專利名稱：低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體制程設(shè)備，特別涉及一種低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有半導(dǎo)體芯片制造工藝中，化學(xué)氣相淀積(CVD)已成為非常流行的 工藝，并對(duì)寬范圍材料而言是優(yōu)選的淀積方法。
一般來(lái)說(shuō)，化學(xué)氣相淀積過(guò)程包括首先，將晶圓片裝載到反應(yīng)室內(nèi)，裝 載過(guò)程通常是在惰性氣體的環(huán)境下進(jìn)行的。然后將晶圓片加熱到預(yù)定的溫度， 將反應(yīng)氣體引入到淀積薄膜的反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行反應(yīng)。最后，將參與反應(yīng)的化學(xué)氣 體排出反應(yīng)室，移出晶圓片，完成工序。
CVD系統(tǒng)主要分為兩種類型常壓(AP)和低壓(LP)。
在低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)工藝中，工藝流程需要在低壓(真空)反 應(yīng)室中進(jìn)行。低壓(真空)反應(yīng)室為其提供沒(méi)有污染氣體的工藝條件。LPCVD 需要在低至10—3托(中真空)的壓力范圍內(nèi)進(jìn)行，中真空需通過(guò)真空泵來(lái)實(shí)現(xiàn)。
請(qǐng)參見(jiàn)圖1，其所示為現(xiàn)有技術(shù)中的低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。 該低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)100包括反應(yīng)腔110，管線120,真空泵130。在一些 LPCVD處理過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生許多粉末狀的副產(chǎn)物，例如LPCVD的氮化過(guò)程。 當(dāng)大的粉末副產(chǎn)物沿著直的管線120掉到真空泵130時(shí)是纟艮危險(xiǎn)的，這可能阻 塞真空泵130，真空泵130會(huì)因?yàn)檫^(guò)載而停機(jī)，導(dǎo)致反應(yīng)腔110出現(xiàn)嚴(yán)重的問(wèn)題， 致使設(shè)備毀壞，進(jìn)而嚴(yán)重?fù)p害處理中的晶圓片140。

實(shí)用新型內(nèi)容
有鑒于此，本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種低壓化學(xué)氣相沉淀 系統(tǒng)，以改善現(xiàn)有技術(shù)中，因低壓化學(xué)氣相淀積過(guò)程中的粉末雜質(zhì)阻塞真空泵而致使晶圓損壞等技術(shù)問(wèn)題。
本實(shí)用新型提供一種低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)，包括反應(yīng)腔，包括出氣口； 真空泵；排氣管，與上述出氣口連通；以及彎管，其一端與上述排氣管連通， 另一端與上述真空泵連接。
可選的，上述排氣管末端套4妄排污管。
可選的，上述真空泵為機(jī)械真空泵。
可選的，上述反應(yīng)腔為爐管。
可選的，上述反應(yīng)腔為立式反應(yīng)腔。
本實(shí)用新型所提供的低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)具有以下有益效果1.在對(duì)晶 圓片進(jìn)行處理過(guò)程中，有效防止了真空泵突然停機(jī)，進(jìn)而更加保護(hù)了處理過(guò)程 中的晶圓片免受損壞；2.減少了粉末狀雜質(zhì)阻塞真空泵，保持真空泵的清潔， 延長(zhǎng)了真空泵的使用壽命；3.由于本實(shí)用新型設(shè)計(jì)新穎，制造成本低廉，可以 大范圍推廣；4.方便維護(hù)系統(tǒng)清潔，保證系統(tǒng)運(yùn)行的穩(wěn)定。


圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中的低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2所示為本實(shí)用新型一實(shí)施例所提供的低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示 意圖。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型的目的、特征更明顯易懂，給出較佳實(shí)施例并結(jié)合附圖， 對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。
請(qǐng)參見(jiàn)圖2，其所示為本實(shí)用新型一實(shí)施例所提供的低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng) 的結(jié)構(gòu)示意圖，該低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)系統(tǒng)200，包括反應(yīng)腔210, 包括出氣口 211;真空泵220;排氣管230，與上述出氣口211連通；以及彎管 240,其一端與上述排氣管230連通，另一端與上述真空泵220連接。
在本實(shí)施例中，是在直的排氣管230在上面加裝了一個(gè)彎管240，然后將真 空泵220接在彎管240的一端，而不直接接在直的排氣管230的末端。這樣在 LPCVD處理過(guò)程中產(chǎn)生的粉末狀的副產(chǎn)物沿著排氣管230掉下，由于彎管240的作用，這些粉末狀的副產(chǎn)物不會(huì)掉到真空泵220。從而有效防止了粉末狀的副產(chǎn)物阻塞真空泵220，造成真空泵220因負(fù)荷過(guò)大而突然停機(jī)，進(jìn)而更加有效的保護(hù)了處理過(guò)程中的晶圓片250免受損壞，而且也保持真空泵220的清潔，延長(zhǎng)了真空泵220的使用壽命。
在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，請(qǐng)參見(jiàn)圖2，在直的排氣管230的末端加裝一個(gè)排污管260，當(dāng)系統(tǒng)工作時(shí)，粉末狀的副產(chǎn)物將沿著排氣管230掉入排污管260,由排污管230收集這些粉末狀的副產(chǎn)物。因此真空泵220就將得到很好的保護(hù)。此外，該排污管260可以拆下方便清洗維護(hù)。
在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，真空泵220可以為機(jī)械真空泵。LPCVD工藝需要在低壓(真空)反應(yīng)腔210中進(jìn)行。低壓(真空)反應(yīng)腔210為其提供沒(méi)有污染氣體的工藝條件。LPCVD需要在低至10—3托(中真空)的壓力范圍內(nèi)進(jìn)行，中真空可以通過(guò)機(jī)械真空泵來(lái)獲得。
在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述反應(yīng)腔210為爐管，在一般的LPCVD系統(tǒng)中， 一般是由4根爐管構(gòu)成的。
在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，LPCVD所采用的反應(yīng)腔210是立式反應(yīng)腔，這與標(biāo)準(zhǔn)爐管相比，該系統(tǒng)具有若干優(yōu)點(diǎn)。因?yàn)榫A片全部靠重力保持在特定位置，所以硅片之間間距更加均勻。橫跨過(guò)晶圓片的對(duì)流效應(yīng)分布更加均勻。而且立式LPCVD系統(tǒng)在淀積不摻雜的多晶硅和氮化硅中經(jīng)常可達(dá)到均勻性好于2%。立式LPCVD系統(tǒng)更容易被集成到自動(dòng)化工廠，這是由于晶圓片不必翻轉(zhuǎn)到垂直方向，使得其更容易用機(jī)械手處理。且立式LPCVD系統(tǒng)最重要優(yōu)點(diǎn)是降低了顆粒數(shù)。.
綜上所述，本實(shí)用新型所提供的低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)具有以下優(yōu)點(diǎn)1.在進(jìn)行晶圓片的處理過(guò)程中，有效防止了真空泵突然停機(jī)，進(jìn)而更加保護(hù)了處理過(guò)程中的晶圓片免受損壞；2.減少了粉末狀雜質(zhì)阻塞真空泵，保持真空泵的清潔，延長(zhǎng)了真空泵的使用壽命；3.由于本實(shí)用新型設(shè)計(jì)新穎，制造成本低廉，可以大范圍推廣；4.方便維護(hù)系統(tǒng)清潔，保證系統(tǒng)運(yùn)行的穩(wěn)定。
雖然本實(shí)用新型已以4交佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型，任何熟習(xí)此技術(shù)者，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)，其特征在于，包括反應(yīng)腔，包括出氣口；真空泵；排氣管，與上述出氣口連通；以及彎管，其一端與上述排氣管連通，另一端與上述真空泵連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)，其特征在于，其中上述 排氣管末端套4妄排污管。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)，其特征在于，其中上述 真空泵為機(jī)械真空泵。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)，其特征在于，其中上述 反應(yīng)腔為爐管。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)，其特征在于，其中上述 反應(yīng)腔為立式反應(yīng)腔。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)，包括反應(yīng)腔，包括出氣口；真空泵；排氣管，與上述出氣口連通；以及彎管，其一端與上述排氣管連通，另一端與上述真空泵連接。在進(jìn)行晶圓片的處理過(guò)程中，利用該低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)可有效防止了真空泵突然停機(jī)，進(jìn)而更加保護(hù)了處理過(guò)程中的晶圓片免受損壞，并延長(zhǎng)了真空泵的使用壽命，而且制造成本低廉，可以大范圍推廣，方便維護(hù)系統(tǒng)清潔，保證系統(tǒng)運(yùn)行的穩(wěn)定。
文檔編號(hào)C23C16/44GK201321490SQ200820156889
公開(kāi)日2009年10月7日 申請(qǐng)日期2008年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月10日
發(fā)明者任曉棟, 宋凱峰, 張衛(wèi)民, 施訓(xùn)志 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司