技術(shù)編號：3405734
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及，尤其是涉及在一反應(yīng)腔中加入一高偏壓、高瓦特等離 子的步驟，以便去除一晶圓表面的一反應(yīng)聚合物以及去除所述反應(yīng)腔表面的所述反應(yīng)聚 合物。一般的晶圓制造過程中都不具有用高偏壓、高瓦特等離子清除所述晶圓表面的反應(yīng) 聚合物的功能。而一般常規(guī)的方法只是利用氣體流量以及低壓來帶走所述晶圓表面少量 的反應(yīng)聚合物，其效果不是很好。在晶圓1的常規(guī)制造過程中，如圖1所示，在蝕刻完所述晶圓1之后所產(chǎn)生的反應(yīng) 聚合物2會附著在所述晶圓1的表面上，因此很容易產(chǎn)生如下的缺失...
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