專利名稱：：薄膜形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及使用生成的等離子體及供給于該等離子體生成區(qū)域的反應(yīng)氣體，在基板上形成薄膜的薄膜形成方法。
背景技術(shù)：
：一直以來，作為對基板形成薄膜的裝置，已知通過在相對接近大氣壓的壓力氣氛中生成等離子體，使用該等離子體在反應(yīng)容器內(nèi)使反應(yīng)氣體活化而堆積于基板上，從而形成薄膜的等離子體CVD。該等離子體CVD中，優(yōu)選采用向l對平行的電極板間供給高頻電力而在電極板間生成等離子體的平行平板型的裝置。與之相對，下述專利文獻(xiàn)l中揭示了通過對鼓狀的旋轉(zhuǎn)電極施加高頻電力或直流電力而生成等離子體，使用該生成的等離子體使所供給的反應(yīng)氣體活化，在基板上形成薄膜的裝置及方法。藉此，可以高速且大面積地形成均質(zhì)的薄膜，從而解決以往的平行平板型的形成大面積的薄膜時無法形成均質(zhì)的薄膜的問題。專利文獻(xiàn)l:日本專利第3295310號公報發(fā)明的揭示另外，專利文獻(xiàn)l的裝置中，在旋轉(zhuǎn)電極和基板之間的間隙窄的部分(最窄的間隙的寬度在lmm以下)生成等離子體，使用該生成的等離子體活化反應(yīng)氣體來形成薄膜，所以形成薄膜的區(qū)域局限于旋轉(zhuǎn)電極和基板之間的間隙最窄的部分的附近。因此，必須在使基板相對于旋轉(zhuǎn)電極移動搬運(yùn)的同時形成薄膜。基板的移動搬運(yùn)由電動機(jī)等驅(qū)動裝置控制，移動搬運(yùn)時的輕微振動就會使旋轉(zhuǎn)電極和基板之間的間隙變動，存在因該變動而無法形成均質(zhì)的薄膜的問題。此外，為了高效地生成等離子體而使上述間隙變窄的情況下，還產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)電極因振動等細(xì)微的變化而接觸到基板的問題。另一方面，如果加大旋轉(zhuǎn)電極和基板之間的間隙來避免上述問題，則被等離子體活化了的反應(yīng)氣體相互反應(yīng)而生成的微粒大量產(chǎn)生，附著在形成于基板的薄膜上，產(chǎn)生無法形成凹凸小的光滑的均質(zhì)薄膜的問題。實(shí)際上，即使加大旋轉(zhuǎn)電極和基板之間的間隙，專利文獻(xiàn)l的薄膜形成方法也遇到該問題無法獲得均質(zhì)的膜。于是，為了解決上述問題，本發(fā)明的目的在于提供即使將旋轉(zhuǎn)電極和基板之間的間隙設(shè)定得比以往寬，也可以抑制上述微粒的產(chǎn)生，且薄膜的均質(zhì)化中上述間隙的變動的影響小的薄膜形成方法。本發(fā)明提供的薄膜形成方法是通過在900hPa以上的壓力氣氛中向旋轉(zhuǎn)中心軸相對于基板平行的圓筒狀的旋轉(zhuǎn)電極供給電力，從而在所述旋轉(zhuǎn)電極和基板之間的間隙中生成等離子體，使用生成的等離子體，通過所供給的反應(yīng)氣體的化學(xué)反應(yīng)而在基板上形成薄膜的薄膜形成方法，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)電極和基板之間的間隙寬度為2nrni7mm，向所述旋轉(zhuǎn)電極供給頻率為100kHzlMHz的高頻電力。這時，所述頻率較好是300kHz800kHz。本發(fā)明中，旋轉(zhuǎn)電極和基板之間的間隙寬度是指所述旋轉(zhuǎn)電極和基板之間的間隙中，間隙最窄的部分(以下也稱間距)。本發(fā)明中，所述旋轉(zhuǎn)電極和基板之間的間隙寬度較好是3mm5ram。作為所述薄膜，較好是形成金屬氧化膜。這時，所述金屬氧化膜較好是選自Si02、Ti02、ZnO和Sn02的l種以上的氧化膜，所述金屬氧化膜更好是Si02或Ti02的氧化膜。此外，形成薄膜的基板可以例舉例如具有透明性的玻璃板，但并不局限于此。此外，所述薄膜形成方法中，較好是在將所述基板相對于所述旋轉(zhuǎn)電極沿與旋轉(zhuǎn)中心軸大致垂直的方向移動搬運(yùn)的同時，在所述基板上形成薄膜。本發(fā)明中，通過向旋轉(zhuǎn)電極供給頻率為100kHzlMHz的高頻電力，與以往的13.56MHz或60腿z等頻率更高的高頻電力相比，生成的等離子體的密度下降。因此，即使在將旋轉(zhuǎn)電極和基板之間的間隙設(shè)定得比以往寬的情況下，也可以抑制被等離子體活化了的反應(yīng)氣體相互反應(yīng)而生成的大量微粒的產(chǎn)生。其結(jié)果是，可以在基板上形成凹凸少的均質(zhì)薄膜。此外，通過向旋轉(zhuǎn)電極供給頻率為100kHzlMHz的高頻電力，即使在將旋轉(zhuǎn)電極和基板之間的間隙設(shè)定得比以往寬的情況下，在等離子體中被活化的反應(yīng)種(反応種)可以不以氣相被消耗而達(dá)到基板，所以微粒的產(chǎn)生得到抑制。因此，即使在將旋轉(zhuǎn)電極和基板之間的間隙設(shè)定得比以往寬的情況下，也可以形成凹凸少且均質(zhì)的薄膜。此外，旋轉(zhuǎn)電極和基板之間的間隙寬度在2mm以上，所以即使用轉(zhuǎn)爐或傳送帶移送的情況下，也可以防止基板和旋轉(zhuǎn)電極的接觸，同時與以往的13.56MHz或60MHz等頻率更高的高頻電力相比，放電電壓升高，所以在旋轉(zhuǎn)電極和基板之間可以產(chǎn)生間隔較寬的部分的放電，等離子體的生成區(qū)域擴(kuò)展，且成膜速度比以往的相同間隔寬度的成膜速度快，因此可以穩(wěn)定地在短時間內(nèi)形成薄膜。藉此，可以比以往更高速且穩(wěn)定地進(jìn)行大面積且均質(zhì)的薄膜的形成。附圖的簡單說明圖l(a)為實(shí)施本發(fā)明的薄膜形成方法的薄膜形成裝置的簡略模式圖，(b)為從薄膜形成裝置的側(cè)面觀察的模式圖。圖2為表示旋轉(zhuǎn)電極和基板之間的間距與這時形成的薄膜的霧度的關(guān)系的圖。圖3(a)為對高頻電力400kHz、間距5mm時形成于基板的薄膜的表面狀態(tài)進(jìn)行拍攝而得的35000倍的SEM攝影圖像，(b)為對高頻電力13.56MHz、間距3mm時形成于基板的薄膜的表面狀態(tài)進(jìn)行拍攝而得的35000倍的SEM攝影圖像。圖4為表示旋轉(zhuǎn)電極和基板之間的間距與這時的成膜速度的關(guān)系的圖。圖5(a)為表示頻率400kHz時的成膜速度的分布的圖，(b)為表示頻率l3.56MHz時的成膜速度的分布的圖。符號的說明IO:薄膜形成裝置，12:旋轉(zhuǎn)電極，14:基板移動搬運(yùn)裝置，16:高頻電源。實(shí)施發(fā)明的最佳方式以下，基于附圖中所示的實(shí)施方式，對本發(fā)明的薄膜形成方法進(jìn)行詳細(xì)說明。圖l(a)為實(shí)施本發(fā)明的薄膜形成方法的薄膜形成裝置10的簡略模式圖，(b)為從側(cè)面觀察薄膜形成裝置10的模式圖。薄膜形成裝置10是于壓力在900hPa以上的捧近大氣壓的壓力氣氛中生成等離子體，利用該等離子體使所供給的反應(yīng)氣體G活化，在基板S上形成薄膜的所謂等離子體CVD裝置。薄膜形成裝置10主要由旋轉(zhuǎn)電極12、基板移動搬運(yùn)裝置14和高頻電源16構(gòu)成。旋轉(zhuǎn)電極12由具備相對于基板平行的旋轉(zhuǎn)中心軸的表面光滑的金屬制圓筒狀旋轉(zhuǎn)體構(gòu)成。旋轉(zhuǎn)電極12與未圖示的驅(qū)動電動機(jī)連接，以例如2m/秒50m/秒的圓周速度旋轉(zhuǎn)。使旋轉(zhuǎn)電極12旋轉(zhuǎn)是為了在接近大氣壓的壓力氣氛中主動地將反應(yīng)氣體G引入等離子體生成區(qū)域R，高效地使反應(yīng)氣體G活化。為了在接近大氣壓的壓力氣氛中生成等離子體，如果不減小基板和電極之間的間隙寬度，則無法進(jìn)行穩(wěn)定的放電；另一方面，如果減小基板和電極之間的間隙寬度，則無法高效地供給作為薄膜的原料的反應(yīng)氣體。因此，通過旋轉(zhuǎn)電極12的旋轉(zhuǎn)而吸引反應(yīng)氣體形成粘性流，使用旋轉(zhuǎn)電極12來有效地向基板和電極之間的間隙供給反應(yīng)氣體。尤其，為了在短時間內(nèi)形成薄膜，必須提高成膜速度，為了提高該成膜速度，較好是高效地供給反應(yīng)氣體。旋轉(zhuǎn)電極12和基板S之間的間隙寬度為2mm7mm，如果使間隙寬度超過7mni，則存在成膜速度下降、難以獲得穩(wěn)定的等離子體的傾向。旋轉(zhuǎn)電極12和基板S之間的間隙寬度較好是3mm5mra。以往的成膜方法(上述專利文獻(xiàn)l的成膜方法)中，間隙寬度為O.01mmlmm，而本發(fā)明在2mm以上，這一點(diǎn)上有較大不同。作為用于生成等離子體的放電氣體，例如可使用氦氣，供給于旋轉(zhuǎn)電極12和基板S之間的間隙。此外，作為反應(yīng)氣體G，例如在基板S上形成Si02薄膜的情況下，使用TEOS(四乙氧基硅垸；硅酸四乙酯)作為原料氣體，將02用作氧化氣體。該情況下，例如將TE0S的分壓設(shè)為8hPa(-6Torr)，02的分壓設(shè)為16hPaOl2Torr)，并且將加上作為放電氣體的He的總壓設(shè)為1013hPa(=760Torr)。還有，本發(fā)明中，從壓力調(diào)整容易且裝置構(gòu)成容易的角度來看，總壓較好是在1100hPa以下。本發(fā)明中，采用等離子體CVD的薄膜形成氣氛的總壓更好是930hPa(700Torr)1030hPa(770Torr)?；逡苿影徇\(yùn)裝置14是為了在基板S上形成薄膜而使基板S的位置相對于旋轉(zhuǎn)電極12移動的裝置。具體來說，通過與未圖示的驅(qū)動電動機(jī)等連接的旋轉(zhuǎn)輥以一定的移動速度移動搬運(yùn)基板S。還有，如果在成膜過程中移動搬運(yùn)基板S，則伴隨移動基板S的位置因振動等而在上下方向上發(fā)生微小的變動，旋轉(zhuǎn)電極12和基板S之間的間隙變動。以往的方法中，由此對成膜速度造成影響。但是，本發(fā)明的薄膜形成方法中，如后所述，通過將上述間隙寬度設(shè)定在2ram7mm、較好是3mm5mm的范圍內(nèi)，結(jié)合后述的供給電力的頻率，減小間隙寬度的變動對成膜速度的影響，有利于均質(zhì)薄膜的形成?；逡苿影徇\(yùn)裝置14的移動機(jī)構(gòu)除了旋轉(zhuǎn)輥之外，還可以是采用無接頭帶的移動機(jī)構(gòu)，本發(fā)明中對移動機(jī)構(gòu)沒有特別限定。高頻電源16通過旋轉(zhuǎn)電極12的旋轉(zhuǎn)中心軸向旋轉(zhuǎn)電極12供給高頻電力。高頻電力的頻率為100kHzlMHz。以往的成膜方法(上述專利文獻(xiàn)l)中，頻率為13.56MHz以上、較好是l50MHz以上，而本發(fā)明中將頻率的范圍設(shè)為100kHzlMHz。這樣頻率的范圍與以往的薄膜形成方法不同是因?yàn)槿缟纤?，旋轉(zhuǎn)電極12和基板S之間的間隙寬度在2mm以上，設(shè)定適合于該間隙寬度的頻率。通過使頻率為100kHzlMHz，如后所述可以抑制微粒的產(chǎn)生，能夠形成光滑的薄膜。將頻率的下限設(shè)為100kHz是因?yàn)樵诮咏髿鈮旱膲毫夥罩?，間隙寬度在2mm以上時無法進(jìn)行穩(wěn)定的放電。此外，將頻率的上限設(shè)為lMHz是為了防止間隙寬度在2mm以上時因氣相反應(yīng)而產(chǎn)生的微粒阻礙薄膜形成(形成凹凸大的薄膜或成膜速度下降)。以往，向供給13.56MHz以上的頻率的高頻電力而形成的等離子體區(qū)域供給反應(yīng)氣體，反應(yīng)氣體通過等離子體的能量活化，在基板表面形成薄膜，但由于擴(kuò)大上述間隙，在反應(yīng)氣體到達(dá)基板表面前反應(yīng)氣體發(fā)生次級反應(yīng)而在氣相中作為粒子生長，引發(fā)大量微粒的產(chǎn)生。但是，通過像本發(fā)明這樣使高頻電力的頻率為100kHzlMHz，可抑制生成的等離子體的密度，抑制等離子體的能量產(chǎn)生的次級反應(yīng)，抑制大量微粒的生成。從可以獲得沒有微粒的優(yōu)質(zhì)的膜的角度來看，高頻電力的頻率較好是300kHz800kHz。如上所述，本發(fā)明利用圓筒狀的旋轉(zhuǎn)電極的旋轉(zhuǎn)速度將反應(yīng)氣體引入等離子體生成區(qū)域來進(jìn)行成膜。實(shí)施例〔實(shí)驗(yàn)1〕使用本發(fā)明的薄膜形成方法和以往的薄膜形成方法形成了薄膜。基板S使用玻璃基板，在玻璃基板上形成Si02膜。旋轉(zhuǎn)電極12的直徑為100mm，旋轉(zhuǎn)電極的轉(zhuǎn)速設(shè)為2500rpm。對于高頻電力的頻率，本發(fā)明的薄膜形成方法中使用400kHz，而以往的薄膜形成方法中使用13.56MHz。為了生成等離子體，向包圍圖l(a)、(b)所示的裝置的反應(yīng)容器室內(nèi)作為放電氣體導(dǎo)入He，作為原料氣體G向反應(yīng)容器內(nèi)導(dǎo)入TEOS。另外，作為氧化氣體向反應(yīng)容器內(nèi)導(dǎo)入02。反應(yīng)容器內(nèi)的原料氣體的分壓設(shè)為8hPa^6Torr)，作為氧化氣體的02的分壓設(shè)為16hPa(=12Torr)，加上作為放電氣體的He的總壓設(shè)為1013hPa^760Torr)?；錝的移動搬運(yùn)速度設(shè)為3.3mm/秒或0mra/秒(停止)。采用頻率400kHz的高頻電力的情況下，供給300W的電力，采用頻率13.56MHz的高頻電力的情況下，供給800W的電力。圖2為表示旋轉(zhuǎn)電極12和基板S之間的間隙寬度(間距)與這時形成的薄膜的霧度的關(guān)系的圖。由圖2所示的圖可知，間距l(xiāng)腿5mm的范圍內(nèi)，采用400kHz的高頻電力的情況下，所形成的薄膜的霧度接近0%。藉此，所形成的薄膜的表面光滑，上述微粒不會附著于薄膜。另一方面，采用13.56MHz的高頻電力的情況下，間距l(xiāng)ram4min時形成薄膜，間距5mra時未形成薄膜。此外，間距越大，霧度越大。由此可以認(rèn)為，在反應(yīng)氣體到達(dá)基板表面前反應(yīng)氣體發(fā)生次級反應(yīng)而生成微粒，附著在形成于基板的薄膜上，薄膜表面形成凹凸形狀。還有，本實(shí)驗(yàn)中作為所形成的薄膜表面的凹凸形狀的指標(biāo)使用霧度，測量該霧度來進(jìn)行評價。利用測定對象面的凹凸產(chǎn)生的光的漫射的霧度是以％表示的漫射透射率相對于總透光率的比例。具體按照J(rèn)ISK7136、K7361的規(guī)定。圖3(a)為對高頻電力400kHz、間距5mm時形成于基板S的薄膜的表面狀態(tài)進(jìn)行拍攝而得的SEM攝影圖像，(b)為對高頻電力13.56MHz、間距3mm時形成于基板S的薄膜的表面狀態(tài)進(jìn)行拍攝而得的SEM攝影圖像。圖3(b)所示的薄膜的表面凹凸比圖3(a)所示的薄膜的表面凹凸大，確認(rèn)成膜過程中在圖3(b)所示的薄膜的表面堆積大量的微粒而形成凹凸形狀。如上所述，通過使所供給的高頻電力的頻率為100kHzlMHz，可以形成沒有微粒的均質(zhì)薄膜。圖4為表示旋轉(zhuǎn)電極12和基板S之間的間距與這時的成膜速度的關(guān)系的圖。圖4所示的成膜速度的單位(mn，m/分鐘)表示每l分鐘的基板S的移動搬運(yùn)速度(m/分鐘)和這時所形成的薄膜的厚度(nm)的積。由圖4可知，頻率400kHz和13.56MHz時，都是間距越大則成膜速度越低，但間距引起的成膜速度的下降在頻率400kHz時比頻率13.56MHz時小，不易受到間距的影響。因此，間距l(xiāng)mm7腿時，頻率400kHz的成膜速度比頻率13.56MHz高(成膜速度提高)。頻率400kHz的成膜速度比頻率13.56MHz高是因?yàn)轭l率400kHz時，經(jīng)活化的反應(yīng)氣體的分子在中途因次級反應(yīng)而形成微粒的比例小，高效地在基板S上形成薄膜。如上所述，通過使所供給的高頻電力的頻率為100kHzlMHz，可以實(shí)現(xiàn)成膜速度的提高和對于間距變動的成膜速度的穩(wěn)定性。圖5(a)為表示頻率400kHz時的成膜速度的分布的圖，(b)為表示頻率l3.56MHz時的成膜速度的分布的圖。圖中的橫軸表示相對于旋轉(zhuǎn)電極12的基板S上的位置，將旋轉(zhuǎn)電極12和基板S之間的間隙最窄的位置設(shè)為O，將旋轉(zhuǎn)電極12的旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè)的位置設(shè)為正值，下游側(cè)的位置設(shè)為負(fù)值。圖5(a)、(b)為使基板S的移動搬運(yùn)速度恒定的狀態(tài)，基板S承載于接地板T，相對于旋轉(zhuǎn)電極12靜止。該情況下，與先前同樣，反應(yīng)容器內(nèi)的原料氣體TE0S的分壓設(shè)為8hPa(二6Torr)，氧化氣體02的分壓設(shè)為16hPa(=12Torr)，加上作為放電氣體的He的總壓設(shè)為1013hPa(二760Torr)，在玻璃基板上形成Si02膜。圖5(a)分為間距l(xiāng)mm5mm表示高頻電力的頻率為400kHz的條件下的成膜速度的分布，(b)分為間距l(xiāng)mm4誦表示高頻電力的頻率為13.56MHz的條件下的成膜速度的分布。此外，將圖5(a)、(b)的各位置的成膜速度積分而得的值大致相當(dāng)于圖4的成膜速度。由圖5(a)可知，頻率400kHz時的成膜速度的分布呈較寬的寬幅形狀，且呈相對于間距的大小大致不變的一定的分布形狀。另一方面，由圖5(b)可知，頻率13.56MHz時的成膜速度的分布呈較陡的形狀，且成膜速度的峰值相對于間距的大小而大幅變化(間距越大，則成膜速度越小)。這意味著頻率400kHz時可以獲得足夠?qū)挼牡入x子體生成區(qū)域R，能夠獲得較寬的寬幅形狀的成膜速度的分布。而且，即使間距變動等離子體生成區(qū)域R的變化也少，即使間距變動成膜速度的變化也少。因而，即使基板S在成膜過程中移動搬運(yùn)，間距因該移動搬運(yùn)時的振動等而變動，因?yàn)轭l率400kHz時成膜速度相對于間距大致恒定，所以所形成的薄膜的厚度也大致恒定。由此，頻率400kHz時的成膜速度對于間距變動保持穩(wěn)定(成膜速度的穩(wěn)定性)。還有，通過本發(fā)明形成的薄膜的種類沒有特別限定，較好是形成金屬氧化膜，例如形成于在玻璃基板上的選自Si02、Ti02、ZnO和Sn02的l種以上的金屬氧化膜。更好是形成于玻璃基板上的Si02或Ti02的金屬氧化膜。此外，原料氣體除了TEOS之外，還可以使用金屬醇鹽、烷基金屬、金屬配合物等有機(jī)金屬化合物或金屬鹵化物等。例如，可以優(yōu)選使用四異丙醇鈦、四丁醇鈦、二乙酸二丁錫、乙酰乙酸鋅等。〔實(shí)驗(yàn)2〕使頻率、間距按照下述表l進(jìn)行變化，與實(shí)驗(yàn)l同樣地進(jìn)行成膜，作為表征薄膜表面的凹凸的指標(biāo)測定霧度，評價薄膜。將霧度不足1%記作，將霧度2%以下記作〇，將霧度超過2X的評價為X。結(jié)果示于表l。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>由作為本發(fā)明的實(shí)施例的例512的結(jié)果可知，在頻率100kHzlMHz且間距為2mm7mm的范圍內(nèi)，都獲得霧度在2%以下且凹凸少的光滑的薄膜。另外，例710的結(jié)果中，在頻率300kHz800kHz且間距為2mm7mm的范圍內(nèi)，獲得霧度不足1%的良好的薄膜。與之相對，例13和例13形成霧度超過2%，表面凹凸大的不均質(zhì)的薄膜。此外，例4和例14未能進(jìn)行穩(wěn)定的放電。由以上的結(jié)果可知，通過本發(fā)明的方法形成的薄膜是凹凸少的光滑的薄膜。以上，對本發(fā)明的薄膜形成方法進(jìn)行了詳細(xì)說明，但本發(fā)明當(dāng)然并不局限于上述實(shí)施方式和實(shí)施例，在不超出本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種改良和變更。產(chǎn)業(yè)上利用的可能性可以用于在玻璃或膜基板上任意層疊Si02、Ti02、ZnO、Sn02等而制成的低反射玻璃(膜)、IR屏蔽玻璃(膜)、堿阻擋涂層玻璃、氣體阻擋涂層玻璃(膜)、防污涂層玻璃(膜)等。另外，在這里引用2006年6月16日提出申請的日本專利申請2006-167922號的說明書、權(quán)利要求書、附圖和摘要的所有內(nèi)容作為本發(fā)明說明書的揭不。權(quán)利要求1.薄膜形成方法，它是通過在900hPa以上的壓力氣氛中向旋轉(zhuǎn)中心軸相對于基板平行的圓筒狀的旋轉(zhuǎn)電極供給電力，從而在所述旋轉(zhuǎn)電極和基板之間的間隙中生成等離子體，使用生成的等離子體，通過所供給的反應(yīng)氣體的化學(xué)反應(yīng)而在基板上形成薄膜的薄膜形成方法，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)電極和基板之間的間隙寬度為2mm～7mm，向所述旋轉(zhuǎn)電極供給頻率為100kHz～1MHz的高頻電力。2.如權(quán)利要求l所述的薄膜形成方法，其特征在于，作為所述薄膜，形成金屬氧化膜。3.如權(quán)利要求2所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述金屬氧化膜是選自Si。2、Ti02、ZnO和Sn02的l種以上的氧化膜。4.如權(quán)利要求13中的任一項(xiàng)所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述高頻電力的頻率為300kHz800kHz。5.如權(quán)利要求14中的任一項(xiàng)所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述壓力氣氛的壓力在1100hPa以下。6.如權(quán)利要求15中的任一項(xiàng)所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)電極和基板之間的間隙寬度為3mm5mm。7.如權(quán)利要求16中的任一項(xiàng)所述的薄膜形成方法，其特征在于，在將所述基板相對于所述旋轉(zhuǎn)電極沿與旋轉(zhuǎn)中心軸大致垂直的方向移動搬運(yùn)的同時，在所述基板上形成薄膜。全文摘要在接近大氣壓的壓力氣氛的條件下，使用等離子體在基板上形成薄膜時，即使將電極和基板之間的間隙設(shè)定得比以往寬，也可以抑制反應(yīng)氣體反應(yīng)而產(chǎn)生的微粒，且穩(wěn)定地形成均質(zhì)的薄膜。通過向旋轉(zhuǎn)中心軸相對于基板平行的圓筒狀的旋轉(zhuǎn)電極(12)供給電力，從而在所述旋轉(zhuǎn)電極(12)和基板(S)之間的間隙中生成等離子體，使用生成的等離子體，使所供給的反應(yīng)氣體(G)活化而在基板(S)上形成薄膜時，使旋轉(zhuǎn)電極(12)和基板(S)之間的間隙寬度為2mm～7mm，向旋轉(zhuǎn)電極(12)供給頻率為100kHz～1GHz的高頻電力。文檔編號C23C16/505GK101528978SQ20078002230公開日2009年9月9日申請日期2007年6月14日優(yōu)先權(quán)日2006年6月16日發(fā)明者古保里隆,林和志,釘宮敏洋,青峰信孝,青嶋有紀(jì)申請人:旭硝子株式會社