專利名稱：銅銦鎵硒或銅銦鋁硒太陽(yáng)能電池吸收層靶材及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于光電功能材料領(lǐng)域，特別涉及銅銦鎵硒或銅銦鋁硒太陽(yáng)能電池吸收層靶材及其制備方法
背景技術(shù)：
銅銦硒(CIS)系薄膜太陽(yáng)能電池具有光電轉(zhuǎn)換率高，成本低、無性能衰減、壽命長(zhǎng)、可采用柔性基底等特點(diǎn)，是最具發(fā)展前景的光伏電池技術(shù)之一，非常有希望在未來獲得大規(guī)模應(yīng)用。黃銅礦結(jié)構(gòu)的銅銦硒(CuInSe2)禁帶寬度為1.04eV，不是獲得最佳效率的半導(dǎo)體材料，Ga、Al、In同屬III族元素，在CIS中摻入適量的Ga，部分代替In，形成的CuIn1-xGaxSe2(CIGS)禁帶寬度在1.04～1.67eV范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)；摻入適量的Al，部分代替In，形成的CuIn1-xAlxSe2(CIAS)禁帶寬度在1.04～2.67eV范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。如再形成多結(jié)系統(tǒng)，可極大地提高光伏電池轉(zhuǎn)換效率S.Marsillac，et.al，High-efficiency solar cells based onCu.InAl.Se2 thin films，Applied Physics letters，2002，81(7)，p1350-1352；Miguel A.Contreras，et.al，Diode characteristics in state-of-the-art ZnOCdS Cu(In1-xGax)Se2 solar cells，Progress in PhotovoltaicsResearch andApplications，2005，13，p 209-216。
銅銦硒(CIS)系薄膜太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)一般為減反射層/金屬柵狀電極/透明電極層/窗口層/緩沖層/光吸收層(CIGS或CIAS)/金屬背電極/襯底。其中光吸收層是決定光伏電池性能的關(guān)鍵因素，光吸收層中各元素的化學(xué)配比和沿膜厚方向的成分分布對(duì)光吸收性能有著重要的影響。
目前制備CIGS薄膜的方法主要有真空法和非真空法。非真空法主要包括電沉積法、化學(xué)噴霧熱解法、涂敷法、印刷法等，但是這些技術(shù)工藝穩(wěn)定性不好，制備的吸收層轉(zhuǎn)換效率普遍不高，難以制備大面積均勻膜層。真空法主要包括電子束多元共蒸法和磁控濺射法。多元共蒸法包括兩種工藝，分別是(1)共蒸Cu、In、Ga合金預(yù)制膜+硒化；(2)Cu、In、Ga、Se共蒸發(fā)。共蒸法制備的電池效率比較高，目前報(bào)道的最高轉(zhuǎn)換效率的CIGS電池即是用共蒸法制備的。但是共蒸法要求對(duì)每種元素的蒸發(fā)速率和沉積量均要精確控制，尤其是在大面積沉積時(shí)，要求成膜的均勻性好，工藝重現(xiàn)性好，對(duì)設(shè)備控制精度要求很高，大幅度增加了技術(shù)與設(shè)備制造的難度。因此，在生產(chǎn)大面積(30×30厘米以上)CIGS電池板時(shí)，磁控濺射方法由于工藝參數(shù)易于控制，工藝穩(wěn)定性好，成膜質(zhì)量均勻，反而具有更高的轉(zhuǎn)換效率，因而具有更好的應(yīng)用前景。磁控濺射方法一般采用同時(shí)或輪換濺射CuIn和CuGa合金靶，或者濺射CuInGa合金靶，以形成CIS合金預(yù)制層，然后硒化形成CIGS吸收層的工藝步驟。硒化有兩種方法，一種是在真空熱處理爐室內(nèi)通入H2Se進(jìn)行化學(xué)氣相反應(yīng)法，但是由于H2Se是劇毒易燃?xì)怏w，因而此法難以推廣；另一種是在真空熱處理爐室內(nèi)通入固體硒蒸汽，在一定溫度下Se原子與合金預(yù)制層中的Cu、In、Ga原子發(fā)生反應(yīng)形成CIGS膜層。但是在硒化過程中，需快速升溫越過300～450℃溫度區(qū)間，因?yàn)樵诖藴囟葏^(qū)間內(nèi)容易生成易于揮發(fā)的Ga2Se、In2Se合金相，造成CIGS膜層中In和Ga元素的流失，影響膜層性能。而快速升溫和550℃以上的硒化溫度容易造成基板上下面之間的溫差，導(dǎo)致軟化或翹曲，對(duì)于大面積玻璃基板還易導(dǎo)致破裂，影響工藝實(shí)施和工業(yè)化生產(chǎn)Marianna Kemell，et.al，Thin Film Deposition Methods for CuInSe2 SolarCells，Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences，2005，30，p1-31；F.Kessler，et.al，Approaches to flexible CIGS thin-film solarcells，Thin Solid Films，2005，480-481，p491-498。


發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供一種銅銦鎵硒或銅銦鋁硒太陽(yáng)能電池吸收層靶材及其制備方法。其特征在于，所述太陽(yáng)能電池吸收層靶材中Cu、In、Ga、Se或者Cu、In、Al、Se的原子百分比含量分別為25％，22.5％～10％，2.5％～15％，50％，成分均勻，具有均一的CuIn1-xGaxSe2或CuIn1-xAlxSe2(0.1≤x≤0.6)相，靶材的相對(duì)密度達(dá)到90％以上。
所述銅銦鎵硒(CIGS)或銅銦鋁硒(CIAS)薄膜吸收層使用上述配比的靶材直接磁控濺射形成； 一種銅銦鎵硒(CIGS)和銅銦鋁硒(CIAS)濺射靶材，其特征在于，依據(jù)需要形成的CIGS和CIAS膜層的化學(xué)計(jì)量比配備高純度Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3或Al2Se3粉末原料，Cu2Se、In2Se3與Ga2Se3粉末的質(zhì)量比為12.27(1-x)1.83x，Cu2Se、In2Se3與Al2Se3粉末的質(zhì)量比為12.27(1-x)1.41x，0.1≤x≤0.6；制成后的靶材成分均勻，具有均一的CuIn1-xGaxSe2或CuIn1-xAlxSe2相，相對(duì)密度達(dá)到90％以上。本發(fā)明提供了銅銦鎵硒(CIGS)和銅銦鋁硒(CIAS)濺射靶材的制備方法，其特征在于將上述粉末經(jīng)過充分球磨混粉后，將混合粉末或其成型素坯，在保護(hù)氣氛中燒結(jié)制成靶材。
所述銅銦鎵硒或銅銦鋁硒太陽(yáng)能電池吸收層靶材的制備方法，其特征在于，選擇方法一、方法二或方法三中的任意一種制成銅銦鎵硒(CIGS)或銅銦鋁硒(CIAS)靶材，按如下步驟進(jìn)行 方法一 (1)混粉①將高純度Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3粉末按質(zhì)量比12.27(1-X)1.83X混合，其中0.1≤X≤0.6；將混合粉料與二氧化鋯磨球混合置于尼龍球磨罐中，用行星式球磨機(jī)球磨1～12小時(shí)，充分混合均勻，球磨后粉末平均粒徑達(dá)到30μm以下；或者，②將高純度Cu2Se、In2Se3、Al2Se3粉末按質(zhì)量比12.27(1-X)1.41X，其中0.1≤X≤0.6混合，將混合粉料與二氧化鋯磨球混合置于尼龍球磨罐中，用行星式球磨機(jī)球磨1～12小時(shí)充分混合均勻，球磨后粉末平均粒徑達(dá)到30μm以下。
(2)燒結(jié)將(1)中混合好的①粉末或②粉末置于熱壓模具中，在保護(hù)氣氛中，施加15～40MPa壓力，然后以5～30℃/分鐘勻速升至500～900℃，保溫0.5～12小時(shí)，之后隨爐冷卻至常溫，卸壓后取出； 方法二 (1)混粉同方法一。
(2)壓制將(1)中混合好的①粉末或②粉末置于冷壓模具中，加壓至400～1000MPa并保壓2～4分鐘成型，制成素坯；或者，將(1)中混合好的①粉末或②粉末置于冷等靜壓模具中，加壓至100～280MPa并保壓2～6分鐘成型，制成素坯； (3)燒結(jié)將(2)中制成的素坯置于燒結(jié)爐中，在保護(hù)氣氛中，以5～30℃/分鐘勻速升溫至650～900℃，并保溫0.5～12小時(shí)，然后隨爐冷卻至常溫后取出； 方法三 (1)混粉同方法一。
(2)壓制同方法二。
(3)燒結(jié)將(2)中制成的①素坯或②素坯置于燒結(jié)爐中，在保護(hù)氣氛中，對(duì)素坯施加15～40MPa壓力，然后以5～30℃/分鐘勻速升至500～900℃，保溫0.5～12小時(shí)，之后隨爐冷卻至常溫，卸壓后取出；或者，將(2)中制成的①素坯或②素坯置于燒結(jié)爐中，在保護(hù)氣氛中，先以5～30℃/分鐘勻速升至500～900℃，再對(duì)素坯施加15～40MPa壓力，之后保溫0.5～12小時(shí)，然后隨爐冷卻至常溫，卸壓后取出。
上述方法中，步驟(1)中Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3或Al2Se3粉末純度均≥99.99％，球磨后粉末平均粒徑達(dá)到30μm以下，以保證靶材的高純度和成分均勻分布。
上述方法中，所述保護(hù)氣氛為真空或充入保護(hù)性氣體，所述保護(hù)性氣體為氫氣、氮?dú)饣驓鍤忸惗栊詺怏w，采用的保護(hù)氣體壓力為1個(gè)大氣壓；所述的真空為20Pa以下。
本發(fā)明的有益效果是采用符合CIGS或CIAS吸收層化學(xué)計(jì)量比的高純度化合物粉末直接混合配比，盡可能避免元素的損失，實(shí)現(xiàn)靶材成分的精確控制，提供的靶材成分均勻，具有均一的CuIn1-xGaxSe2或CuIn1-xAlxSe2相，相對(duì)密度達(dá)到90％以上，滿足濺射工藝要求。通過濺射該靶材可直接制成CIGS或CIAS薄膜吸收層，不僅能夠繼承磁控濺射法工藝易于控制，容易大面積均勻成膜的優(yōu)點(diǎn)，又可以避免硒化過程對(duì)吸收層和襯底的不利影響，簡(jiǎn)化工藝過程，節(jié)省能源消耗。另一方面，通過與濺射工藝相配合，可實(shí)現(xiàn)吸收層中Ga、Al等元素含量的精確控制，同時(shí)解決在吸收層厚度方向上成分分布的控制問題，從而為獲得梯度帶隙半導(dǎo)體吸收層和疊層太陽(yáng)能電池創(chuàng)造條件，對(duì)于提高CIGS和CIAS太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率有著重要意義。

具體實(shí)施例方式 本發(fā)明提供一種銅銦鎵硒或銅銦鋁硒太陽(yáng)能電池吸收層靶材及其制備方法。以下結(jié)合實(shí)施例介紹本發(fā)明，但本發(fā)明絕非僅限于實(shí)施例。
實(shí)施例1 將Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3粉末(純度均≥99.99％)按質(zhì)量比12.040.18(x＝0.1)混合球磨2h后，使粉末平均粒徑達(dá)到30μm以下。將混合好的粉末置于冷壓模具中，加壓至400～1000MPa并保壓2～4分鐘成型制成素坯；或者將混合好的粉末置于冷等靜壓模具中，加壓至100～280MPa并保壓2～6分鐘成型制成素坯。將制成的素坯置于燒結(jié)爐中，抽真空至10Pa以下，保持真空條件或充入1個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓氫氣或氮?dú)饣驓鍤忸惗栊詺怏w，以5～30℃/分鐘勻速升溫至650～900℃，并保溫0.5～12小時(shí)，然后隨爐冷卻至常溫后取出，即得Cu、In、Ga、Se的原子百分比含量分別約為25％、22.5％、2.5％、50％，成分均勻，具有均一的CuIn1-xGaxSe2相，相對(duì)密度大于90％的CIGS靶材。
實(shí)施例2 將Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3粉末(純度均≥99.99％)按質(zhì)量比11.820.37(x＝0.2)混合球磨6h后，使粉末平均粒徑達(dá)到30μm以下。按實(shí)施例1的方法，即得Cu、In、Ga、Se的原子百分比含量分別約為25％、22.5％、2.5％、50％，成分均勻，具有均一的CuIn1-xGaxSe2相，相對(duì)密度大于90％的CIGS靶材。
實(shí)施例3 將Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3粉末(純度均≥99.99％)按質(zhì)量比11.590.55(x＝0.3)混合球磨10h后，使粉末平均粒徑達(dá)到30μm以下。將混合好的粉末均勻填充于熱壓模具中，將燒結(jié)爐抽真空至10Pa以下，保持真空條件或充入1個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓氫氣或氮?dú)饣驓鍤忸惗栊詺怏w，以5～30℃/分鐘勻速升至500～900℃，到溫后施加15～40MPa壓力，然后保溫0.5～12小時(shí)，之后隨爐冷卻至常溫，卸壓后取出，即得Cu、In、Ga、Se的原子百分比含量分別約為25％、17.5％、7.5％、50％，成分均勻，具有均一的CuIn1-xGaxSe2相，相對(duì)密度大于95％的CIGS靶材。
實(shí)施例4 將Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3粉末(純度均≥99.99％)按質(zhì)量比11.360.73(x＝0.4)混合球磨12h后，使粉末平均粒徑達(dá)到30μm以下。將混合好的粉末均勻填充于熱壓模具中，將燒結(jié)爐抽真空至10Pa以下，保持真空條件或充入1個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓氫氣或氮?dú)饣驓鍤忸惗栊詺怏w，施加15～40MPa壓力，然后以5～30℃/分鐘勻速升至500～900℃，保溫0.5～12小時(shí)，之后隨爐冷卻至常溫，卸壓后取出，即得Cu、In、Ga、Se的原子百分比含量分別約為25％、15％、10％、50％，成分均勻，具有均一的CuIn1-xGaxSe2相，相對(duì)密度大于95％的CIGS靶材。
實(shí)施例5 將Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3粉末(純度均≥99.99％)按質(zhì)量比11.140.92(x＝0.5)混合球磨7h后，使粉末平均粒徑達(dá)到30μm以下。按實(shí)施例1的壓制方法制成素坯，然后將制成的素坯置于燒結(jié)爐中，按照實(shí)施例3的燒結(jié)方法進(jìn)行燒結(jié)，即得Cu、In、Ga、Se的原子百分比含量分別約為25％、12.5％、12.5％、50％，成分均勻，具有均一的CuIn1-xGaxSe2相，相對(duì)密度大于95％的CIGS靶材。
實(shí)施例6 將Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3粉末(純度均≥99.99％)按質(zhì)量比10.911.10(x＝0.6)混合球磨10h后，使粉末平均粒徑達(dá)到30μm以下。按實(shí)施例1的壓制方法制成素坯，然后將制成的素坯置于燒結(jié)爐中，按照實(shí)施例4的燒結(jié)方法進(jìn)行燒結(jié)，即得Cu、In、Ga、Se的原子百分比含量分別約為25％、10％、15％、50％，成分均勻，具有均一的CuIn1-xGaxSe2相，相對(duì)密度大于95％的CIGS靶材。
實(shí)施例7 將Cu2Se、In2Se3、Al2Se3粉末(純度均≥99.99％)按質(zhì)量比12.040.14(x＝0.1)混合，按實(shí)施例1的方法，最終獲得Cu、In、Al、Se的原子百分比含量分別約為25％、22.5％、2.5％、50％，成分均勻，具有均一的CuIn1-xAlxSe2相，相對(duì)密度大于90％的CIAS靶材。
實(shí)施例8 將Cu2Se、In2Se3、Al2Se3粉末(純度均≥99.99％)按質(zhì)量比12.04；0.28(x＝0.2)混合，按實(shí)施例2的方法，最終獲得Cu、In、Al、Se的原子百分比含量分別約為25％、20％、5％、50％，成分均勻，具有均一的CuIn1-xAlxSe2相，相對(duì)密度大于90％的CIAS靶材。
實(shí)施例9 將Cu2Se、In2Se3、Al2Se3粉末(純度均≥99.99％)按質(zhì)量比12.040.42(x＝0.3)混合，按實(shí)施例3的方法，最終獲得Cu、In、Al、Se的原子百分比含量分別約為25％、17.5％、7.5％、50％，成分均勻，具有均一的CuIn1-xAlxSe2相，相對(duì)密度大于95％的CIAS靶材。
實(shí)施例10 將Cu2Se、In2Se3、Al2Se3粉末(純度均≥99.99％)按質(zhì)量比12.040.56(x＝0.4)混合，按實(shí)施例4的方法，最終獲得Cu、In、Al、Se的原子百分比含量分別約為25％、15％、10％、50％，成分均勻，具有均一的CuIn1-xAlxSe2相，相對(duì)密度大于95％的CIAS靶材。
實(shí)施例11 將Cu2Se、In2Se3、Al2Se3粉末(純度均≥99.99％)按質(zhì)量比12.040.71(x＝0.5)混合，按實(shí)施例5的方法，最終獲得Cu、In、Al、Se的原子百分比含量分別約為25％、12.5％、12.5％、50％，成分均勻，具有均一的CuIn1-xAlxSe2相，相對(duì)密度大于95％的CIAS靶材。
實(shí)施例12 將Cu2Se、In2Se3、Al2Se3粉末(純度均≥99.99％)按質(zhì)量比12.040.85(x＝0.6)混合，按實(shí)施例6的方法，最終獲得Cu、In、Al、Se的原子百分比含量分別約為25％、10％、15％、50％，成分均勻，具有均一的CuIn1-xAlxSe2相，相對(duì)密度大于95％的CIAS靶材。
權(quán)利要求
1.一種銅銦鎵硒或銅銦鋁硒太陽(yáng)能電池吸收層靶材，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池吸收層靶材中Cu、In、Ga、Se或者Cu、In、Al、Se的原子百分比含量分別為Cu25％；In22.5％～10％；Ga:Se2.5％～15％Al50％；成分均勻，具有均一的CuIn1-xGaxSe2或CuIn1-xAlxSe2相，靶材的相對(duì)密度達(dá)到90％以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述銅銦鎵硒或銅銦鋁硒太陽(yáng)能電池吸收層靶材，其特征在于，所述銅銦鎵硒(CIGS)或銅銦鋁硒(CIAS)薄膜吸收層使用上述配比的靶材直接磁控濺射形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述銅銦鎵硒或銅銦鋁硒太陽(yáng)能電池吸收層靶材，其特征在于，依據(jù)需要形成的CIGS和CIAS膜層的化學(xué)計(jì)量比配備高純度Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3或Al2Se3粉末原料，Cu2Se、In2Se3與Ga2Se3粉末的質(zhì)量比為12.27(1-x)1.83x，Cu2Se、In2Se3與Al2Se3粉末的質(zhì)量比為12.27(1-x)1.41x，0.1≤x≤0.6；制成后的靶材成分均勻，具有均一的CuIn1-xGaxSe2或CuIn1-xAlxSe2相，相對(duì)密度達(dá)到90％以上。
4.權(quán)利要求1所述銅銦鎵硒或銅銦鋁硒太陽(yáng)能電池吸收層靶材的制備方法，其特征在于，選擇方法一、方法二或方法三中的任意一種制成銅銦鎵硒(CIGS)或銅銦鋁硒(CIAS)靶材，按如下步驟進(jìn)行
方法一
(1)混粉①將高純度Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3粉末按質(zhì)量比12.27(1-X)1.83X混合，其中0.1≤X≤0.6；將混合粉料與二氧化鋯磨球混合置于尼龍球磨罐中，用行星式球磨機(jī)球磨1～12小時(shí)，充分混合均勻，球磨后粉末平均粒徑達(dá)到30μm以下；或者，②將高純度Cu2Se、In2Se3、Al2Se3粉末按質(zhì)量比12.27(1-X)1.41X，其中0.1≤X≤0.6混合，將混合粉料與二氧化鋯磨球混合置于尼龍球磨罐中，用行星式球磨機(jī)球磨1～12小時(shí)充分混合均勻，球磨后粉末平均粒徑達(dá)到30μm以下。
(2)燒結(jié)將(1)中混合好的①粉末或②粉末置于熱壓模具中，在保護(hù)氣氛中，施加15～40MPa壓力，然后以5～30℃/分鐘勻速升至500～900℃，保溫0.5～12小時(shí)，之后隨爐冷卻至常溫，卸壓后取出；
方法二
(1)混粉同方法一。
(2)壓制將(1)中混合好的①粉末或②粉末置于冷壓模具中，加壓至400～1000MPa并保壓2～4分鐘成型，制成素坯；或者，將(1)中混合好的①粉末或②粉末置于冷等靜壓模具中，加壓至100～280MPa并保壓2～6分鐘成型，制成素坯；
(3)燒結(jié)將(2)中制成的素坯置于燒結(jié)爐中，在保護(hù)氣氛中，以5～30℃/分鐘勻速升溫至650～900℃，并保溫0.5～12小時(shí)，然后隨爐冷卻至常溫后取出；
方法三
(1)混粉同方法一。
(2)壓制同方法二。
(3)燒結(jié)將(2)中制成的①素坯或②素坯置于燒結(jié)爐中，在保護(hù)氣氛中，對(duì)素坯施加15～40MPa壓力，然后以5～30℃/分鐘勻速升至500～900℃，保溫0.5～12小時(shí)，之后隨爐冷卻至常溫，卸壓后取出；或者，將(2)中制成的①素坯或②素坯置于燒結(jié)爐中，在保護(hù)氣氛中，先以5～30℃/分鐘勻速升至500～900℃，再對(duì)素坯施加15～40MPa壓力，之后保溫0.5～12小時(shí)，然后隨爐冷卻至常溫，卸壓后取出。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述銅銦鎵硒或銅銦鋁硒太陽(yáng)能電池吸收層靶材的制備方法，其特征在于，所述保護(hù)氣氛為真空或充入保護(hù)性氣體，所述保護(hù)性氣體為氫氣、氮?dú)饣驓鍤忸惗栊詺怏w；采用的保護(hù)氣體壓力為1個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓；所述的真空為20Pa以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述銅銦鎵硒或銅銦鋁硒太陽(yáng)能電池吸收層靶材的制備方法，其特征在于，所述Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3、Al2Se3粉末純度均≥99.99％。
全文摘要
本發(fā)明公開了屬于光電功能材料領(lǐng)域的一種銅銦鎵硒或銅銦鋁硒太陽(yáng)能電池吸收層靶材及其制備方法。是按照CuIn1-xGaxSe2或CuIn1-xAlxSe2太陽(yáng)能電池吸收層的化學(xué)計(jì)量比將高純度硒化亞銅粉末、硒化銦粉末、硒化鎵粉末或硒化鋁粉末充分混合均勻后，在保護(hù)氣氛中熱壓燒結(jié)成型，或者經(jīng)過冷壓成型或冷等靜壓成型制成素坯，然后將素坯在保護(hù)氣氛中施加一定的壓力燒結(jié)或者不加壓燒結(jié)。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)便、效率高、成本低，所制成的濺射靶材成分均勻，具有均一的CuIn1-xGaxSe2或CuIn1-xAlxSe2相，相對(duì)密度達(dá)到90％以上，性能穩(wěn)定。本發(fā)明主要用于銅銦鎵硒和銅銦鋁硒太陽(yáng)能薄膜電池吸收層的制備。
文檔編號(hào)B22F3/12GK101397647SQ20081022548
公開日2009年4月1日 申請(qǐng)日期2008年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月3日
發(fā)明者莊大明, 弓 張, 寧 張, 元金石, 李春雷, 軍 宋 申請(qǐng)人:清華大學(xué)