A/ni磁場(chǎng)范圍內(nèi) 的靈敏度為170%/Oe; 190 420A/m磁場(chǎng)范圍內(nèi)的靈敏度為264%/0e。
實(shí)施例5
按如下方法制備本發(fā)明磁敏材料
(1) 母合金的選擇母合金的組成按原子比包括54%原子比的 Fe、 14y。原子比的Co、 5呢原子比的Mn、 7呢原子比的Mo、 8。/。原子比的B、 9呢原子比的Si、 3。/。原子比的Nb。
(2) 利用包括以下子步驟的單輥快淬法制備出本發(fā)明的非晶合金絲。
(a) 將按上述原子比組成的母合金放入軟化溫度高于1400'C的 石英玻璃管中。
(b) 在氬氣保護(hù)下，用高頻感應(yīng)法加熱母合金，直至熔化，并繼續(xù)加熱至過熱。
(C)通氣加壓使熔融合金從石英玻璃管底部噴嘴噴向髙速旋轉(zhuǎn)的 冷卻銅輥表面的凹槽中(凹槽斷面為半圓形)，使熔融合金液冷卻成
橫截面為圓形的直徑為180um的非晶絲。
(3)采用流動(dòng)氮?dú)庵绷鹘苟鸁崽幚淼姆椒▽?duì)得到的非晶合金細(xì)絲 進(jìn)行后處理，工藝參數(shù)為電流密度30A/mm2，電流保持時(shí)間600S， 氣流速度20cm/min。經(jīng)過上述處理后，得到54%原子比的Fe、 14%原 子比的Co、 5%原子比的Mn、 7%原子比的Mo、 8%原子比的B、 9%原子比 的Si、 3%原子比的Nb組成的芯狀納米晶化的高靈敏磁敏材料。
圖5為該組分的高靈敏磁敏材料的縱向驅(qū)動(dòng)阻抗變化率隨磁場(chǎng)變 化的曲線，測(cè)量時(shí)驅(qū)動(dòng)電流的幅值為10mA，頻率為150KHz。
作為測(cè)試結(jié)果，最大阻抗變化率為3218%， 0 50A/m磁場(chǎng)范圍內(nèi) 的靈敏度為1440%/0e， 90 230A/m磁場(chǎng)范圍內(nèi)的靈敏度為968%/0e， 230 460A/m磁場(chǎng)范圍內(nèi)的靈敏度為10400%/0e。
比較實(shí)施例1
按如下方法制備本發(fā)明比較實(shí)施例1的磁敏材料
(1) 母合金的選擇母合金的組成按原子比包括36%原子比的
Fe、 36。/。原子比的Co、 19.2。/。原子比的B、 4.8。/。原子比的Si、 4%原子比 的Nb。
(2) 利用包括以下子步驟的單輥快淬法制備出本發(fā)明的非晶合金絲。
(a) 將按上述原子比組成的母合金放入軟化溫度高于140(TC的 石英玻璃管中。
(b) 在氬氣保護(hù)下，用高頻感應(yīng)法加熱母合金，直至熔化，并繼 續(xù)加熱至過熱。
(c) 通氣加壓使熔融合金從石英玻璃管底部噴嘴噴向高速旋轉(zhuǎn)的 冷卻輥半圓凹槽使熔融合金液冷卻成橫截面為近圓形的直徑為60y m 的非晶絲。
(3) 采用流動(dòng)氮?dú)庵绷鹘苟鸁崽幚淼姆椒▽?duì)得到的非晶合金細(xì)絲
8進(jìn)行后處理，工藝參數(shù)為電流密度47A/mm2，電流保持時(shí)間600S， 氣流速度20cm/min。經(jīng)過上述處理后，得到比較實(shí)施例1的高靈敏磁 敏材料。
圖6為該組分的高靈磁敏材料的縱向驅(qū)動(dòng)阻抗變化率隨磁場(chǎng)變化 的曲線，測(cè)量時(shí)驅(qū)動(dòng)電流的幅值為10mA，頻率為300KHz。
作為測(cè)試結(jié)果，最大阻抗變化率為280%，有別于其它實(shí)施例的是， 該比較實(shí)施例1的磁敏材料的最大磁阻抗比值出現(xiàn)在139.5A/m磁場(chǎng) 處，而非象其它實(shí)施例中出現(xiàn)在0磁場(chǎng)處，而且比較實(shí)施例l的磁敏 材料的阻抗變化率隨磁場(chǎng)的變化曲線對(duì)于正負(fù)磁場(chǎng)出現(xiàn)了非對(duì)稱。在 -400 140A/m磁場(chǎng)范圍內(nèi)的靈敏度為35°/。/0e; 140 420A/m磁場(chǎng)范圍 內(nèi)的靈敏度為64%/0e。比較實(shí)施例1的磁敏材料的磁場(chǎng)靈敏度明顯下 降和出現(xiàn)非對(duì)稱現(xiàn)象的原因是因?yàn)橥嘶痣娏鬟^大，導(dǎo)致了非晶合金絲 的完全晶化和產(chǎn)生了硬磁相。
比較實(shí)施例2
按如下方法制備本發(fā)明比較實(shí)施例2的磁敏材料
(1) 母合金的選擇母合金的組成按原子比包括36%原子比的 Fe、 36。/。原子比的Co、 19.2。/。原子比的B、 4.89i)原子比的Si、 4%原子比 的Nb。
(2) 利用包括以下子步驟的單輥快淬法制備出本發(fā)明的非晶合金絲。
(a) 將按上述原子比組成的母合金放入軟化溫度高于140(TC的 石英玻璃管中。
(b) 在氬氣保護(hù)下，用高頻感應(yīng)法加熱母合金，直至熔化，并繼 續(xù)加熱至過熱。
(c) 通氣加壓使熔融合金從石英玻璃管底部噴嘴噴向高速旋轉(zhuǎn)的 冷卻輥半圓凹槽使熔融合金液冷卻成橫截面為近圓形的直徑為60u m 的非晶絲。
經(jīng)過上述方法后，得到比較實(shí)施例2的高靈敏磁敏材料，不采用 流動(dòng)氮?dú)庵绷鹘苟鸁崽幚淼姆椒▽?duì)得到的非晶合金細(xì)絲進(jìn)行后處理。圖7為該組分的高靈磁敏材料的縱向驅(qū)動(dòng)阻抗變化率隨磁場(chǎng)變化
的曲線，測(cè)量時(shí)驅(qū)動(dòng)電流的幅值為10mA，頻率為300KHz。
作為測(cè)試結(jié)果，最大阻抗變化率為1192%， 0 140A/m磁場(chǎng)范圍內(nèi)
的靈敏度近乎為0; 140 420A/m磁場(chǎng)范圍內(nèi)的靈敏度為291%/0e。 綜上所述，以上方法包括如下步驟
一、 采用快淬法制備非晶材料；
1、 按目標(biāo)要求組分配置母料，如可以用交流電弧熔煉法或高頻感 應(yīng)加熱法配置母合金；
2、 按目標(biāo)要求制備不同形狀的非晶材料，如用熔融紡絲法制備非 晶絲，用單輥快淬法制備非晶薄帶，用銅模澆鑄法制備非晶棒、管或 環(huán)，用離子磁控濺射法制備非晶薄膜。
二、 采用流動(dòng)氣體環(huán)境下對(duì)步驟一制得的非晶材料進(jìn)行焦耳熱處 理。其中氣體的流動(dòng)速度0. 1 70米/分，電流密度5 100A/mm2，電流 密度保持時(shí)間10 1200秒。電流密度定義為I/S，其中I為通過非晶 合金絲的電流，S為被電流通過的非晶合金絲橫截面積。流動(dòng)速度為 V/(S t)，其中V為在時(shí)間t內(nèi)流過橫截面積為S的退火部位導(dǎo)氣管 的氣體體積。
其中氣體的流動(dòng)速度為0. 1 50米/分，優(yōu)選為0. 1 20米/分， 更優(yōu)選為0. 1 10米/分；電流密度為25 50A/ram2，優(yōu)選為25 40A/mm2，更優(yōu)選為30 35A/mm2;電流保持時(shí)間為100 800秒，優(yōu)選 為300 800秒，更優(yōu)選為500 700秒。
所述的流動(dòng)氣體可以是氦氣、氬氣、氮?dú)獾榷栊詺怏w，也可以是 二氧化碳、氫氣或空氣及其它氣體；優(yōu)選為空氣或氮?dú)狻?br> 所述的焦耳熱是非晶材料在處理過程中產(chǎn)生的熱，即可以是直流 電、交流電、脈沖電流及其它形式的電流產(chǎn)生的熱，也可是能產(chǎn)生焦 耳熱并滿足處理溫度的其它方式產(chǎn)生的熱。
顯然，如果采用非晶材料，可以直接進(jìn)入第二步驟，即在流動(dòng)氣 體中用焦耳熱對(duì)非晶材料直接進(jìn)行處理。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)(1) 本發(fā)明提供的外表層為非晶的納米晶材料制備技術(shù)，不同于 現(xiàn)有的納米晶制備技術(shù)，利用本發(fā)明技術(shù)能夠制備出外表層為非晶的 納米晶材料，而現(xiàn)有的納米晶制備技術(shù)一般只能制備單一的納米晶材 料，無(wú)法制備出外表層為非晶的納米晶材料。
(2) 本發(fā)明提供的外表層為非晶的納米晶材料制備技術(shù)，具有控 制納米晶芯體與非晶外層比例的能力。通過調(diào)節(jié)退火電流密度與氣流 速度的匹配比例，可以控制納米晶芯體與外包裹非晶層的體積比例。
(3) 釆用本發(fā)明提供的外表層為非晶的納米晶材料制備技術(shù)所制
備的材料，具有可控的納米晶芯體外包非晶層的新型結(jié)構(gòu)，這種新型 納米晶材料結(jié)構(gòu)的控制技術(shù)為材料領(lǐng)域開發(fā)新型材料提供了一種新途 徑。
(4) 采用本發(fā)明提供的外表層為非晶的納米晶材料制備技術(shù)制備 的外表層為非晶的納米晶材料，可以同時(shí)具有按現(xiàn)有技術(shù)制備的單一 非晶或納米晶材料所不能具有的非晶和納米晶材料的綜合優(yōu)勢(shì)。如本 發(fā)明實(shí)施例1至5，不但具有比單一納米晶和非晶材料更優(yōu)的磁敏特 性，而且克服了單一納米晶材料的脆性，仍保持了非晶材料的高硬度 和高韌性。這點(diǎn)對(duì)推進(jìn)非晶納米晶材料的應(yīng)用領(lǐng)域具有重要的現(xiàn)實(shí)意 義。
(5) 采用本發(fā)明提供的外表層為非晶的納米晶材料制備技術(shù)制備 的FeCo基芯狀結(jié)構(gòu)納米晶細(xì)絲，具有一種對(duì)近零微弱磁場(chǎng)特別靈敏的 巨磁阻抗效應(yīng)。(見實(shí)施例1)
(6) 本發(fā)明的制備方法，能有效、穩(wěn)定地控制材料的芯狀結(jié)構(gòu)， 且工藝簡(jiǎn)單、節(jié)能、環(huán)保、省時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)低成本、高效率地批量生
ii
權(quán)利要求
1、一種非晶外表層的納米晶材料制備方法，其特征在于在流動(dòng)氣體中用焦耳熱對(duì)非晶材料進(jìn)行處理。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶外表層的納米晶材料制備方法，其特征在于氣體的流動(dòng)速度為0.1 70米/分，電流密度為5 100A/mm2， 電流密度保持時(shí)間為10 1200秒。
3、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的非晶外表層的納米晶材料制備方法，其 特征在于氣體的流動(dòng)速度為0. 1 50米/分，優(yōu)選為0. 1 20米/分， 更優(yōu)選為0. 1 10米/分；電流密度為25 50A/mm2，優(yōu)選為25 40A/mm2，更優(yōu)選為30 35A/mm2;電流保持時(shí)間為100 800秒，優(yōu)選 為300 800秒，更優(yōu)選為500 700秒。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1、 2或3所述的非晶外表層的納米晶材料制備 方法，其特征在于流動(dòng)氣體可以是氦氣、氬氣、氮?dú)獾榷栊詺怏w， 也可以是二氧化碳、氫氣或空氣及其它氣體；優(yōu)選為空氣或氮?dú)狻?br> 5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的非晶外表層的納米晶材料制備方法，其特征在于焦耳熱是非晶材料在處理過程中產(chǎn)生的熱，即可以是直流 電、交流電、脈沖電流及其它形式的電流產(chǎn)生的熱，也可是能產(chǎn)生焦 耳熱并滿足處理溫度的其它方式產(chǎn)生的熱。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1、 2或3所述的非晶外表層的納米晶材料制備 方法，其特征在于焦耳熱是非晶材料在處理過程中產(chǎn)生的熱，即可 以是直流電、交流電、脈沖電流及其它形式的電流產(chǎn)生的熱，也可是 能產(chǎn)生焦耳熱并滿足處理溫度的其它方式產(chǎn)生的熱。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種納米晶材料的制備方法，特別是一種非晶外表層的納米晶材料制備方法。要點(diǎn)是在流動(dòng)氣體中用焦耳熱對(duì)非晶材料進(jìn)行處理。因持續(xù)的電流通過，使非晶材料不斷升溫，當(dāng)溫度升至材料納米晶化溫度后，材料被納米晶化；但表層在流動(dòng)氣體的作用下，帶走了大量熱量，溫度達(dá)不到納米晶化溫度，而未被納米晶化，還是原來的非晶態(tài)；就形成了外表層為非晶的納米晶材料。具有能制備結(jié)構(gòu)緊密、能結(jié)合兩種形態(tài)材料優(yōu)點(diǎn)為一體的材料，還具有能制備性能優(yōu)越且性價(jià)比高的材料。
文檔編號(hào)C22C45/00GK101481782SQ200910095399
公開日2009年7月15日 申請(qǐng)日期2009年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月7日
發(fā)明者吳鋒民, 方允樟, 李通銀, 林根金, 蔡秀珊, 許啟明 申請(qǐng)人:浙江師范大學(xué)