專利名稱：等離子體cvd裝置、等離子體cvd方法及攪拌裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過使等離子體集中在微粒子的附近，從而能夠?qū)ξ⒘Ｗ踊螂娮釉?的表面更有效地包覆薄膜或超微粒子的等離子體CVD (Chemical Vapor Deposition)裝置 及等離子體CVD方法。另外，本發(fā)明涉及攪拌直徑小的微粒子或電子元件的攪拌裝置。
背景技術(shù)：
圖9 (A)是表示現(xiàn)有的等離子體CVD裝置的概略的剖面圖，圖9 (B)是沿著圖9 (A) 所示的7B-7B線的剖面圖。等離子體CVD裝置具有圓筒形狀的室3。通過室蓋20關(guān)閉該室3的兩端。室3的 內(nèi)部配置有容器129。該容器129如圖9(B)所示，其剖面具有圓形狀。并且，在容器129的 內(nèi)部收容有作為涂覆對(duì)象物的粉狀體(微粒子)1。另外，容器129也作為電極起作用，與等 離子體電源31或地電位(ground potential)連接，兩者構(gòu)成為可通過開關(guān)32進(jìn)行切換。 圖9(B)所示的剖面是相對(duì)重力方向大致平行的剖面。容器129中設(shè)置有旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)(未圖示)。通過該旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使容器129如箭頭所示 旋轉(zhuǎn)，從而使該容器129內(nèi)的粉狀體(微粒子)1攪拌或旋轉(zhuǎn)的同時(shí)進(jìn)行包覆處理。通過所 述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使容器129旋轉(zhuǎn)時(shí)的旋轉(zhuǎn)軸是與水平方向(相對(duì)重力方向的垂直方向)大致平 行的軸。另外，在容器129的旋轉(zhuǎn)時(shí)也保持室3內(nèi)的氣密性。另外，等離子體CVD裝置具備原料氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)及真空排氣機(jī)構(gòu)。該原料氣體導(dǎo) 入機(jī)構(gòu)具有筒狀的淋氣電極(gas shower electrode) 24.另外，等離子體CVD裝置具備等 離子體能(Plasma power)供給機(jī)構(gòu)。該等離子體能供給機(jī)構(gòu)具有經(jīng)由開關(guān)33與淋氣電極 24連接的等離子體電源25或地電位，兩者構(gòu)成為可通過開關(guān)33進(jìn)行切換(參照專利文獻(xiàn) 1)。[專利文獻(xiàn)1]日本特開2006-16661號(hào)公報(bào)(第83 第92段、圖7)但是，在上述現(xiàn)有的等離子體CVD裝置中，在容器129內(nèi)收容的微粒子1的附近無 法集中發(fā)生等離子體，即使在遠(yuǎn)離容器內(nèi)的微粒子1的區(qū)域發(fā)生了等離子體，該等離子體 也會(huì)整體廣泛地分散。因此，存在相對(duì)得到涂覆的微粒子的量所投入的電量變多、能效變低 的問題。另外，由于具有直徑小的微粒子凝集的性質(zhì)，所以充分?jǐn)嚢柽@樣的微粒子不是很
各易ο

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題而作成的，其目的在于提供一種通過使等離子體集中在微粒 子或電子元件的附近，從而能夠?qū)ξ⒘Ｗ踊螂娮釉谋砻嬗行О脖∧せ虺⒘Ｗ拥牡?離子體CVD裝置及等離子體CVD方法。另外，本發(fā)明的其他目的在于提供一種能充分?jǐn)嚢柚睆叫〉奈⒘Ｗ踊螂娮釉?br> 6攪拌裝置。為了解決上述課題，本發(fā)明所涉及的等離子體CVD裝置，具備室；容器，其配置在所述室內(nèi)，是收容微粒子或電子元件的容器，且相對(duì)重力方向大致 平行的剖面的內(nèi)部形狀為圓形；接地屏蔽構(gòu)件，其屏蔽除對(duì)所述微粒子或所述電子元件進(jìn)行收容的收容面以外的 所述容器的表面；旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其以相對(duì)所述剖面大致垂直方向?yàn)樾D(zhuǎn)軸使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺 動(dòng)作；對(duì)置電極，其配置在所述容器內(nèi)，被配置成與所述收容面對(duì)置；等離子體電源，其與所述容器電連接；氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，其向所述容器內(nèi)導(dǎo)入原料氣體；和排氣機(jī)構(gòu)，其對(duì)所述室內(nèi)進(jìn)行真空排氣；通過利用所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作來攪拌或旋轉(zhuǎn)該容器內(nèi) 的微粒子或電子元件的同時(shí)利用等離子體CVD法，由此對(duì)該微粒子或該電子元件的表面包 覆直徑比該微粒子或該電子元件還小的超微粒子或薄膜。其中，所謂超微粒子是指粒徑比微粒子小的微粒子。作為在微粒子表面包覆有超 微粒子的狀態(tài)，而包括在微粒子表面連續(xù)或不連續(xù)地包覆超微粒子的狀態(tài)、在微粒子表面 連續(xù)或不連續(xù)地包覆超微粒子的集合體的狀態(tài)、超微粒子和超微粒子的集合體同時(shí)存在且 連續(xù)或不連續(xù)地被包覆的狀態(tài)。根據(jù)上述等離子體CVD裝置，通過接地屏蔽構(gòu)件屏蔽除對(duì)所述微粒子或所述電子 元件進(jìn)行收容的收容面以外的容器的表面。因此，能夠在所述收容面和與其對(duì)置的對(duì)置電 極之間發(fā)生等離子體，且能夠在所述收容面集中等離子體電力，結(jié)果能夠在位于所述收容 面上的微粒子或電子元件集中供給等離子體電力。因而，通過使等離子體集中在微粒子或 電子元件的附近，能夠?qū)ξ⒘Ｗ踊螂娮釉谋砻嬗行О脖∧せ虺⒘Ｗ?。另外，在本發(fā)明所涉及的等離子體CVD裝置中優(yōu)選，所述容器具有所述剖面的內(nèi) 部形狀為圓形狀的第1容器構(gòu)件、第1環(huán)狀構(gòu)件、和與所述第1環(huán)狀構(gòu)件對(duì)置配置的第2環(huán) 狀構(gòu)件；所述第1及第2環(huán)狀構(gòu)件各自的外周與所述第1容器構(gòu)件的內(nèi)面相接；所述第1及第2環(huán)狀構(gòu)件各自的內(nèi)周與所述第1容器構(gòu)件的內(nèi)面相比，位于所述 對(duì)置電極側(cè)；所述收容面是通過所述第1及第2環(huán)狀構(gòu)件相互對(duì)置的面和所述第1容器構(gòu)件的 內(nèi)面形成的。根據(jù)上述等離子體CVD裝置，通過所述第1及第2環(huán)狀構(gòu)件相互對(duì)置的面和所述 第1容器構(gòu)件的內(nèi)面形成所述收容面，通過接地屏蔽構(gòu)件屏蔽該收容面以外的容器的表 面。因此，能夠在所述收容面和與其對(duì)置的對(duì)置電極之間發(fā)生等離子體，且能夠在所述收容 面集中等離子體電力，結(jié)果能夠在位于所述收容面上的微粒子或電子元件集中供給等離子 體電力。本發(fā)明所涉及的等離子體CVD裝置，具備
室；容器，其配置在所述室內(nèi)，是收容微粒子或電子元件的容器，且相對(duì)重力方向大致 平行的剖面的內(nèi)部形狀為多邊形；接地屏蔽構(gòu)件，其屏蔽除對(duì)所述微粒子或所述電子元件進(jìn)行收容的收容面以外的 所述容器的表面；旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其以相對(duì)所述剖面大致垂直方向?yàn)樾D(zhuǎn)軸使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺 動(dòng)作；對(duì)置電極，其配置在所述容器內(nèi)，被配置成與所述收容面對(duì)置；等離子體電源，其與所述容器電連接；氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，其向所述容器內(nèi)導(dǎo)入原料氣體；和排氣機(jī)構(gòu)，其對(duì)所述室內(nèi)進(jìn)行真空排氣；通過利用所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作來攪拌或旋轉(zhuǎn)該容器內(nèi) 的微粒子或電子元件的同時(shí)利用等離子體CVD法，由此對(duì)該微粒子或該電子元件的表面包 覆直徑比該微粒子或該電子元件還小的超微粒子或薄膜。另外，在本發(fā)明所涉及的等離子體CVD裝置中優(yōu)選，所述容器，具有所述剖面的 內(nèi)部形狀為圓形狀的第1容器構(gòu)件；第2容器構(gòu)件，其配置在所述第1容器構(gòu)件內(nèi)，所述剖 面的內(nèi)部形狀為所述多邊形；第1環(huán)狀構(gòu)件，其配置在所述第1容器構(gòu)件內(nèi)，且配置在所述 第2容器構(gòu)件的一側(cè)；和第2環(huán)狀構(gòu)件，其配置在所述第1容器構(gòu)件內(nèi)，且配置在所述第2 容器構(gòu)件的另一側(cè)；所述第1及第2環(huán)狀構(gòu)件各自的外周與所述第1容器構(gòu)件的內(nèi)面相接；所述第1及第2環(huán)狀構(gòu)件各自的內(nèi)周與所述第2容器構(gòu)件的內(nèi)面相比，位于所述 對(duì)置電極側(cè)；所述收容面是通過所述第1及第2環(huán)狀構(gòu)件相互對(duì)置的面和所述第2容器構(gòu)件的 內(nèi)面形成的。另外，在等離子體CVD裝置中，還具備接地屏蔽構(gòu)件，該接地屏蔽構(gòu)件在通過所述 旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作時(shí)，屏蔽除與所述容器內(nèi)收容的所述微粒子或所 述電子元件對(duì)置的對(duì)置面以外的所述對(duì)置電極的表面。另外，在等離子體CVD裝置中，還可具備第2等離子體電源，該第2等離子體電源 與所述對(duì)置電極電連接。另外，在等離子體CVD裝置中，還具備擊打構(gòu)件，該擊打構(gòu)件擊打所述接地屏蔽構(gòu) 件，對(duì)所述容器內(nèi)收容的微粒子或電子元件施加振動(dòng)。另外，在等離子體CVD裝置中優(yōu)選，該等離子體CVD裝置還具備多個(gè)接地板，該接 地板配置在所述第1容器構(gòu)件的一端與所述對(duì)置電極之間。由此，接地板成為對(duì)置電極，能 夠在接地板與所述收容面之間發(fā)生等離子體。另外，優(yōu)選所述多個(gè)接地板的相互間隔在5mm 以下，更優(yōu)選為3mm以下。本發(fā)明所涉及的等離子體CVD裝置，具備室；容器，其配置在所述室內(nèi)，是收容微粒子或電子元件的容器，且相對(duì)重力方向大致 平行的剖面的內(nèi)部形狀為圓形；
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旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其以相對(duì)所述剖面大致垂直方向?yàn)樾D(zhuǎn)軸使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺 動(dòng)作；對(duì)置電極，其配置在所述容器內(nèi)，被配置成與所述容器的內(nèi)面對(duì)置；接地屏蔽構(gòu)件，其在通過所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作時(shí)，屏蔽 除與所述容器內(nèi)收容的所述微粒子或所述電子元件對(duì)置的對(duì)置面以外的所述對(duì)置電極的 表面；等離子體電源，其與所述對(duì)置電極電連接；氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，其向所述容器內(nèi)導(dǎo)入原料氣體；和排氣機(jī)構(gòu)，其對(duì)所述室內(nèi)進(jìn)行真空排氣；通過利用所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作來攪拌或旋轉(zhuǎn)該容器內(nèi) 的微粒子或電子元件的同時(shí)利用等離子體CVD法，由此對(duì)該微粒子或該電子元件的表面包 覆直徑比該微粒子或該電子元件還小的超微粒子或薄膜。根據(jù)上述等離子體CVD裝置，通過接地屏蔽構(gòu)件屏蔽在由所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述容 器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作時(shí)，與所述容器內(nèi)收容的所述微粒子或所述電子元件對(duì)置的對(duì)置面 以外的所述對(duì)置電極的表面。因此，能夠在所述對(duì)置面和與其對(duì)置的所述容器的內(nèi)面之間 發(fā)生等離子體，且能夠在所述對(duì)置面集中等離子體電力，結(jié)果能夠向所述容器內(nèi)收容的微 粒子或電子元件集中供給等離子體電力。因而，通過使等離子體集中在微粒子或電子元件 的附近，能夠?qū)ξ⒘Ｗ踊螂娮釉谋砻嬗行О脖∧せ虺⒘Ｗ印Ａ硗?，本發(fā)明所涉及的等離子體CVD裝置中優(yōu)選，通過所述排氣機(jī)構(gòu)從所述容器 內(nèi)向所述室外排出氣體的路徑中的最小直徑或余隙在5mm以下，更優(yōu)選為3mm以下。由此， 能夠抑制等離子體的分散，也能抑制異常放電。另外，在本發(fā)明所涉及的等離子體CVD裝置中，還具備磁性體粒子，其收容在所 述容器內(nèi)；電磁鐵，其向所述磁性體粒子供給電磁力；和電源，其向所述電磁鐵脈沖狀地供 給電流；通過向所述磁性體粒子脈沖狀地供給電磁力來攪拌所述磁性體粒子。本發(fā)明所涉及的等離子體CVD裝置，具備室；容器，其配置在所述室內(nèi)，是收容微粒子的容器，且相對(duì)重力方向大致平行的剖面 的內(nèi)部形狀為多邊形；旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其以相對(duì)所述剖面大致垂直方向?yàn)樾D(zhuǎn)軸使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺 動(dòng)作；對(duì)置電極，其配置在所述容器內(nèi)，被配置成與所述收容面的內(nèi)面對(duì)置；接地屏蔽構(gòu)件，其在由所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作時(shí)，屏蔽與 所述容器內(nèi)收容的所述微粒子對(duì)置的對(duì)置面以外的所述對(duì)置電極的表面；等離子體電源，其與所述對(duì)置電極電連接；氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，其向所述容器內(nèi)導(dǎo)入原料氣體；和排氣機(jī)構(gòu)，其對(duì)所述室內(nèi)進(jìn)行真空排氣；通過利用所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作來攪拌或旋轉(zhuǎn)該容器內(nèi) 的微粒子的同時(shí)利用等離子體CVD法，對(duì)該微粒子的表面包覆直徑比該微粒子還小的超微 粒子或薄膜。
本發(fā)明所涉及的等離子體CVD裝置，具備室；容器，其配置在所述室內(nèi)，是收容電子元件的容器，且相對(duì)重力方向大致平行的剖 面的內(nèi)部形狀為多邊形；旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其以相對(duì)所述剖面大致垂直方向?yàn)樾D(zhuǎn)軸使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺 動(dòng)作；對(duì)置電極，其配置在所述容器內(nèi)，被配置成與所述收容面的內(nèi)面對(duì)置；接地屏蔽構(gòu)件，其在由所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作時(shí)，屏蔽與 所述容器內(nèi)收容的所述電子元件對(duì)置的對(duì)置面以外的所述對(duì)置電極的表面；等離子體電源，其與所述對(duì)置電極電連接；氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，其向所述容器內(nèi)導(dǎo)入原料氣體；和排氣機(jī)構(gòu)，其對(duì)所述室內(nèi)進(jìn)行真空排氣；通過利用所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作來攪拌或旋轉(zhuǎn)該容器內(nèi) 的電子元件的同時(shí)利用等離子體CVD法，對(duì)該電子元件的表面包覆直徑比該電子元件還小 的微粒子或薄膜。另外，在本發(fā)明所涉及的等離子體CVD裝置中，還具備磁性體粒子，其收容在所 述容器內(nèi)；電磁鐵，其向所述磁性體粒子供給電磁力；和電源，其使所述電磁鐵反轉(zhuǎn)極性的 同時(shí)供給電流；通過使所述磁性體粒子反轉(zhuǎn)極性的同時(shí)供給電磁力，來攪拌所述磁性體粒子。另外，在本發(fā)明所涉及的等離子體CVD裝置中，還具備磁性體粒子，其收容在所 述容器內(nèi)；電磁鐵，其向所述磁性體粒子供給電磁力；和搖動(dòng)機(jī)構(gòu)，其使所述電磁鐵搖動(dòng)； 通過使所述電磁鐵搖動(dòng)的同時(shí)向所述磁性體粒子供給電磁力，來攪拌所述磁性體粒子。另外，在本發(fā)明所涉及的等離子體CVD裝置中，該等離子體CVD裝置還可具備電 源，該電源對(duì)所述電磁鐵施加超聲波振動(dòng)。另外，在本發(fā)明所涉及的等離子體CVD裝置中優(yōu)選，所述磁性體粒子的表面包覆 有DLC微粒子或DLC膜。另外，在本發(fā)明所涉及的等離子體CVD裝置中優(yōu)選，所述對(duì)置電極具有如下形狀 相對(duì)所述重力方向相反側(cè)的表面向所述相反側(cè)凸出的形狀。另外，在本發(fā)明所涉及的等離子體CVD裝置中優(yōu)選，所述等離子體電源是50 500kHz的高頻電源。本發(fā)明所涉及的等離子體CVD方法，其特征在于，將微粒子或電子元件收容在相對(duì)重力方向大致平行的剖面的內(nèi)部形狀為圓形的 容器內(nèi)；用接地屏蔽構(gòu)件屏蔽除對(duì)所述微粒子或所述電子元件進(jìn)行收容的收容面以外的 所述容器的表面；將與所述收容面對(duì)置的對(duì)置電極配置在所述容器內(nèi)；對(duì)所述容器內(nèi)進(jìn)行真空排氣；以相對(duì)所述剖面大致垂直方向?yàn)樾D(zhuǎn)軸使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作；向所述容器內(nèi)導(dǎo)入原料氣體；
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通過向所述容器供給等離子體能來攪拌或旋轉(zhuǎn)所述容器內(nèi)的微粒子或電子元件 的同時(shí)利用等離子體CVD法，由此對(duì)該微粒子或該電子元件的表面包覆直徑比該微粒子或 該電子元件還小的超微粒子或薄膜。本發(fā)明所涉及的等離子體CVD方法，其特征在于，將微粒子或電子元件收容在相對(duì)重力方向大致平行的剖面的內(nèi)部形狀為多邊形 的容器內(nèi)；用接地屏蔽構(gòu)件屏蔽除對(duì)所述微粒子或所述電子元件進(jìn)行收容的收容面以外的 所述容器的表面；將與所述收容面對(duì)置的對(duì)置電極配置在所述容器內(nèi)；對(duì)所述容器內(nèi)進(jìn)行真空排氣；以相對(duì)所述剖面大致垂直方向?yàn)樾D(zhuǎn)軸使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作；向所述容器內(nèi)導(dǎo)入原料氣體；通過向所述容器供給等離子體能來攪拌或旋轉(zhuǎn)所述容器內(nèi)的微粒子或電子元件 的同時(shí)利用等離子體CVD法，由此對(duì)該微粒子或該電子元件的表面包覆直徑比該微粒子或 該電子元件還小的超微粒子或薄膜。本發(fā)明所涉及的攪拌裝置，具備容器，其收容微粒子或電子元件；磁性體粒子，其收容在所述容器內(nèi)；電磁鐵，其配置在所述容器外，向所述磁性體粒子供給電磁力；和電源，其向所述電磁鐵脈沖狀地供給電流；通過向所述磁性體粒子脈沖狀地供給電磁力來攪拌所述磁性體粒子。本發(fā)明所涉及的攪拌裝置，具備容器，其收容微粒子或電子元件；磁性體粒子，其收容在所述容器內(nèi)；電磁鐵，其配置在所述容器外，向所述磁性體粒子供給電磁力；和電源，其使所述電磁鐵反轉(zhuǎn)極性的同時(shí)供給電流；通過使所述磁性體粒子反轉(zhuǎn)極性的同時(shí)供給電磁力，來攪拌所述磁性體粒子。本發(fā)明所涉及的攪拌裝置，具備容器，其收容微粒子或電子元件；磁性體粒子，其收容在所述容器內(nèi)；電磁鐵，其配置在所述容器外，向所述磁性體粒子供給電磁力；和搖動(dòng)機(jī)構(gòu)，其使所述電磁鐵搖動(dòng)；通過使所述電磁鐵搖動(dòng)的同時(shí)向所述磁性體粒子供給電磁力，來攪拌所述磁性體 粒子。根據(jù)以上說明的本發(fā)明，能夠提供一種通過使等離子體集中在微粒子的附近而能 對(duì)微粒子或電子元件的表面有效包覆薄膜或超微粒子的等離子體CVD裝置及等離子體CVD 方法。另外，根據(jù)其他發(fā)明，能夠提供一種能充分?jǐn)嚢柚睆叫〉奈⒘Ｗ踊螂娮釉臄?拌裝置。
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圖1是表示本發(fā)明所涉及的實(shí)施方式的等離子體CVD裝置的剖面圖。圖2是沿著圖1所示的2-2線的剖面圖。圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的電磁鐵攪拌機(jī)構(gòu)的第1變形例的剖面圖。圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的電磁鐵攪拌機(jī)構(gòu)的第2變形例的剖面圖。圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的電磁鐵攪拌機(jī)構(gòu)的第3變形例的剖面圖。圖6是表示通過拉曼光譜分析法對(duì)典型的DLC膜進(jìn)行分析后的結(jié)果的曲線圖。圖7是表示通過拉曼光譜分析法對(duì)包覆于PMMA的微粒子的表面的DLC進(jìn)行分析 后的結(jié)果的曲線圖。圖8是通過光學(xué)顯微鏡對(duì)在圖7的成膜條件下制作出的、在表面包覆有DLC的 PMMA微粒子進(jìn)行拍攝所得到的照片。圖9 (A)是表示現(xiàn)有的等離子體CVD裝置的概略的剖面圖，圖9 (B)是沿著圖9(A) 所示的7B-7B線的剖面圖。[符號(hào)說明]1-粉狀體(微粒子)；Ia-磁性體粒子；3，13-室；11-重力方向；12-電磁鐵； 12a-可脈沖控制的電源；12b-可超聲波振動(dòng)控制的電極；12c-可極性反轉(zhuǎn)控制的電源； 12d-搖動(dòng)機(jī)構(gòu)；14-接地棒；15-接地防護(hù)(earth shield)構(gòu)件；16 18-接地板；19-排氣 口 ；20，21a、21b-室蓋；20a_原料氣體發(fā)生源；21、24_淋氣電極；22-質(zhì)量流控制器(MFC)； 23、25、31_等離子體電源；26-真空閥；27、27a_接地屏蔽構(gòu)件；28-接地屏蔽體；29-第1容 器構(gòu)件；29a-第2容器構(gòu)件；29b-第1環(huán)狀構(gòu)件；29c_第2環(huán)狀構(gòu)件；29d_延出部；30-容 器；31-金屬構(gòu)件；32、33_開關(guān)；129-容器；129a_第2容器構(gòu)件中的構(gòu)成多邊形的內(nèi)面； 129b-第1環(huán)狀構(gòu)件的面；129c-第2環(huán)狀構(gòu)件的面。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1是表示本發(fā)明所涉及的實(shí)施方式的等離子體CVD裝置的剖面圖。圖2是沿著 圖1所示的2-2線的剖面圖。該等離子體CVD裝置是用于在微粒子(或粉狀體)的表面包 覆粒徑比該微粒子小的超微粒子或薄膜的裝置。此外，在本實(shí)施方式中，雖然對(duì)在微粒子包覆超微粒子或薄膜的等離子體CVD裝 置進(jìn)行了說明，但是本實(shí)施方式的等離子體CVD裝置也可用作取代微粒子而在直徑在Imm 以下的電子元件的表面包覆直徑比該電子元件小的微粒子或薄膜的裝置。另外，在本實(shí)施方式中，雖然對(duì)在內(nèi)部剖面形狀為多邊形的容器收容微粒子、對(duì)該 微粒子包覆超微粒子或薄膜的等離子體CVD裝置進(jìn)行了說明，但是容器的內(nèi)部剖面形狀不 限定為多邊形，也可將容器的內(nèi)部剖面形狀設(shè)為圓形或橢圓形。內(nèi)部剖面形狀為多邊形的 容器與內(nèi)部剖面形狀為圓形或橢圓形的容器的不同之處在于，與圓形或橢圓形的容器相 比，多邊形的容器更能在粒徑小的微粒子包覆超微粒子或薄膜。如圖1及圖2所示，等離子體CVD裝置具有圓筒形狀的室(chamber) 13。通過室 蓋21a關(guān)閉該室13的一端，通過室蓋21關(guān)閉室13的另一端。室13及室蓋21a，21b分別接地(地電位)。在室13的內(nèi)部配置有圓筒形狀的接地屏蔽體28。該接地屏蔽體28的一端被關(guān) 閉，接地屏蔽體28的另一端被開口。接地屏蔽體28與地電位連接。在接地屏蔽體28的內(nèi)部配置有用于收容微粒子1的導(dǎo)電性的容器。該容器具有 第1容器構(gòu)件29、第2容器構(gòu)件29a、第1環(huán)狀構(gòu)件29b、第2環(huán)狀構(gòu)件29c。第1容器構(gòu)件 29、第2容器構(gòu)件29a、第1及第2環(huán)狀構(gòu)件29b、29c分別具有導(dǎo)電性。在接地屏蔽體28的內(nèi)部配置有圓筒形狀的第1容器構(gòu)件29。第1容器構(gòu)件29的 一端關(guān)閉，并且在第1容器構(gòu)件29的一端側(cè)形成有延出部29d，該延出部29d向接地屏蔽 體28及室13的外側(cè)延出。第1容器構(gòu)件29的另一端被開口。所述延出部29d與等離子 體電源23電連接。等離子體電源23只要是供給高頻電力(RF輸出)的高頻電源、微波用 電源、DC放電用電源、及分別被脈沖調(diào)制后的高頻電源、微波用電源、DC放電用電源中的其 中一個(gè)即可。在第1容器構(gòu)件29的內(nèi)部配置有第2容器構(gòu)件29a，第2容器構(gòu)件29a如圖2所 示具有剖面為六邊形的滾筒形狀，圖2所示的剖面是與重力方向11大致平行的剖面。此外， 在本實(shí)施方式中，雖然利用了六邊形的滾筒形狀的第2容器構(gòu)件29a，但是并不限定于此， 也可以利用除六邊形以外多邊形的滾筒形狀的第2容器構(gòu)件。第2容器構(gòu)件29a的一端通過第1環(huán)狀構(gòu)件29b被安裝在第1容器構(gòu)件29的內(nèi) 部，第2容器構(gòu)件29a的另一端通過第2環(huán)狀構(gòu)件29c被安裝在第1容器構(gòu)件29的內(nèi)部。 換言之，第1環(huán)狀構(gòu)件29b位于第2容器構(gòu)件29a的一側(cè)，第2環(huán)狀構(gòu)件29c位于第2容器 構(gòu)件29a的另一側(cè)。第1及第2環(huán)狀構(gòu)件各自的外周與第1容器構(gòu)件29的內(nèi)面相接，第1 及第2環(huán)狀構(gòu)件各自的內(nèi)周位于比第2容器構(gòu)件29a的內(nèi)面還靠近淋氣電極(對(duì)置電極)21 側(cè)。另外，由第1容器構(gòu)件29、第2容器構(gòu)件29a、第1及第2環(huán)狀構(gòu)件29b、29c包圍的區(qū) 域，被金屬構(gòu)件31掩埋。第1環(huán)狀構(gòu)件29b和第2環(huán)狀構(gòu)件29c之間的距離(即第2容器構(gòu)件29a的一端 和另一端之間的距離)，比第1容器構(gòu)件29的一端和另一端之間的距離小。另外，第1及第 2環(huán)狀構(gòu)件29b、29c分別配置于第1容器構(gòu)件29的內(nèi)側(cè)。并且，在由第2容器構(gòu)件29a的 內(nèi)面和第1及第2環(huán)狀構(gòu)件29b、29c包圍的空間(space)，收容有作為涂覆對(duì)象物的粉狀 體(微粒子)1。換言之，通過第2容器構(gòu)件29a中的構(gòu)成多邊形的內(nèi)面129a和包圍該內(nèi)面 129a的第1及第2環(huán)狀構(gòu)件各自的面129b、129c (第1及第2環(huán)狀構(gòu)件相互對(duì)置的面)構(gòu) 成了收容面，且微粒子1位于該收容面上。另外，通過等離子體電源23經(jīng)由第1容器構(gòu)件29、金屬構(gòu)件31及第1、第2環(huán)狀 構(gòu)件29b、29c向第2容器構(gòu)件29a供給高頻電力。由此，第2容器構(gòu)件29a作為電極起作 用，且能夠向所述容器內(nèi)面收容的粉狀體1供給高頻電力。除由第2容器構(gòu)件29a中的構(gòu)成多邊形的內(nèi)面129a和包圍該內(nèi)面129a的第1及 第2環(huán)狀構(gòu)件各自的面129b、129c構(gòu)成的收容面以外的容器的表面，被接地屏蔽構(gòu)件27覆 蓋。第1容器構(gòu)件29、第1及第2環(huán)狀構(gòu)件29b、29c的每一個(gè)與接地屏蔽構(gòu)件27有5mm以 下(優(yōu)選3mm以下)的間隔。接地屏蔽構(gòu)件27與地電位連接。由此通過接地屏蔽構(gòu)件27 覆蓋供給高頻電力的第1容器構(gòu)件29，從而能夠使高頻輸出集中于第2容器構(gòu)件29a的內(nèi) 側(cè)，結(jié)果能夠向容器內(nèi)收容的粉狀體1集中供給高頻電力。換言之，在本實(shí)施方式中，由于
13能夠使如所述收容面那樣發(fā)生等離子體的等離子體源的面積比現(xiàn)有的等離子體CVD裝置 減少到1/3左右，所以能夠使高頻電量比現(xiàn)有的等離子體CVD裝置減少到1/3左右。另外，等離子體CVD裝置具備將原料氣體導(dǎo)入室13內(nèi)的原料氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)。該原 料氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)具有筒狀的淋氣電極(對(duì)置電極)21。該淋氣電極21被配置在第2容器 構(gòu)件29a內(nèi)。S卩、在第2容器構(gòu)件29a的另一側(cè)形成有開口，并從該開口插入淋氣電極21。 淋氣電極21與地連接。與所述容器內(nèi)收容的微粒子1對(duì)置的對(duì)置面以外的淋氣電極(對(duì)置電極)21的表 面，被接地屏蔽構(gòu)件27a屏蔽。該接地屏蔽構(gòu)件27a和淋氣電極21具有5mm以下(優(yōu)選 3mm以下)的間隔。在淋氣電極21的一側(cè)的所述對(duì)置面形成有多個(gè)吹氣口，該吹氣口淋浴狀地吹出 單種或多種原料氣體。該吹氣口配置在淋氣電極21的底部(所述對(duì)置面)，被配置成與第 2容器構(gòu)件29a收容的粉狀體1對(duì)置。即、吹氣口配置成與第2容器構(gòu)件29a的內(nèi)面對(duì)置。 另外，如圖2所示，淋氣電極21具有如下形狀，S卩相對(duì)重力方向11相反側(cè)的表面向所述相 反側(cè)凸出的形狀。換言之，淋氣電極21的剖面形狀，除底部以外為圓形或橢圓形。由此，即 使在使第2容器構(gòu)件29a旋轉(zhuǎn)時(shí)，粉狀體1附著在圓形或橢圓形的部分(凸形狀的部分)， 也能夠使該粉狀體1從淋氣電極21落下。淋氣電極21的另一側(cè)，經(jīng)由真空閥26與質(zhì)量流控制器(MFC) 22的一側(cè)連接。質(zhì) 量流控制器22的另一側(cè)，經(jīng)由未圖示的真空閥及過濾器等與原料氣體發(fā)生源20a連接。該 原料氣體發(fā)生源20a，由包覆于粉狀體1的薄膜的不同，發(fā)生的原料氣體的種類不同，例如 在成膜SiO2膜的情況下，發(fā)生SiH4氣體等。另外，淋氣電極21的另一側(cè)經(jīng)由真空閥(未圖示)與未圖示的質(zhì)量流控制器 (MFC)的一側(cè)連接。該質(zhì)量流控制器的另一側(cè)與氬氣儲(chǔ)氣瓶(未圖示)連接。在第1容器構(gòu)件29設(shè)置有旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)(未圖示)，通過該旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使第1容器構(gòu)件 29及第2容器構(gòu)件29a以淋氣電極21為旋轉(zhuǎn)中心如圖2所示的箭頭方向旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺 動(dòng)作，從而能夠攪拌或者旋轉(zhuǎn)第2容器構(gòu)件29a內(nèi)的粉狀體(微粒子)1的同時(shí)進(jìn)行包覆處 理。由所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使第1容器構(gòu)件29及第2容器構(gòu)件29a旋轉(zhuǎn)時(shí)的旋轉(zhuǎn)軸是與水平方 向(相對(duì)重力方向11垂直的方向)大致平行的軸。另外，即使在第1容器構(gòu)件29旋轉(zhuǎn)時(shí)， 也保持室13內(nèi)的氣密性。另外，等離子體CVD裝置具備對(duì)室13內(nèi)進(jìn)行真空排氣的真空排氣機(jī)構(gòu)。例如，在 室13設(shè)置有多個(gè)排氣口 19，且排氣口 19與真空泵(未圖示)連接。在接地屏蔽體28的另一端與室13之間，設(shè)置有接地防護(hù)構(gòu)件15。接地防護(hù)構(gòu)件 15被安裝在室13的內(nèi)面，并且其與接地屏蔽體28的另一端的間隙被設(shè)在5mm以下(優(yōu)選 3mm以下)。換言之，通過真空排氣機(jī)構(gòu)從第1容器構(gòu)件29內(nèi)向室13外排出氣體的路徑中 的最小直徑或余隙被設(shè)在5mm以下(優(yōu)選3mm以下)。從淋氣電極21導(dǎo)入第2容器構(gòu)件 29a內(nèi)的原料氣體，通過所述間隙從排氣口 19排氣。此時(shí)，通過將所述間隙、所述最小直徑 或余隙設(shè)在5mm以下，從而不會(huì)妨礙等離子體停留在第2容器構(gòu)件29a內(nèi)收容的粉狀體1 的附近。也就是說，當(dāng)使所述間隙、所述最小直徑或余隙增大得比5mm還大時(shí)，等離子體會(huì) 分散，或者會(huì)引起異常放電。換言之，通過將所述間隙、所述最小直徑或余隙設(shè)在5mm以下， 從而能夠抑制在排氣口 19側(cè)會(huì)成膜CVD膜。
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另外，淋氣電極21具有加熱器(heater)(未圖示)。在淋氣電極21與第1容器構(gòu) 件29的一端之間，配置有3枚接地板16 18。由此，能夠在第2容器構(gòu)件29a內(nèi)面與接地 板16 18之間放電。也就是說，因使本裝置長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)轉(zhuǎn)，而在淋氣電極21的表面會(huì)成膜 絕緣體的CVD膜，結(jié)果在淋氣電極21與第2容器構(gòu)件29a之間沒有引起放電的情況下，取 代淋氣電極21，使接地板16 18成為對(duì)置電極，能夠在接地板16 18與第2容器構(gòu)件 29a內(nèi)面之間引起放電。因此，通過設(shè)置接地板16 18，從而能夠使本裝置長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)地 運(yùn)轉(zhuǎn)。另外，優(yōu)選接地板16 18的相互間隔在5mm以下(更優(yōu)選在3mm以下)。由此， 能夠抑制在接地板16 18的相互之間的余隙成膜CVD膜。其結(jié)果，能夠使本裝置更長(zhǎng)時(shí) 間連續(xù)地運(yùn)轉(zhuǎn)。另外，等離子體CVD裝置具有接地棒14，該接地棒14作為用于對(duì)第2容器構(gòu)件29a 的內(nèi)面收容的粉狀體1施加振動(dòng)的擊打構(gòu)件。也就是說，接地棒14在驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示) 的作用下，能夠使其前端通過分別被設(shè)置于室13及接地屏蔽體28的開口，擊打接地屏蔽構(gòu) 件27。通過將接地棒14向與第1容器構(gòu)件29 —起旋轉(zhuǎn)的接地屏蔽構(gòu)件27連續(xù)擊打，從而 能夠?qū)Φ?容器構(gòu)件29a內(nèi)收容的粉狀體1施加振動(dòng)。由此，能夠防止粉狀體1的凝集，能 夠促進(jìn)粉狀體1的攪拌及混合。此外，接地屏蔽構(gòu)件27和第1容器構(gòu)件29通過未圖示的 絕緣構(gòu)件相接，且來自接地屏蔽構(gòu)件27的振動(dòng)通過所述絕緣構(gòu)件被送至第1容器構(gòu)件29。另外，優(yōu)選等離子體電源23使用50 500kHz的高頻電源，更優(yōu)選使用100 300kHz的高頻電源。通過使用這樣的頻率低的電源，與使用了比500kHz高的頻率的電源 的情況相比，能夠抑制等離子體分散到比淋氣電極21與第2容器構(gòu)件29a之間、或接地板 16 18與第2容器構(gòu)件29a之間還靠外的外側(cè)。換言之，能夠使等離子體停留于淋氣電極 21與第2容器構(gòu)件29a之間、或接地板16 18與第2容器構(gòu)件29a之間。當(dāng)使用50 500kHz的RF等離子體時(shí)，因?yàn)樵谶@樣關(guān)閉的等離子體空間內(nèi)、即在滾筒(第2容器構(gòu)件 29a)內(nèi)難以引起感應(yīng)加熱，且成膜時(shí)充分的VD。施加于基板，所以如后述的實(shí)施例的成膜條 件及成膜結(jié)果所示，容易形成硬質(zhì)DLC膜。相反地，當(dāng)使用13.56MHz的RF等離子體時(shí)，因 為在被關(guān)閉的等離子體空間，如相對(duì)于后述實(shí)施例的比較例的成膜條件及成膜結(jié)果所示， 難以對(duì)基板施加VDC，所以難以形成硬質(zhì)DLC膜。另外，等離子體CVD裝置具有電磁鐵攪拌機(jī)構(gòu)，該電磁鐵攪拌機(jī)構(gòu)通過電磁鐵12 對(duì)粉狀體1進(jìn)行攪拌或混合。該電磁鐵攪拌機(jī)構(gòu)具有容器內(nèi)收容的磁性體粒子la、向該 磁性體粒子Ia供給電磁力的電磁鐵12和、向該電磁鐵12脈沖狀地供給電流的可脈沖控制 的電源12a。并且，通過向磁性體粒子Ia脈沖狀地供給電磁力，從而能夠攪拌磁性體粒子 la。也就是說，通過反復(fù)進(jìn)行向電磁鐵12的電力供給的接通和斷開、即通過脈沖輸入，從而 能夠使被混合在粉狀體1的磁性體粒子Ia搖動(dòng)或振動(dòng)，由此能夠?qū)Ψ蹱铙w1進(jìn)行攪拌或混 合。另外，磁性體粒子Ia也可以是在其表面包覆DLC (Diamond Like Carbon)的粒子。在這 種情況下，所包覆的DLC膜的厚度，優(yōu)選為磁性體粒子的粒徑的10%左右。通過包覆DLC，認(rèn) 為能夠使磁性體粒子表面的摩擦系數(shù)減少在0. 2以下、能夠提高攪拌效率。由于DLC具有 接觸角為80°左右且良好的潤(rùn)濕性，所以認(rèn)為不會(huì)吸附于微粒子1而能混合微粒子1。另 外，磁性體粒子也可以是在不是磁性體的微粒子的表面包覆磁性體薄膜的粒子。其中，只要 作為涂覆對(duì)象的粉狀體自身具有磁性體，則即使除了涂覆對(duì)象的粉狀體以外不混合磁性體粒子，也能夠通過電磁鐵攪拌機(jī)構(gòu)對(duì)粉狀體進(jìn)行攪拌或混合。另外，磁性體粒子與涂覆對(duì)象 的微粒子1相比，既可以增大粒徑也可減小粒徑。此外，在本實(shí)施方式中，雖然使用具有容器內(nèi)收容的磁性體粒子la、向該磁性體粒 子Ia供給電磁力的電磁鐵12和向該電磁鐵12脈沖狀地供給電流的可脈沖控制的電源12a 的電磁鐵攪拌機(jī)構(gòu)，但也并不限定于此，可如下變更并加以實(shí)施。圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的電磁鐵攪拌機(jī)構(gòu)的第1變形例的剖面圖，對(duì)與圖 2相同的部分附加相同的符號(hào)，這里僅對(duì)不同的部分進(jìn)行說明。如圖3所示，電磁鐵12除了連接可脈沖控制的電源12a之外，還連接可超聲波振 動(dòng)控制的電極12b。由此，可對(duì)電磁鐵12施加超聲波振動(dòng)，與圖2所示的電磁鐵攪拌機(jī)構(gòu)相 比，能夠提高攪拌性能。在上述第1變形例中，也能夠得到與上述實(shí)施方式同樣的效果。圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的電磁鐵攪拌機(jī)構(gòu)的第2變形例的剖面圖，對(duì)與圖 2相同的部分附加相同的符號(hào)，這里僅對(duì)不同的部分進(jìn)行說明。如圖4所示，電磁鐵12連接有可極性反轉(zhuǎn)控制的電源12c，且該電源12c是使電磁 鐵12反轉(zhuǎn)極性的同時(shí)供給電流的電源。由此，能夠使磁性體粒子Ia反轉(zhuǎn)極性的同時(shí)供給 電磁力。在上述第2變形例中，也能夠得到與上述實(shí)施方式同樣的效果。此外，在上述第2變形例中，還可使可超聲波振動(dòng)控制的電極進(jìn)一步與電磁鐵12 連接。圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的電磁鐵攪拌機(jī)構(gòu)的第3變形例的剖面圖，對(duì)與圖 1相同的部分附加相同的符號(hào)，這里僅對(duì)不同的部分進(jìn)行說明。如圖5所示，在電磁鐵12安裝有使該電磁鐵12搖動(dòng)的搖動(dòng)機(jī)構(gòu)12d。由此，能夠 使電磁鐵12搖動(dòng)的同時(shí)向磁性體粒子Ia供給電磁力，結(jié)果能夠攪拌磁性體粒子la。在上述第3變形例中，也能夠得到與上述實(shí)施方式同樣的效果。此外，在上述第3變形例中，還可使可超聲波振動(dòng)控制的電極進(jìn)一步與電磁鐵12 連接。另外，上述的電磁鐵攪拌機(jī)構(gòu)也能夠作為攪拌裝置掌握。也就是說，攪拌裝置具 備收容微粒子的容器、所述容器內(nèi)收容的磁性體粒子、被配置于所述容器外且向所述磁性 體粒子供給電磁力的電磁鐵、以及向所述電磁鐵供給電流的電源。在該攪拌裝置中也可采 用上述的第1 第3變形例。接著，對(duì)利用上述等離子體CVD裝置對(duì)粉狀體包覆超微粒子或薄膜的等離子體 CVD方法進(jìn)行說明。這里，作為涂覆對(duì)象的微粒子1而使用PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)，以 對(duì)其PMMA的微粒子包覆DLC的例子進(jìn)行說明。首先，將由多個(gè)微粒子構(gòu)成的粉狀體(PMMA) 1收容在第2容器構(gòu)件29a內(nèi)。粉狀 體1的平均粒徑為50 μ m左右。此外，這里，作為粉狀體1雖然使用PMMA的微粒子，但也可 以使用其他粉狀體。另外，該粉狀體1中混合有磁性體粒子la，且該磁性體粒子的表面包 覆有DLC膜。使用磁性體粒子Ia時(shí)優(yōu)選微粒子1的粒徑在Iym以下。也就是說，在微粒 子1的粒徑為Iym以下的情況下，由于難以防止微粒子凝集的同時(shí)進(jìn)行攪拌，故優(yōu)選通過 磁性體粒子Ia進(jìn)行攪拌。換言之，在粒徑比Iym大的微粒子1的情況下，可以使用磁性體
16粒子la，也可以不使用磁性體粒子la。其后，通過使真空泵運(yùn)轉(zhuǎn)，從而能夠使室13內(nèi)減壓到規(guī)定的壓力(例如 5 X IO-5Torr左右)。與此同時(shí)，因通過旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使第1容器構(gòu)件29及第2容器構(gòu)件29a旋 轉(zhuǎn)，從而第2容器構(gòu)件29a的內(nèi)部收容的粉末(微粒子)1在容器內(nèi)面被攪拌或旋轉(zhuǎn)。此外， 這里，雖然使第1容器構(gòu)件29及第2容器構(gòu)件29a旋轉(zhuǎn)，但也可通過旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使第1容器 構(gòu)件29及第2容器構(gòu)件29a進(jìn)行鐘擺動(dòng)作。其次，在原料氣體發(fā)生源20a中，作為原料氣體例如發(fā)生甲苯(C7H8)，通過質(zhì)量流 控制器22將甲苯控制在7cc/分的流量，將從氬氣儲(chǔ)氣瓶供給的氬氣控制在5cc/分的流 量，將這些被流量控制過的甲苯及氬氣導(dǎo)入至淋氣電極21的內(nèi)側(cè)。然后，從淋氣電極21的 吹氣口吹出甲苯及氬氣。由此，甲苯及氬氣被吹附在第2容器構(gòu)件29a內(nèi)攪拌或旋轉(zhuǎn)的同 時(shí)而運(yùn)動(dòng)的微粒子1，通過被控制過的氣體流量和排氣能力的平衡，被保持在適合用CVD法 成膜的壓力。另外，通過驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)將接地棒14連續(xù)擊打在與第1容器構(gòu)件29 —起旋轉(zhuǎn)的接地 屏蔽構(gòu)件27。由此，能夠?qū)Φ?容器構(gòu)件29a內(nèi)收容的粉狀體1施加振動(dòng)、防止粉狀體1的 凝集，能夠促進(jìn)粉狀體1的攪拌及混合。另外，通過脈沖輸入，向電磁鐵12供給電力，從而能夠使被混合在粉狀體1中的磁 性體粒子Ia搖動(dòng)或振動(dòng)，由此促進(jìn)粉狀體1的攪拌及混合。其后，從作為等離子體電源23的一例的高頻電源(RF電源)向第1容器構(gòu)件29以 150W供給250kHz的RF輸出。由此，通過第1容器構(gòu)件29及第1、第2環(huán)狀構(gòu)件29b、29c向 第2容器構(gòu)件29a和粉狀體1供給RF輸出。此時(shí)，淋氣電極21與地電位連接。由此，在淋 氣電極21與第2容器構(gòu)件29a之間引發(fā)等離子體，在第2容器構(gòu)件29a內(nèi)產(chǎn)生等離子體， 由DLC構(gòu)成的超微粒子或薄膜被包覆在PMMA的微粒子1的表面。也就是說，由于通過使第 2容器構(gòu)件29a旋轉(zhuǎn)來攪拌、旋轉(zhuǎn)微粒子1，所以能夠容易將薄膜均勻包覆在微粒子1的整 個(gè)表面。圖6是比較例的曲線圖、即通過拉曼光譜分析對(duì)由平行平板型的等離子體裝置成 膜于Si晶片上的DLC膜進(jìn)行分析后的曲線圖。圖6所示的曲線圖的作為分析對(duì)象的DLC 膜，在如下成膜條件下被成膜。(成膜條件)等離子體裝置平行平板型輸出900WRF 頻率13. 56MHz原料氣體甲苯原料氣體流量IOcc/分DLC 膜的膜厚IOOnm圖7是表示通過拉曼光譜分析法對(duì)由在本實(shí)施方式的粒徑50 μ m的PMMA的微粒 子的表面包覆的DLC構(gòu)成的超微粒子或薄膜進(jìn)行分析后的結(jié)果的曲線圖。圖7是表示通過 拉曼光譜分析法對(duì)典型的DLC膜進(jìn)行分析后的結(jié)果的曲線圖。(成膜條件)等離子體裝置圖1的多邊滾筒型裝置
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輸出150WRF 頻率250kHz原料氣體甲苯甲苯流量7cc/分Ar 流量5cc/分圖6示出DLC膜的典型的波形。當(dāng)比較該圖6所示的波形、和對(duì)由本實(shí)施方式包 覆于PMMA的微粒子1的超微粒子或薄膜的圖7所示的波形時(shí)，由于幾乎為相同的波形，所 以可知由本實(shí)施方式包覆的超微粒子或薄膜是DLC。因而確認(rèn)了在本實(shí)施方式的等離子體 CVD方法中，也能夠?qū)⒛べ|(zhì)良好的DLC包覆于微粒子。另外，圖8是通過光學(xué)顯微鏡對(duì)在圖7的成膜條件下制作出的、在表面包覆有DLC 的PMMA微粒子進(jìn)行拍攝所得到的照片。PMMA微粒子為白色，但在圖8的照片中沒有一個(gè)白色的微粒子，所以可知在所有 PMMA微粒子的表面都包覆有DLC。另外，在圖8的照片中，所有微粒子的中央都帶白色，且從微粒子的中央朝向外周 茶色逐漸變濃。這表示在所有微粒子中都均勻反射光。如果光的反射是均勻的，則DLC是 透明的，所以認(rèn)為在所有PMMA微粒子的表面極均勻地包覆有DLC。根據(jù)上述實(shí)施方式，通過旋轉(zhuǎn)六邊形的滾筒形狀的第2容器構(gòu)件29a自身，來旋轉(zhuǎn) 并攪拌粉狀體1自身，進(jìn)而將滾筒設(shè)為六邊形，從而能夠使粉狀體1因重力定期落下。因此， 能飛躍式地提高攪拌效率，能夠防止因處理粉狀體時(shí)屢次成為問題的水分或靜電力引起的 粉狀體的凝集。也就是說，通過旋轉(zhuǎn)能夠同時(shí)且有效地進(jìn)行攪拌及凝集的粉狀體1的粉碎。 因而，可對(duì)粒徑的非常小的微粒子1包覆粒徑比該微粒子更小的超微粒子或薄膜。具體而 言，可對(duì)粒徑在50μπι以下的微粒子(尤其在5μπι以下的微粒子)包覆超微粒子或薄膜。另外，在本實(shí)施方式中，通過接地屏蔽構(gòu)件27覆蓋第1容器構(gòu)件29的內(nèi)側(cè)即配置 有第2容器構(gòu)件29a和第1、第2環(huán)狀構(gòu)件29b、29c的部分以外的部分、第1容器構(gòu)件29的 外側(cè)、環(huán)狀構(gòu)件中的收容有粉狀體1的空間的相反側(cè)(即、收容微粒子1的收容面以外的容 器的表面)。也就是說，通過接地屏蔽構(gòu)件27覆蓋由第2容器構(gòu)件29a中的構(gòu)成多邊形的 內(nèi)面129a和包圍該內(nèi)面129a的第1及第2環(huán)狀構(gòu)件各自的面129b、129c構(gòu)成的收容有微 粒子的收容面以外的容器的表面。因此，能夠在第2容器構(gòu)件29a的內(nèi)面和與其對(duì)置的淋 氣電極21之間發(fā)生等離子體。也就是說，能夠在第2容器構(gòu)件29a的內(nèi)側(cè)集中高頻輸出， 結(jié)果能夠向第2容器構(gòu)件29a的內(nèi)面收容的粉狀體1 (即位于所述收容面上的粉狀體1)集 中地供給高頻電力，且能夠有效地向粉狀體1供給高頻電力。因而，能夠抑制DLC膜附著在 由第2容器構(gòu)件29a的內(nèi)面和第1、第2環(huán)狀構(gòu)件29b、29c包圍而成的收容粉狀體1的空間 以外的部分(所述收容面以外的容器的表面)。另外，與現(xiàn)有的等離子體CVD裝置相比能夠 減小高頻電量。另外，在本實(shí)施方式中，通過將接地棒14連續(xù)地?fù)舸蚪拥仄帘螛?gòu)件27，從而能夠 促進(jìn)第2容器構(gòu)件29a內(nèi)收容的粉狀體1的攪拌及混合。另外，通過電磁鐵12能夠促進(jìn)粉 狀體1的攪拌及混合。因而，即使相對(duì)具有更小粒徑的微粒子1，也可均勻性好地包覆由DLC 構(gòu)成的超微粒子或薄膜。此外，本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)可進(jìn)行各
18種變更并加以實(shí)施。例如，可適當(dāng)變更對(duì)微粒子成膜薄膜的成膜條件。另外，在上述實(shí)施方式中，雖然對(duì)作為涂覆對(duì)象的微粒子1而使用PMMA、并對(duì)PMMA 的微粒子1包覆DLC的等離子體CVD方法進(jìn)行了說明，但是關(guān)于對(duì)PMMA以外的微粒子包覆 由DLC以外的材料構(gòu)成的超微粒子或薄膜，也可使用本實(shí)施方式的等離子體CVD方法。另外，在上述實(shí)施方式中，在將容器的內(nèi)部剖面形狀設(shè)為圓形的情況下，例如，通 過從圖1及圖2所示的等離子體CVD裝置變更為沒有第2容器構(gòu)件29a和金屬構(gòu)件31的 裝置，也能實(shí)施。另外，在上述實(shí)施方式中，在將容器的內(nèi)部剖面形狀設(shè)為橢圓形的情況下，例如， 通過從圖1及圖2所示的等離子體CVD裝置變更為沒有第2容器構(gòu)件29a和金屬構(gòu)件31 進(jìn)而將第1容器構(gòu)件29的內(nèi)部剖面形狀設(shè)為橢圓形的裝置，也能實(shí)施。另外，在上述實(shí)施方式中，雖然采用了在第1容器構(gòu)件29連接等離子體電源23、 在淋氣電極21連接地電位的構(gòu)成，但并不限定于此，可如下進(jìn)行變更并實(shí)施。例如，也可 采用在第1容器構(gòu)件29連接等離子體電源23、在淋氣電極21連接第2等離子體電源的構(gòu) 成。另外，也可采用在第1容器構(gòu)件29連接地電位、在淋氣電極21連接等離子體電源的構(gòu) 成，此時(shí)也可采用不具有接地屏蔽構(gòu)件27的等離子體CVD裝置。此時(shí)，由于通過接地屏蔽 構(gòu)件27a屏蔽與容器內(nèi)收容的微粒子1對(duì)置的對(duì)置面以外的淋氣電極(對(duì)置電極)21的表 面，所以能夠向所述對(duì)置面集中高頻輸出，結(jié)果能夠向第2容器構(gòu)件29a的內(nèi)面收容的粉狀 體1(即位于所述收容面上的粉狀體1)集中供給高頻電力，能夠有效地向粉狀體1供給高
頻電力。
6.實(shí)施例
[比較例]
(成膜條件)
圖1的等離子體CVD裝置
RF電源的頻率13. 56MHz
玻璃試料25 X 75 X Imm
C7H8 流量:7cc/min
Ar 流量:3cc/min
反應(yīng)壓力9. 8Pa
RF 輸出:150ff
膜時(shí)間(無旋轉(zhuǎn))30min
(成膜結(jié)果)
膜厚1. 325 μ m
努氏硬度(5g) 603
[實(shí)施例]
(成膜條件)
圖1的等離子體CVD裝置
RF電源的頻率250kHz
玻璃試料25 X 75 X Imm
C7H8 流量:7cc/min
Ar、流量3cc/min反應(yīng)壓力9· 5PaRF 輸出150W膜時(shí)間(無旋轉(zhuǎn))30min(成膜結(jié)果)膜厚1.153μ m努氏硬度(5g)2072在實(shí)施例中，成膜了非常硬的DLC膜。這樣硬的DLC膜其耐磨性良好。
權(quán)利要求
一種等離子體CVD裝置，具備室；容器，其配置在所述室內(nèi)，是收容微粒子或電子元件的容器，且相對(duì)重力方向大致平行的剖面的內(nèi)部形狀為圓形；接地屏蔽構(gòu)件，其屏蔽除對(duì)所述微粒子或所述電子元件進(jìn)行收容的收容面以外的所述容器的表面；旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其以相對(duì)所述剖面大致垂直方向?yàn)樾D(zhuǎn)軸使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作；對(duì)置電極，其配置在所述容器內(nèi)，被配置成與所述收容面對(duì)置；等離子體電源，其與所述容器電連接；氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，其向所述容器內(nèi)導(dǎo)入原料氣體；和排氣機(jī)構(gòu)，其對(duì)所述室內(nèi)進(jìn)行真空排氣；通過利用所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作來攪拌或旋轉(zhuǎn)該容器內(nèi)的微粒子或電子元件的同時(shí)利用等離子體CVD法，由此對(duì)該微粒子或該電子元件的表面包覆直徑比該微粒子或該電子元件還小的超微粒子或薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體CVD裝置，其特征在于，所述容器具有所述剖面的內(nèi)部形狀為圓形狀的第1容器構(gòu)件、第1環(huán)狀構(gòu)件、和與所 述第1環(huán)狀構(gòu)件對(duì)置配置的第2環(huán)狀構(gòu)件；所述第1及第2環(huán)狀構(gòu)件各自的外周與所述第1容器構(gòu)件的內(nèi)面相接； 所述第1及第2環(huán)狀構(gòu)件各自的內(nèi)周與所述第1容器構(gòu)件的內(nèi)面相比，位于所述對(duì)置 電極側(cè)；所述收容面是通過所述第1及第2環(huán)狀構(gòu)件相互對(duì)置的面和所述第1容器構(gòu)件的內(nèi)面 形成的。
3.一種等離子體CVD裝置，具備 室；容器，其配置在所述室內(nèi)，是收容微粒子或電子元件的容器，且相對(duì)重力方向大致平行 的剖面的內(nèi)部形狀為多邊形；接地屏蔽構(gòu)件，其屏蔽除對(duì)所述微粒子或所述電子元件進(jìn)行收容的收容面以外的所述 容器的表面；旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其以相對(duì)所述剖面大致垂直方向?yàn)樾D(zhuǎn)軸使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作；對(duì)置電極，其配置在所述容器內(nèi)，被配置成與所述收容面對(duì)置； 等離子體電源，其與所述容器電連接； 氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，其向所述容器內(nèi)導(dǎo)入原料氣體；和 排氣機(jī)構(gòu)，其對(duì)所述室內(nèi)進(jìn)行真空排氣；通過利用所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作來攪拌或旋轉(zhuǎn)該容器內(nèi)的微 粒子或電子元件的同時(shí)利用等離子體CVD法，由此對(duì)該微粒子或該電子元件的表面包覆直 徑比該微粒子或該電子元件還小的超微粒子或薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體CVD裝置，其特征在于，所述容器，具有所述剖面的內(nèi)部形狀為圓形狀的第1容器構(gòu)件；第2容器構(gòu)件，其配置在所述第1容器構(gòu)件內(nèi)，所述剖面的內(nèi)部形狀為所述多邊形； 第1環(huán)狀構(gòu)件，其配置在所述第1容器構(gòu)件內(nèi)，且配置在所述第2容器構(gòu)件的一側(cè)；和 第2環(huán)狀構(gòu)件，其配置在所述第1容器構(gòu)件內(nèi)，且配置在所述第2容器構(gòu)件的另一側(cè)； 所述第1及第2環(huán)狀構(gòu)件各自的外周與所述第1容器構(gòu)件的內(nèi)面相接； 所述第1及第2環(huán)狀構(gòu)件各自的內(nèi)周與所述第2容器構(gòu)件的內(nèi)面相比，位于所述對(duì)置 電極側(cè)；所述收容面是通過所述第1及第2環(huán)狀構(gòu)件相互對(duì)置的面和所述第2容器構(gòu)件的內(nèi)面 形成的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的等離子體CVD裝置，其特征在于，該等離子體CVD裝置還具備接地屏蔽構(gòu)件，該接地屏蔽構(gòu)件在通過所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所 述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作時(shí)，屏蔽除與所述容器內(nèi)收容的所述微粒子或所述電子元件對(duì) 置的對(duì)置面以外的所述對(duì)置電極的表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體CVD裝置，其特征在于，該等離子體CVD裝置還具備第2等離子體電源，該第2等離子體電源與所述對(duì)置電極 電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的等離子體CVD裝置，其特征在于，該等離子體CVD裝置還具備擊打構(gòu)件，該擊打構(gòu)件擊打所述接地屏蔽構(gòu)件，對(duì)所述容 器內(nèi)收容的微粒子或電子元件施加振動(dòng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7中任意一項(xiàng)所述的等離子體CVD裝置，其特征在于，該等離子體CVD裝置還具備多個(gè)接地板，所述多個(gè)接地板配置在所述第1容器構(gòu)件的 一端與所述對(duì)置電極之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體CVD裝置，其特征在于， 所述多個(gè)接地板的相互間隔在5mm以下。
10.一種等離子體CVD裝置，具備 室；容器，其配置在所述室內(nèi)，是收容微粒子或電子元件的容器，且相對(duì)重力方向大致平行 的剖面的內(nèi)部形狀為圓形；旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其以相對(duì)所述剖面大致垂直方向?yàn)樾D(zhuǎn)軸使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作；對(duì)置電極，其配置在所述容器內(nèi)，被配置成與所述容器的內(nèi)面對(duì)置； 接地屏蔽構(gòu)件，其在通過所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作時(shí)，屏蔽除 與所述容器內(nèi)收容的所述微粒子或所述電子元件對(duì)置的對(duì)置面以外的所述對(duì)置電極的表等離子體電源，其與所述對(duì)置電極電連接； 氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，其向所述容器內(nèi)導(dǎo)入原料氣體；和 排氣機(jī)構(gòu)，其對(duì)所述室內(nèi)進(jìn)行真空排氣；通過利用所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作來攪拌或旋轉(zhuǎn)該容器內(nèi)的微粒子或電子元件的同時(shí)利用等離子體CVD法，由此對(duì)該微粒子或該電子元件的表面包覆直 徑比該微粒子或該電子元件還小的超微粒子或薄膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求1 10中任意一項(xiàng)所述的等離子體CVD裝置，其特征在于， 通過所述排氣機(jī)構(gòu)從所述容器內(nèi)向所述室外排出氣體的路徑中的最小直徑或余隙在5mm以下。
12.根據(jù)權(quán)利要求1 11中任意一項(xiàng)所述的等離子體CVD裝置，其特征在于， 該等離子體CVD裝置還具備磁性體粒子，其收容在所述容器內(nèi)； 電磁鐵，其向所述磁性體粒子供給電磁力；和 電源，其向所述電磁鐵脈沖狀地供給電流；通過向所述磁性體粒子脈沖狀地供給電磁力來攪拌所述磁性體粒子。
13.根據(jù)權(quán)利要求1 11中任意一項(xiàng)所述的等離子體CVD裝置，其特征在于， 該等離子體CVD裝置還具備磁性體粒子，其收容在所述容器內(nèi)；電磁鐵，其向所述磁性體粒子供給電磁力；和電源，其使所述電磁鐵反轉(zhuǎn)極性的同時(shí)供給電流；通過使所述磁性體粒子反轉(zhuǎn)極性的同時(shí)供給電磁力，來攪拌所述磁性體粒子。
14.根據(jù)權(quán)利要求1 11中任意一項(xiàng)所述的等離子體CVD裝置，其特征在于， 該等離子體CVD裝置還具備磁性體粒子，其收容在所述容器內(nèi)； 電磁鐵，其向所述磁性體粒子供給電磁力；和 搖動(dòng)機(jī)構(gòu)，其使所述電磁鐵搖動(dòng)；通過使所述電磁鐵搖動(dòng)的同時(shí)向所述磁性體粒子供給電磁力，來攪拌所述磁性體粒子。
15.根據(jù)權(quán)利要求12 14中任意一項(xiàng)所述的等離子體CVD裝置，其特征在于， 該等離子體CVD裝置還具備電源，該電源對(duì)所述電磁鐵施加超聲波振動(dòng)。
16.根據(jù)權(quán)利要求12 15中任意一項(xiàng)所述的等離子體CVD裝置，其特征在于， 所述磁性體粒子的表面包覆有DLC微粒子或DLC膜。
17.根據(jù)權(quán)利要求1 16中任意一項(xiàng)所述的等離子體CVD裝置，其特征在于， 所述對(duì)置電極具有如下形狀相對(duì)所述重力方向相反側(cè)的表面向所述相反側(cè)凸出的形狀。
18.根據(jù)權(quán)利要求1 17中任意一項(xiàng)所述的等離子體CVD裝置，其特征在于， 所述等離子體電源是50 500kHz的高頻電源。
19.一種等離子體CVD方法，其特征在于，將微粒子或電子元件收容在相對(duì)重力方向大致平行的剖面的內(nèi)部形狀為圓形的容器內(nèi)；用接地屏蔽構(gòu)件屏蔽除對(duì)所述微粒子或所述電子元件進(jìn)行收容的收容面以外的所述 容器的表面；將與所述收容面對(duì)置的對(duì)置電極配置在所述容器內(nèi)；對(duì)所述容器內(nèi)進(jìn)行真空排氣；以相對(duì)所述剖面大致垂直方向?yàn)樾D(zhuǎn)軸使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作； 向所述容器內(nèi)導(dǎo)入原料氣體；通過向所述容器供給等離子體能來攪拌或旋轉(zhuǎn)所述容器內(nèi)的微粒子或電子元件的同 時(shí)利用等離子體CVD法，由此對(duì)該微粒子或該電子元件的表面包覆直徑比該微粒子或該電 子元件還小的超微粒子或薄膜。
20.一種等離子體CVD方法，其特征在于，將微粒子或電子元件收容在相對(duì)重力方向大致平行的剖面的內(nèi)部形狀為多邊形的容 器內(nèi)；用接地屏蔽構(gòu)件屏蔽除對(duì)所述微粒子或所述電子元件進(jìn)行收容的收容面以外的所述 容器的表面；將與所述收容面對(duì)置的對(duì)置電極配置在所述容器內(nèi)； 對(duì)所述容器內(nèi)進(jìn)行真空排氣；以相對(duì)所述剖面大致垂直方向?yàn)樾D(zhuǎn)軸使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作； 向所述容器內(nèi)導(dǎo)入原料氣體；通過向所述容器供給等離子體能來攪拌或旋轉(zhuǎn)所述容器內(nèi)的微粒子或電子元件的同 時(shí)利用等離子體CVD法，對(duì)該微粒子或該電子元件的表面包覆直徑比該微粒子或該電子元 件還小的超微粒子或薄膜。
21.一種攪拌裝置，具備容器，其收容微粒子或電子元件； 磁性體粒子，其收容在所述容器內(nèi)；電磁鐵，其配置在所述容器外，向所述磁性體粒子供給電磁力；和 電源，其向所述電磁鐵脈沖狀地供給電流；通過向所述磁性體粒子脈沖狀地供給電磁力來攪拌所述磁性體粒子。
22.一種攪拌裝置，具備容器，其收容微粒子或電子元件； 磁性體粒子，其收容在所述容器內(nèi)；電磁鐵，其配置在所述容器外，向所述磁性體粒子供給電磁力；和 電源，其使所述電磁鐵反轉(zhuǎn)極性的同時(shí)供給電流；通過使所述磁性體粒子反轉(zhuǎn)極性的同時(shí)供給電磁力，來攪拌所述磁性體粒子。
23.一種攪拌裝置，具備容器，其收容微粒子或電子元件； 磁性體粒子，其收容在所述容器內(nèi)；電磁鐵，其配置在所述容器外，向所述磁性體粒子供給電磁力；和 搖動(dòng)機(jī)構(gòu)，其使所述電磁鐵搖動(dòng)；通過使所述電磁鐵搖動(dòng)的同時(shí)向所述磁性體粒子供給電磁力，來攪拌所述磁性體粒
全文摘要
本發(fā)明提供一種通過使等離子體集中在微粒子的附近從而能夠?qū)ξ⒘Ｗ拥谋砻娓行У匕脖∧せ虺⒘Ｗ拥牡入x子體CVD裝置及等離子體CVD方法。該裝置具備室(13)；配置于所述室內(nèi)、用于收容微粒子(1)的容器且相對(duì)重力方向大致平行的剖面的內(nèi)部形狀為多邊形的容器；屏蔽除對(duì)微粒子(1)進(jìn)行收容的收容面以外的所述容器的表面的接地屏蔽構(gòu)件(27)；以相對(duì)所述剖面大致垂直方向?yàn)樾D(zhuǎn)軸使所述容器旋轉(zhuǎn)或進(jìn)行鐘擺動(dòng)作的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)；配置在所述容器內(nèi)、被配置成與所述收容面對(duì)置的對(duì)置電極(21)；與所述容器電連接的等離子體電源(23)；向所述容器內(nèi)導(dǎo)入原料氣體的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)；和對(duì)所述室內(nèi)進(jìn)行真空排氣的排氣機(jī)構(gòu)。
文檔編號(hào)C23C16/50GK101939466SQ20088012635
公開日2011年1月5日 申請(qǐng)日期2008年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月6日
發(fā)明者本多祐二, 阿部孝之 申請(qǐng)人:友技科株式會(huì)社