專利名稱：處理晶圓的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及處理晶圓的方法，尤其是涉及在一反應腔中加入一高偏壓、高瓦特等離 子的步驟，以便去除一晶圓表面的一反應聚合物以及去除所述反應腔表面的所述反應聚 合物。一般的晶圓制造過程中都不具有用高偏壓、高瓦特等離子清除所述晶圓表面的反應 聚合物的功能。而一般常規(guī)的方法只是利用氣體流量以及低壓來帶走所述晶圓表面少量 的反應聚合物，其效果不是很好。在晶圓1的常規(guī)制造過程中，如圖1所示，在蝕刻完所述晶圓1之后所產(chǎn)生的反應 聚合物2會附著在所述晶圓1的表面上，因此很容易產(chǎn)生如下的缺失1. 如較長的酸槽反應時間，常常要換酸液，或所述反應聚合物2常污染所述酸槽；2. 在所述晶圓1表面含氯的所述反應聚合物2很容易腐蝕所述晶圓1表面的鋁線， 造成所述鋁線斷線或一電阻電容抗值增高，最終需報廢所述晶圓1或者嚴重地影響所述晶 圓1的合格率及可靠度；3. 所述反應聚合物2附著在所述鋁線兩側(cè)而形成厚厚的一兔耳朵常常不容易被所述 酸槽去除，造成往后填氧化物步驟時的困難，所以所述兔耳朵是不被允許存在的；及4. 所述晶圓l邊緣很多細小的反應聚合物2會堆積，造成在蝕刻當時，所述細小的反 應聚合物2會流回到所述晶圓1的表面,造成合格率下降。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提出一種在一反應腔中處理一晶圓的方法，其是在常規(guī)的晶圓1制造過程中 的過蝕刻步驟與除電步驟之間，加入高偏壓、高瓦特等離子的步驟，不僅可高效率地把 所述晶圓1的反應聚合物2清除而且不會影響所述晶圓1原本的制程規(guī)格。本發(fā)明涉及一種在一反應腔中處理一晶圓1的方法，包括下列步驟執(zhí)行一過蝕刻， 以便使金屬線與線之間有足夠深度的氧化層隔離深度；施加一高偏壓、高瓦特的等離子，以便去除所述晶圓1表面的一反應聚合物2以及去除所述反應腔表面的所述反應聚合物2;及執(zhí)行一除電，以便去除所述晶圓1上的靜電，然后將晶圓傳出所述反應腔。


圖1是圖示在一常規(guī)的一晶圓制造過程中一反應聚合物附著在所述晶圓的表面上； 圖2是圖示在施加本發(fā)明的一高偏壓、高瓦特等離子步驟之后，所述反應聚合物不 會附著在所述晶圓的表面上；及圖3是表示實施本發(fā)明的一流程圖。
具體實施方式
本發(fā)明是在常規(guī)的一晶圓1制造過程中的一過蝕刻步驟與一除電步驟之間，加入一 高偏壓、高瓦特等離子的步驟。如圖2所示，通過本發(fā)明的方法可有效地把所述晶圓1 的一反應聚合物2清除而且不會影響所述晶圓1原本的制程規(guī)格。圖3是關于本發(fā)明的一流程圖，包括下列步驟執(zhí)行一過蝕刻(步驟10)，以便使 金屬線與線之間有足夠深度的氧化層隔離深度；施加一高偏壓、高瓦特等離子(步驟20)， 以便去除所述晶圓1表面的一反應聚合物2以及去除一反應腔表面的所述反應聚合物2; 及執(zhí)行一除電(步驟30)，以便去除所述晶圓1上的靜電，然后將晶圓傳出所述反應腔。 在步驟20中，施加所述等離子的時間范圍是在5~60秒之間，其中所述等離子包括三氯 化硼(BC13)及氬氣(Ar)，所述等離子的壓力范圍在6 12毫托(mTorr)之間，所述等 離子的上部功率范圍與下部功率范圍分別在300-1200瓦特之間與在250~卯0瓦特之間， 及所述等離子中所含的所述三氯化硼與所述氬氣的流量范圍分別在10~200 sccm之間與 在100-1000 sccm之間。此外，所述等離子中所包含的所述三氯化硼可被氮氣或氧氣所 取代，而所述氮氣或所述氧氣的流量則在10~200 sccm之間。通過使用本發(fā)明的方法，可產(chǎn)生如下的功效1. 本發(fā)明的一高偏壓、高瓦特等離子可以清除靠近一晶圓1的一反應腔表面上的一 反應聚合物2，防止所述反應聚合物2再度回到所述晶圓1表面，造成阻礙蝕刻或部分 的蝕刻，所以可降低在所述晶圓1的制造過程中的瑕疵；提升所述晶圓的合格率。2. 本發(fā)明的高偏壓等離子可有效去除在一鋁線兩旁的一兔耳朵及所述反應聚合物2， 沒有所述反應聚合物2，對于所述晶圓1表面一鋁銅線的抗腐蝕時間便可大大地延長至 96小時以上；3. 使用本發(fā)明的高偏壓、高瓦特等離子的步驟可以同時用來清除所述反應腔中表面的所述反應聚合物2，所以可延長反應腔的平均清洗的循環(huán)周期；4. 所述晶圓1表面上的所述反應聚合物2被完全去除,因此可大大縮短下一酸槽時 間；及5. 每片晶圓1的合格率可提升2~5%。
權利要求
1. 一種在一反應腔中處理一晶圓的方法，包括下列步驟執(zhí)行一過蝕刻，以便使金屬線與線之間有足夠深度的氧化層隔離深度；施加一高偏壓、高瓦特的等離子，以便去除所述晶圓表面上的一反應聚合物以及去除所述反應腔表面上的所述反應聚合物；及執(zhí)行一除電，以便去除所述晶圓上的靜電，然后將所述晶圓傳出所述反應腔。
2. 根據(jù)權利要求l所述的方法，其中所述等離子的壓力范圍在6~12毫托之間。
3. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述等離子的上部功率范圍在300~1200瓦特之 間。
4. 根據(jù)權利要求l所述的方法，其中所述等離子的下部功率范圍在250-900瓦特之間。
5. 根據(jù)權利要求l所述的方法，其中所述等離子包括三氯化硼及氬氣。
6. 根據(jù)權利要求5所述的方法，其中所述三氯化硼可被氮氣或氧氣所取代。
7. 根據(jù)權利要求l所述的方法，其中施加所述等離子的時間范圍是在5~60秒之間。
8. 根據(jù)權利要求5所述的方法，其中所述三氯化硼的流量范圍是在10-200 sccm之間。
9. 根據(jù)權利要求6所述的方法，其中所述氮氣或所述氧氣的流量范圍是在10-200sccm 之間。
10. 根據(jù)權利要求5所述的方法，其中所述氬氣的流量范圍是在100"000sccm之間。
全文摘要
本發(fā)明關于一種在一反應腔中處理一晶圓的方法，包括下列步驟執(zhí)行一過蝕刻，以便使金屬線與線之間有足夠深度的氧化層隔離深度；施加一高偏壓、高瓦特等離子，以便去除所述晶圓表面的一反應聚合物以及去除所述反應腔表面的所述反應聚合物；及執(zhí)行一除電，以便去除所述晶圓上的靜電，然后將晶圓傳出反應腔。通過使用本發(fā)明的高偏壓、高瓦特等離子的方法，可產(chǎn)生如下的功效(1)降低生產(chǎn)所述晶圓的瑕疵；(2)延長所述晶圓表面一鋁銅線被腐蝕的時間；(3)延長所述反應腔開腔清洗的一平均循環(huán)周期；(4)縮短下一酸槽時間；及(5)每片晶圓的合格率可提升2～5％。
文檔編號C23F4/00GK101230463SQ200710002699
公開日2008年7月30日 申請日期2007年1月26日 優(yōu)先權日2007年1月26日
發(fā)明者范振隆 申請人:科林研發(fā)股份有限公司