專利名稱：：SiCN膜形成方法及形成裝置的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種在半導體晶片等的被處理基板上形成SiCN膜的成膜方法及其裝置，特別是涉及一種半導體處理用的成膜方法及其裝置。此處，半導體處理是指，為了在晶片或者LCD(液晶顯示器)類的FPD(平面平板顯示器)用的玻璃基板等的被處理基板上利用規(guī)定的圖案形成半導體層、絕緣層、導電層等，在該被處理基板上制造包括半導體器件以及與半導體器件連接的配線、電極等構(gòu)件而實施的各種處理。
背景技術：
：在構(gòu)成半導體集成電路的半導體器件的制造過程中，在被處理基板上，例如半導體晶片上實施成膜、蝕刻、氧化、擴散、改性、退火、自然氧化膜去除等各種處理。在美國專利US2006/0286817A1中公開有-種立式(所謂批量式)熱處理裝置中的這種半導體處理方法。在該方法中，首先，半導體晶片從晶片盒被移載至立式的晶舟上，并以多層方式被支承。在晶片盒中能夠收容例如25個晶片，在晶舟中能夠載放30150個晶片。接著，晶舟從處理容器的下方被載入其內(nèi)部，同時，處理容器被氣密式(氣體密封方式)密封。然后，在處理氣體的流量、處理壓力、處理溫度等各種處理條件得到控制的狀態(tài)下，實施規(guī)定的熱處理。為了提高半導體集成電路的特性，提高半導體器件的絕緣膜的特性這一點非常重要。作為半導體器件中的絕緣膜，使用Si02、PSG(磷硅玻璃PhosphoSilicateGlass)、P(用等離子體CVD所形成的)-SiO、P(用等離子體CVD所形成的)-SiN、SOG(旋涂玻璃SpinOnGlass)、Si3N4(氮化硅膜)等。特別是因氮化硅膜的絕緣特性比氧化硅膜的要好，以及作為蝕刻阻擋膜和層間絕緣膜也能充分發(fā)揮其功能，因此廣為使用。作為在半導體晶片的表面形成上述氮化硅膜的方法，已知的有作為硅氣體源使用甲硅烷(SiH4)、二氯硅烷(DCS:SiH2Cl2)、六氯乙硅烷(HCD:Si2Cl6)、雙叔丁基氨基硅烷(BTBAS:SiH2(NH(C4H9))2)等硅烷類氣體，然后利用熱CVD(化學氣相沉積)成膜的方法。例如，使用SiH2Cl2+NH3(參照美國專利US5874368A)或者Si2Cl6+NH3等的氣體組合并利用熱CVD形成氮化硅膜。在近階段，隨著半導體集成電路的更加高度集成化以及高微細化的要求，人們期待減輕半導體器件的制造工序中的熱歷程，并提高器件的特性。在立式的熱處理裝置中，也期待根據(jù)上述要求而改進半導體處理方法。例如，作為從CVD派生的成膜處理，有一種一邊間歇式地供給原料氣體等，一邊以一層或者多層反復地形成原子或者分子水平厚度的層的成膜方法(例如，參照日本特開平2-93071號、日本特開平6-45256號公報、美國專利US6165916A)。這種成膜方法一般稱作ALD(原子層沉積AtomicLayerDeposition)或者MLD(分子層沉積MolecularLayerDeposition),這樣，即使不使晶片曝露在高溫下也能進行目標處理。例如，在使用作為硅烷類氣體的二氯硅烷(DCS)與作為氮化氣體的NH3形成氮化硅膜(SiN)的情況下，進行以下的處理。即，向處理容器內(nèi)，夾著吹掃期間交互式地間接供給DCS與NH3氣體。在供給NH3氣體時，通過施加RF(高頻)而在處理容器內(nèi)生成等離子體，從而加快氮化反應。此處，首先，DCS被供給處理容器內(nèi)，于是，DCS以分子水平一層或者多層吸附在晶片表面上。多余的DCS在吹掃期間被排除。接著，供給NH3氣體生成等離子體，于是，利用低溫下的氮化而形成氮化硅膜。反復進行上述一系列的工序，從而完成規(guī)定厚度的膜?？墒?，在形成上述絕緣膜后，如果在其上形成其它的薄膜，則有機物或者顆粒等污染物有可能吸附在上述絕緣膜的表面。因此，必要時，為了除去該污染物而進行清潔處理。在這種情況下，使半導體晶片浸泡在希氟酸等清潔液中并蝕刻絕緣膜的表面。這樣，將絕緣膜的表面切削得非常薄，并除去污染物。例如在76(TC左右的高溫下利用CVD形成上述絕緣膜的情況下，清潔絕緣膜時的蝕刻速率變得非常小。因此，能夠在清潔時不過多地切削該絕緣膜，在膜厚的控制性好的狀態(tài)下進行清潔處理。但是，在底層形成耐熱性低的薄膜的情況下，無法采用高溫的熱CVD處理。與此相反，例如在400。C左右的低溫下，利用ALD成膜法形成上述絕緣膜的情況下，清潔絕緣膜時的蝕刻速率變得非常大。因此，在清潔時發(fā)生該絕緣膜被過多地切削的情況，清潔處理時膜厚的控制性變差。另外，如上所述，氮化硅膜有時用作蝕刻阻擋膜或者層間絕緣膜。在這種情況下，必須使氮化硅膜的蝕刻速率變得非常小，在現(xiàn)有的成膜方法中，則無法滿足這種要求。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種成膜處理方法及其裝置，用來形成即便在較低的溫度下成膜，也能夠使清潔時的蝕刻速率變得較小，能夠提高清潔時膜厚的控制性，并且能夠充分發(fā)揮作為蝕刻阻擋膜或者層間絕緣膜功能的SiCN膜。此外，本發(fā)明是針對美國專利US2005/095770A1和US2007/167028A1中所公開的發(fā)明的改進發(fā)明。本發(fā)明的第一方面提供一種SiCN膜形成方法，其是一種在能夠有選擇地供給包括硅烷類氣體的第一處理氣體、包括氮化氣體的第二處理氣體以及包括烴氣體的第三處理氣體的處理區(qū)域內(nèi)，通過多次重復以下循環(huán)并層積在所述每個循環(huán)中所形成的薄膜，從而在被處理基板上形成具有規(guī)定厚度的SiCN膜的方法，此處，所述各個循環(huán)包括向所述處理區(qū)域供給所述第一處理氣體的第一工序；向所述處理區(qū)域供給所述第二處理氣體的第二工序；向所述處理區(qū)域供給所述第三處理氣體的第三工序；以及斷開向所述處理區(qū)域供給所述第一處理氣體的第四工序，其中，在所述處理區(qū)域外不對第一、第二以及第三處理氣體進行等離子體化而將其供給所述處理區(qū)域，并且在整個所述第一、第二、第三以及第四工序中，將所述處理區(qū)域加熱至所述硅垸類氣體與所述氮化氣體以及所述烴氣體互相反應的第一溫度。本發(fā)明的第二方面提供一種在被處理基板上形成SiCN膜的裝置，其包括具有收容所述被處理基板的處理區(qū)域的處理容器；在所述處理區(qū)域內(nèi)支承所述被處理基板的支承部件；加熱所述處理區(qū)域內(nèi)的所述被處理基板的加熱器；對所述處理區(qū)域內(nèi)進行排氣的排氣系統(tǒng)；向所述處理區(qū)域供給包括硅烷類氣體的第一處理氣體的第一處理氣體供給系統(tǒng)；向所述處理區(qū)域供給包括氮化氣體的第二處理氣體的第二處理氣體供給系統(tǒng)；向所述處理區(qū)域供給包括烴氣體的第三處理氣體的第三處理氣體供給系統(tǒng)；以及控制所述裝置的操作的控制部，所述控制部被預先設置，使得能夠?qū)嵤┰谒鎏幚韰^(qū)域內(nèi)通過多次重復以下的循環(huán)并層積在所述每個循環(huán)中所形成的薄膜，從而在所述被處理基板上形成具有規(guī)定厚度的SiCN膜的方法，此處，所述各個循環(huán)包括向所述處理區(qū)域供給所述第一處理氣體的第一工序；向所述處理區(qū)域供給所述第二處理氣體的第二工序；向所述處理區(qū)域供給所述第三處理氣體的第三工序；以及斷開向所述處理區(qū)域供給所述第一處理氣體的第四工序，其中，在所述處理區(qū)域外不對第一、第二以及第三處理氣體進行等離子體化而將其供給所述處理區(qū)域，并且在整個所述第一、第二、第三以及第四工序中，將所述處理區(qū)域加熱至所述硅烷類氣體與所述氮化氣體以及所述烴氣體互相反應的第一溫度。本發(fā)明的第三方面提供一種包括用來在處理器上運行的程序指令的、計算機能夠讀取的介質(zhì)，所述程序指令被處理器運行時，在具有能夠有選擇地供給包括硅烷類氣體的第一處理氣體、包括氮化氣體的第二處理氣體以及包括烴氣體的第三處理氣體的處理區(qū)域的成膜裝置中，實施在所述處理區(qū)域內(nèi)通過多次重復以下的循環(huán)并層積在所述每個循環(huán)中所形成的薄膜，在被處理基板上形成具有規(guī)定厚度的SiCN膜的方法，此處，所述各個循環(huán)包括向所述處理區(qū)域供給所述第一處理氣體的第一工序；向所述處理區(qū)域供給所述第二處理氣體的第二工序；向所述處理區(qū)域供給所述第三處理氣體的第三工序；以及斷開向所述處理區(qū)域供給所述第一處理氣體的第四工序，其中，在所述處理區(qū)域外不對第一、第二以及第三處理氣體進行等離子體化而將它們供給所述處理區(qū)域，并且在整個所述第一、第二、第三以及第四工序中，將所述處理區(qū)域加熱至所述硅烷類氣體與所述氮化氣體以及所述烴氣體相互反應的第一溫度。圖1是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的立式成膜裝置的截面圖。圖2是表示圖1所示的裝置的一部分的橫截面圖。圖3A、B、C是表示本發(fā)明的第一實施方式所涉及的成膜方法及其變形例中的供給氣體的時間流程圖。圖4是表示通過實驗而獲得的SiCN膜中的碳濃度與蝕刻速率的關系的坐標圖。圖5A、B、C是表示本發(fā)明的第二實施方式所涉及的成膜方法及其變形例中的供給氣體的時間流程圖。圖6A、B、C、D是表示本發(fā)明的第三實施方式所涉及的成膜方法及其變形例中的供給氣體的時間流程圖。圖7A、B、C、D是表示本發(fā)明的第四實施方式所涉及的成膜方法及其變形例中的供給氣體的時間流程圖。圖8A、B、C、D是表示本發(fā)明的第五實施方式所涉及的成膜方法及其變形例中的供給氣體的時間流程圖。圖9A、B、C、D是表示本發(fā)明的第六實施方式所涉及的成膜方法及其變形例中的供給氣體的時間流程圖。圖IOA、B、C是表示本發(fā)明的第七實施方式所涉及的成膜方法及其變形例中的供給氣體的時間流程圖。圖IIA、B、C是表示本發(fā)明的第八實施方式所涉及的成膜方法及其變形例中的供給氣體的時間流程圖。圖12A、B、C是表示本發(fā)明的第九實施方式所涉及的成膜方法及其變形例中的供給氣體的時間流程圖。圖13A、B、C是表示本發(fā)明的第十實施方式所涉及的成膜方法及其變形例中的供給氣體的時間流程圖。圖14是表示成膜裝置的變形例的各個氣體供給系統(tǒng)的部分結(jié)構(gòu)圖。圖15A、B、C是表示本發(fā)明的第十一實施方式所涉及的成膜方法及其變形例中的供給氣體的時間流程圖。圖16A、B、C是表示本發(fā)明的第十二實施方式所涉及的成膜方法及其變形例中的供給氣體的時間流程圖。圖17A、B、C、D是表示本發(fā)明的第十三實施方式所涉及的成膜方法及其變形例中的供給氣體的時間流程圖。圖18A、B、C、D是表示本發(fā)明的第十四實施方式所涉及的成膜方法及其變形例中的供給氣體的時間流程圖。圖19A、B、C、D是表示本發(fā)明的第十五實施方式所涉及的成膜方法及其變形例中的供給氣體的時間流程圖。圖20A、B、C、D是表示本發(fā)明的第十六實施方式所涉及的成膜方法及其變形例中的供給氣體的時間流程圖。圖21A、B、C是表示本發(fā)明的第十七實施方式所涉及的成膜方法及其變形例中的供給氣體的時間流程圖。圖22A、B、C是表示本發(fā)明的第十八實施方式所涉及的成膜方法及其變形例中的供給氣體的時間流程圖。圖23A、B、C是表示本發(fā)明的第十九實施方式所涉及的成膜方法及其變形例中的供給氣體的時間流程圖。圖24A、B、C是表示本發(fā)明的第二十實施方式所涉及的成膜方法及其變形例中的供給氣體的時間流程圖。具體實施方式本發(fā)明人等在本發(fā)明的開發(fā)過程中，對在半導體處理中有關氮化硅膜的成膜方法的現(xiàn)有技術中所存在的問題進行了研究。于是，本發(fā)明人等得到了下述結(jié)果。本發(fā)明人所屬的研究小組鑒于在"
背景技術：
"中所記載的問題點，開發(fā)出了一種組合使用ALD或者MLD型的處理氣體供給和等離子體激勵處理氣體的成膜方法(美國專利US2006/205231A1等)。在本方法中，利用等離子體使NH3等活性化以加速氮化處理，從而保持高的處理能力，同時在SiCN膜中導入一定程度的碳成分，使耐藥性也得到一定程度的提高。這樣，與現(xiàn)有技術相比，作為層間絕緣膜等，能夠在較低溫度下形成膜質(zhì)優(yōu)良而且蝕刻速率也小的SiCN膜。但是，發(fā)明人根據(jù)其后的研究發(fā)現(xiàn)，使用等離子體的上述成膜方法雖然具有使處理能力提高的優(yōu)點，但卻無法在絕緣膜中獲得足夠的碳導入量(添加量)，耐藥性的提高受到很大限制。近幾年，由于半導體器件的線寬的微細化和超薄化的要求，對絕緣膜的加工性的要求也越來越嚴格，因此，如果使用上述成膜方法，則很難滿足這種要求。以下，參照附圖，對根據(jù)上述技術知識構(gòu)成的本發(fā)明的實施方式進行說明。在以下的說明中，對于具有大致相同功能以及構(gòu)造的構(gòu)件，標注相同的符號并僅在必要時進行重復說明。圖1是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的立式成膜裝置的截面圖。圖2是表示圖1所示的裝置的一部分的橫斷平面圖。該成膜裝置2具有能夠選擇性地供給包括作為硅垸類氣體的二氯硅垸(DCS)氣體的第一處理氣體、包括作為氮化氣體的氨氣(NH3)的第二處理氣體以及包括作為烴氣體的C2H4氣體(乙烯氣體)的第三處理氣體的處理區(qū)域。成膜裝置2在該處理區(qū)域內(nèi)，在被處理基板上形成作為含碳的氮化硅膜的SiCN膜。成膜裝置2具有下端開口的有頂?shù)膱A筒體形狀的處理容器4，該處理容器4在內(nèi)部規(guī)定出用來收納隔開間隔地重疊在一起的多個半導體晶片(被處理基板)并對其進行處理的處理區(qū)域5。整個處理容器4例如采用石英形成。在處理容器4內(nèi)的頂部配設有石英制的頂板6而將其密封。在處理容器4的下端開口，形成為圓筒形狀的歧管(總管)8通過O形環(huán)等密封部件10與其聯(lián)結(jié)。此外，也可以不單獨設置歧管8，用圓筒形狀的石英制處理容器構(gòu)成整個裝置。歧管8例如由不銹鋼制成，其支承處理容器4的下端。通過歧管8的下端開口，石英制的晶舟12進行升降，由此，晶舟12相對于處理容器4進行裝載/卸載。在晶舟12中，作為被處理基板而多層載放有多個半導體晶片W。例如，在本實施方式的情況下，50100個左右的直徑為300mm的晶片W能夠按照大致相等的間距多層地被支承在晶舟12的支柱12A上。晶舟12通過石英制的保溫筒14被載放在臺(table)16上。臺16被支承在貫通用來開關歧管8的下端開口的例如采用不銹鋼制造的蓋體18的旋轉(zhuǎn)軸20上。在旋轉(zhuǎn)軸20的貫通部例如設置有磁性流體密封22，它用來氣密地密封旋轉(zhuǎn)軸20并且以能夠旋轉(zhuǎn)的方式支承它。在蓋體18的周邊部與歧管8的下端部插入設置有例如由0形環(huán)等構(gòu)成的密封部件24，用來保持容器內(nèi)的密封性。旋轉(zhuǎn)軸20被安裝在例如由舟升降機等升降機構(gòu)25所支承的臂部26的頂端。通過升降機構(gòu)25，使晶舟12以及蓋體18等一體升降。此外，將臺16固定并設置在蓋體18—側(cè)，無需旋轉(zhuǎn)晶舟12即可處理晶片W。在歧管8的側(cè)部連接有用來向處理容器4內(nèi)的處理區(qū)域5供給規(guī)定的處理氣體的氣體供給部。氣體供給部包括第三處理氣體供給系統(tǒng)28、第一處理氣體供給系統(tǒng)30、第二處理氣體供給系統(tǒng)32以及吹掃氣體供給系統(tǒng)36。第一處理氣體供給系統(tǒng)30供給包括作為硅烷類氣體的DCS(二氯硅垸)氣體的第一處理氣體。第二處理氣體供給系統(tǒng)32供給包括作為氮化氣體的氨氣(NH3)的第二處理氣體。第三處理氣體供給系統(tǒng)28供給包括作為烴氣體的C2EU氣體(乙烯氣體)的第三處理氣體。吹掃氣體供給系統(tǒng)36供給作為吹掃氣體的非活性氣體例如N2氣體。在第一至第三處理氣體中，根據(jù)需要而混合適量的載氣(載體氣體，例如N2氣體)，但是，以下為了容易說明，將不言及載氣。具體來講，第三、第一以及第二處理氣體供給系統(tǒng)28、30、32分別具有由向內(nèi)側(cè)貫通歧管8的側(cè)壁并向上方彎曲延伸的石英管制成的氣體分散噴嘴38、40、42(參照圖1)。在各氣體分散噴嘴38至44上，沿其縱向(上下方向)并且遍及晶舟12上的整個晶片W，以規(guī)定的間隔形成有多個氣體噴射孔38A、40A、42A。氣體噴射孔38A、40A、42A分別沿水平方向大致均勻地供給對應的處理氣體，以形成與晶舟12上的多個晶片W平行的氣流。另一方面，吹掃氣體供給系統(tǒng)36具有貫通歧管8的側(cè)壁而設置的較短的氣體噴嘴46。噴嘴38、40、42、46分別通過氣體供給通路(氣體通路)48、50、52、56與C2H4氣體、DCS氣體、NH3氣體以及&氣體的氣體源28S、30S、32S、36S連接。在氣體供給通路48、50、52、56上配設有開關閥48A、50A、52A、56A與質(zhì)量流量控制器這樣的流量控制器48B、50B、52B、56B。由此，能夠分別控制(^2114氣體、DCS氣體、麗3氣體以及N2氣體的流量并供給氣體。此外，氣體供給通路(氣體通路)48、50、52也與N2氣體的氣體源(圖中未示)連接。在處理容器4的側(cè)壁的一部分上，沿其高度方向配設有噴嘴收容凹部60。噴嘴收容凹部60具有通過沿著上下方向并以規(guī)定的寬度切削處理容器4的側(cè)壁而形成的上下細長的開口64。該開口64由與處理容器4的外壁氣密接合的石英制造的蓋66所覆蓋。蓋66以向處理容器4的外側(cè)突出的方式形成截面凹部狀，并且具有上下細長的形狀。通過這種構(gòu)造，形成從處理容器4的側(cè)壁突出并且一側(cè)與處理容器4內(nèi)連接的噴嘴收容凹部60。g卩，噴嘴收容凹部60的內(nèi)部空間通過開口64與處理容器4內(nèi)的處理區(qū)域5連通。開口64形成為上下方向非常長的形狀，使得能夠沿著高度方向覆蓋被保持在晶舟12中的全部晶片W。氣體分散噴嘴38、40、42分別在比晶舟12上的最下層的晶片W更下的位置，朝著處理容器4的半徑方向外方彎曲。之后，氣體分散噴嘴38、40、42排列在噴嘴收容凹部60內(nèi)的最里面(距離處理容器4的中心最遠的部分)的位置，并且垂直豎立。氣體分散噴嘴38、40、42的氣體噴射孔38A、40A、42A被配置在晶舟12上的多個晶片W的各個之間，并且沿著水平方向以大致均勻的方式供給氣體，以形成與晶片W平行的氣流。從氣體分散噴嘴38、40、42的氣體噴射孔38A、40A、42A噴射的第三、第一以及第二處理氣體被噴向內(nèi)側(cè)，并通過開口64被供給晶舟12上的晶片W。在從氣體分散噴嘴38、40、42分別噴射具有N2氣體的非活性氣體的情況下，也以同樣方式被供給，從而形成與晶片W平行的氣流。另一方面，在與噴嘴收容凹部60相對的處理容器4的相反一側(cè)，為了對其內(nèi)部空氣進行真空排氣，配設有通過切削處理容器4的側(cè)壁而形成的細長形排氣口62。如圖l所示，排氣口62形成為上下方向很長的形狀，使得能夠沿著高度方向覆蓋保持在晶舟12中的全部晶片W。在排氣口62上，為了覆蓋其而采用焊接的方式安裝有由石英構(gòu)成的截面為左邊開口的半口字形狀(日文假名"二"字形)的排氣口蓋部件68。排氣蓋部件68沿著處理容器4的側(cè)壁向上方延伸，在處理容器4的上方形成有氣體出口70。氣體出口70與配設有真空泵等的真空排氣系統(tǒng)73連接。真空排氣系統(tǒng)73具有與氣體出口70聯(lián)結(jié)的排氣通路77,從其上游一側(cè)依次順序地配設有泵設備(開度調(diào)整用的閥)78、真空泵79等。以包圍處理容器4的方式配設有外殼71。在外殼71的內(nèi)面上配設有用來加熱處理容器4內(nèi)的氣體以及晶片W的加熱器72。作為加熱器72而使用無污染并且升降溫特性好的碳鋼絲等。在處理容器4內(nèi)的排氣口62的附近配設有用來控制加熱器72的熱電偶(圖中未示)。采用以上方式構(gòu)成的成膜裝置2的整體操作被例如由計算機等構(gòu)成的控制部74所控制。實施該操作的計算機程序被存儲在包括軟盤、CD(CompactDisc)、硬盤或者閃存盤等存儲介質(zhì)的存儲部76中。具體來講，根據(jù)從該控制部74發(fā)出的指令，開始/停止各個氣體的供給、控制氣體流量、處理溫度、處理壓力等。下面，對使用圖1所示的裝置所實施的成膜方法(所謂ALD或MLD成膜)進行說明。在該成膜方法中，利用ALD或者MLD在半導體晶片W上形成由SiCN(siliconcarbonnitride:氮碳化硅)構(gòu)成的絕緣膜。因此，有選擇地向收容晶片W并且被加熱器72加熱的處理區(qū)域5內(nèi)供給包括作為硅烷類氣體的二氯硅垸(DCS)氣體的第一處理氣體、包括作為氮化氣體的氨氣(NH3)的第二處理氣體以及包括作為烴氣體的C2H4(乙烯氣體)的第三處理氣體。具體來講，根據(jù)以下的操作進行成膜處理。首先，將固定著多個(例如50100個)尺寸為300mm的晶片W的常溫晶舟12裝載入被設定為規(guī)定溫度的處理容器4內(nèi)，并密閉處理容器4。接著，對處理容器4內(nèi)抽真空并將其保持為規(guī)定的處理壓力，同時，使晶片溫度上升并待機直至穩(wěn)定在成膜用的處理溫度。然后，一邊使晶舟12旋轉(zhuǎn)一邊分別控制流量，同時，從氣體分散噴嘴40、42、38間歇式或者連續(xù)地供給第一至第三處理氣體。艮P，包含DCS氣體的第一處理氣體、包含NH3氣體的第二處理氣體以及包含C2H4氣體的第三處理氣體分別從氣體分散噴嘴40、42、38的氣體噴射孔40A、42A、38A被供給，以形成與晶舟12上的多個晶片W平行的氣流。在此期間，DCS氣體、NH3氣體以及C2Ht氣體的分子、或者因其分解而產(chǎn)生的分解生成物的分子或者原子被吸附在晶片上。這些氣體的分子或者分解成分在晶片W上因加熱器72的加熱而相互反應，并在晶片W上形成SiCN膜的單位薄膜。多次重復形成這種單位薄膜的循環(huán)，并層積在每個循環(huán)中形成的單位薄膜，從而獲得最終厚度的SiCN膜。例如，在各個循環(huán)中，在第一以及第三處理氣體先于第二處理氣體被供給的情況下，首先，在晶片表面，DCS與C2EU發(fā)生反應并形成吸附在晶片W上的薄膜SiC。接著，如果供給第二處理氣體，則NH3與吸附在晶片W上的SiC膜發(fā)生反應并形成SiCN膜的單位薄膜。例如，在各個循環(huán)中，在第一以及第二處理氣體先于第三處理氣體而被供給的情況下，首先，在晶片表面，DCS與NH3發(fā)生反應并形成吸附在晶片W上的薄膜SiN。接著，如果供給第三處理氣體，則02114與吸附在晶片W上的SiN膜發(fā)生反應并形成SiCN膜的單位薄膜。以下，對本發(fā)明的實施方式所涉及的氣體供給的時間進行說明。此外，例如，如圖3A所示，在表示時間流程圖的所有附圖中，為了幫助理解，第一處理氣體表示為DCS，第二處理氣體表示為NH3，第三處理氣體表示為C2H4。另外，在這些圖中，符號80以及82分別表示第一處理氣體的供給工序與斷開工序。符號84以及86分別表示第二處理氣體的供給工序與斷開工序。符號88以及90分別表示第三處理氣體的供給工序與斷開工序。(第一實施方式)圖3A是本發(fā)明的第一實施方式所涉及的成膜方法中氣體供給的時間流程圖。如圖3A所示，在該實施方式所涉及的成膜方法中，交互地重復第一至第四期間T1T4。即，多次重復由第一至第四期間T1T4構(gòu)成的循環(huán)，通過層積在每個循環(huán)中所形成的SiCN的薄膜，從而獲得最終厚度的SiCN膜。具體來講，在第一期間T1，向處理區(qū)域5供給第一以及第三處理氣體，而斷開向處理區(qū)域5供給第二處理氣體。在第二期間T2，斷開向處理區(qū)域5供給第一、第二以及第三處理氣體。在第三期間T3，向處理區(qū)域5供給第二處理氣體，而斷開向處理區(qū)域5供給第一以及第三處理氣體。在第四期間T4，斷開向處理區(qū)域5供給第一、第二以及第三處理氣體。在本實施方式中，第一處理氣體供給工序80與第二處理氣體供給工序84以及第三處理氣體供給工序88的長度被設定為相同或者近似。第一以及第三處理氣體供給工序80、88同步(完全重疊)進行，第一以及第三處理氣體斷開工序82、90同步(完全重疊)進行。第二處理氣體供給工序84在第一以及第三處理氣體斷開工序82、卯的大致中央進行。第一以及第三處理氣體供給工序80、88在第二處理氣體斷開工序86的大致中央進行。第二以及第四期間T2、T4被作為用來排出殘留在處理容器4內(nèi)的氣體的吹掃工序P1、P2而使用。此處的吹掃是指，一邊注入N2氣體等非活性氣體一邊對處理容器4內(nèi)進行真空排氣，或者斷開所有的氣體供給然后對處理容器4內(nèi)進行真空排氣從而除去處理容器4內(nèi)的殘留氣體。另外，也可以第二以及第四期間T2、T4的前半程僅進行真空排氣，后半程同時進行真空排氣與供給非活性氣體。此外，在第一以及第三期間T1、T3，在供給第一至第三處理氣體時，能夠停止處理容器4內(nèi)的真空排氣。但是，在一邊對處理容器4內(nèi)進行真空排氣一邊進行第一至第三處理氣體的供給的情況下，能夠在第一至第四期間T1T4的整個期間，繼續(xù)進行處理容器4內(nèi)的真空排氣。例如，在圖3A中，分別設定第一期間T1約為4秒鐘，第二期間T2約為5秒鐘，第三期間T3約為6秒鐘，第四期間T4約為5秒鐘。另外，通常情況下，通過第一至第四期間T1T4一個循環(huán)而形成的膜厚為0.0480.13nm左右。因此，如果目標膜厚為70nm，那么，要重復該循環(huán)600次左右。但是，這些時間和厚度僅表示一個例子而已，并非局限于該數(shù)值。如上所述，在處理區(qū)域5外不等離子體化(即，不自由基化)第一以及第三處理氣體而是一同供給的期間Tl與在處理區(qū)域5外不等離子化(即，不自由基化)第二處理氣體而是單獨供給的期間T3，在斷開處理氣體的供給的期間T2、T4(吹掃工序P1、P2)前后交互式地實施。這樣，盡管在比原來的成膜溫度例如76(TC更低的溫度條件下進行成膜，但是，在所形成的SiCN膜中導入大量的碳素成分，從而能夠減少對在SiCN膜的表面清潔處理時或蝕刻處理時所使用的稀氟酸的蝕刻速率。于是，在清潔處理時防止膜被過度切削，從而能夠提高該膜厚的控制性。另外，該膜也能夠充分發(fā)揮作為蝕刻阻擋膜或者層間絕緣膜的功能。此外，如上所述，在供給處理氣體的期間T1、T3之間斷開處理氣體的供給的期間T2、T4并非僅僅作為吹掃期間Pl、P2，也用作對膜進行改性的期間。在該期間之前所成膜的SiCN膜的表面在該期間中被改性后，其膜質(zhì)將會提高。這樣，能夠進一步控制SiCN膜的蝕刻速率。該改性處理時的原子級的作用如下所述。S卩，在形成含有碳原子的SiCN膜時，在該薄膜的最表面，DCS氣體中的在堆積時無法脫離的C1原子在活性狀態(tài)下與之結(jié)合。在DCS氣體的供給被斷開的期間T2、T4，C2H4氣體和NH3氣體中的C原子或N原子與上述薄膜最表面的Cl原子發(fā)生置換，于是膜中的C1成分減少，結(jié)果導致蝕刻速率下降。特別是在使用C2H4氣體的情況下，由于膜中所獲取的C原子的量增加，因此，能夠進一步抑制蝕刻速率。上述成膜處理的處理條件如下所述。DCS氣體的流量在5005000sccm的范圍之內(nèi)，例如為1000sccm(lslm)。NH3氣體的流量在10010000sccm的范圍之內(nèi)，例如為1000sccm。C2H4氣體的流量在1005000sccm的范圍之內(nèi)，例如為500sccm。(:2114氣體的流量是DCS氣體流量的三倍以下。其原因在于，如果作為烴氣體的C2H4氣體的流量過多，那么，就會發(fā)生膜質(zhì)急劇下降這樣的問題。處理溫度是比通常的CVD處理更低的溫度，具體來講是在300700。C的范圍之內(nèi)，更為理想的是在550650。C的范圍之內(nèi)，例如為630°C。如果處理溫度低于300°C，那么，就不會發(fā)生反應，膜幾乎不會堆積。如果處理溫度高于700°C，那么，就會在形成膜質(zhì)差的CVD堆積膜的同時，對已經(jīng)形成的金屬膜等產(chǎn)生熱損傷。處理壓力是在13Pa(O.lTorr)1330Pa(10Torr)的范圍之內(nèi)，更為理想的是在40Pa(0.3Torr)266Pa(2Torr)的范圍之內(nèi)。例如，處理壓力在第一期間(吸附工序)Tl為1Torr，在第三期間(氮化工序)T3為10Torr。在處理壓力小于13Pa的情況下，成膜率變?yōu)閷嵱玫燃壱韵?。另一方面，如果處理壓力大?330Pa，那么，反應方式從吸附反應轉(zhuǎn)換為氣相反應，氣相反應變?yōu)橹髁?。其結(jié)果是，不僅膜的表面間以及表面內(nèi)的均勻性下降，氣相反應產(chǎn)生的顆粒激增，因此并不理想。圖3A所示的時間流程圖具有兩個吹掃工序P1、P2，但是也可以將其省略。圖3B是表示第一實施方式的變形例1的時間流程圖，此處，圖3A中的最初的吹掃工序P1被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3、T4所形成。g卩，在第一以及第三處理氣體供給工序80、88后不進行吹掃工序而是立即進行第二處理氣體供給工序84，然后進行吹掃工序P2。圖3C是表示第一實施方式的變形例2的時間流程圖，此處，圖3A中的兩個吹掃工序P1、P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3所形成。即，在第一以及第三處理氣體供給工序80、88后不進行吹掃工序而是立即進行第二處理氣體供給工序84，然后結(jié)束一個循環(huán)。另外，此處圖中并非表示，但是，作為第一實施方式的變形例3，也可以從圖3A中僅省略后面的吹掃工序P2。根據(jù)省略了這些吹掃工序的成膜方法，處理速度反而得以提高，從而能夠提高總處理能力。在上述SiCN膜成膜時，為了調(diào)整膜中的碳素含量，通過控制第三處理氣體供給工序88即C2H4的吸附時間和第二處理氣體供給工序84即氮化時間等的長短來進行。(SiCN膜的評估)作為實施例而使用第一實施方式所涉及的成膜方法，調(diào)整第二以及/或者第三處理氣體供給工序84以及/88的長度，然后形成碳素濃度(含量)不同的SiCN膜。作為比較例CE1，不用C2H4氣體形成SiN膜。作為比較例CE2而使用等離子體形成SiCN膜(US2007/167028A1的成膜方法)。利用稀氟酸DHF(200:1)對采用上述方式形成的膜進行蝕刻。圖4是表示通過實驗而獲得的SiCN膜中的碳濃度與蝕刻速率的關系的坐標圖。由圖4中可知，在比較例CE1(不含碳的SiN膜)中，蝕刻速率非常大為0.6nm/min。在比較例CE2(使用等離子體形成的SiCN膜)中，即便碳濃度很多也最多為3.5%左右，蝕刻速率相當大為0.35nm/min左右。與此相反，在第一實施方式所涉及的成膜方法中，通過調(diào)整條件能夠?qū)iCN膜中的碳濃度自由地調(diào)整至15.2%28.5%并且能夠大幅提高碳的含量。圖4表示作為使用第一實施方式所涉及的成膜方法而形成的SiCN膜的代表例子，碳濃度分別為15.2。/。的第一實施例PE1、26.2%的第二實施例PE2以及28.5%的第三實施例PE3的數(shù)據(jù)。第一、第二、第三實施例PE1、PE2、PE3的蝕刻速率為0.22nm/min0.1nm/min，與比較例CE1、CE2相比很小。(第二實施方式)圖5A是本發(fā)明的第二實施方式所涉及的成膜方法中的氣體供給的時間流程圖。如圖5A所示，在本實施方式所涉及的成膜方法中，第一處理氣體的供給(DCS的供給)按照與圖3A所示的第一實施方式相同的時間進行，第二處理氣體的供給(NH3的供給)與第三處理氣體的供給(C2H4的供給)與圖3A所示的方式相比，按照相互交替的時間來進行。具體來講，在第一期間T1，向處理區(qū)域5供給第一以及第二處理氣體(第一以及第二處理氣體供給工序80、84)，而斷開向處理區(qū)域5供給第三處理氣體。在第二期間T2，斷開向處理區(qū)域5供給第一、第二以及第三處理氣體(吹掃工序P1)。在第三期間T3，向處理區(qū)域5供給第三處理氣體(第三處理氣體供給工序88)，而斷開向處理區(qū)域5供給第一以及第二處理氣體。在第四期間T4，斷開向處理區(qū)域5供給第一、第二以及第三處理氣體(吹掃工序P2)。在本實施方式的情況下，也能發(fā)揮與第一實施方式同樣的作用效果，即，即使在較低的溫度下成膜，也能在所形成的SiCN膜中大量地導入碳成分。其結(jié)果是，能夠降低該SiCN膜的蝕刻速率，提高清潔處理時膜厚的控制性。另外，該SiCN膜也能充分發(fā)揮作為蝕刻阻擋膜或?qū)娱g絕緣膜等特定用途的絕緣膜的功能。圖5A所示的時間流程圖具有兩個吹掃工序P1、P2，但是也可以將其省略。圖5B是表示第二實施方式的變形例1的時間流程圖，此處，圖5A中的最初的吹掃工序Pl被省略。因此，一個循環(huán)由期間Tl、T3、T4所形成。S卩，在第一以及第二處理氣體供給工序80、84后不進行吹掃工序而是立即進行第三處理氣體供給工序88，然后進行吹掃工序P2。圖5C是表示第二實施方式的變形例2的時間流程圖，此處，圖5A中的兩個吹掃工序P1、P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3所形成。即，在第一以及第二處理氣體供給工序80、84后不進行吹掃工序而是立即進行第三處理氣體供給工序88，然后結(jié)束一個循環(huán)。另外，此處圖中并非表示，但是，作為第二實施方式的變形例3，也可以從圖5A中僅省略后面的吹掃工序P2。根據(jù)省略了這些吹掃工序的成膜方法，處理速度反而得以提高，從而能夠提高總處理能力。(實施方式3)圖6A是本發(fā)明的第三實施方式所涉及的成膜方法中氣體供給的時間流程圖。如圖6A所示，在該實施方式所涉及的成膜方法中，交互式地重復第一至第六期間T1T6。即，多次重復由第一至第六期間T1T6構(gòu)成的循環(huán)，通過層積在每個循環(huán)中所形成的SiCN的薄膜，從而獲得最終厚度的SiCN膜。具體來講，在第一期間T1，向處理區(qū)域5供給第一處理氣體(第一處理氣體供給工序80)而斷開向處理區(qū)域5供給第二以及第三處理氣體。在第二期間T2，斷開向處理區(qū)域5供給第一、第二以及第三處理氣體(吹掃工序P1)。在第三期間T3，向處理區(qū)域5供給第三處理氣體(第三處理氣體供給工序88)而斷開向處理區(qū)域5供給第一以及第二處理氣體。在第四期間T4，斷開向處理區(qū)域5供給第一、第二以及第三處理氣體(吹掃工序P2)。在第五期間T5，向處理區(qū)域5供給第二處理氣體(第二處理氣體供給工序84)而斷開向處理區(qū)域5供給第一以及第三處理氣體。在第六期間T6，斷開向處理區(qū)域5供給第一、第二以及第三處理氣體(吹掃工序P3)。例如，第一至第四期間T1T4的長度可以設定為第一實施方式中所述的長度。另外，可以將第五期間T5設定為6秒鐘，第六期間T6設定為5秒鐘。在本實施方式的情況下，也能發(fā)揮與第一實施方式同樣的作用效果，即，即使在較低的溫度下成膜，也能在所形成的SiCN膜中大量地導入碳成分。圖6A所示的時間流程圖具有三個吹掃工序PKP2、P3，但是也可以將其省略。圖6B是表示第三實施方式的變形例1的時間流程圖，此處，圖6A中的第二個吹掃工序P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間Tl、T2、T3、T5、T6所形成。S卩，在進行第三處理氣體供給工序88后不進行吹掃工序而是立即進行第二處理氣體供給工序84。圖6C是表示第三實施方式的變形例2的時間流程圖，此處，第一和第二兩個吹掃工序P1、P2從圖6A中被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3、T5、T6所形成。圖6D所示的時間流程圖是表示第三實施方式的變形例3的時間流程圖，此處，第一第三的三個吹掃工序P1P3從圖6A中被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3、T5所形成。(第四實施方式)圖7A是本發(fā)明的第四實施方式所涉及的成膜方法中氣體供給的時間流程圖。如圖7A所示，該實施方式所涉及的成膜方法除了不僅在第五期間T5也在第一期間Tl進行第二處理氣體的供給(NH3的供給)這一點之外，其余均與圖6A所示的第三實施方式相同。即，此處，在一個循環(huán)中進行兩次(多次)第二處理氣體供給工序84。此外，也可以增加該次數(shù)。在本實施方式的情況下，也能發(fā)揮與第一實施方式同樣的作用效果，即，即使在較低的溫度下成膜，也能在所形成的SiCN膜中大量地導入碳成分。圖7A所示的時間流程圖具有三個吹掃工序P1、P2、P3，但是也可以將其省略。圖7B是表示第四實施方式的變形例1的時間流程圖，此處，圖7A中的第二個吹掃工序P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間Tl、T2、T3、T5、T6所形成。即，在進行第三處理氣體供給工序88后不進行吹掃工序而是立即進行第二處理氣體供給工序84。圖7C是表示第四實施方式的變形例2的時間流程圖，此處，第一和第二兩個吹掃工序P1、P2從圖7A中被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3、T5、T6所形成。圖7D所示的時間流程圖是表示第四實施方式的變形例3的時間流程圖，此處，第一第三的三個吹掃工序P1P3從圖7A中被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3、T5所形成。(第五實施方式)圖8A是本發(fā)明的第五實施方式所涉及的成膜方法中氣體供給的時間流程圖。如圖8A所示，該實施方式所涉及的成膜方法除了不僅在第三期間T3也在第一期間Tl進行第三處理氣體的供給(C2H4的供給)這一點之外，其余均與圖6A所示的第三實施方式相同。g卩，此處，在一個循環(huán)中進行兩次(多次)第三處理氣體供給工序88。此外，也可以增加該次數(shù)。在本實施方式的情況下，也能發(fā)揮與第一實施方式同樣的作用效果，S卩，即使在較低的溫度下成膜，也能在所形成的SiCN膜中大量地導入碳成分。圖8A所示的時間流程圖具有三個吹掃工序P1、P2、P3，但是也可以將其省略。圖8B是表示第五實施方式的變形例1的時間流程圖，此處，圖8A中的第二個吹掃工序P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間Tl、T2、T3、T5、T6所形成。S卩，在進行第三處理氣體供給工序88后不進行吹掃工序而是立即進行第二處理氣體供給工序84。圖8C是表示第五實施方式的變形例2的時間流程圖，此處，第一和第二兩個吹掃工序P1、P2從圖8A中被省略。因此，一個循環(huán)由期間Tl、T3、T5、T6所形成。在這種情況下，兩個第三處理氣體供給工序88變?yōu)檫B續(xù)的狀態(tài)，與第一處理氣體供給工序80相比變長。圖8D所示的時間流程圖是表示第五實施方式的變形例3的時間流程圖，此處，第一第三的三個吹掃工序P1P3從圖8A中被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3、T5所形成。(第六實施方式)圖9A是本發(fā)明的第六實施方式所涉及的成膜方法中氣體供給的時間流程圖。如圖9A所示，該實施方式所涉及的成膜方法除了不僅在第五期間T5也在第一期間Tl進行第二處理氣體的供給(NH3的供給)這一點、以及不僅在第三期間T3也在第一期間Tl進行第三處理氣體的供給(C2H4的供給)這一點之外，其余均與圖6A所示的第三實施方式相同。即，此處，在一個循環(huán)中分別進行兩次(多次)第二處理氣體供給工序84以及第三處理氣體供給工序88。此外，也可以增加該次數(shù)。在本實施方式的情況下，也能發(fā)揮與第一實施方式同樣的作用效果，即，即使在較低的溫度下成膜，也能在所形成的SiCN膜中大量地導入碳成分。圖9A所示的時間流程圖具有三個吹掃工序P1、P2、P3，但是也可以將其省略。圖9B是表示第六實施方式的變形例1的時間流程圖，此處，圖9A中的第二個吹掃工序P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間Tl、T2、T3、T5、T6所形成。即，在進行第三處理氣體供給工序88后不進行吹掃工序而是立即進行第二處理氣體供給工序84。圖9C是表示第六實施方式的變形例2的時間流程圖，此處，第一和第二兩個吹掃工序P1、P2從圖9A中被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3、T5、T6所形成。圖9D所示的時間流程圖是表示第六實施方式的變形例3的時間流程圖，此處，第一第三的三個吹掃工序P1P3從圖9A中被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3、T5所形成。(第七實施方式)圖10A是本發(fā)明的第七實施方式所涉及的成膜方法中氣體供給的時間流程圖。如圖10A所示，該實施方式所涉及的成膜方法除了不僅在第三期間T3也在第一期間Tl進行第二處理氣體的供給(NH3的供給)這一點、以及不僅在第一期間Tl也在第三期間T3進行第三處理氣體的供給(C2H4的供給)這一點之外，其余均與圖3A所示的第一實施方式相同。即，此處，在一個循環(huán)中分別進行兩次(多次)第二處理氣體供給工序84以及第三處理氣體供給工序88。此外，也可以增加該次數(shù)。在本實施方式的情況下，也能發(fā)揮與第一實施方式同樣的作用效果，即，即使在較低的溫度下成膜，也能在所形成的SiCN膜中大量地導入碳成分。圖10A所示的時間流程圖具有兩個吹掃工序P1、P2，但是也可以將其省略。圖IOB是表示第七實施方式的變形例1的時間流程圖，此處，圖10A中的最初的吹掃工序P1被省略。因此，一個循環(huán)由期間Tl、T3、T4所形成。g卩，在同時進行第一、第二以及第三處理氣體供給工序80、84、88后不進行吹掃工序而是立即同時進行第二以及第三處理氣體供給工序84、88，然后進行吹掃工序P2。圖10C是表示第七實施方式的變形例2的時間流程圖，此處，圖10A中的兩個吹掃工序Pl、P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間Tl、T3所形成。S卩，交互式重復供給與斷開第一處理氣體(DCS)，而連續(xù)供給第二處理氣體(NH3)以及第三處理氣體(C2H4)。另外，此處圖中并非表示，但是，作為第七實施方式的變形例3，也可以僅從圖10A中省略后面的吹掃工序P2。(第八實施方式)圖11A是本發(fā)明的第八實施方式所涉及的成膜方法中氣體供給的時間流程圖。如圖IIA所示，該實施方式所涉及的成膜方法除了不僅在第一期間Tl也在第三期間T3進行第二處理氣體的供給(NEb的供給)這一點之外，其余均與圖5A所示的第二實施方式相同。g卩，此處，在一個循環(huán)中進行兩次(多次)第二處理氣體供給工序84。此外，也可以增加該次數(shù)。在本實施方式的情況下，也能發(fā)揮與第一實施方式同樣的作用效果，即，即使在較低的溫度下成膜，也能在所形成的SiCN膜中大量地導入碳成分。圖11A所示的時間流程圖具有兩個吹掃工序P1、P2，但是也可以將其省略。圖IIB是表示第八實施方式的變形例1的時間流程圖，此處，圖11A中的最初的吹掃工序P1被省略。因此，一個循環(huán)由期間Tl、T3、T4所形成。g卩，在同時進行第一以及第二處理氣體供給工序80、84后不進行吹掃工序而是立即同時進行第二以及第三處理氣體供給工序84、88，然后進行吹掃工序P2。圖11C是表示第八實施方式的變形例2的時間流程圖，此處，圖11A中的兩個吹掃工序Pl、P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間Tl、T3所形成。即，交互式地重復供給與斷開第一處理氣體(DCS)以及第三處理氣體(C2H4)，而連續(xù)供給第二處理氣體(NH3)。另外，此處圖中并非表示，但是，作為第八實施方式的變形例3，也可以僅從圖11A中省略后面的吹掃工序P2。(第九實施方式)圖12A是本發(fā)明的第九實施方式所涉及的成膜方法中氣體供給的時間流程圖。如圖12A所示，該實施方式所涉及的成膜方法除了取代在第一期間Tl而是在第三期間T3進行第三處理氣體的供給(C2H4的供給)這一點之外，其余均與圖3A所示的第一實施方式相同。在本實施方式的情況下，也能發(fā)揮與第一實施方式同樣的作用效果，即，即使在較低的溫度下成膜，也能在所形成的SiCN膜中大量地導入碳成分。圖12A所示的時間流程圖具有兩個吹掃工序P1、P2，但是也可以將其省略。圖12B是表示第九實施方式的變形例1的時間流程圖，此處，圖12A中的最初的吹掃工序Pl被省略。因此，一個循環(huán)由期間Tl、T3、T4所形成。g卩，在進行第一處理氣體供給工序80后不進行吹掃工序而是立即同時進行第二以及第三處理氣體供給工序84、88，然后進行吹掃工序P2。圖12C是表示第九實施方式的變形例2的時間流程圖，此處，圖12A中的兩個吹掃工序Pl、P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間Tl、T3所形成。g卩，在第一處理氣體供給工序80后不進行吹掃工序而是立即同時進行第二以及第三處理氣體供給工序84、88，然后結(jié)束一個循環(huán)。另外，此處圖中并非表示，但是，作為第九實施方式的變形例3，也可以僅從圖12A中省略后面的吹掃工序P2。(第十實施方式)圖13A是本發(fā)明的第十實施方式所涉及的成膜方法中氣體供給的時間流程圖。如圖13A所示，該實施方式所涉及的成膜方法除了不僅在第一期間Tl也在第三期間T3進行第三處理氣體的供給(C2H4的供給)這一點之外，其余均與圖3A所示的第一實施方式相同。g卩，此處，在一個循環(huán)中進行兩次(多次)第三處理氣體供給工序88。此外，也可以再次增加該次數(shù)。在本實施方式的情況下，也能發(fā)揮與第一實施方式同樣的作用效果，即，即使較低的溫度下成膜，也能在所形成的SiCN膜中大量地導入碳成分。圖13A所示的時間流程圖具有兩個吹掃工序P1、P2，但是也可以將其省略。圖13B是表示第十實施方式的變形例1的時間流程圖，此處，圖13A中的最初的吹掃工序P1被省略。因此，一個循環(huán)由期間Tl、T3、T4所形成。g卩，在進行第一以及第三處理氣體供給工序80、88后不進行吹掃工序而是立即同時進行第二以及第三處理氣體供給工序84、88，然后進行吹掃工序P2。圖13C是表示第十實施方式的變形例2的時間流程圖，此處，圖13A中的兩個吹掃工序Pl、P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間Tl、T3所形成。g卩，交互式地重復供給與斷開第一處理氣體(DCS)以及第二處理氣體(NH3)，而連續(xù)供給第三處理氣體(C2H4)。另外，此處圖中并非表示，但是，作為第十實施方式的變形例3，也可以僅從圖13A中省略后面的吹掃工序P2。(成膜裝置的變形例)圖14是表示成膜裝置的變形例的各個氣體供給系統(tǒng)一部分的部分結(jié)構(gòu)圖。如圖14所示，在第三處理氣體供給系統(tǒng)28的氣體通路48中，在流量控制器48、開關閥48A的下游一側(cè)，分別依次配設有一定容量的儲存罐48C以及第二開關閥48D。在第一處理氣體供給系統(tǒng)30的氣體通路50中，在流量控制器50B、開關閥50A的下游一側(cè)，分別依次配設有一定容量的儲存罐50C以及第二開關閥50D。各個儲存罐48C、50C的容量例如為2005000毫升左右。根據(jù)這種構(gòu)造，在斷開向處理容器5供給各個處理氣體的期間，分別將與接著供給處理區(qū)域5的供給量對應的處理氣體儲存在儲存罐48C、50C中，在下一個供給工序時，能夠?qū)Υ婀?8C、50C內(nèi)的氣體全部供給處理區(qū)域5。這樣，能夠在短時間內(nèi)向處理區(qū)域5供給大量的處理氣體從而縮短吸附時間。此時，切換開始以及停止向處理區(qū)域5供給氣體通過開關第二開關閥48D、50D來進行，切換開始以及停止向儲存罐48C、50C中儲存氣體是通過上游一側(cè)的開關閥48A、50A來進行。第二開關閥48D、50D的開關被控制部74(參照圖l)所控制。設在上游一側(cè)的開關閥48A、50A可以為始終打開狀態(tài)，也可以僅在向儲存罐48C、50C中儲存氣體時為打開狀態(tài)。此外，此處，在第三處理氣體供給系統(tǒng)28的氣體通路48與第一處理氣體供給系統(tǒng)30的氣體通路50上均分別設有儲存罐48C、50C以及開關閥48D、50D，但是，也可以僅在其中一個的氣體通路中配設。是否添加各個儲存罐48C、50C可以根據(jù)各個處理氣體的供給情況來決定。在儲存罐48C、50C中的任意一個未被配設的情況下，在以下的實施方式所涉及的成膜方法中，對應的處理氣體儲存工序就不會運行。(第十一實施方式)圖15A是本發(fā)明的第十一實施方式所涉及的成膜方法中氣體供給的時間流程圖。與圖3A所示的第一實施方式同樣，在該實施方式所涉及的成膜方法中，交互式地重復第一至第四期間T1T4。S卩，多次重復由第一至第四期間T1T4構(gòu)成的循環(huán)，通過層積在每個循環(huán)中所形成的SiCN的薄膜，從而獲得最終厚度的SiCN膜。具體來講，在第一期間T1，向處理區(qū)域5供給第一以及第三處理氣體(DCS、C2H4)(第一以及第三處理氣體供給工序80、88)而斷開向處理區(qū)域5供給第二處理氣體(NH3)。在第二期間T2，斷開向處理區(qū)域5供給第一、第二以及第三處理氣體(吹掃工序P1)。在第三期間T3，向處理區(qū)域5供給第二處理氣體(第二處理氣體供給工序84)而斷開向處理區(qū)域5供給第一以及第二處理氣體。在第四期間T4，斷開向處理區(qū)域5供給第一、第二以及第三處理氣體(吹掃工序P2)。此外，在斷開向處理區(qū)域5供給第一處理氣體的第一處理氣體斷開工序82中，實施將第一處理氣體儲存在儲存罐50C中的第一處理氣體儲存工序94。此外，在斷開向處理區(qū)域5供給第三處理氣體的第三處理氣體斷開工序90中，實施將第三處理氣體儲存在儲存罐48C中的第三處理氣體儲存工序96。在圖15A所示的時間流程圖中，在第三期間T3實施第一以及第三處理氣體儲存工序94、96，但是，只要這些工序94、96分別在第一以及第三處理氣體斷開工序82、90中，則可在任何地方實施。g卩，可以使第一以及第三處理氣體儲存工序94、96分別位于第二第四期間T2T4的任何一處，其長度并沒有特別的限制。另外，在進行一個循環(huán)時，最好預先將各個氣體儲存于儲存罐48C、50C內(nèi)。這幾點在以下的第十二實施方式第二十實施方式中也同樣。如上所述，在斷開向處理區(qū)域5供給第一以及第三處理氣體的期間，分別將與接著供給處理區(qū)域5的供給量對應的各個處理氣體存儲在儲存罐50C、48C中，在下一個供給工序時，能夠?qū)Υ婀?0C、48C內(nèi)的氣體全部供給處理區(qū)域5。這樣，能夠在短時間內(nèi)向處理區(qū)域5供給大量的處理氣體，從而縮短吸附時間(期間Tl的長度)。此外，當向處理區(qū)域5供給第一以及第三處理氣體時，也可以減少排氣一側(cè)的壓力調(diào)整閥(圖1的閥單元78)的閥開度，增加處理容器4內(nèi)的氣體量。圖15B是表示第十一實施方式的變形例1的時間流程圖，此處，圖15A中的最初的吹掃工序P1被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3、T4所形成。第一以及第三處理氣體儲存工序94、96在第四期間T4進行。圖15C是表示第十一實施方式的變形例2的時間流程圖，此處，圖15A中的兩個吹掃工序P1、P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3所形成。第一以及第三處理氣體儲存工序94、96在第三期間T3進行。(第十二實施方式)圖16A是本發(fā)明的第十二實施方式所涉及的成膜方法中氣體供給的時間流程圖。如圖16A所示，在該實施方式所涉及的成膜方法中，第一處理氣體的供給(DCS的供給)按照與圖15A所示的第十一實施方式相同的時間進行，與圖15A所示的情況相比，第二處理氣體的供給(NH3的供給)與第三處理氣體的供給(C2H4的供給)按照相互交替的時間進行。另外，不進行第一處理氣體儲存工序94，第三處理氣體儲存工序96在第二期間T2進行。圖16B是表示第十二實施方式的變形例1的時間流程圖，此處，圖16A中的最初的吹掃工序P1被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3、T4所形成。第三處理氣體儲存工序96在第一期間T1進行。圖16C是表示第十二實施方式的變形例2的時間流程圖，此處，圖16A中的兩個吹掃工序P1、P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3所形成。第三處理氣體儲存工序96在第一期間Tl進行。在該實施方式的情況下，也能發(fā)揮與第十一實施方式同樣的作用效果。另外，在該實施方式的情況下，如在第十一實施方式中所說明的那樣，也能使用第一處理氣體儲存工序94。(第十三實施方式)圖17A是本發(fā)明的第十三實施方式所涉及的成膜方法中氣體供給的時間流程圖。如圖17A所示，在該實施方式所涉及的成膜方法中，與圖6A所示的第三實施方式同樣，交互式地重復第一至第六期間T1T6。即，多次重復由第一至第六期間T1T6構(gòu)成的循環(huán)，通過層積在每個循環(huán)中所形成的SiCN的薄膜，從而獲得最終厚度的SiCN膜。具體來講，在第一期間T1，向處理區(qū)域5供給第一處理氣體(第一處理氣體供給工序80)而斷開向處理區(qū)域5供給第二以及第三處理氣體。在第二期間T2，斷開向處理區(qū)域5供給第一、第二以及第三處理氣體(吹掃工序P1)。在第三期間T3，向處理區(qū)域5供給第三處理氣體(第三處理氣體供給工序88)而斷開向處理區(qū)域5供給第一以及第二處理氣體。在第四期間T4，斷開向處理區(qū)域5供給第一、第二以及第三處理氣體(吹掃工序P2)。在第五期間T5，向處理區(qū)域5供給第二處理氣體(第二處理氣體供給工序84)而斷開向處理區(qū)域5供給第一以及第三處理氣體。在第六期間T6，斷開向處理區(qū)域5供給第一、第二以及第三處理氣體(吹掃工序P3)。此外，在斷開向處理區(qū)域5供給第一處理氣體的第一處理氣體斷開工序82中，實施將第一處理氣體儲存在儲存罐50C中的第一處理氣體儲存工序94。在斷開向處理區(qū)域5供給第三處理氣體的第三處理氣體斷開工序90中，實施將第三處理氣體儲存在儲存罐48C中的第三處理氣體儲存工序96。在圖17A所示的時間流程圖中，在第四期間T4實施第一以及第三處理氣體儲存工序94、96，但是，只要這些工序94、96分別在第一以及第三處理氣體斷開工序82、90中，則可在任何地方實施。即，可以使第一以及第三處理氣體儲存工序94、96分別位于第二第六期間T2T6的任何一處，其長度并沒有特別的限制。圖17B是表示第十三實施方式的變形例1的時間流程圖，此處，圖17A中的第二個吹掃工序P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T2、T3、T5、T6所形成。第一以及第三處理氣體儲存工序94、96在第五期間T5進行。圖17C是表示第十三實施方式的變形例2的時間流程圖，此處，圖17A中的第一和第二兩個吹掃工序P1、P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3、T5、T6所形成。第一以及第三處理氣體儲存工序94、96在第六期間T6進行。圖17D是表示第十三實施方式的變形例3的時間流程圖，此處，圖17A中的第一第三的三個吹掃工序P1P3被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3、T5所形成。第一以及第三處理氣體儲存工序94、96在第五期間T5進行。在該實施方式的情況下，也能發(fā)揮與第十一實施方式同樣的作用效果。(第十四實施方式)圖18A是本發(fā)明的第十四實施方式所涉及的成膜方法中氣體供給的時間流程圖。如圖18A所示，該實施方式所涉及的成膜方法除了不僅在第五期間T5也在第一期間Tl進行第二處理氣體的供給(NH3的供給)這一點、以及不實施第一處理氣體儲存工序94、在第二期間T2實施第三處理氣體儲存工序96這一點之外，其余均與圖17A所示的第十三實施方式相同。圖18B是表示第十四實施方式的變形例1的時間流程圖，此處，圖18A中的第二個吹掃工序P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T2、T3、T5、T6所形成。第三處理氣體儲存工序96在第二期間T2進行。圖18C是表示第十四實施方式的變形例2的時間流程圖，此處，圖18A中的第一和第二兩個吹掃工序P1、P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3、T5、T6所形成。第三處理氣體儲存工序96在第一期間T1進行。圖18D所示的時間流程圖是表示第十四實施方式的變形例3的時間流程圖，此處，圖18A中的第一第三的三個吹掃工序P1P3被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3、T5所形成。第三處理氣體儲存工序96在第一期間T1進行。在該實施方式的情況下，也能發(fā)揮與第十一實施方式同樣的作用效果。另外，在該實施方式的情況下，如在第十一實施方式中所說明的那樣，也能使用第一處理氣體儲存工序94。(第十五實施方式)圖19A是本發(fā)明的第十五實施方式所涉及的成膜方法中氣體供給的時間流程圖。如圖19A所示，本實施方式所涉及的成膜方法除了不僅在第三期間T3也在第一期間Tl進行第三處理氣體供給(C2H4的供給)這一點、以及第一處理氣體儲存工序94在第五期間T5實施，第三處理氣體儲存工序96在第二以及第五期間T2、T5實施這一點之外，其余均與圖17A所示的第十三實施方式相同。此外，在第二期間T2，配備在其后的第三處理氣體供給工序88中，必須實施第三處理氣體儲存工序96。圖19B是表示第十五實施方式的變形例1的時間流程圖，此處，圖19A中的第二個吹掃工序P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T2、T3、T5、T6所形成。第一處理氣體儲存工序94在第五期間T5實施，第三處理氣體儲存工序96在第二以及第五期間T2、T5實施。圖19C是表示第十五實施方式的變形例2的時間流程圖，此處，圖19A中的第一和第二兩個吹掃工序P1、P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3、T5、T6所形成。第一以及第三處理氣體儲存工序94、96僅在第五期間T5實施。圖19D所示的時間流程圖是表示第十五實施方式的變形例3的時間流程圖，此處，圖19A中的第一第三的三個吹掃工序P1P3被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3、T5所形成。第一以及第三處理氣體儲存工序94、96僅在第五期間T5實施。在該實施方式的情況下，也能發(fā)揮與第十一實施方式同樣的作用效果。(第十六實施方式)圖20A是本發(fā)明的第十六實施方式所涉及的成膜方法中氣體供給的時間流程圖。如圖20A所示，本實施方式所涉及的成膜方法除了不僅在第五期間T5也在第一期間Tl進行第二處理氣體供給(NH3的供給)這一點、不僅在第三期間T3也在第一期間Tl進行第三處理氣體的供給(C2H4的供給)這一點、以及不實施第一處理氣體儲存工序94，第三處理氣體儲存工序96在第二以及第五期間T2、T5實施這一點之外，其余均與圖17A所示的第十三實施方式相同。此外，在第二期間T2，配備在其后的第三處理氣體供給工序88中，必須實施第三處理氣體儲存工序96。圖20B是表示第十六實施方式的變形例1的時間流程圖，此處，圖20A中的第二個吹掃工序P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T2、T3、T5、T6所形成。第三處理氣體儲存工序96在第二以及第六期間T2、T6實施。圖20C是表示第十六實施方式的變形例2的時間流程圖，此處，圖20A中的第一和第二兩個吹掃工序P1、P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3、T5、T6所形成。第三處理氣體儲存工序96在第五以及第六期間T5、T6實施。圖20D所示的時間流程圖是表示第十六實施方式的變形例3的時間流程圖，此處，圖20A中的第一第三的三個吹掃工序P1P3被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3、T5所形成。第三處理氣體儲存工序96僅在第五期間T5實施。在該實施方式的情況下，也能發(fā)揮與第十一實施方式同樣的作用效果。另外，在該實施方式的情況下，如在第十一實施方式中所說明的那樣，也能使用第一處理氣體儲存工序94。(第十七實施方式)圖21A是本發(fā)明的第十七實施方式所涉及的成膜方法中氣體供給的時間流程圖。如圖21A所示，本實施方式所涉及的成膜方法除了不僅在第三期間T3也在第一期間Tl進行第二處理氣體供給(NH3的供給)這一點、不僅在第一期間Tl也在第三期間T3進行第三處理氣體的供給(C2H4的供給)這一點、以及在第四期間T4實施第一處理氣體儲存工序94而在第二以及第四期間T2、T4實施第三處理氣體儲存工序96這一點之外，其余均與圖15A所示的第十一實施方式相同。此外，在第二期間T2，在其后的第三處理氣體供給工序88中，必須實施第三處理氣體儲存工序96。圖21B是表示第十七實施方式的變形例1的時間流程圖，此處，圖21A中的最初的吹掃工序P1被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3、T4所形成。第一以及第三處理氣體儲存工序94、96僅在第四期間T4實施。圖21C是表示第十七實施方式的變形例2的時間流程圖，此處，圖21A中的兩個吹掃工序P1、P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3所形成。即，交互式地重復供給與斷開第一處理氣體(DCS),而連續(xù)供給第二處理氣體(NH3)以及第三處理氣體(C2H4)。因此，在第三期間T3僅實施第一處理氣體儲存工序94。在該實施方式的情況下，也能發(fā)揮與第十一實施方式同樣的作用效果。(第十八實施方式)圖22A是本發(fā)明的第十八實施方式所涉及的成膜方法中氣體供給的時間流程圖。如圖22A所示，本實施方式所涉及的成膜方法除了不僅在第一期間Tl也在第三期間T3進行第二處理氣體供給(NH3的供給)這一點之外，其余均與圖16A所示的第十二實施方式相同。不實施第一處理氣體儲存工序94，第三處理氣體儲存工序96在第二期間T2實施。圖22B是表示第十八實施方式的變形例1的時間流程圖，此處，圖22A中的最初的吹掃工序Pl被省略。因此，一個循環(huán)由期間Tl、T3、T4所形成。第三處理氣體儲存工序96在第一期間T1實施。圖22C是表示第十八實施方式的變形例2的時間流程圖，此處，圖22A中的兩個吹掃工序P1、P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3所形成。第三處理氣體儲存工序96在第一期間Tl實施。在該實施方式的情況下，也能發(fā)揮與第十一實施方式同樣的作用效果。另外，在該實施方式的情況下，如在第十一實施方式中所說明的那樣，也能使用第一處理氣體儲存工序94。(第十九實施方式)圖23A是本發(fā)明的第十九實施方式所涉及的成膜方法中氣體供給的時間流程圖。如圖23A所示，本實施方式所涉及的成膜方法除了取代第一期間Tl而在第三期間T3進行第三處理氣體的供給(C2H4的供給)這一點、以及不實施第一處理氣體儲存工序94，第三處理氣體儲存工序96在第二期間T2實施這一點之外，其余均與圖15A所示的第十一實施方式相同。圖23B是表示第十九實施方式的變形例1的時間流程圖，此處，圖23A中的最初的吹掃工序P1被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3、T4所形成。第三處理氣體儲存工序96在第一期間T1實施。圖23C是表示第十九實施方式的變形例2的時間流程圖，此處，圖23A中的兩個吹掃工序P1、P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3所形成。第三處理氣體儲存工序96在第一期間Tl實施。在該實施方式的情況下，也能發(fā)揮與第十一實施方式同樣的作用效果。另外，在該實施方式的情況下，如在第十一實施方式中所說明的那樣，也能使用第一處理氣體儲存工序94。(第二十實施方式)35圖24A是本發(fā)明的第二十實施方式所涉及的成膜方法中氣體供給的時間流程圖。如圖24A所示，本實施方式所涉及的成膜方法除了不僅在第一期間Tl也在第三期間T3進行第三處理氣體的供給(CzH4的供給)這一點以及在第四期間T4實施第一處理氣體儲存工序94而在第二以及第四期間T2、T4實施第三處理氣體儲存工序96這一點之外，其余均與圖15A所示的第十一實施方式相同。此外，在第二期間T2，在其后的第三處理氣體供給工序88中，必須實施第三處理氣體儲存工序96。圖24B是表示第二十實施方式的變形例1的時間流程圖，此處，圖24A中的最初的吹掃工序Pl被省略。因此，一個循環(huán)由期間Tl、T3、T4所形成。第一以及第三處理氣體儲存工序94、96僅在第四期間T4實施。圖24C是表示第二十實施方式的變形例2的時間流程圖，此處，圖24A中的兩個吹掃工序P1、P2被省略。因此，一個循環(huán)由期間T1、T3所形成。S卩，交互式地重復供給與斷開第一處理氣體(DCS)以及第二處理氣體(NH3)，而連續(xù)供給第三處理氣體(C2H4)。因此，在第三期間T3僅實施第一處理氣體儲存工序94。在該實施方式的情況下，也能發(fā)揮與第十一實施方式同樣的作用效果。(第一至第二十實施方式中的共通事項)此外，在以上的各個實施方式中，以形成SiCN膜的情況為例進行了說明，但也可以在其中導入B(硼)等雜質(zhì)。另外，在以上的各個實施方式中，作為最先供給第一處理氣體(DCS)的循環(huán)，但并非局限于此，也可以最先供給第二處理氣體(NH3)或者第三處理氣體(C2H4)。在圖1以及圖2所示的裝置中，為了收容噴嘴38、40、42，噴嘴收容凹部60被配設在處理容器4的側(cè)壁。但是，在處理容器4的內(nèi)壁和晶片周邊部之間具有收容噴嘴的充足空間的情況下，也可以不設置上述噴嘴收容凹部60。圖1以及圖2所示的裝置是單管式的成膜裝置，但是也可以使用以同芯形狀配置內(nèi)管和外管而形成的雙重管式的成膜裝置。處理容器內(nèi)的氣流并非局限于橫向，例如，本發(fā)明也可以應用于具有從立式處理容器的上下一端導入氣體然后從另一端排出這種氣流的處理容器的成膜裝置。此外，圖1以及圖2所示的裝置是一次能夠處理多個晶片的批量式成膜裝置，但是，本發(fā)明也可以應用于一個一個地處理晶片的單片式成膜裝置。在上述實施方式中，作為第一處理氣體中的硅垸類氣體舉DCS氣體為例。關于這一點，作為硅垸類氣體，可以使用選自二氯硅垸(DCS)、六氯乙硅垸(HCD)、甲硅烷(SiH4)、乙硅垸(Si2H6)、六甲基二硅氮烷(HMDS)、四氯硅烷(TCS)、二甲硅烷基胺(DSA)、三甲硅烷基胺(TSA)、雙叔丁基氨基硅烷(bis-tertiary-butylaminosilane(BTBAS))、二異丙基氨基硅烷(diisopropylaminosilane(DIPAS))中的一種以上的氣體。在上述實施方式中，作為第二處理氣體中的氮化氣體舉NH3氣體為例。關于這一點，作為氮化氣體可以使用選自氨氣(NH3)、氮氣(N2)、一氧化二氮(N20)、一氧化氮(NO)中的一種以上的氣體。在上述實施方式中，作為第三處理氣體中的烴氣體舉乙烯氣體為例。關于這一點，作為烴氣體可以使用選自乙炔、乙烯、甲烷、乙烷、丙烷、丁烷中的一種或者兩種以上的氣體。作為被處理基板并非局限于半導體晶片，也可以是LCD基板、玻璃基板等其它的基板。權利要求1.一種SiCN膜形成方法，其特征在于該方法是在能夠有選擇地供給包括硅烷類氣體的第一處理氣體、包括氮化氣體的第二處理氣體以及包括烴氣體的第三處理氣體的處理區(qū)域內(nèi)，通過多次重復以下循環(huán)并層積在所述每個循環(huán)中所形成的薄膜，從而在被處理基板上形成具有規(guī)定厚度的SiCN膜的方法，此處，所述各個循環(huán)包括向所述處理區(qū)域供給所述第一處理氣體的第一工序；向所述處理區(qū)域供給所述第二處理氣體的第二工序；向所述處理區(qū)域供給所述第三處理氣體的第三工序；以及斷開向所述處理區(qū)域供給所述第一處理氣體的第四工序，在所述處理區(qū)域外不對第一、第二以及第三處理氣體進行等離子體化而將其供給所述處理區(qū)域，并且在整個所述第一、第二、第三以及第四工序中，將所述處理區(qū)域加熱至所述硅烷類氣體與所述氮化氣體以及所述烴氣體相互反應的第一溫度。2.如權利要求1所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述各個循環(huán)還包括斷開向所述處理區(qū)域供給所述第二處理氣體的第五工序。3.如權利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述各個循環(huán)還包括斷開向所述處理區(qū)域供給所述第三理氣體的第六工序。4.如權利要求2所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述第二工序包括被所述第五工序分割而成的兩個部分。5.如權利要求3所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述第三工序包括被所述第六工序分割而成的兩個部分。6.如權利要求2所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述第二工序比所述第一工序長。7.如權利要求3所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述第三工序比所述第一工序長。8.如權利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述各個循環(huán)不包括斷開向所述處理區(qū)域供給所述第二處理氣體的工序。9.如權利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述各個循環(huán)不包括斷開向所述處理區(qū)域供給所述第三處理氣體的工序。10.如權利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述第二工序不與所述第一工序重疊。11.如權利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述第二工序與所述第一工序重疊。12.如權利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述第三工序不與所述第一工序重疊。13.如權利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述第三工序與所述第一工序重疊。14.如權利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述各個循環(huán)包括斷開向所述處理區(qū)域供給第一、第二以及第三處理氣體，并對所述處理區(qū)域內(nèi)進行排氣的工序。15.如權利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述各個循環(huán)包括在所述第四工序中，將接下來供給所述處理區(qū)域的量的所述第一處理氣體儲存在配設于流量控制器與所述處理區(qū)域之間的儲存罐內(nèi)的工序。16.如權利要求3所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述各個循環(huán)包括在所述第六工序中，將接下來供給所述處理區(qū)域的量的所述第三處理氣體儲存在配設于流量控制器與所述處理區(qū)域之間的儲存罐內(nèi)的工序。17.如權利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于將所述第一溫度設定為300°C700°C。18.如權利要求l所述的SiCN膜形成方法，其特征在于所述硅烷類氣體包括選自二氯硅烷、六氯乙硅垸、甲硅烷、乙硅烷、六甲基二硅氮烷、四氯硅垸、二甲硅垸基胺、三甲硅垸基胺、雙叔丁基氨基硅烷、二異丙基氨基硅垸中的一種以上的氣體，所述氮化氣體包括選自氨氣、氮氣、一氧化二氮、一氧化氮中的一種以上的氣體，所述烴氣體包括選自乙炔、乙烯、甲烷、乙烷、丙烷、丁烷中的一種以上的氣體。19.一種在被處理基板上形成SiCN膜的裝置，其特征在于，包括具有收納所述被處理基板的處理區(qū)域的處理容器；在所述處理區(qū)域內(nèi)支承所述被處理基板的支承部件；加熱所述處理區(qū)域內(nèi)的所述被處理基板的加熱器；對所述處理區(qū)域內(nèi)進行排氣的排氣系統(tǒng)；向所述處理區(qū)域供給包括硅垸類氣體的第一處理氣體的第一處理氣體供給系統(tǒng)；向所述處理區(qū)域供給包括氮化氣體的第二處理氣體的第二處理氣體供給系統(tǒng)；向所述處理區(qū)域供給包括烴氣體的第三處理氣體的第三處理氣體供給系統(tǒng)；以及控制所述裝置的操作的控制部，其中，所述控制部被預先設置，使得能夠?qū)嵤┰谒鎏幚韰^(qū)域內(nèi)通過多次重復以下的循環(huán)并層積在所述每個循環(huán)中所形成的薄膜，從而在所述被處理基板上形成具有規(guī)定厚度的SiCN膜的方法，此處，所述各個循環(huán)包括向所述處理區(qū)域供給所述第一處理氣體的第一工序；向所述處理區(qū)域供給所述第二處理氣體的第二工序；向所述處理區(qū)域供給所述第三處理氣體的第三工序；以及斷開向所述處理區(qū)域供給所述第一處理氣體的第四工序，其中，在所述處理區(qū)域外不對第一、第二以及第三處理氣體進行等離子體化而將其供給所述處理區(qū)域，并且在整個所述第一、第二、第三以及第四工序中，將所述處理區(qū)域加熱至所述硅烷類氣體與所述氮化氣體以及所述烴氣體相互反應的第一溫度。20.如權利要求19所述的形成SiCN膜的裝置，其特征在于所述第一處理氣體供給系統(tǒng)包括配設在流量控制器與所述處理區(qū)域之間的儲存罐，所述各個循環(huán)被預先設定，使得能夠在所述第四工序中，將接下來供給所述處理區(qū)域的量的所述第一處理氣體儲存在所述儲存罐內(nèi)。21.如權利要求19所述的形成SiCN膜的裝置，其特征在于所述第三處理氣體供給系統(tǒng)包括配設在流量控制器與所述處理區(qū)域之間的儲存罐，所述各個循環(huán)被預先設定，使得能夠在所述第六工序中，將接下來供給所述處理區(qū)域的量的所述第三處理氣體儲存在所述儲存罐內(nèi)。22.—種包括用于在處理器上運行的程序指令的、計算機能夠讀取的介質(zhì)，其特征在于所述程序指令被處理器運行時，在具有能夠有選擇地供給包括硅垸類氣體的第一處理氣體、包括氮化氣體的第二處理氣體以及包括烴氣體的第三處理氣體的處理區(qū)域的成膜裝置中，實施在所述處理區(qū)域內(nèi)通過多次重復以下的循環(huán)并層積在所述每個循環(huán)中所形成的薄膜，從而在被處理基板上形成具有規(guī)定厚度的SiCN膜的方法，此處，所述各個循環(huán)包括向所述處理區(qū)域供給所述第一處理氣體的第一工序；向所述處理區(qū)域供給所述第二處理氣體的第二工序；向所述處理區(qū)域供給所述第三處理氣體的第三工序；以及斷開向所述處理區(qū)域供給所述第一處理氣體的第四工序，其中，在所述處理區(qū)域外不對第一、第二以及第三處理氣體進行等離子體化而將其供給所述處理區(qū)域，并且在整個所述第一、第二、第三以及第四工序中，將所述處理區(qū)域加熱至所述硅烷類氣體與所述氮化氣體以及所述烴氣體相互反應的第一溫度。全文摘要本發(fā)明提供一種成膜方法，在處理區(qū)域內(nèi)多次重復以下的循環(huán)從而在被處理基板上形成SiCN膜。各循環(huán)包括供給包括硅烷類氣體的第一處理氣體的第一工序；供給包括氮化氣體的第二處理氣體的第二工序；供給包括烴氣體的第三處理氣體的第三工序；和隔斷第一處理氣體的供給的第四工序。在處理區(qū)域外不對第一、第二以及第三處理氣體等離子體化而將它們供給處理區(qū)域，并且將處理區(qū)域加熱至硅烷類氣體與氮化氣體以及烴氣體相互反應的第一溫度。文檔編號C23C16/455GK101252087SQ20081008043公開日2008年8月27日申請日期2008年2月18日優(yōu)先權日2007年2月16日發(fā)明者周保華,長谷部一秀申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社