專利名稱：：釕合金濺射靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種釕合金濺射靶，其可以減少釕合金濺射靶中存在的氧，減少濺射時電弧放電或顆粒的產(chǎn)生，提高燒結(jié)密度從而提高耙強度，并且為了防止在Si半導(dǎo)體中微量添加的B及P的組成變動而嚴格限制耙中的B及P雜質(zhì)量，從而提高成膜的質(zhì)量。
背景技術(shù)：
：釘(Ru)合金熱穩(wěn)定性優(yōu)良，并且低電阻性、阻隔性優(yōu)良，因此作為半導(dǎo)體元件的成膜材料，特別是作為柵電極材料、各種擴散阻隔材料受到關(guān)注。純釕靶在燒結(jié)時，在110(TC左右產(chǎn)生氧的解離，即使原料粉的氧含量高達2000重量卯m時，也可以將燒結(jié)體中的氧含量減少至不足100重量ppm。例如，專利文獻2中記載了一種使用氧含量500ppm的原料粉制造的高純度釕靶，其中堿金屬小于lppm、堿土金屬小于lppm、放射性元素小于10ppb、碳及氣體成分合計量小于500ppm、氧濃度為100ppm以下、純度為99.995%以上。但是，在釕合金的情況下，構(gòu)成合金的釕以外的元素(以下，稱為合金元素)容易形成氧化物，形成比釕更穩(wěn)定的氧化物時，由于從釕解離的氧與合金元素發(fā)生反應(yīng)，結(jié)果燒結(jié)后釕合金的氧含量不會減少。例如，在釕-鉅合金中這種傾向特別強，并且難以通過粉末燒結(jié)法制造氧含量低的靶。例如，專利文獻2是同一申請人的發(fā)明，但即使使用該專利文獻中記載的原料粉(釕粉)，在形成釕合金的情況下，當合金元素形成穩(wěn)定的氧化物時，只能得到氧含量高達1000至2000ppm的合金。另外，即使使用氧含量更低的原料粉(釕粉)，氧含量也是同等程度的水平。認為這是由于即使原料粉自身的氧含量低，但吸附的氧等大量存在，并且經(jīng)過混合過程原料粉容易氧化。作為公知的釕合金耙的例子，如專利文獻1,記載了將市售的100目以下的Ru粉和Ta粉混合，在1150'C、壓力15MPa下進行熱壓成形，將成形物通過金剛石磨石以200rpm進行磨削加工，制作125mm(j)、5mm厚度的靶。此時，由于沒有除氧步驟，因此應(yīng)該只能得到氧含量高、密度低的靶，不能用于半導(dǎo)體制造工藝中。另外，在專利文獻3中，記載了將市售的釕粉末與添加元素通過使用球磨機或者磨碎機的機械合金化方法混合而得到的粉末、或者通過等離子體熔煉法合金化的粉末，通過熱壓、熱等靜壓、等離子燒結(jié)法進行燒結(jié)。此時，顯示了在熱壓過程中在真空或者氫氣氛下在600至卯(TC下進行脫氣是有效的。但是，由于僅僅記載了上述脫氣對于吸附氧的除去是有效的，因此不能除去已經(jīng)由合金元素形成的氧化物的氧，即使在前一步使用等離子體熔煉法制作合金粉末，也認為難以制作氧含量1000ppm以下的耙。這是因為，在等離子體熔煉法中為了穩(wěn)定地形成超高溫的等離子體，需要向反應(yīng)室內(nèi)導(dǎo)入某種程度壓力的等離子形成氣體(氬氣+氫氣等)，并且認為由于不能實現(xiàn)高真空因此氧不能充分除去。通過對由該方法得到的合金粉進行熱壓并且進一步進行HIP,密度確實可以提高，B或P的濃度可以控制得很低，但是氧仍舊高。作為釕合金，特別是當大量混合比釕更易形成氧化物的合金元素如鉭或鈮等時，脫氧變得困難，當合金元素的組成為5原子％以上、特別是10原子％至60原子％時，這一點非常顯著。另一方面，使用釕合金作為半導(dǎo)體元件的成膜材料、特別是作為柵電極材料、各種擴散阻隔材料時，要求上述范圍的組成。在現(xiàn)有技術(shù)中，氧含量為超過1000ppm的高含量是必然的，使用這樣的靶進行濺射時，燒結(jié)密度低因此靶強度弱，并且濺射時的電弧放電或顆粒的產(chǎn)生顯著，因此存在成膜的質(zhì)量下降的問題，不能得到具有半導(dǎo)體元件所需特性的靶材料。專利文獻l:日本特開2004-319410號公報專利文獻2:日本特開平11-50163號公報專利文獻3:日本特開2002-167668號公報
發(fā)明內(nèi)容鑒于以上問題，本發(fā)明的課題在于提供一種釕合金濺射靶，其能夠減少釕合金濺射靶中存在的氧，減少濺射時電弧放電或顆粒的產(chǎn)生，提高燒結(jié)密度從而提高靶強度，并且為了防止在Si半導(dǎo)體中微量添加的B及P的組成變動而嚴格限制靶中的B及P雜質(zhì)量，從而提高成膜的質(zhì)量。為了解決上述問題，本發(fā)明發(fā)現(xiàn)，通過嚴格限制靶中所含的氧量，附加地限制B、P雜質(zhì)，并且改良和設(shè)計靶組織，規(guī)定結(jié)晶粒徑，提高密度，可以得到與現(xiàn)有相比成膜特性更加優(yōu)良的釕濺射用靶?；谶@些發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明提供1)一種釕合金濺射耙，通過將釕粉末和比釕更容易形成氧化物的金屬粉末的混合粉末燒結(jié)而得到，其中，除氣體成分外的靶純度為99.95重量％以上，含有5原子％至60原子°/。的比釕更容易形成氧化物的金屬，相對密度為99°/。以上，作為雜質(zhì)的氧含量為1000ppm以下；2)上述l)所述的釕合金濺射靶，其中，氧含量為100至500重量ppm;3)上述1)或2)所述的釕合金濺射靶，其中，比釕更容易形成氧化物的金屬為鉭；4)上述1)或2)所述的釕合金濺射耙，其中，比釕更容易形成氧化物的金屬為鈮；另外，本發(fā)明還提供-5)上述1)至4)中任一項所述的釕合金濺射靶，其中，B和P分別小于lppm;6)上述1)至5)中任一項所述的釕合金濺射靶，其中，在靶組織中，在釕與比釕更容易形成氧化物的金屬的界面處觀察不到氧富集部，并且該靶具有這些金屬未合金化的組織；7)上述1)至6)中任一項所述的釕合金濺射靶，其中，釕與比釕更容易形成氧化物的金屬未合金化的組織的平均結(jié)晶粒徑為5至50)im。通過以上各項，本發(fā)明具有以下優(yōu)良效果可以得到一種釕合金濺射靶，所述濺射靶能夠減少釕合金濺射靶中存在的氧，減少濺射時電弧放電或顆粒的產(chǎn)生，提高燒結(jié)密度從而提高靶強度，并且為了防止在Si半導(dǎo)體中微量添加的B及P的組成變動而嚴格限制靶中的B及p雜質(zhì)量，從而提高成膜的質(zhì)量。具體實施例方式本發(fā)明的釕合金濺射靶，是通過將釕粉末和比釕更容易形成氧化物的金屬粉末的混合粉末進行燒結(jié)而得到的釕合金燒結(jié)體靶。靶的純度為99.95重量％以上(其中不包括氣體成分)，含有5原子°/。至60原子％的比釕更容易形成氧化物的金屬，相對密度為99%以上，作為雜質(zhì)的氧含量為1000ppm以下。更優(yōu)選釕合金濺射靶中的氧含量為100至500重量ppm。作為釕合金中的該比釕更容易形成氧化物的合金元素，可以有代表性地列舉鉭、鈮、鈦、鉿、鋯。釕-鉭合金、釕-鈮合金、釕-鈦合金、釕-鉿合金和釕-鋯合金作為半導(dǎo)體元件的成膜材料，特別是作為柵電極材料、各種擴散阻隔材料非常有用。但是，應(yīng)該知道這些合金以外的材料也可以應(yīng)用，當然也包括在本發(fā)明中。另夕卜，本發(fā)明的釕合金濺射靶，優(yōu)選B和P分別小于lppm。原來，在半導(dǎo)體元件中添加B或P作為摻雜材料，但是作為柵電極材料、各種擴散阻隔材料使用時，必須避免B或P從這些材料中移動到半導(dǎo)體元件中，造成組成變動，成為新的污染源的情況。因此，靶中的B和P分別優(yōu)選小于lppm。釕合金濺射靶組織中，優(yōu)選釕與比釕更容易形成氧化物的金屬的界面處沒有或者減少氧富集部，并且在這些金屬間具有完全未合金化的組織。由此，可以謀求膜組成的均勻化、并且盡可能地使氧分散，從而可以盡可能地減少氧的影響。優(yōu)選調(diào)整釕合金濺射靶中的釕與比釕更容易形成氧化物的金屬之間未合金化的組織(包含未形成金屬間化合物的組織)的平均結(jié)晶粒徑為5至50jim。該平均結(jié)晶粒徑超過50(im而粗大化時以及過分微細化時，均產(chǎn)生燒結(jié)體密度不能提高的現(xiàn)象。因此，上述平均結(jié)晶粒徑設(shè)定為5至50pm。由此，可以減少成分偏析、形成均勻的薄膜。一般而言，燒結(jié)粉末的粒徑反映在燒結(jié)后的組織中，因此需要在原料粉的階段進行粒度調(diào)節(jié)。過度微粉化時，氧被吸收而難以低氧化，因此從這個方面考慮，也希望避免使用過度微細的粉末。作為具體的制造方法，例如將市售的3N等級(純度99.9%)的釕粉末(低氧品)導(dǎo)入超高真空室中，使用高功率紅外線燈加熱或者微波加熱對釕粉末進行加熱除去氧。粉末體的溫度為約IIO(TC至約BOO'C。這是由于達不到IIO(TC以上時，氧解離不能充分進行。另外，該加熱會使釕粉末相互結(jié)合并且不會降低燒結(jié)性，另外，進行燈加熱或者微波加熱，是因為可以快速地將粉末冷卻至室溫。與室連接的氧監(jiān)控器確認氧充分排出后，停止加熱并且快速冷卻。然后，導(dǎo)入氬氣，并將上述釕粉末密封在容器中，進一步與4N等級(純度99.99重量o/。)的鉭粉末混合。該鉭粉末是通過將鉭的EB錠反復(fù)地進行氫化和脫氫并粉碎而得到的。將該混合粉再次在110(TC下進行脫氧處理，并在1500至1S0(TC的溫度下在真空中熱壓，并且進行熱等靜壓處理，而制作燒結(jié)體。將該燒結(jié)體進一步精加工(機械加工等)為靶形狀。由此得到的釕合金濺射靶，除氣體成分外的靶純度為99.95重量％以上，含有5原子％至60原子％的比釕更容易形成氧化物的金屬，相對密度為99%以上(其中，除氣體成分以外)。由此，可以避免氧的不良影響，并且盡管含有5原子％至60原子％的比釕更容易形成氧化物的金屬，但是可以實現(xiàn)相對密度99%以上、作為雜質(zhì)的氧含量為1000ppm以下。實施例以下，對實施例進行說明。本實施例僅是本發(fā)明的例子，本發(fā)明并不限定于這些實施例。即，也包括本發(fā)明的技術(shù)思想范圍內(nèi)的其它方式和變形。(實施例l至6)將市售的3N等級的釕粉末(低氧品)導(dǎo)入超高真空室中，通過對釕粉末進行高功率紅外線燈加熱而除去氧。原料Ru粉末的氧濃度為520ppm，粒徑為1.5nm。粉末體的溫度為約1200°C。與室連接的氧監(jiān)控器確認氧充分排出后停止加熱，并快速冷卻，冷卻至室溫。然后，將所得物放入容器中，在導(dǎo)入氬氣的同時，將通過對EB(電子束)熔融的鉭錠反復(fù)進行氫化和脫氫并粉碎而得到的4N等級鉭粉末變化其添加量為5原子％、10原子％、20原子％、30原子％、40原子%和60原子％，與釕粉末混合。鉭原料的氧濃度為790ppm，粒徑為21,。將該釕與鉭的混合粉再次在IIO(TC下進行脫氧處理，在160(TC下真空中熱壓，并且進行熱等靜壓處理，制成燒結(jié)體。結(jié)果示于表l中。如表1所示，鉭添加量變化為5原子％、10原子％、20原子％、30原子％、40原子％和60原子％。其結(jié)果為燒結(jié)體的密度在99至99.3%的范圍內(nèi)，均超過99%。另外，氧濃度在110至270重量ppm的范圍內(nèi)，實現(xiàn)了低氧化。釕與比釘更容易形成氧化物的金屬的未合金化的組織的平均結(jié)晶粒徑為24至60f_im的范圍，并且B濃度小于0.2重量卯m，P濃度也小于0.3重量ppm。以上所示，實施例1至6中靶的純度均為99.95重量％以上(其中，除氣體成分以外)，盡管含有5原子％至60原子％的比釕更容易形成氧化物的金屬鉭，但是相對密度在99%以上、作為雜質(zhì)的氧含量達到1000ppm以下，為良好的釕合金靶。另外，通過XRD和EPMA進行組織觀察，實施例1至6，在全部界面上觀察不到氧富集部，且具有沒有完全合金化的組織。因此，濺射時的電弧放電或顆粒的產(chǎn)生少，可以提高燒結(jié)密度而提高耙強度，并且由于可以嚴格限制靶中的B及P雜質(zhì)量，因此可以提高成膜的質(zhì)量。(實施例7至12)實施例7至12中，使用市售的3N等級的釕粉末(中氧品)。將該市售的3N等級釕粉末(中氧品)導(dǎo)入超高真空室中，通過對釕粉末進行高功率紅外線燈加熱而除去氧。原料Ru粉末的氧濃度為2100ppm，粒徑為0.7pm。使粉末體的溫度約為1200'C。與室連接的氧監(jiān)控器確認氧充分排出后停止加熱，并快速冷卻，冷卻至室溫。然后，將所得物放入容器中，在導(dǎo)入氬氣的同時，將通過對EB(電子束)熔融的鉭錠反復(fù)進行氫化和脫氫并粉碎而得到的4N等級鉭粉末變化其添加量與釕粉末混合。鉭原料的氧濃度為790卯m，粒徑為21^mi。將該釕與鉭的混合粉，與實施例1至6同樣地再次在IIOCTC下進行脫氧處理，在160(TC下真空中熱壓，并且進行熱等靜壓處理，制成燒結(jié)體。其結(jié)果示于表1中。如表1所示，鉭添加量變化為5原子％、10原子％、20原子％、30原子％、40原子％和60原子％。結(jié)果燒結(jié)體的密度在99.3至100%的范圍內(nèi)，均超過99%，在密度方面優(yōu)于實施例l至6。另外，氧濃度在290至550重量ppm的范圍內(nèi)，比實施例1至6有所增加，但是仍然充分達到了低氧化。釕與比釕更容易形成氧化物的金屬的未合金化的組織的平均結(jié)晶粒徑為13至17pm的范圍，更加微細化。并且B濃度小于0.2重量ppm，P濃度也小于0.3重量ppm。以上所示，實施例7至12中靶的純度均為99.95重量％以上(其中，除氣體成分以外)，盡管含有5原子％至60原子％的比釕更容易形成氧化物的金屬鉭，但相對密度為99%以上、作為雜質(zhì)的氧含量達到1000ppm以下，為良好的釘合金耙。另外，通過XRD和EPMA進行組織觀察，實施例7至12，在全部界面上觀察不到氧富集部，且具有沒有完全合金化的組織。因此，濺射時的電弧放電或顆粒的產(chǎn)生少，可以提高燒結(jié)密度而提高耙強度，并且由于可以嚴格限制靶中的B及P雜質(zhì)量，因此可以提高成膜的質(zhì)量。(實施例13至18)實施例13至18中，使用市售的3N等級的釕粉末(高氧品)。將該市售的3N等級釕粉末(高氧品)導(dǎo)入超高真空室中，通過對釕粉末進行高功率紅外線燈加熱而除去氧。原料Ru粉末的氧濃度為3000ppm，粒徑為0.3(im。粉末體的溫度為約1200°C。與室連接的氧監(jiān)控器確認氧充分排出后停止加熱，并快速冷卻，冷卻至室溫。然后，將所得物放入容器中，在導(dǎo)入氬氣的同時，將通過對EB(電子束)熔融的鉭錠反復(fù)進行氫化和脫氫并粉碎而得到的4N等級鉭粉末變化其添加量與釕粉末混合。鉭原料的氧濃度為790ppm，粒徑為21(im。將該釕與鉭的混合粉，與實施例1至6同樣地再次在IIOO'C下進行脫氧處理，在160(TC下真空中熱壓，并且進行熱等靜壓處理，制成燒結(jié)體。結(jié)果示于表l中。如表l所示，鉭添加量變化為5原子％、10原子％、20原子％、30原子％、40原子％和60原子％。結(jié)果燒結(jié)體的密度在99.2至99.4%的范圍內(nèi)，均超過99%，在密度方面稍稍優(yōu)于實施例1至6。另外，氧濃度在410至860重量ppm的范圍內(nèi)，比實施例1至6有所增加，但是仍然充分達到低氧化。釕與比釕更容易形成氧化物的金屬的未合金化的組織的平均結(jié)晶粒徑為6至llpni的范圍，更加微細化。并且B濃度小于0,2重量ppm，P濃度也小于0.3重量ppm。如以上所示，實施例13至18中耙的純度均為99.95重量％以上(其中，除氣體成分以外)，盡管含有5原子％至60原子％的比釕更容易形成氧化物的金屬鉭，但是相對密度為99°/。以上、作為雜質(zhì)的氧含量達到1000ppm以下，為良好的釕合金耙。另外，通過XRD和EPMA進行組織觀察，實施例13至18，在全部界面上觀察不到氧富集部、且具有沒有完全合金化的組織。因此，濺射時的電弧放電或顆粒的產(chǎn)生少，可以提高燒結(jié)密度而提高靶強度，并且由于可以嚴格限制靶中的B及P雜質(zhì)量，因此可以提高成膜的質(zhì)量。表1<table>complextableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>(比較例1至3)比較例1至3為純釕的情況，不是本發(fā)明的釕合金靶，因此在目標成分范圍以外，但在此列出用于參考。此時，將市售的3N等級的釕粉末(低氧品氧量520重量ppm，中氧品氧量2100重量卯m，高氧品氧量3000重量ppm)分別在160(TC下真空中熱壓，并進行熱等靜壓處理，制成燒結(jié)體。結(jié)果示于表2中。從該例明顯可知，釕單獨的情況下，通過通常的燒結(jié)方法，即使原料粉的氧量多，氧也會顯著減少(60至110重量ppm)。但是，這種情況下，存在B和P的量超過l重量ppm的問題。(比較例4至8)比較例4至8中使用市售的3N等級的釕粉末(中氧品氧量2100重量ppm),將該釕粉末(中氧品)與4N等級的鉭粉末通過變化鉭的添加量而進行混合。鉭原料粉的氧濃度為790卯m，粒徑為21|_un。添加量分別為0.5原子％、3原子％、70原子％、80原子％和90原子％，為不滿足本發(fā)明的鉭量或者過量添加的情況。將該釕與鉭的混合粉在1600。C下真空中熱壓，并且進行熱等靜壓處理，制成燒結(jié)體。結(jié)果示于表2中。如表2所示，比較例4和比較例5為不滿足本發(fā)明的鉭量的添加量的情況，氧濃度低、結(jié)晶粒徑也小，但是B濃度和P濃度超過1重量ppm，并且燒結(jié)體的密度為96%，密度不充分。另一方面，比較例6至8中鉭的添加量為70原子％、80原子°/0和90原子％，隨添加量靶中的氧量增加，超過1000重量ppm。釕與比釘更容易形成氧化物的金屬的未合金化的組織的平均結(jié)晶粒徑小，但B濃度和P濃度超過l重量ppm，并且燒結(jié)體的密度小于99%，不充分。因此，得到的結(jié)果是濺射時的電弧放電及顆粒的產(chǎn)生多，燒結(jié)密度低而靶強度下降，并且靶中的B及P雜質(zhì)量大，因此成膜的質(zhì)量劣化。(比較例9至14)比較例9至14中使用市售的3N等級的釕粉末(低氧品氧量520重量ppm)，將該釕粉末(低氧品)與4N等級的鉭粉末通過變化鉭的添加量為5原子％、10原子％、20原子％、30原子％、40原子％和60原子％而進行混合。鉭原料粉的氧濃度為790ppm，粒徑為21jim。將該釘與鉭的混合粉在160(TC下真空中熱壓，并且進行熱等靜壓處理，制成燒結(jié)體。結(jié)果示于表2中。如表2所示，釕與比釕更容易形成氧化物的金屬的未合金化的組織的平均結(jié)晶粒徑小，但氧濃度均超過1000重量ppm，B濃度和P濃度超過l重量ppm，并且燒結(jié)體的密度小于99%，密度不充分。因此，得到的結(jié)果是濺射時的電弧放電及顆粒的產(chǎn)生多，燒結(jié)密度低而靶強度下降，并且由于靶中的B及P雜質(zhì)量大，因此成膜的質(zhì)量劣化。(比較例15至20)比較例15至20中使用市售的3N等級的釘粉末(中氧品氧量2100重量ppm)，將該釕粉末(中氧品)與4N等級的鉭粉通過變化鉭的添加量而進行混合。鉭原料粉的氧濃度為790ppm，粒徑為21)^m。添加量分別為5原子％、10原子％、20原子％、30原子％、40原子％和60原子％。將該釕與鉭的混合粉在1600。C下真空中熱壓，并且進行熱等靜壓處理，制成燒結(jié)體。結(jié)果示于表2中。如表2所示，釕與比釕更容易形成氧化物的金屬的未合金化的組織的平均結(jié)晶粒徑小，但氧濃度均異常增加為2200至3300重量ppm。B濃度和P濃度超過1重量ppm，并且燒結(jié)體的密度小于99%，密度不充分。因此，得到的結(jié)果是與比較例9至14相比，濺射時的電弧放電及顆粒的產(chǎn)生進一步增多，燒結(jié)密度低而靶強度下降，并且靶中的B及P雜質(zhì)量大，因此成膜的質(zhì)量劣化。(比較例21至26)比較例21至26中使用市售的3N等級的釕粉末(中氧品氧量2100重量ppm)，將該釘粉末(中氧品)與4N等級的鉭粉末通過變化鉭的添加量而進行混合。鉭原料粉的氧濃度為790ppm，粒徑為21(im。添加量分別為5原子％、10原子％、20原子％、30原子％、40原子％和60原子％。將該釕與鉭的混合粉通過等離子體熔煉法制成合金粉，將所得合金粉在160(TC下真空中熱壓，并且進行熱等靜壓處理，制成燒結(jié)體。結(jié)果示于表2中。如表2所示，B濃度和P濃度小于1重量ppm，與比較例15至20相比氧濃度有所改善，但是依然在1300至1900重量ppm的范圍，氧量非常高。另外，燒結(jié)體的密度在氧量極多時(比較例26)有些改善，但是多數(shù)小于99%,密度不充分。因此，得到的結(jié)果是濺射時的電弧放電及顆粒的產(chǎn)生增多，燒結(jié)密度低而靶強度下降，并且由于靶中的B及P雜質(zhì)量大，因此成膜的質(zhì)量劣化。通過XRD和EPMA進行組織觀察，如上所述，實施例在全部界面觀察不到氧富集部、觀察到?jīng)]有完全反應(yīng)的鉭相。比較例6至20中在界面觀察到氧富集部，比較例21至26成為完全被合金化或者形成金屬間化合物的組織。<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>產(chǎn)業(yè)實用性本發(fā)明具有以下優(yōu)良效果可以得到一種釕合金濺射靶，所述濺射靶能夠減少釘合金濺射靶中存在的氧，減少濺射時電弧放電或顆粒的產(chǎn)生，提高燒結(jié)密度而提高靶強度，并且為了防止在Si半導(dǎo)體中微量添加的B及P的組成變動而嚴格限制靶中的B及P雜質(zhì)量，從而提高成膜的質(zhì)量。因此，作為半導(dǎo)體元件的成膜材料、特別是作為柵電極材料、各種擴散阻隔材料用釕合金濺射靶非常有用。權(quán)利要求1.一種釕合金濺射靶，通過將釕粉末和比釕更容易形成氧化物的金屬粉末的混合粉末燒結(jié)而得到，其中，除氣體成分外的靶純度為99.95重量％以上，含有5原子％至60原子％的比釕更容易形成氧化物的金屬，相對密度為99％以上，作為雜質(zhì)的氧含量為1000ppm以下。2，權(quán)利要求1所述的釕合金濺射靶，其中，氧含量為100至500重量ppm。3.權(quán)利要求1或2所述的釕合金濺射靶，其中，比釕更容易形成氧化物的金屬為鉭。4.權(quán)利要求1或2所述的釕合金濺射靶，其中，比釕更容易形成氧化物的金屬為鈮。5.權(quán)利要求1至4中任一項所述的釕合金濺射靶，其中，B和P分別小于lppm。6.權(quán)利要求1至5中任一項所述的釕合金濺射靶，其中，在靶組織中，在釕與比釕更容易形成氧化物的金屬的界面處觀察不到氧富集部，并且該耙具有這些金屬未合金化的組織。7.權(quán)利要求1至6中任一項所述的釕合金濺射靶，其中，釕與比釕更容易形成氧化物的金屬未合金化的組織的平均結(jié)晶粒徑為5至50拜。全文摘要一種釕合金濺射靶，通過將釕粉末和比釕更容易形成氧化物的金屬粉末的混合粉末進行燒結(jié)而得到，其中，除氣體成分外的靶純度為99.95重量％以上，含有5原子％至60原子％的比釕更容易形成氧化物的金屬，相對密度為99％以上，作為雜質(zhì)的氧含量為1000ppm以下。本發(fā)明的課題在于提供一種釕合金濺射靶，所述濺射靶能夠減少釕合金濺射靶中存在的氧，減少濺射時電弧放電或顆粒的產(chǎn)生，提高燒結(jié)密度從而提高靶強度，并且為了防止在Si半導(dǎo)體中微量添加的B及P的組成變動而嚴格限制靶中的B及P雜質(zhì)量，從而提高成膜的質(zhì)量。文檔編號C23C14/34GK101198717SQ20068002164公開日2008年6月11日申請日期2006年5月16日優(yōu)先權(quán)日2005年6月16日發(fā)明者小田國博申請人:日礦金屬株式會社