專利名稱：基板處理裝置、程序、存儲(chǔ)介質(zhì)和決定是否需要調(diào)節(jié)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)半導(dǎo)體晶片等被處理基板進(jìn)行成膜等處理的基板處 理裝置、對(duì)其腔室內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)時(shí)能夠利用的程序、存儲(chǔ)有該程序的存 儲(chǔ)介質(zhì)和決定是否需要調(diào)節(jié)的方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體集成電路的制造過程中，為了在作為被處理基板的半導(dǎo) 體晶片表面形成配線圖形或者埋入配線間的連接用的凹部，堆積例如
W (鴿)、WSi (硅化鉤)、Ti (鈦)、TiN (氮化鈦)、TiSi (硅化鈦)、 Cu (銅)、Ta205 (氧化鉭)等金屬或者金屬化合物而形成薄膜。
例如，在使用WF6氣體作為含鎢氣體的鎢膜的成膜過程中，為了 提高生產(chǎn)率，改善鎢膜的埋入性，提出有在初期鎢膜形成工序中，使
用SiH4氣體、Si2H6氣體、B2H6氣體中的任一種氣體作為還原氣體，在
鈍化鎢膜形成工序和主鎢膜形成工序中，作為還原氣體改換為H2氣體 的成膜方法。(例如，日本特開2004—273764號(hào)公報(bào))
在上述日本特開2004—273764號(hào)公報(bào)所揭示的成膜方法中，與所 要求的膜的特性相配合在初期鎢膜形成工序中的還原氣體優(yōu)選選自 SiH4氣體、SizH6氣體、B2H6氣體，此時(shí)，在一個(gè)成膜腔室內(nèi)連續(xù)實(shí)施 針對(duì)每個(gè)晶片的不同種類的加工工藝。由此，當(dāng)在一個(gè)成膜裝置的腔 室內(nèi)連續(xù)實(shí)施不同種類的加工工藝時(shí)，在先行加工工藝中使用后的殘 留氣體或者附著在腔室內(nèi)的堆積物會(huì)對(duì)后繼加工工藝產(chǎn)生惡劣影響， 因此，優(yōu)選在先行加工工藝和后繼加工工藝之間實(shí)施清掃。并且，在 實(shí)施完清掃之后，以后繼加工工藝的第一枚晶片和第二枚以后的晶片 滿足處理?xiàng)l件為目的，在腔室內(nèi)進(jìn)行堆積薄膜的預(yù)涂敷處理。包括這 樣的清掃和預(yù)涂敷，調(diào)節(jié)腔室內(nèi)的環(huán)境的處理叫做調(diào)節(jié)處理，在先行 加工工藝和后繼加工工藝之間實(shí)施的調(diào)節(jié)處理叫做加工工藝間調(diào)節(jié)。
現(xiàn)有技術(shù)中，是否需要進(jìn)行加工工藝間調(diào)節(jié)處理的判斷是由工序 管理者決定的。因此，當(dāng)工序管理者判斷錯(cuò)誤，例如雖然本來應(yīng)該實(shí) 施調(diào)節(jié)處理而沒有實(shí)施該調(diào)節(jié)處理的情況下，會(huì)對(duì)后繼加工工藝產(chǎn)生 惡劣影響。并且，相反，在盡管不需要實(shí)施調(diào)節(jié)處理但卻實(shí)施該調(diào)節(jié) 處理的情況下，會(huì)降低成膜加工工藝整體的效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種基板處理裝置，能夠在同一腔室內(nèi)實(shí) 施不同種加工工藝的情況下正確地判斷是否需要進(jìn)行加工工藝間調(diào) 節(jié)。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種在對(duì)這種基板處理裝置的腔室內(nèi) 進(jìn)行調(diào)節(jié)時(shí)能夠利用的程序和存儲(chǔ)有該程序的存儲(chǔ)介質(zhì)。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種決定是否需要調(diào)節(jié)的方法，能夠 正確地判斷是否需要進(jìn)行這樣的加工工藝間調(diào)節(jié)。
根據(jù)本發(fā)明的的第一觀點(diǎn)，提供一種對(duì)被處理基板實(shí)施規(guī)定的處 理的基板處理裝置，其特征在于，包括收容被處理基板并能夠真空 排氣的腔室；向上述腔室內(nèi)供給處理氣體和清掃氣體的氣體供給機(jī)構(gòu)； 對(duì)上述腔室內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣機(jī)構(gòu)；和控制在上述腔室內(nèi)的處理的控 制部，其中，上述控制部進(jìn)行控制，使得進(jìn)行包括下述步驟的處理， 上述步驟包括在上述腔室內(nèi)實(shí)施先行的第一加工工藝的步驟；在實(shí) 施上述第一加工工藝之后，實(shí)施后繼的第二加工工藝的步驟；在上述 第一加工工藝結(jié)束后，直至上述第二加工工藝開始為止的期間，基于 上述第一加工工藝的信息和上述第二加工工藝的信息決定是否進(jìn)行調(diào) 節(jié)上述腔室內(nèi)環(huán)境的加工工藝間調(diào)節(jié)處理的步驟；和當(dāng)通過上述進(jìn)行 決定的步驟決定進(jìn)行加工工藝間調(diào)節(jié)處理時(shí)，在上述第二加工工藝之 前，實(shí)施加工工藝間調(diào)節(jié)處理的步驟。
在上述第一觀點(diǎn)中，上述第一加工工藝的信息和上述第二加工工 藝的信息包括基于各加工工藝的種類針對(duì)每個(gè)類似的加工工藝組預(yù)先 分配的加工工藝組編號(hào)。在該情況下，是否進(jìn)行上述加工工藝間調(diào)節(jié) 處理，通過參照基于上述加工工藝組編號(hào)針對(duì)是否需要上述加工工藝 間調(diào)節(jié)處理所規(guī)定的表而決定。
并且，上述加工工藝間調(diào)節(jié)處理包括使用清掃氣體對(duì)上述腔室
內(nèi)進(jìn)行清潔化的清掃處理；和在該清掃之后在上述腔室內(nèi)堆積規(guī)定的 膜的預(yù)涂敷處理。在該情況下，上述清掃處理和上述預(yù)涂敷處理的內(nèi) 容能夠基于上述第二加工工藝而決定。
作為上述規(guī)定的處理能夠舉例用于在被處理基板上形成薄膜的成 膜處理。
根據(jù)本發(fā)明的第二觀點(diǎn)，提供一種程序，其在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行并且 控制基板處理裝置，其特征在于當(dāng)運(yùn)行時(shí)，通過計(jì)算機(jī)控制上述基 板處理裝置使得進(jìn)行包括下述步驟的處理，上述步驟包括取得在基 板處理裝置的腔室內(nèi)先行進(jìn)行的第一加工工藝的信息的步驟；取得在 上述第一加工工藝后在上述腔室內(nèi)實(shí)施預(yù)定的后繼的第二加工工藝的 信息的步驟；和基于上述第一加工工藝的信息和上述第二加工工藝的 信息決定是否在上述第一加工工藝和上述第二加工工藝之間進(jìn)行調(diào)節(jié) 上述腔室內(nèi)環(huán)境的加工工藝間調(diào)節(jié)處理的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的第三觀點(diǎn)，提供一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其存儲(chǔ)有在計(jì)算機(jī) 上運(yùn)行并且控制基板處理裝置的程序，其特征在于上述程序在運(yùn)行 時(shí)，通過上述計(jì)算機(jī)控制上述基板處理裝置使得進(jìn)行包括下述步驟的 處理，上述步驟包括取得在基板處理裝置的腔室內(nèi)先行進(jìn)行的第一 加工工藝的信息的步驟；取得在上述第一加工工藝后在上述腔室內(nèi)實(shí) 施預(yù)定的后繼的第二加工工藝的信息的步驟；和基于上述第一加工工 藝的信息以及上述第二加工工藝的信息決定是否在上述第一加工工藝 和上述第二加工工藝之間進(jìn)行調(diào)節(jié)上述腔室內(nèi)環(huán)境的加工工藝間調(diào)節(jié) 處理的步驟。
在上述第二觀點(diǎn)和第三觀點(diǎn)中，是否進(jìn)行上述加工工藝間調(diào)節(jié)處 理，能夠通過參照基于根據(jù)各加工工藝的種類針對(duì)每個(gè)類似的加工工 藝組預(yù)先分配的加工工藝組編號(hào)、關(guān)于是否需要上述加工工藝間調(diào)節(jié) 處理所規(guī)定的表而決定。
根據(jù)本發(fā)明的第四觀點(diǎn)，提供一種決定是否需要調(diào)節(jié)的方法，其 決定在基板處理裝置的腔室內(nèi)，是否在兩個(gè)成膜加工工藝之間進(jìn)行調(diào) 節(jié)上述腔室內(nèi)環(huán)境的加工工藝間調(diào)節(jié)處理，其特征在于，包括將在 上述腔室內(nèi)先行進(jìn)行的第一成膜加工工藝的信息保存在存儲(chǔ)部中的步 驟；從上述存儲(chǔ)部取得上述第一成膜加工工藝的信息的步驟；根據(jù)關(guān)
于在上述第一成膜加工工藝之后在上述腔室內(nèi)實(shí)施預(yù)定的后繼的第二 成膜加工工藝的內(nèi)容所規(guī)定的加工工藝方案，取得上述第二成膜加工 工藝的信息的步驟；和基于取得的上述第一成膜加工工藝的信息和上 述第二成膜加工工藝的信息決定是否在上述第一成膜加工工藝和上述 第二成膜加工工藝之間進(jìn)行上述加工工藝間調(diào)節(jié)處理的步驟。
在上述第四觀點(diǎn)中，優(yōu)選是否進(jìn)行上述加工工藝間調(diào)節(jié)處理，通 過參照基于根據(jù)各加工工藝的種類針對(duì)每個(gè)類似的加工工藝組預(yù)先分 配的加工工藝組編號(hào)、關(guān)于是否需要上述加工工藝間調(diào)節(jié)處理所規(guī)定 的表而決定。
根據(jù)本發(fā)明的第五觀點(diǎn)，提供一種決定是否需要調(diào)節(jié)的方法，其 決定在基板處理裝置的腔室內(nèi)，是否進(jìn)行調(diào)節(jié)上述腔室內(nèi)環(huán)境的調(diào)節(jié) 處理，其特征在于，包括將在上述腔室內(nèi)先行進(jìn)行的第一成膜加工 工藝的信息保存在存儲(chǔ)部中的步驟；判斷在上述腔室內(nèi)進(jìn)行的第一成 膜加工工藝的被處理基板的處理個(gè)數(shù)或者成膜厚度的累計(jì)值是否達(dá)到 作為實(shí)施在上述第一成膜加工工藝的中途進(jìn)行的個(gè)數(shù)/膜厚基準(zhǔn)的調(diào)節(jié) 的契機(jī)預(yù)先規(guī)定的設(shè)定值的步驟；在沒有達(dá)到上述設(shè)定值時(shí)，從上述 存儲(chǔ)部取得上述第一成膜加工工藝的信息的步驟；根據(jù)針對(duì)上述第一 成膜加工工藝后在上述腔室內(nèi)實(shí)施預(yù)先設(shè)定的后繼的第二成膜加工工 藝的內(nèi)容規(guī)定的加工工藝方案，取得上述第二成膜加工工藝的信息的 步驟；和基于取得的上述第一成膜加工工藝的信息和上述第二成膜加 工工藝的信息，決定是否在上述第一成膜加工工藝和上述第二成膜加 工工藝之間進(jìn)行上述加工工藝間調(diào)節(jié)處理的步驟。
在上述第五觀點(diǎn)中，上述加工工藝間調(diào)節(jié)的內(nèi)容優(yōu)選根據(jù)上述第 二成膜加工工藝決定。并且，在判斷在上述腔室內(nèi)進(jìn)行的第一成膜加 工工藝的被處理基板的處理個(gè)數(shù)或者成膜厚度的累計(jì)值是否達(dá)到上述 設(shè)定值的步驟中，當(dāng)上述處理個(gè)數(shù)或者上述成膜厚度達(dá)到上述設(shè)定值 時(shí)，在根據(jù)上述第一成膜加工工藝決定的個(gè)數(shù)/膜厚基準(zhǔn)的調(diào)節(jié)中，能 夠僅實(shí)施一部分。在該情況下，根據(jù)上述第一成膜加工工藝決定的上 述個(gè)數(shù)/膜厚基準(zhǔn)的調(diào)節(jié)構(gòu)成為能夠進(jìn)行清掃處理和預(yù)涂敷處理。在這 樣的結(jié)構(gòu)中，能夠僅實(shí)施上述清掃處理，不實(shí)施上述預(yù)涂敷處理。
并且，是否進(jìn)行上述加工工藝間調(diào)節(jié)處理，通過參照基于根據(jù)各
加工工藝的種類針對(duì)每個(gè)類似的加工工藝組預(yù)先分配的加工工藝組編 號(hào)、關(guān)于是否需要上述加工工藝間調(diào)節(jié)處理所規(guī)定的表而決定。
根據(jù)本發(fā)明，即使先行進(jìn)行的加工工藝和后繼進(jìn)行的加工工藝為 不同種類的加工工藝時(shí)，也能夠在基板處理裝置的腔室內(nèi)在維持為最 合適的調(diào)節(jié)狀態(tài)下進(jìn)行后繼的加工工藝。而且，因?yàn)槟軌蚋鶕?jù)先行加 工工藝和后繼加工工藝的種類自動(dòng)決定是否需要進(jìn)行加工工藝間調(diào) 節(jié)，所以能夠減輕工序管理者的作業(yè)負(fù)擔(dān)，并且能夠盡可能避免因錯(cuò) 誤判斷等對(duì)后繼加工工藝產(chǎn)生的惡劣影響，能夠提高成膜加工工藝的 可靠性。
此外，通過組合先行加工工藝和后繼加工工藝，在能夠不進(jìn)行加 工工藝間調(diào)節(jié)實(shí)施后繼加工工藝的情況下，由于自動(dòng)地判斷加工工藝 間調(diào)節(jié)為"不要"，所以能夠避免實(shí)施不必要的加工工藝間調(diào)節(jié)，能夠 實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)效率的提高。


圖1是表示能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的方法的多腔室型的成膜系統(tǒng)的簡(jiǎn)要 構(gòu)成圖。
圖2是用于說明成膜系統(tǒng)的控制系統(tǒng)的圖。 圖3是表示成膜裝置的簡(jiǎn)要構(gòu)成的截面圖。 圖4A是表示成膜處理中的氣體的切換時(shí)序圖。 圖4B是表示成膜處理中的氣體的切換時(shí)序圖。 圖5是表示第一實(shí)施方式的決定是否需要調(diào)節(jié)的方法的處理順序 的簡(jiǎn)要流程圖。
圖6是說明加工工藝間調(diào)節(jié)表的概要的圖。
圖7是表示第二實(shí)施方式的決定是否需要調(diào)節(jié)的方法的處理順序 的簡(jiǎn)要流程圖。
圖8是表示晶片間調(diào)節(jié)的順序的工序圖。
圖9是表示重復(fù)進(jìn)行晶片間調(diào)節(jié)和加工工藝間調(diào)節(jié)的情況下的順 序的工序圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1是表 示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的多腔室型成膜系統(tǒng)的簡(jiǎn)要構(gòu)成圖。
如圖1所示，該成膜系統(tǒng)100具有用于在晶片W上例如形成鉤膜
的合計(jì)共4個(gè)成膜裝置(PM) 1、 2、 3、 4，這些成膜裝置1、 2、 3、 4 分別與形成為六角形的晶片搬送室(TM) 5的四個(gè)邊對(duì)應(yīng)而設(shè)置。其 中，成膜裝置1 4分別具有相同的構(gòu)造。此外，在晶片搬送室5的其 他兩個(gè)邊上分別設(shè)置有負(fù)載鎖定室(LLM) 6、 7。在這些負(fù)載鎖定室6、 7的與晶片搬送室5相反一側(cè)設(shè)置有晶片搬入搬出室8，在晶片搬入搬 出室8的與負(fù)載鎖定室6、 7相反的一側(cè)設(shè)置有端口 9、 10、 11，這些 端口9、 10、 11安裝有能夠收容晶片W的3個(gè)前開式晶圓盒(FOUP) F。
如圖1所示，成膜裝置1 4以及負(fù)載鎖定室6、 7通過閘閥G與 晶片搬送室5的各邊連接，通過開放各閘閥G使負(fù)載鎖定室6、 7與晶 片搬送室5連通，通過關(guān)閉各閘閥G使負(fù)載鎖定室6、 7與晶片搬送室 5隔斷。此外，在負(fù)載鎖定室6、 7的與晶片搬入搬出室8連接的部分 上還設(shè)置有閘閥G，負(fù)載鎖定室6、 7通過開放閘閥G而與晶片搬入搬 出室8連通，通過關(guān)閉閘閥G而與晶片搬入搬出室8隔斷。
在晶片搬送室5內(nèi)，與成膜裝置1 4以及負(fù)載鎖定室6、 7相對(duì) 設(shè)置有進(jìn)行作為被處理體的晶片W的搬入搬出的晶片搬送裝置12。該 晶片搬送裝置12被配置在晶片搬送室5的大致中央，在能夠旋轉(zhuǎn)和伸 縮的旋轉(zhuǎn)伸縮部13的前端具有保持晶片W的兩個(gè)葉片(blade) 14a、 14b，這兩個(gè)葉片14a、 14b能夠以互相朝向相反方向的方式安裝在旋 轉(zhuǎn)*伸縮部13上。此外，該晶片搬送室5內(nèi)能夠保持在規(guī)定的真空度。
在晶片搬入搬出室8的頂部設(shè)置有HEPA過濾器(圖中未示出)， 通過該HEPA過濾器的清潔的空氣以向下流動(dòng)的狀態(tài)被供給至晶片搬 入搬出室8內(nèi)，能夠在大氣壓的清潔空氣氛圍下進(jìn)行晶片W的搬入搬 出。此外，在晶片搬入搬出室8的用于前開式晶圓盒F安裝的3個(gè)端 口9、 10、 ll上分別設(shè)置有擋空氣板(shutter)(圖中未示出)，已收容 有晶片W的前開式晶圓盒F或者空的前開式晶圓盒F直接安裝在這些 端口 9、 10、 11上，在安裝后的情況下，打開擋空氣板能夠防止外部 氣體的侵入，同時(shí)與晶片搬入搬出室8連通。此外，在晶片搬入搬出
室8的側(cè)面設(shè)置有校準(zhǔn)腔室15，在此處進(jìn)行晶片W的校準(zhǔn)。
在晶片搬入搬出室8內(nèi)設(shè)置有對(duì)前開式晶圓盒F進(jìn)行晶片W的搬 入搬出和對(duì)負(fù)載鎖定室6、 7進(jìn)行晶片W的搬入搬出的晶片搬送裝置 16。該晶片搬送裝置16具有多關(guān)節(jié)臂結(jié)構(gòu)，能夠沿著前開式晶圓盒F 的排列方向在導(dǎo)軌18上移動(dòng)，在其前端的手17上載置晶片W并進(jìn)行 其搬送。
在該成膜系統(tǒng)100中，首先，通過保持在大氣壓的清潔空氣氛圍 下的晶片搬入搬出室8內(nèi)的晶片搬送裝置16，從任意的前開式晶圓盒 F中取出一枚晶片W并將其搬入到校準(zhǔn)腔室15，對(duì)晶片W進(jìn)行定位。 接著，將晶片W搬入到任意的負(fù)載鎖定室6、 7中，在將該負(fù)載鎖定 室內(nèi)進(jìn)行抽真空后，通過晶片搬送室5內(nèi)的晶片搬送裝置12將該負(fù)載 鎖定室內(nèi)的晶片W取出，并將晶片W裝入到成膜裝置1 4的任一個(gè) 中。然后，利用成膜裝置1 4中的任一個(gè)進(jìn)行例如鉤膜等的成膜處理。 然后，通過晶片搬送裝置12將成膜后的晶片W搬入到負(fù)載鎖定室6、 7中的任一個(gè)中，使其內(nèi)部恢復(fù)至大氣壓之后，利用晶片搬入搬出室8 內(nèi)的晶片搬送裝置16取出負(fù)載鎖定室內(nèi)的晶片W，并將其收容在前開 式晶圓盒F的任一個(gè)中。通過對(duì)一批晶片實(shí)施這樣的動(dòng)作，完成一批 處理。
成膜系統(tǒng)100中的系統(tǒng)整體的控制、成膜裝置1 4中的加工工藝 條件等的控制通過控制部19進(jìn)行。圖2表示的是成膜系統(tǒng)100的控制 系統(tǒng)的構(gòu)成例。控制部19包括具有CPU (計(jì)算機(jī))的控制器101、 接口 (I/F) 102和存儲(chǔ)部103。該控制部19在成模系統(tǒng)100的各終端 設(shè)備(end device)例如各成膜裝置1 4、晶片搬送室5、負(fù)載鎖定室 6、 7之間以能夠進(jìn)行各種信號(hào)和數(shù)據(jù)的交換的方式被連接，對(duì)它們進(jìn) 行總括管理。其中，控制部19通過LAN (Local Area Network:局域 網(wǎng))等還與對(duì)設(shè)置有成膜系統(tǒng)100的工廠整體的制造工序進(jìn)行管理的 未圖示的MES (Manufacturing Execution System:制造執(zhí)行系統(tǒng))連接。 并且，上述MES與控制部19 一起對(duì)在成膜系統(tǒng)100中進(jìn)行的各工序 的實(shí)時(shí)信息進(jìn)行管理，并且考慮工廠整體的負(fù)載等進(jìn)行關(guān)于各工序的 判斷。
此外，在各終端設(shè)備上設(shè)置有分別作為獨(dú)立的控制部的模塊控制
器(MC)。例如成膜裝置1 4的模塊控制器la 4a包括存儲(chǔ)器60， 用于保存包括在各成膜裝置1 4中進(jìn)行的加工工藝履歷等的加工工藝 信息等；和個(gè)數(shù)計(jì)數(shù)器61，對(duì)在各成膜裝置1 4中進(jìn)行的每個(gè)加工工 藝的晶片處理個(gè)數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)。
控制部19的控制器101以與接口 102和存儲(chǔ)部103之間能夠進(jìn)行 各種信號(hào)和數(shù)據(jù)的交換的方式被連接。此外，控制器101進(jìn)行如下所 述的控制，即，通過將控制信號(hào)分別送出至各終端設(shè)備的模塊控制器 la 7a，經(jīng)由各模塊控制器la 7a，進(jìn)行各終端設(shè)備的規(guī)定處理例如 在成膜裝置1 4內(nèi)進(jìn)行成膜處理或者調(diào)節(jié)處理等。
并且，控制器101進(jìn)行如下所述的控制，其接收作為數(shù)據(jù)信號(hào)的 在成模系統(tǒng)100的各成膜裝置1 4中分別配置的模塊控制器la 4a 的存儲(chǔ)器60中存儲(chǔ)的各種加工工藝信息，例如該成膜裝置實(shí)施何種加 工工藝等所謂的加工工藝履歷、通過個(gè)數(shù)計(jì)數(shù)器61計(jì)數(shù)的晶片W的 處理個(gè)數(shù)(個(gè)數(shù)計(jì)數(shù)值)等的信息，并參照這些信息例如在上述成膜 裝置1 4中適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行成膜處理或者調(diào)節(jié)處理。
對(duì)于接口 102，具有工序管理者為了管理成膜系統(tǒng)100而進(jìn)行命令 的輸入操作等的鍵盤、和使成膜100的工作狀況可視化顯示的顯示器 等。
在存儲(chǔ)部103中，保存有存儲(chǔ)用于利用控制器101的控制實(shí)現(xiàn)由 成膜系統(tǒng)100實(shí)施的各種處理的控制程序(軟件)、和處理?xiàng)l件數(shù)據(jù)等 的方案。作為這種方案，包括例如關(guān)于利用晶片搬送室5內(nèi)的晶片 搬送裝置12進(jìn)行的晶片W的搬送目的地、搬送順序等的搬送方案； 規(guī)定了用于在各成膜裝置1 4中進(jìn)行成膜處理等的具體的氣體種類、 其流量、處理壓力、處理溫度等的加工工藝方案；關(guān)于在各成膜裝置l
4中作為調(diào)節(jié)處理之一進(jìn)行的預(yù)涂敷處理等的加工工藝方案；同樣地關(guān)
于作為調(diào)節(jié)處理之一進(jìn)行的清掃處理等的收尾(epilogue)方案等。 并且，在存儲(chǔ)部103中還保存有當(dāng)控制器101判斷關(guān)于如后所述
的各成膜裝置1 4的加工工藝間調(diào)節(jié)是否需要時(shí)使用的加工工藝間調(diào)
節(jié)表(參照?qǐng)D6)等。
根據(jù)需要，如上所述構(gòu)成的控制部19，根據(jù)來自接口102的指示
等從存儲(chǔ)部103中讀取任意的方案，例如搬送方案、加工工藝方案、
起始方案、收尾方案等，并且根據(jù)需要組合這些方案由控制器101實(shí) 施，由此，在控制器101的控制下，由成膜系統(tǒng)100進(jìn)行期望的處理。 上述控制程序和處理?xiàng)l件數(shù)據(jù)等的方案保存在計(jì)算機(jī)能夠讀取的
存儲(chǔ)介質(zhì)中。作為存儲(chǔ)介質(zhì)，能夠列舉出例如硬盤、CD—ROM、軟盤、 閃存等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器等。此外，也可以從其他的裝置通過例如專用線 路適當(dāng)?shù)貍魉头桨浮?br> 接著，在成膜系統(tǒng)100的成膜裝置1 4中，以成膜裝置l為代表 例對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖3是在鎢膜的成膜加工工藝中使用成膜裝置1 時(shí)的大致截面圖。該成膜裝置1具有例如形成為大致圓筒狀的鋁制的 腔室20。在該腔室20內(nèi)的頂部設(shè)置有用于導(dǎo)入例如各種成膜氣體和運(yùn) 輸氣體等的噴淋頭21。在噴淋頭21的中央部形成有氣體導(dǎo)入部22， 該氣體導(dǎo)入部22通過氣體供給管23與氣體供給部24連接。
氣體供給部24包括例如供給作為鎢膜的成膜原料的，6氣體的 ，6氣體供給源25;供給作為還原氣體的SiH4氣體的SiH4氣體供給源
26;供給同B2H6氣體的B2H6氣體供給源27;供給同H2氣體的H2氣 體供給源28;供給運(yùn)輸氣體的運(yùn)輸氣體供給源29;和供給清掃氣體的
清掃氣體供給源30。在與各氣體供給源連接的各個(gè)氣體管路23a上， 在開閉閥31、 31之間設(shè)置有質(zhì)量流量控制器32，以能夠控制被供給的 氣體的切換和流量等的方式被構(gòu)成。
在噴淋頭21的下面設(shè)置有多個(gè)氣體噴射口 33，能夠從此處向處理 空間S噴射成膜氣體或者清掃氣體。此外，在噴淋頭21內(nèi)部的空閑處 21a配置有具有多個(gè)擴(kuò)散孔34的擴(kuò)散板35，能夠促進(jìn)導(dǎo)入到噴淋頭21 內(nèi)的氣體的擴(kuò)散。
在腔室20內(nèi)設(shè)置有用于載置晶片W的載置臺(tái)36。該載置臺(tái)36通 過例如L字型的3根保持部件38 (圖中僅表示出2根)設(shè)置在立設(shè)于 腔室20底部的圓筒狀的反射體(reflector) 37上。在載置臺(tái)36的下方 以立起狀態(tài)配置有多個(gè)例如3個(gè)L字型的升降銷39 (圖中僅表示出2 個(gè))。各升降銷39插通形成在反射體37上的插通孔(圖未示出)，在 其基端部被環(huán)狀部件40支撐。環(huán)狀部件40通過貫通腔室20的底部設(shè) 置的連接棒41與升降驅(qū)動(dòng)部42連接。并且，通過利用連接棒41使環(huán) 狀部件40上下變換位置，從而使各升降銷39形成為通過形成于載置
臺(tái)36上的貫通孔36a能夠相對(duì)于載置臺(tái)36的上面突出縮回自如地上 下移動(dòng)。其中，在腔室20的底部的貫通孔20a貫通配置的連接棒41 的周圍配置有能夠伸縮的波紋管43，能夠在腔室20中保持內(nèi)部的氣密 狀態(tài)。
此外，在腔室20的底部的周緣部設(shè)置有多個(gè)排氣口 44。各個(gè)排氣 口 44通過排氣管45與未圖示的真空泵連接，能夠?qū)⑶皇覂?nèi)抽真空至 規(guī)定的真空度。此外，在腔室20的側(cè)壁設(shè)置有當(dāng)晶片W被搬入搬出 時(shí)通過的搬送用開口 20b，在該搬送用開口 20b配置有閘閥G。
此外，在載置臺(tái)36的下方通過未圖示的O型環(huán)等的密封部件氣密 地設(shè)置有由石英等熱線透過材料構(gòu)成的透過窗46。并且，在透過窗46 的下方設(shè)置有箱型的加熱室47。在該加熱室47內(nèi)設(shè)置有作為加熱單元 的例如多個(gè)加熱燈48。各加熱燈48被安裝在同時(shí)具有作為反光鏡功能 的旋轉(zhuǎn)臺(tái)49上，該旋轉(zhuǎn)臺(tái)49構(gòu)成為通過經(jīng)由旋轉(zhuǎn)軸50設(shè)置在加熱室 47底部的馬達(dá)51能夠旋轉(zhuǎn)。從加熱燈48放射的熱量透過透過窗46 到達(dá)厚度較薄的載置臺(tái)36的下面，并對(duì)其加熱，進(jìn)而能夠間接地將該 載置臺(tái)36上的晶片W加熱。
此外，在與腔室20的底部的排氣口 44連接的排氣管45上設(shè)置有 檢測(cè)腔室內(nèi)的狀態(tài)的檢測(cè)單元52。作為該檢測(cè)單元52，例如能夠列舉 出對(duì)配置在排氣管45上的APC閥(自動(dòng)壓力調(diào)節(jié)閥(省略圖示))的 閥開度進(jìn)行監(jiān)視的閥開度監(jiān)視裝置。此時(shí)，作為檢測(cè)單元52的閥開度 監(jiān)視裝置，檢測(cè)出隨著因腔室內(nèi)堆積物的分解反應(yīng)所生成的氣體量的 變化而變化的上述閥開度的變化量，由此，能夠檢測(cè)出腔室內(nèi)的堆積 物的殘余量。此外，作為檢測(cè)單元52的其他的例子，能夠列舉出計(jì)測(cè) 通過上述排氣管45的排氣中的微粒數(shù)的微粒計(jì)數(shù)器(圖未示出)。此 時(shí)，作為檢測(cè)單元52的微粒計(jì)數(shù)器能夠根據(jù)排氣中的微粒數(shù)的計(jì)測(cè)結(jié) 果檢測(cè)出腔室內(nèi)的堆積物的量。
接著，對(duì)使用以上結(jié)構(gòu)的成膜裝置1進(jìn)行的鎢膜的成膜過程進(jìn)行 說明。首先，打開配置在腔室20的側(cè)壁上的閘閥G，利用晶片搬送裝 置12通過搬送用開口 20b將晶片W從晶片搬送室5搬入腔室20內(nèi)， 與此同時(shí)，驅(qū)動(dòng)升降驅(qū)動(dòng)部42使環(huán)狀部件40上升，由此，使升降銷 39從載置臺(tái)36突出接收晶片W。接著，驅(qū)動(dòng)升降驅(qū)動(dòng)部42，使環(huán)狀
部件40下降，由此使升降銷39下降，將晶片W載置在載置臺(tái)36上。 在該晶片W的表面預(yù)先形成凹部，在該凹部的內(nèi)面形成有作為基底膜 的Ti/TiN膜那樣的阻擋層。
接著，按照規(guī)定的時(shí)刻(后述)從氣體供給部24向噴淋頭21以 每次規(guī)定量地供給作為處理氣體的規(guī)定的成膜氣體、運(yùn)輸氣體等，從 噴淋頭下面的氣體噴射口 33向腔室20內(nèi)的晶片W的上方的處理空間 S大致均等地進(jìn)行供給。并且，通過從排氣口 44對(duì)腔室20內(nèi)進(jìn)行吸引 排氣，能夠?qū)⑶皇?0內(nèi)減壓至規(guī)定的壓力。然后，接入載置臺(tái)36下 方的加熱燈48的電源。
從加熱燈48放出的熱量透過透過窗46對(duì)載置臺(tái)36的背面進(jìn)行加 熱。載置臺(tái)36例如厚度形成為lmm左右，因此，熱量迅速地傳導(dǎo)至 載置于其上的晶片W，能夠?qū)⒕琖迅速地加熱至規(guī)定溫度。然后， 供給至腔室20內(nèi)的成膜氣體產(chǎn)生規(guī)定的化學(xué)反應(yīng)，鎢的薄膜堆積在晶 片W的整個(gè)上面。
在成膜加工工藝結(jié)束后，打開閘閥G，通過搬送用開口 20b將晶 片W從腔室20搬出。
接著，參照?qǐng)D4A、 4B對(duì)使用成膜裝置1 4的鎢薄膜的成膜中的 各氣體的供給時(shí)序進(jìn)行簡(jiǎn)單說明。此處例示的成膜加工工藝包括初期 鎢膜形成工序80和鈍化鎢膜形成工序81以及主鎢膜形成工序82。
圖4A是使用WF6氣體作為含鎢氣體，使用乙硼垸(B2H6)氣體 和氫氣(H2)氣體作為還原氣體的成膜加工工藝的例子，圖4B是使用 WF6氣體作為含鎢氣體，使用硅烷(SiH4)氣體和氫氣(H2)氣體作 為還原氣體的成膜加工工藝的例子。以下說明的初期鎢膜形成工序80、 鈍化鎢膜形成工序81和主鎢膜形成工序82在同一腔室內(nèi)按順序依次 進(jìn)行。
在圖4A中，首先，在初期鎢膜形成工序80中多次反復(fù)進(jìn)行以下 操作交替地進(jìn)行供給作為還原氣體的B2H6氣體的還原氣體供給工序 90和供給作為含鎢氣體的WF6氣體的鎢氣體供給工序91，并且在這兩 個(gè)工序之間實(shí)施吹掃工序92。即，交互地反復(fù)進(jìn)行B2H6氣體的供給和 WF6氣體的供給，并在它們之間進(jìn)行吹掃工序92，由此形成初期鎢膜。 在還原氣體供給工序90和鎢氣體供給工序91中，作為運(yùn)輸氣體持續(xù)
流通惰性氣體例如Ar氣體等。在吹掃工序92中，與運(yùn)輸氣體相同地 向腔室內(nèi)供給惰性氣體例如Ar氣體、N2氣體等并且進(jìn)行抽真空。該惰 性氣體在整個(gè)初期鎢膜形成工序80中持續(xù)地供給。在初期鉤膜形成工 序80中，以從某個(gè)還原氣體供給工序90至下一個(gè)還原氣體供給工序 90開始為止的期間為一個(gè)循環(huán)，能夠?qū)嵤┒鄠€(gè)循環(huán)，但是該循環(huán)數(shù)并 沒有特別的限制。此外，初期鎢膜形成工序80的最后以還原氣體供給 工序90為結(jié)束。
在形成初期鎢膜之后，進(jìn)行使用H2氣體取代B2H6氣體作為還原 氣體，同時(shí)向腔室內(nèi)供給該H2氣體和WFe氣體，形成鈍化鎢膜的鈍化 鎢膜形成工序81。在該鈍化鎢膜形成工序81中，優(yōu)選逐漸增加WF6 氣體的流量。此外，在此處也是持續(xù)流通作為運(yùn)輸氣體的惰性氣體例 如Ar氣體、N2氣體等。通過該鈍化鎢膜形成工序81，在初期鎢膜上 形成鈍化鎢膜。
在鈍化鎢膜形成工序81結(jié)束之后，維持增加WF6氣體的流量的狀 態(tài)，減少H2氣體的流量，繼續(xù)進(jìn)行主鎢膜形成工序82。此處，也是持 續(xù)流通作為運(yùn)輸氣體的惰性氣體例如Ar氣體、N2氣體等。這樣進(jìn)行規(guī) 定時(shí)間的主鎢膜形成工序82，例如將形成于晶片W上的凹部完全被主 鎢膜所填埋。此時(shí)的處理壓力和處理溫度從鈍化鎢膜形成工序81結(jié)束 的時(shí)刻開始實(shí)質(zhì)上沒有變動(dòng)，優(yōu)選分別保持恒定。
圖4B的成膜加工工藝，在初期鎢膜形成工序80的還原氣體供給 工序90中，使用SiHt氣體代替作為還原氣體的B2H6氣體，除此之外 均以與關(guān)于圖4A說明的內(nèi)容相同的順序?qū)嵤?，因此在相同的工序中?biāo) 注相同標(biāo)號(hào)并省略說明。
其中，在上述例子中，作為還原氣體使用乙硼烷(B2H6)氣體和 硅烷(SiH4)氣體和氫氣(H2)氣體，但是也可以取代它們，而使用 例如乙硅垸(Si2H6)、 二氯硅垸(SiH2Cl2)、磷化氫(PH3)等，也可 以對(duì)它們進(jìn)行適當(dāng)?shù)慕M合。此外，作為含鎢氣體，并不局限于WF6， 也可以使用有機(jī)金屬化合物的鎢源氣體。
在這種鎢膜的成膜加工工藝中，在中途改變還原氣體的種類和供 給時(shí)刻的同時(shí)在同一腔室內(nèi)連續(xù)地進(jìn)行初期鎢膜形成工序80、鈍化鎢 膜形成工序81、主鎢膜形成工序82的三個(gè)工序。并且，假設(shè)當(dāng)圖4A
所示的成膜加工工藝和圖4B所示的成膜加工工藝在同一個(gè)腔室內(nèi)連
續(xù)地實(shí)施時(shí)，因?yàn)樵诔跗阪u膜形成工序80中使用的還原氣體(B2H6 或者SiH。的種類不同，所以相對(duì)于圖4A的成膜加工工藝，圖4B的 成膜加工工藝為不同種類的加工工藝。并且，當(dāng)連續(xù)實(shí)施這樣的不同 種類加工工藝時(shí)，例如若在作為先行加工工藝的圖4A的成膜加工工藝 中使用的B2H6或者其分解物的硼(B)殘留在腔室內(nèi)，則有可能對(duì)作 為后繼加工工藝的圖4B的成膜加工工藝產(chǎn)生惡劣影響。因此，優(yōu)選在 作為先行加工工藝的圖4A的成膜加工工藝和作為后繼加工工藝的圖 4B的成膜加工工藝之間根據(jù)需要實(shí)施加工工藝間調(diào)節(jié)。在本發(fā)明中， 自動(dòng)地進(jìn)行是否需要實(shí)施該加工工藝間調(diào)節(jié)的判斷。
接著，列舉具體例子對(duì)該決定是否需要調(diào)節(jié)的方法進(jìn)行說明。 (第一實(shí)施方式)
圖5是表示能夠合適地適用于鎢薄膜的成膜的決定是否需要調(diào)節(jié) 的方法的基本順序的一個(gè)例子的流程圖。此處，令先行加工工藝為"加 工工藝A"，后繼的加工工藝為"加工工藝B"。并且，圖5中的加工 工藝A和加工工藝B是在成膜系統(tǒng)100的成膜裝置1 4中的任一個(gè) (同一腔室內(nèi))中實(shí)施的。以下，以在成膜裝置1中實(shí)施的情況為例 進(jìn)行說明。
首先，在成膜裝置l中，實(shí)施任意的加工工藝A (步驟S1)。加工 工藝間調(diào)節(jié)因?yàn)槭窃谙刃屑庸すに嚭秃罄^加工工藝之間實(shí)施，因此， 在圖5中，是從實(shí)施作為先行加工工藝的加工工藝A的狀態(tài)開始記載 的。其中，在成膜裝置l中，也可以是已經(jīng)結(jié)束加工工藝A的全部處 理，處于待機(jī)狀態(tài)。
接著，在步驟S2中，通過控制部19的控制器101，判斷在成膜裝 置1中加工工藝A是否己經(jīng)結(jié)束并且是否開始下一批次。此處，對(duì)于 判斷加工工藝A結(jié)束，例如有關(guān)于加工工藝A的批次的最后的晶片W 已經(jīng)從成膜裝置1搬出的信號(hào)從成膜裝置1的模塊控制器la發(fā)送到控 制部19的控制器101中的情況，和從接口 102輸入有加工工藝A的結(jié) 束(包括中斷)的指示的情況。此外，對(duì)于判斷下一批次開始，例如 有從接口 102輸入有下一批次(加工工藝B)的開始指示的情況等。
另一方面，當(dāng)在步驟S2中判斷加工工藝A沒有結(jié)束(No)時(shí)，
繼續(xù)在成膜裝置1中進(jìn)行加工工藝A的處理。此外，例如雖然加工工
藝A結(jié)束，但是成膜裝置1處于待機(jī)狀態(tài)，在步驟S2中判斷為下一批 次沒有開始(No)時(shí)，在下一批次開始之前保持待機(jī)狀態(tài)。
在步驟S2中，當(dāng)判斷為"加工工藝A結(jié)束，并且下一批次開始" (Yes)時(shí)，在接著的步驟S3中，控制部19的控制器101取得先行加 工工藝A的加工工藝信息。該加工工藝信息如上所述被保存在成膜裝 置1的模塊控制器la的存儲(chǔ)器60中，其能夠通過控制器101被讀取 而取得。此處，所謂"加工工藝信息"，不是必須為先行加工工藝(加 工工藝A)的成膜氣體種類和成膜溫度等詳細(xì)的內(nèi)容，也可以是每個(gè) 先行加工工藝或者包括先行加工工藝的每個(gè)加工工藝組分別被分配的 識(shí)別記號(hào)例如加工工藝組編號(hào)等。
接著，控制器101取得后繼加工工藝B的加工工藝信息(步驟S4)。 后繼加工工藝的加工工藝信息能夠通過控制器101讀取保存在控制部 19的存儲(chǔ)部103中的加工工藝B的加工工藝方案而取得。關(guān)于該"后 繼加工工藝的信息"，例如能夠使用每個(gè)后繼加工工藝或者包括后繼加 工工藝的每個(gè)加工工藝組分別被分配的識(shí)別記號(hào)，例如加工工藝組編 號(hào)等。
接著，控制器101根據(jù)取得的先行加工工藝的信息和后繼加工工 藝的信息，參照保存在存儲(chǔ)部103中的加工工藝間調(diào)節(jié)表(步驟S5)。 圖6中表示出此處所使用的加工工藝間調(diào)節(jié)表的一個(gè)例子。加工工藝 間調(diào)節(jié)表200是根據(jù)加工工藝的種類(例如使用的原料氣體的種類和 成膜溫度等)將類似的加工工藝預(yù)先分類成幾個(gè)組，在此基礎(chǔ)上作為
號(hào)的組合的矩陣而構(gòu)成。這種加工工^組編號(hào)的矩陣是基于先行加工 工藝中和后繼加工工藝中分別使用的氣體的種類和成膜溫度等，考慮 到先行加工工藝的殘留氣氛、堆積物、溫度等是否會(huì)對(duì)后繼加工工藝 產(chǎn)生影響而做成的。
控制器101以參照加工工藝間調(diào)節(jié)表200的結(jié)果為基礎(chǔ)判斷是否 需要進(jìn)行加工工藝間調(diào)節(jié)(步驟S6)。圖6所示的加工工藝間調(diào)節(jié)表 200中，根據(jù)分配給各加工工藝組中的各自固有的加工工藝組編號(hào)，通 過核對(duì)先行加工工藝和后繼加工工藝的加工工藝組編號(hào)，能夠決定是
否需要進(jìn)行加工工藝間調(diào)節(jié)。在加工工藝間調(diào)節(jié)表200中，"要"表示 需要進(jìn)行加工工藝間調(diào)節(jié)，"不要"表示不需要進(jìn)行加工工藝間調(diào)節(jié)。
例如作為先行加工工藝的加工工藝A和作為后繼加工工藝的加工工藝 B同時(shí)屬于"加工工藝組編號(hào)l"時(shí)，參照?qǐng)D6，判斷加工工藝間調(diào)節(jié) 為"不要"。此外，例如先行的加工工藝A屬于"加工工藝組編號(hào)1"， 后繼的加工工藝B屬于"加工工藝組編號(hào)3"時(shí)，從圖6中判斷加工 工藝間調(diào)節(jié)為"要"(必要)。其中，加工工藝間調(diào)節(jié)表的形式和內(nèi)容 沒有特別的限定。例如，也可以使用不是如圖6所示那樣針對(duì)每一個(gè) 加工工藝組，而是針對(duì)各個(gè)加工工藝制成矩陣，規(guī)定加工工藝間調(diào)節(jié) 的要否的表。
在步驟S6中，當(dāng)判斷加工工藝間調(diào)節(jié)為必要(Yes)時(shí)，通過從 控制器101向成膜裝置1的模塊控制器la發(fā)送控制信號(hào)，進(jìn)行腔室內(nèi) 的加工工藝間調(diào)節(jié)(步驟S7)。該加工工藝間調(diào)節(jié)，例如除成膜裝置l 的腔室內(nèi)的干式清掃、該干式清掃后的預(yù)涂敷之外，還能夠通過腔室 內(nèi)的溫度調(diào)節(jié)、循環(huán)吹掃處理、烘焙處理等調(diào)節(jié)腔室內(nèi)環(huán)境的各種處 理以及它們的組合來實(shí)施。例如，作為加工工藝間調(diào)節(jié)實(shí)施干式清掃 時(shí)，能夠在將腔室內(nèi)加熱的狀態(tài)下，通過導(dǎo)入作為清掃氣體的例如C1F3 等的鹵素類氣體，利用該氣體的蝕刻作用，除去腔室內(nèi)的堆積物等。 此外，當(dāng)作為加工工藝間調(diào)節(jié)實(shí)施預(yù)涂敷時(shí)，能夠根據(jù)后繼加工工藝 的內(nèi)容將預(yù)涂敷時(shí)的成膜溫度設(shè)定在例如350 50(TC左右來實(shí)施。并 且，加工工藝間調(diào)節(jié)也能夠在將虛設(shè)(dummy)晶片Wd搬入到腔室 內(nèi)并載置于載置臺(tái)36上的狀態(tài)下進(jìn)行。
對(duì)于在步驟S7中進(jìn)行的加工工藝間調(diào)節(jié)，雖然能夠設(shè)定為在全部 加工工藝間一律能夠適用的內(nèi)容，但是優(yōu)選實(shí)施適合先行加工工藝或 者后繼加工工藝的個(gè)別內(nèi)容的加工工藝間調(diào)節(jié)，更為優(yōu)選的是進(jìn)行適 合后繼加工工藝的內(nèi)容的加工工藝間調(diào)節(jié)。此時(shí)，例如，作為上述加 工工藝間調(diào)節(jié)表200的一個(gè)要素，能夠規(guī)定加工工藝間調(diào)節(jié)的內(nèi)容。 此外，如后述實(shí)施方式那樣，也可以附隨后繼加工工藝實(shí)施其最初進(jìn) 行的起始方案中所規(guī)定的預(yù)涂敷處理、后繼加工工藝的最后進(jìn)行的收 尾方案中規(guī)定的清掃處理。這種后繼加工工藝中的起始方案和收尾方 案能夠針對(duì)每一個(gè)后繼加工工藝或者包括后繼加工工藝的每一個(gè)加工
工藝表預(yù)先設(shè)定。這樣，通過以后繼加工工藝為基準(zhǔn)設(shè)定加工工藝間 調(diào)節(jié)的內(nèi)容，則不管先行加工工藝的內(nèi)容為何種內(nèi)容，都能夠極力排 除對(duì)后繼加工工藝的影響。
在步驟S7的加工工藝間調(diào)節(jié)結(jié)束之后，是通過從控制器101向成 膜裝置1發(fā)送控制信號(hào)，接著將晶片W搬入到同一腔室20中之后， 實(shí)施作為后繼加工工藝的加工工藝B (步驟S8)。此時(shí)，成膜裝置1的 腔室內(nèi)因?yàn)橥ㄟ^加工工藝間調(diào)節(jié)排除先行加工工藝的影響，所以能夠 在良好的環(huán)境下實(shí)施加工工藝B。
另一方面，當(dāng)在步驟S6中判斷加工工藝間調(diào)節(jié)為不要(No)時(shí)， 加工工藝A和加工工藝B為類似的加工工藝，即便保持不變實(shí)施加工 工藝B也不會(huì)對(duì)后繼加工工藝產(chǎn)生影響，因此，不實(shí)施加工工藝間調(diào) 節(jié)，通過控制器101的控制在步驟S8中實(shí)施作為后繼加工工藝的加工 工藝B。
通過以上的步驟Sl 步驟S8的處理，即便先行加工工藝A和后 繼加工工藝B為不同種類加工工藝的情況下，也能夠在將腔室內(nèi)維持 在最合適環(huán)境的狀態(tài)下實(shí)施后繼的加工工藝B。而且，由于能夠根據(jù) 先行加工工藝和后繼加工工藝的種類(加工工藝組)自動(dòng)地決定加工 工藝間調(diào)節(jié)的要否，因此能夠減輕工序管理者的作業(yè)負(fù)擔(dān)并且能夠盡 可能地回避因錯(cuò)誤判斷造成的對(duì)后繼加工工藝的惡劣影響，能夠提高 成膜加工工藝的可靠性。
此外，通過先行加工工藝和后繼加工工藝的組合，存在能夠不進(jìn) 行加工工藝間調(diào)節(jié)而實(shí)施后繼加工工藝的情況，在該情況下，因?yàn)樵?步驟S6中結(jié)論為不需要加工工藝間調(diào)節(jié)(No)的判斷是自動(dòng)進(jìn)行的， 所以能夠回避不必要的加工工藝間調(diào)節(jié)的實(shí)施，能夠?qū)崿F(xiàn)生產(chǎn)率的提 高。
此外，在本實(shí)施方式中構(gòu)成為，參照通過基于加工工藝的種類(例 如使用的原料氣體的種類和成膜溫度)預(yù)先被組分的先行加工工藝組 和后繼加工工藝組的加工工藝組編號(hào)而簡(jiǎn)單對(duì)應(yīng)的加工工藝間調(diào)節(jié)表 200、進(jìn)行加工工藝間調(diào)節(jié)的要否的判斷(步驟S6)，使對(duì)控制器101 的CPU的運(yùn)算處理的負(fù)荷極小，能夠迅速并且可靠地進(jìn)行判斷。
接著，參照?qǐng)D7以及圖8對(duì)并用本發(fā)明的加工工藝間調(diào)節(jié)和個(gè)數(shù)/
膜厚調(diào)節(jié)的情況的實(shí)施方式進(jìn)行說明。此處，所謂"個(gè)數(shù)/膜厚調(diào)節(jié)"， 是指例如在成膜裝置1的腔室內(nèi)的晶片W的處理個(gè)數(shù)達(dá)到設(shè)定值的時(shí) 刻，或者通過腔室內(nèi)的成膜處理在晶片W上形成的薄膜的累計(jì)膜厚達(dá) 到設(shè)定值的時(shí)刻進(jìn)行的調(diào)節(jié)。例如，當(dāng)在成膜裝置1內(nèi)對(duì)多枚晶片W 實(shí)施的同種加工工藝時(shí)，隨著處理個(gè)數(shù)的增加，堆積物蓄積在成膜裝 置1的腔室內(nèi)。當(dāng)這些堆積物蓄積到一定量以上時(shí)，其一部分剝離產(chǎn) 生顆粒，對(duì)腔室內(nèi)的氣體流動(dòng)和熱分布產(chǎn)生影響，所以，對(duì)加工工藝 產(chǎn)生惡劣影響。因此，即便在實(shí)施同種加工工藝的中途，也要以晶片 W的處理個(gè)數(shù)和形成的薄膜的累計(jì)膜厚為基準(zhǔn)對(duì)腔室內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)。
當(dāng)設(shè)定實(shí)施上述個(gè)數(shù)/膜厚調(diào)節(jié)和加工工藝間調(diào)節(jié)兩者時(shí)，例如， 當(dāng)個(gè)數(shù)/膜厚調(diào)節(jié)和加工工藝切換的時(shí)刻重合時(shí)，連續(xù)進(jìn)行這兩種調(diào)節(jié)。 從提高生產(chǎn)率的觀點(diǎn)出發(fā)，重復(fù)進(jìn)行清掃和預(yù)涂敷是無用的，優(yōu)選實(shí) 現(xiàn)兩種調(diào)節(jié)的調(diào)整。但是，若這樣的判斷由工序管理者來進(jìn)行，則有 必要進(jìn)行兩種加工工藝間和兩種調(diào)節(jié)間的調(diào)整，因此，增加了復(fù)雜程 度，容易產(chǎn)生錯(cuò)誤判斷。因此，在以下說明的第二實(shí)施方式中，自動(dòng) 進(jìn)行加工工藝間調(diào)節(jié)和個(gè)數(shù)/膜厚調(diào)節(jié)的調(diào)整。 (第二實(shí)施方式)
圖7是表示第二實(shí)施方式的決定是否需要調(diào)節(jié)的方法的基本順序
的一個(gè)例子的流程圖。在本實(shí)施方式中，作為個(gè)數(shù)/膜厚調(diào)節(jié)的一個(gè)例
子，以當(dāng)成膜系統(tǒng)100的各成膜裝置1 4各自的處理個(gè)數(shù)到達(dá)預(yù)先設(shè) 定的設(shè)定值時(shí)，在緊接著的晶片W的處理開始之前，自動(dòng)進(jìn)行調(diào)節(jié)的 晶片間調(diào)節(jié)和上述加工工藝間調(diào)節(jié)兩者的功能被有效地設(shè)定的情況為 例進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，同樣設(shè)先行加工工藝為"加工工藝A"， 后繼加工工藝為"加工工藝B"。在圖7中的加工工藝A和加工工藝B 因?yàn)樵谕磺皇覂?nèi)實(shí)施，因此這里以在成膜裝置1中實(shí)施的情況為例 進(jìn)行說明。
其中，在本實(shí)施方式中，作為加工工藝間調(diào)節(jié)的處理內(nèi)容，設(shè)定 "加工工藝間清掃"和"加工工藝間預(yù)涂敷"，此外，作為晶片間調(diào)節(jié) 的處理內(nèi)容，設(shè)定"晶片間清掃"和"晶片間預(yù)涂敷"。
首先，在成膜裝置l中，實(shí)施任意的加工工藝A (步驟Sll)。在 該加工工藝A中的晶片處理個(gè)數(shù)，在成膜裝置1的模塊控制器la具備
的個(gè)數(shù)計(jì)數(shù)器61中作為個(gè)數(shù)計(jì)數(shù)值保存。個(gè)數(shù)計(jì)數(shù)器61在成膜裝置1
中每完成一個(gè)晶片W的處理，便將個(gè)數(shù)計(jì)數(shù)值加l。同樣，成膜裝置 2 4的模塊控制器2a 4a中也將各成膜裝置2 4的個(gè)數(shù)計(jì)數(shù)值保存 起來，能夠通過控制器101即時(shí)地掌握成膜系統(tǒng)100全體的晶片處理 個(gè)數(shù)的信息。
接著，例如，若控制器101接收到關(guān)于加工工藝A的晶片W的處 理結(jié)束的內(nèi)容的信號(hào)時(shí)，則在步驟S12中，為了決定是否需要進(jìn)行晶 片間調(diào)節(jié)，判斷成膜裝置1中的晶片處理個(gè)數(shù)是否達(dá)到設(shè)定個(gè)數(shù)。該 判斷是通過控制部19的控制器101參照由成膜裝置1的模塊控制器la 的個(gè)數(shù)計(jì)數(shù)器61所計(jì)數(shù)的個(gè)數(shù)計(jì)數(shù)值來進(jìn)行的。
在步驟S12中，當(dāng)判斷成膜裝置1的處理個(gè)數(shù)沒有達(dá)到設(shè)定個(gè)數(shù) (No)時(shí)，不進(jìn)行晶片間調(diào)節(jié)，在步驟S13中，通過控制部19的控制 器101取得先行加工工藝A的加工工藝信息例如加工工藝A的加工工 藝組編號(hào)。該加工工藝信息被保存在上述各成膜裝置1的模塊控制器 la的存儲(chǔ)器60中，其通過控制器101讀取而取得。
接著，控制器101取得后繼加工工藝B的加工工藝信息例如后繼 加工工藝B的加工工藝組編號(hào)(步驟S14)。后繼加工工藝B的加工工 藝信息，能夠通過控制器101讀取保存在控制部19的存儲(chǔ)部103中的 加工工藝B的加工工藝方案取得。
接著，控制器101以取得的先行加工工藝A的加工工藝信息和后 繼加工工藝B的加工工藝信息為基礎(chǔ)，參照保存在存儲(chǔ)部103中的加 工工藝間清掃表(省略圖示)(步驟S15)。此處使用的加工工藝間清掃 表與圖6所示的加工工藝間調(diào)節(jié)表為相同的結(jié)構(gòu)，是僅對(duì)先行加工工 藝和后繼加工工藝之間的加工工藝間清掃的要否進(jìn)行規(guī)定的表。在本 實(shí)施方式中，因?yàn)樽鳛榧庸すに囬g調(diào)節(jié)包括加工工藝間清掃和加工工 藝間預(yù)涂敷，所以，作為"加工工藝間調(diào)節(jié)表"，使用只規(guī)定是否需要 加工工藝間清掃的表。
接著，控制器101以參照上述加工工藝間清掃表的結(jié)果為基礎(chǔ)， 判斷是否需要加工工藝間清掃(步驟S16)。當(dāng)在該步驟S16中判斷加 工工藝間清掃為必要(Yes)時(shí)，通過從控制器101向成膜裝置l發(fā)送 控制信號(hào)，實(shí)施腔室內(nèi)的加工工藝間清掃(步驟S17)。作為此時(shí)進(jìn)行
的加工工藝間清掃的內(nèi)容，選擇作為后繼加工工藝的加工工藝B的收
尾方案。從而能夠以無論加工工藝A為何種內(nèi)容都不會(huì)對(duì)加工工藝B 產(chǎn)生影響的方式對(duì)腔室內(nèi)進(jìn)行清掃。其中，若實(shí)施步驟S17的加工工 藝間清掃，則將成膜裝置1的模塊控制器la的個(gè)數(shù)計(jì)數(shù)器61的個(gè)數(shù) 計(jì)數(shù)值歸零。
另一方面，當(dāng)在步驟S12中判斷成膜裝置1中的處理個(gè)數(shù)達(dá)到設(shè) 定個(gè)數(shù)(Yes)時(shí)，在步驟S18中實(shí)施腔室內(nèi)的晶片間清掃。此時(shí)進(jìn)行 的晶片間清掃選擇加工工藝A的收尾方案。該步驟S12和步驟S18是 致使晶片W的處理結(jié)束的進(jìn)行晶片間清掃時(shí)的通常的處理順序。艮P， 晶片間清掃是在"晶片W的處理結(jié)束，并且在成膜裝置1的處理個(gè)數(shù) 達(dá)到設(shè)定值的情況"實(shí)施。此外，若在步驟S18中實(shí)施晶片間清掃， 則成膜裝置1的模塊控制器la的個(gè)數(shù)計(jì)數(shù)器61的個(gè)數(shù)計(jì)數(shù)值歸零。
步驟S17的晶片間清掃結(jié)束之后，并且步驟S18的晶片間清掃結(jié) 束之后，在步驟S19中，進(jìn)行腔室內(nèi)的加工工藝間預(yù)涂敷。作為該加 工工藝間預(yù)涂敷，選擇作為后繼加工工藝的加工工藝B的起始方案。 由此，實(shí)施適合于加工工藝B的實(shí)施的預(yù)涂敷處理，實(shí)現(xiàn)成膜裝置1 的腔室內(nèi)的環(huán)境調(diào)節(jié)。
在本實(shí)施方式中，如上所述作為晶片間調(diào)節(jié)，設(shè)置晶片間清掃和 晶片間預(yù)涂敷。在該情況下，若按照通常的處理順序，則例如圖8所 示那樣，在加工工藝A的收尾方案所規(guī)定的晶片間清掃之后，進(jìn)行同 一加工工藝A的起始方案所規(guī)定的晶片間預(yù)涂敷。因此，在圖7的處 理順序中，本來在步驟S18的晶片間清掃后的預(yù)涂敷，是實(shí)施結(jié)束的 加工工藝(加工工藝A)的起始方案所規(guī)定的晶片間預(yù)涂敷。
但是，假設(shè)在步驟S18的晶片間清掃之后，若實(shí)施作為先行加工 工藝的加工工藝A的起始方案所規(guī)定的晶片間預(yù)涂敷，則在進(jìn)行后繼 的加工工藝B之前，有必要進(jìn)行后繼的加工工藝B所適合的加工工藝 間調(diào)節(jié)。
即，如圖9所示，當(dāng)在加工工藝A的收尾方案所規(guī)定的晶片間清 掃之后，緊接著實(shí)施同一加工工藝A的起始方案所規(guī)定的晶片間預(yù)涂 敷時(shí)，進(jìn)一步，在進(jìn)行加工工藝B的收尾方案所規(guī)定的加工工藝間清 掃之后，必須實(shí)施加工工藝B的起始方案所規(guī)定的加工工藝間預(yù)涂敷，
清掃和預(yù)涂敷每?jī)纱伪恢貜?fù)。
因此，在本實(shí)施方式中，加工工藝A的收尾方案所規(guī)定的步驟S18 的晶片間清掃之后，不進(jìn)行加工工藝A的起始方案所規(guī)定的晶片間預(yù) 涂敷(跳過)，進(jìn)行加工工藝B的起始方案所規(guī)定的加工工藝間預(yù)涂敷 (步驟S19)。由此，當(dāng)個(gè)數(shù)/膜厚調(diào)節(jié)和加工工藝交替的時(shí)刻重合時(shí)， 能夠回避重復(fù)實(shí)施清掃和預(yù)涂敷，從而避免生產(chǎn)率的降低。
在步驟S19中進(jìn)行完腔室內(nèi)的加工工藝間預(yù)涂敷之后，從控制器 101向成膜裝置1送出控制信號(hào)，由此，在步驟S20中，接著在同一腔 室內(nèi)進(jìn)行作為后繼加工工藝的加工工藝B。此時(shí)，因?yàn)槌赡ぱb置1的 腔室內(nèi)通過調(diào)節(jié)(清掃和預(yù)涂敷)而排除先行加工工藝的影響，所以 能夠在良好的環(huán)境下實(shí)施加工工藝B。
另一方面，當(dāng)在步驟S16中判斷加工工藝間清掃為不要(No)時(shí)， 加工工藝A和加工工藝B為類似的加工工藝，即使保持原狀態(tài)地實(shí)施 加工工藝B也不會(huì)對(duì)后繼加工工藝產(chǎn)生影響，因此跳過步驟S17的加 工工藝間清掃和步驟S19的加工工藝間預(yù)涂敷，在步驟S20中實(shí)施加 工工藝B。
通過以上步驟Sll 步驟S20的處理，當(dāng)先行的加工工藝A和后 繼的加工工藝B為不同種類加工工藝的情況下，能夠使腔室內(nèi)環(huán)境維 持在最合當(dāng)?shù)恼{(diào)節(jié)狀態(tài)下實(shí)施后繼的加工工藝B。并且，當(dāng)先行的加 工工藝A和后繼的加工工藝B為類似加工工藝的情況下，不進(jìn)行腔室 內(nèi)的調(diào)節(jié)，所以能夠避免實(shí)施不必要的調(diào)節(jié)，從而實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)率的提高。 而且，因?yàn)楦鶕?jù)先行加工工藝和后繼加工工藝的種類(加工工藝組) 自動(dòng)決定是否需要加工工藝間調(diào)節(jié)，所以能夠減輕工序管理者的作業(yè) 負(fù)擔(dān)，并且能夠回避因?yàn)殄e(cuò)誤判斷給后繼加工工藝帶來的惡劣影響， 能夠提高成膜加工工藝的可靠性。
而且，在上述實(shí)施方式中，當(dāng)在加工工藝的切換時(shí)刻進(jìn)行個(gè)數(shù)/膜 厚調(diào)節(jié)時(shí)，S卩，在步驟S18實(shí)施附隨加工工藝A的晶片間清掃時(shí)，不 進(jìn)行用于判斷加工工藝間清掃的處理(步驟S13 步驟S16)和步驟17 的加工工藝間清掃，緊接著進(jìn)行加工工藝B的預(yù)涂敷。此外，作為晶 片間調(diào)節(jié)，晶片間清掃和晶片間預(yù)涂敷以一組(set)的方式設(shè)置，不 進(jìn)行附隨加工工藝A的晶片間預(yù)涂敷。這樣，因?yàn)槟軌驅(qū)崿F(xiàn)個(gè)數(shù)/膜厚
調(diào)節(jié)和加工工藝間調(diào)節(jié)的自動(dòng)調(diào)整，所以，能夠避免清掃和預(yù)涂敷的 重復(fù)進(jìn)行，能夠提高生產(chǎn)率。
并且，在圖7所示的第二實(shí)施方式中，作為個(gè)數(shù)/膜厚調(diào)節(jié)的一個(gè) 例子，以腔室內(nèi)的處理個(gè)數(shù)達(dá)到設(shè)定個(gè)數(shù)時(shí)進(jìn)行調(diào)節(jié)的晶片間調(diào)節(jié)為 例進(jìn)行說明，但是對(duì)于作為致使某一批次結(jié)束契機(jī)，在各成膜裝置的 腔室內(nèi)處理個(gè)數(shù)達(dá)到設(shè)定個(gè)數(shù)的情況下當(dāng)進(jìn)行調(diào)節(jié)的批次結(jié)束時(shí)設(shè)定 調(diào)節(jié)的情況下，能夠以與圖7相同的順序?qū)崿F(xiàn)加工工藝間調(diào)節(jié)和個(gè)數(shù) 基準(zhǔn)調(diào)節(jié)的調(diào)整。
此外，當(dāng)不是以成膜裝置1的處理個(gè)數(shù)為標(biāo)準(zhǔn)，而是以成膜的薄 膜的累計(jì)膜厚為基準(zhǔn)進(jìn)行調(diào)節(jié)的膜厚調(diào)節(jié)的設(shè)定時(shí)，取代"設(shè)定個(gè)數(shù)"，
通過"設(shè)定膜厚"進(jìn)行上述步驟S12的判斷，由此，能夠按照與圖7 相同的順序?qū)嵤?br> 本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施方式，可以進(jìn)行各種變形。例如，作 為被處理基板，并不局限于半導(dǎo)體晶片，例如也可以是液晶顯示裝置 (LCD)用基板等的玻璃基板、陶瓷基板等其它的基板，此外，也可 以在基板上形成其他的層。
并且，在上述實(shí)施方式中，例如舉例包括作為先行加工工藝的初 期鎢膜形成工序80、作為后繼加工工藝的鈍化鎢膜形成工序81 (和主 鎢膜形成工序82)的成膜加工工藝，例如在同一腔室內(nèi)實(shí)施不同種類 的CVD (Chemical Vapor Deposition:化學(xué)氣相沉積)加工工藝時(shí)也能 夠應(yīng)用本發(fā)明。
此外，本發(fā)明并不局限于成膜裝置，也能夠適用于在同一腔室內(nèi) 進(jìn)行不同加工工藝的各種處理裝置、例如熱處理裝置、等離子體處理 裝置、蝕刻裝置、灰化裝置、噴鍍裝置、洗凈裝置等中。
權(quán)利要求
1.一種對(duì)被處理基板實(shí)施規(guī)定的處理的基板處理裝置，其特征在于，包括收容被處理基板并能夠真空排氣的腔室；向所述腔室內(nèi)供給處理氣體和清掃氣體的氣體供給機(jī)構(gòu)；對(duì)所述腔室內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣機(jī)構(gòu)；和控制在所述腔室內(nèi)的處理的控制部，其中，所述控制部進(jìn)行控制，使得執(zhí)行包括下述步驟的處理，所述步驟包括在所述腔室內(nèi)實(shí)施先行的第一加工工藝的步驟；在實(shí)施所述第一加工工藝之后，實(shí)施后繼的第二加工工藝的步驟；在所述第一加工工藝結(jié)束后，直至所述第二加工工藝開始為止的期間，基于所述第一加工工藝的信息和所述第二加工工藝的信息決定是否進(jìn)行調(diào)節(jié)所述腔室內(nèi)環(huán)境的加工工藝間調(diào)節(jié)處理的步驟；和當(dāng)通過所述進(jìn)行決定的步驟決定進(jìn)行加工工藝間調(diào)節(jié)處理時(shí)，在所述第二加工工藝之前，實(shí)施加工工藝間調(diào)節(jié)處理的步驟。
2. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于-所述第一加工工藝的信息和所述第二加工工藝的信息包括基于各加工工藝的種類針對(duì)每個(gè)類似的加工工藝組預(yù)先分配的加工工藝組編號(hào)。
3. 如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于 是否進(jìn)行所述加工工藝間調(diào)節(jié)處理，通過參照基于所述加工工藝組編號(hào)針對(duì)是否需要所述加工工藝間調(diào)節(jié)處理所規(guī)定的表而決定。
4. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于 所述加工工藝間調(diào)節(jié)處理包括使用清掃氣體對(duì)所述腔室內(nèi)進(jìn)行清潔化的清掃處理；和在該清掃之后在所述腔室內(nèi)堆積規(guī)定的膜的預(yù) 涂敷處理。
5. 如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于 所述清掃處理和所述預(yù)涂敷處理的內(nèi)容基于所述第二加工工藝而決定。
6. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于 所述規(guī)定的處理是用于在被處理基板上形成薄膜的成膜處理。
7. —種在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行并且控制基板處理裝置的程序，其特征在于.'當(dāng)運(yùn)行時(shí)，通過計(jì)算機(jī)控制所述基板處理裝置，使得進(jìn)行包括下 述步驟的處理，所述步驟包括取得在基板處理裝置的腔室內(nèi)先行進(jìn)行的第一加工工藝的信息的 步驟；取得在所述第一加工工藝后在所述腔室內(nèi)實(shí)施預(yù)定的后繼的第二 加工工藝的信息的步驟；和基于所述第一加工工藝的信息和所述第二加工工藝的信息決定是 否在所述第一加工工藝和所述第二加工工藝之間進(jìn)行調(diào)節(jié)所述腔室內(nèi) 環(huán)境的加工工藝間調(diào)節(jié)處理的步驟。
8. 如權(quán)利要求7所述的程序，其特征在于.-是否進(jìn)行所述加工工藝間調(diào)節(jié)處理，通過參照基于根據(jù)各加工工 藝的種類針對(duì)每個(gè)類似的加工工藝組預(yù)先分配的加工工藝組編號(hào)、關(guān) 于是否需要所述加工工藝間調(diào)節(jié)處理所規(guī)定的表而決定。
9. 一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其存儲(chǔ)有在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行并且控制基板處理裝 置的程序，其特征在于所述程序在運(yùn)行時(shí)，通過所述計(jì)算機(jī)控制所述基板處理裝置，使 得進(jìn)行包括下述步驟的處理，所述步驟包括取得在基板處理裝置的腔室內(nèi)先行進(jìn)行的第一加工工藝的信息的 步驟； 加工工藝的信息的步驟；和基于所述第一加工工藝的信息和所述第二加工工藝的信息決定是 否在所述第一加工工藝和所述第二加工工藝之間進(jìn)行調(diào)節(jié)所述腔室內(nèi) 環(huán)境的加工工藝間調(diào)節(jié)處理的步驟。
10. 如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于 是否進(jìn)行所述加工工藝間調(diào)節(jié)處理，通過參照基于根據(jù)各加工工藝的種類針對(duì)每個(gè)類似的加工工藝組預(yù)先分配的加工工藝組編號(hào)、關(guān) 于是否需要所述加工工藝間調(diào)節(jié)處理所規(guī)定的表而決定。
11. 一種決定是否需要調(diào)節(jié)的方法，其決定在基板處理裝置的腔 室內(nèi)，是否在兩個(gè)成膜加工工藝之間進(jìn)行調(diào)節(jié)所述腔室內(nèi)環(huán)境的加工 工藝間調(diào)節(jié)處理，其特征在于，包括將在所述腔室內(nèi)先行進(jìn)行的第一成膜加工工藝的信息保存在存儲(chǔ) 部中的步驟；從所述存儲(chǔ)部取得所述第一成膜加工工藝的信息的步驟； 根據(jù)關(guān)于在所述第一成膜加工工藝之后在所述腔室內(nèi)實(shí)施預(yù)定的 后繼的第二成膜加工工藝的內(nèi)容所規(guī)定的加工工藝方案，取得所述第二成膜加工工藝的信息的步驟；和基于取得的所述第一成膜加工工藝的信息和所述第二成膜加工工 藝的信息決定是否在所述第一成膜加工工藝和所述第二成膜加工工藝 之間進(jìn)行所述加工工藝間調(diào)節(jié)處理的步驟。
12. 如權(quán)利要求11所述的決定是否需要調(diào)節(jié)的方法，其特征在于 是否進(jìn)行所述加工工藝間調(diào)節(jié)處理，是參照基于根據(jù)加工工藝的種類針對(duì)每個(gè)類似的加工工藝組預(yù)先被分配的加工工藝組編號(hào)、關(guān)于 是否需要所述加工工藝間調(diào)節(jié)處理進(jìn)行規(guī)定的表而決定。
13. —種決定是否需要調(diào)節(jié)的方法，其決定在基板處理裝置的腔室內(nèi)，是否進(jìn)行調(diào)節(jié)腔室內(nèi)環(huán)境的調(diào)節(jié)處理，其特征在于，包括將在所述腔室內(nèi)先行進(jìn)行的第一成膜加工工藝的信息保存在存儲(chǔ)部中的步驟；判斷在所述腔室內(nèi)進(jìn)行的第一成膜加工工藝中被處理基板的處理 個(gè)數(shù)或者成膜厚度的累計(jì)值是否達(dá)到作為實(shí)施在所述第一成膜加工工 藝的中途進(jìn)行的個(gè)數(shù)/膜厚基準(zhǔn)的調(diào)節(jié)的契機(jī)預(yù)先規(guī)定的設(shè)定值的步 驟；在沒有達(dá)到所述設(shè)定值時(shí)，從所述存儲(chǔ)部取得所述第一成膜加工 工藝的信息的步驟；根據(jù)針對(duì)所述第一成膜加工工藝后在所述腔室內(nèi)實(shí)施預(yù)定的后繼 的第二成膜加工工藝的內(nèi)容規(guī)定的加工工藝方案，取得所述第二成膜 加工工藝的信息的步驟；和基于取得的所述第一成膜加工工藝的信息和所述第二成膜加工工 藝的信息，決定是否在所述第一成膜加工工藝和所述第二成膜加工工 藝之間進(jìn)行所述加工工藝間調(diào)節(jié)處理的步驟。
14. 如權(quán)利要求13所述的決定是否需要調(diào)節(jié)的方法，其特征在于 所述加工工藝間調(diào)節(jié)的內(nèi)容根據(jù)所述第二成膜加工工藝決定。
15. 如權(quán)利要求13所述的決定是否需要調(diào)節(jié)的方法，其特征在于 在判斷在所述腔室內(nèi)進(jìn)行的第一成膜加工工藝中被處理基板的處理個(gè)數(shù)或者成膜厚度的累計(jì)值是否達(dá)到所述設(shè)定值的步驟中，當(dāng)所述 處理個(gè)數(shù)或者所述成膜厚度達(dá)到所述設(shè)定值時(shí)，在根據(jù)所述第一成膜 加工工藝決定的個(gè)數(shù)/膜厚基準(zhǔn)的調(diào)節(jié)中，僅實(shí)施一部分。
16. 如權(quán)利要求15所述的決定是否需要調(diào)節(jié)的方法，其特征在于 根據(jù)所述第一成膜加工工藝決定的所述個(gè)數(shù)/膜厚基準(zhǔn)的調(diào)節(jié)能夠進(jìn)行清掃處理和預(yù)涂敷處理。
17. 如權(quán)利要求16所述的決定是否需要調(diào)節(jié)的方法，其特征在于 當(dāng)實(shí)施所述調(diào)節(jié)時(shí)，僅實(shí)施所述清掃處理，不實(shí)施所述預(yù)涂敷處理。
18.如權(quán)利要求13所述的決定是否需要調(diào)節(jié)的方法，其特征在于 是否進(jìn)行所述加工工藝間調(diào)節(jié)處理，通過參照基于根據(jù)各加工工藝的種類針對(duì)每個(gè)類似的加工工藝組預(yù)先分配的加工工藝組編號(hào)、關(guān)于是否需要所述加工工藝間調(diào)節(jié)處理所規(guī)定的表而決定。
全文摘要
基板處理裝置的控制部以進(jìn)行包括以下步驟的處理的方式實(shí)施控制，所述步驟包括在腔室內(nèi)實(shí)施先行的第一加工工藝的步驟；在實(shí)施第一加工工藝之后實(shí)施后繼的第二加工工藝的步驟；在第一加工工藝結(jié)束后直至第二加工工藝開始前的期間，基于所述第一加工工藝的信息和所述第二加工工藝的信息決定是否進(jìn)行調(diào)整腔室內(nèi)環(huán)境的加工工藝間調(diào)節(jié)處理的步驟；當(dāng)通過進(jìn)行決定的步驟決定進(jìn)行加工工藝間調(diào)節(jié)處理時(shí)，在第二加工工藝之前，實(shí)施加工工藝間調(diào)節(jié)處理的步驟。
文檔編號(hào)C23C16/44GK101365822SQ200780002100
公開日2009年2月11日 申請(qǐng)日期2007年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月31日
發(fā)明者森澤大輔 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社