專利名稱：：具備高強(qiáng)度和優(yōu)異的彎曲加工性的銅合金及銅合金板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及有著高強(qiáng)度、高導(dǎo)電率，且具備優(yōu)異的彎曲加工性的銅合金，涉及例如適合作為家電、半導(dǎo)體裝置用導(dǎo)線架等的半導(dǎo)體元件、印制線路板等的電氣/電子元件材料、開關(guān)元件、匯流條(busbar)、端子/連接器等的機(jī)構(gòu)元件等所使用的銅合金的原材板條的銅合金。另外，本發(fā)明還涉及該銅合金的板的制造方法。
背景技術(shù)：
：作為以半導(dǎo)體導(dǎo)線架用等起的上述各種用途的銅合金，歷來通用的是含有Fe和P的Cu—Fe—P系的銅合金(也稱為Cu—Fe—P系合金)。作為這些Cu—Fe—P系的銅合金，可例示有例如含有Fe:0.050.15%、P:0.0250.40%的銅合金(C19210合金)，和含有Fe:2.12.6、P:0.0150.15°/。、Z:0.050.20%的銅合金(CDA194合金)。這些Cu—Fe—P系的銅合金，若在銅母相中使Fe或Fe—P等的金屬間化合物析出，則在銅合金中強(qiáng)度、導(dǎo)電性和熱傳導(dǎo)性均優(yōu)異，因此被作為國際標(biāo)準(zhǔn)合金使用。近年來，隨著Cu—Fe—P系的銅合金的用途擴(kuò)大，和電氣、電子機(jī)械的輕量化、薄壁化、小型化等，對這些銅合金也進(jìn)一步要求高的強(qiáng)度、導(dǎo)電性和優(yōu)異的彎曲加工性。作為這樣的彎曲加工性，則要求有能夠進(jìn)行貼緊彎曲或開槽(notching)后的90°彎曲等嚴(yán)格的彎曲加工的特性。針對于此，一直以來，已知通過使晶粒微細(xì)化，控制結(jié)晶、析出物的分散狀態(tài)，能夠一定程度上提高彎曲加工性(參照專利文獻(xiàn)5)。另外，在Cu—Fe—P系合金中，為了使彎曲加工性等的諸特性提高，還提出有控制集合組織。更具體地說，就是提出銅合金板的(200)面的X射線衍射強(qiáng)度I(200)和(220)面的X射線衍射強(qiáng)度I(220)的比，I(200)/1(220)為0.5以上、10以下，或者立方(Cube)方位的方位密度D(Cube方位〉在l以上、50以下，或者，立方方位的方位密度D(Cube方位)和S方位的方位密度D(S方位)的比D(Cube方位)/D(S方位)為0.1以上、5以下(參照專利文獻(xiàn)7)。此外，銅合金板的(200)面的X射線衍射強(qiáng)度I(200)和(311)面的X射線衍射強(qiáng)度I(311)之和與(220)面的X射線衍射強(qiáng)度I(220)的X射線衍射強(qiáng)度I(220)的比[I(200)+1(311)]/I(220)為0.4以上。專利文獻(xiàn)l:特幵平6—235035號公報(全文)專利文獻(xiàn)2:特開2001—279347號公報(全文)專利文獻(xiàn)3:特開2005—133185號公報(全文)專利文獻(xiàn)4:特開平10—265873號公報(全文)專利文獻(xiàn)5:特開2000—104131號公報(全文)專利文獻(xiàn)6:特開2005—133186號公報(全文)專利文獻(xiàn)7:特開2002—339028號公報(段落00200030)專利文獻(xiàn)8:特開2000—328157號公報(實施例)作為至今為止的銅合金高強(qiáng)度化的手段，有Sn和Mg的固溶強(qiáng)化元素的添加，以及利用冷軋的加工率增加帶來的強(qiáng)加工，并由此使加工硬化量增大，其間，必然性地會伴隨著彎曲加工性的劣化，因而很難使必要的強(qiáng)度和彎曲加工性并存。然而，為了得到能夠?qū)?yīng)近年來的電氣、電子元件的前述輕薄短小化這樣的抗拉強(qiáng)度400MPa以上的髙強(qiáng)度的Cu—Fe—P系合金，必須使由這樣的冷軋的強(qiáng)加工帶來的加工硬化量增大。針對這種高強(qiáng)度Cu—Fe—P系合金，只有上述專利文獻(xiàn)l一6等的晶粒微細(xì)化和結(jié)晶/析出物的分散狀態(tài)控制等的組織控制手段，此外也只有上述專利文獻(xiàn)7、8等的集合組織的控制手段，面對所述貼緊彎曲或開槽后的90°彎曲等嚴(yán)酷的彎曲加工，則不能充分地使彎曲加工性提高。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明為了解決這一課題而形成，提供一種兼具高強(qiáng)度和優(yōu)異的彎曲加工性的Cu—Fe—P系合金。為了達(dá)成此目的，本發(fā)明的兼具高強(qiáng)度和優(yōu)異的彎曲加工性的銅合金的第一方面，是這樣一種銅合金，其以質(zhì)量。/。計含有Fe:0.011.0%、P:0.010.4%、Mg:0.11.0%，余量是銅賀不可避免的雜質(zhì)，使根據(jù)下述提取殘渣法在網(wǎng)眼尺寸0.1pm的過濾器上所提取分離的提取殘渣中的下述Mg量相對于所述銅合金中的Mg含量的比例為60%以下，如此對銅合金中的Mg的氧化物、結(jié)晶物、析出物的尺寸進(jìn)行控制。這里，上述提取殘渣法是在醋酸銨濃度10質(zhì)量％的甲醇溶液300ml中浸漬10g所述銅合金，將該銅合金作為陽極，將白金作為陰極使用，在10mA/cn^的電流密度下進(jìn)行恒流電解，并利用網(wǎng)眼尺寸為O.lpm的聚碳酸酯制的薄膜過濾器，對僅溶解有該銅合金母體的所述溶液進(jìn)行抽吸過濾，從而在該過濾器上分離提取未溶解物殘渣。另外，上述提取殘渣中的上述Mg量，是利用將王水和水以1比1的比例混合的溶液溶解所述過濾器上的未溶解物殘渣后，通過ICP發(fā)射光譜法分析而求得的。在所述銅合金的組織中，根據(jù)由采用配備有背散射電子衍射圖像系統(tǒng)的電場發(fā)射型掃描電子顯微鏡進(jìn)行的結(jié)晶方位分析法所測定的晶粒直徑中，下述平均晶粒直徑為6.5nm以下，下述平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.5,以下。在此，將測定的晶粒的個數(shù)定為n，各個測定的晶粒直徑定為x時，上述平均晶粒直徑由CEx)/n表示，上述平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差由(n2>2—(1>)2)/(n/(n—l)"2)表示。另外，本發(fā)明的具有高強(qiáng)度和優(yōu)異的彎曲加工性銅合金的第二方面，是這樣一種銅合金，其以質(zhì)量n/。計含有Fe:0.013.0%、P:0.010.4%、Mg:0.11.0%，余量是銅和不可避免的雜質(zhì)，在根據(jù)電場發(fā)射型掃描電子顯微鏡上搭載有背散射電子衍射圖像系統(tǒng)的結(jié)晶方位分析法而測定的晶粒直徑中，下述平均晶粒直徑為6.5nm以下，下述平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.5nm以下。在此，將測定的晶粒的個數(shù)定為n，各個測定的晶粒直徑定為x時，上述平均晶粒直徑由(i:x)/n表示，上述平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差由(nDc2—(2>)2)/(n/(n—1)1/2)表示。在本發(fā)明中，為了提高彎曲加工性，此外，所述銅合金組織中的據(jù)所述結(jié)晶方位分析法測定的、結(jié)晶方位的差異小到為515°的晶粒之間的晶界即小角晶界的比例為，這些小角晶界的結(jié)晶晶界全長相對于結(jié)晶方位的差異為5180。的結(jié)晶晶界全長的比例，可以在4%以上，30%以下。在本發(fā)明中，為了提高彎曲加工性，此外還可以含有0.011.0%的Ni、Co的一種或兩種。此外，為了改善鍍Sn和焊錫的耐熱剝離性，抑制熱剝離，所述銅合金優(yōu)選還含有Zn:0.0053.0%。另外，在提高強(qiáng)度時，所述銅合金優(yōu)選還含有Sn:0.015.0%。所述銅合金板，優(yōu)選以質(zhì)量n/。計還含有Mn、Ca之中一種或兩種合計為0.00011.0%。所述銅合金板，優(yōu)選以質(zhì)量％計還含有Zr、Ag、Cr、Cd、Be、Ti、Co、Ni、Au、Pt之中一種或兩種以上，合計為0.0011.0%。所述銅合金，優(yōu)選使Mn、Ca、Zr、Ag、Cr、Cd、Be、Ti、Co、M、Au、Pt的含量，以這些元素的合計計為1.0質(zhì)量％以下。所述銅合金，優(yōu)選使Hf、Th、Li、Na、K、Sr、Pd、W、S、Si、C、Nb、Al、V、Y、Mo、Pb、In、Ga、Ge、As、Sb、Bi、Te、B、混合稀土金屬的含量，以這些元素的合計為0.1質(zhì)量％以下。制造這些具備高強(qiáng)度和優(yōu)異的彎曲加工性的銅合金板的方法的第一方面，是在通過銅合金的鑄造、熱軋、冷軋、退火而得到銅合金板時，使銅合金熔解爐中的合金元素的添加完畢之后至鑄造開始的所需時間為1200以內(nèi)，此外，使由鑄錠的加熱爐取出鑄錠之后至熱軋終止的所需時間為1200秒以下。另外，制造具備高強(qiáng)度和優(yōu)異的彎曲加工性的銅合金板的方法的第二方面，是通過包括銅合金的鑄造、熱軋、冷軋、再結(jié)晶退火、析出退火、冷軋的工序而得到銅合金板時，分別使熱軋的終止溫度為550850°C，繼而冷軋的冷軋率為7098%，其后的再結(jié)晶退火的平均升溫度速度為50°C/s以上，再結(jié)晶退火后的平均冷卻速度為100°C/S以上，之后的最終的冷軋的冷軋率為1030%的范圍。本發(fā)明作為前提，是針對Cu—Fe—P系合金，并進(jìn)一步使之含有Mg，作為Cu—Mg—P—Fe系合金而使強(qiáng)度提高。但是，僅僅使之含有Mg，雖然強(qiáng)度會提高，但卻使彎曲加工性劣化。為了提高Cu—Mg—P—Fe系合金的強(qiáng)度，有效的方法是使含有Mg的析出物的尺寸微細(xì)，并使之大量析出，為此在進(jìn)行退火之前，需要使Cu母體中固溶的Mg量多。然而，在Cu—Mg—P—Fe系合金中，不是被添加的Mg量多就會在Cu母體中固溶。實際上，熔解/鑄造時生成的氧化物、結(jié)晶物、以及從鑄錠的均熱到經(jīng)受熱軋而生成的粗大的析出物奪取走M(jìn)g量的大部分。這些粗大的Mg的氧化物、結(jié)晶物、析出物，即粗大的Mg的化合物不僅無助于強(qiáng)度提高，而且成為破壞的起點而使彎曲加工性降低。另一方面，尺寸(粒徑)小的微細(xì)的Mg化合物有助于強(qiáng)度提高，并不會使彎曲加工性降低。因此，在本發(fā)明中，對應(yīng)添加的(所含有的)的Mg量，使對于強(qiáng)度的提高有效的含Mg的微細(xì)的氧化物、結(jié)晶物和析出物(Mg化合物)大量殘留。與此同時，將含有粗大的Mg的氧化物、結(jié)晶物和析出物(Mg化合物)的量控制得很少，由此得到均衡地具備高強(qiáng)度和優(yōu)異的彎曲加工性的銅合金。在本發(fā)明中，針對Cu—Fe—P系合金，還含有Mg以使強(qiáng)度提高，為了在此基礎(chǔ)上不使彎曲加工性劣化，而使銅合金組織的晶粒微細(xì)化，同時抑制各個晶粒直徑的偏差。S卩，從銅合金組織排除粗大的晶粒，盡可能使各個晶粒直徑排列在微細(xì)的一側(cè)。作為該晶粒微細(xì)化和晶粒直徑的偏差的尺度乃至目標(biāo)，是在根據(jù)于上述的場發(fā)射型掃描電子顯微鏡上搭載有背散射電子衍射圖像系統(tǒng)的結(jié)晶方位分析法而測定的晶粒直徑中，平均晶粒直徑為6.5pm以下，下述平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.5(am以下。據(jù)此，在本發(fā)中可得到均衡具備了高強(qiáng)度和優(yōu)異的彎曲加工性的銅合金。具體實施例方式(第一實施方式)(銅合金的成分組成)首先，對于為了作為上述各種用途而滿足必要強(qiáng)度和導(dǎo)電率、還有高彎曲加工性和耐應(yīng)力緩和特性的本發(fā)明Cu—Mg—P—Fe系合金的化學(xué)成分組成進(jìn)行以下說明。在本發(fā)明中，為了達(dá)成高強(qiáng)度、高導(dǎo)電率，另外還有高的彎曲加工性，銅合金的基本組成如下以質(zhì)量。/。計含有Fe:0.011.0%、P:0.010.4%、Mg:0.11.0%，余量是銅和不可避免的雜質(zhì)。還有，以下的各元素的說明中記述的％顯示全部是質(zhì)量％。相對于該基本組成，此外也可以還含有Ni、Co的一種或兩種，或者Zn、Sn的一種或兩種的方式。另外，允許其他的雜質(zhì)元素在不損害這些特性的范圍內(nèi)含有。(Fe)Fe形成Fe—P系等的微細(xì)的析出物，是使強(qiáng)度和導(dǎo)電率提高所需要的元素。當(dāng)其含有低于0.01%時，微細(xì)的析出物粒子不足，因此為了有效地發(fā)揮這些效果，需要含有0.01%以上。但是，若超過1.0%而過剩含有，則招致析出粒子的粗大化，強(qiáng)度和彎曲加工性降低。因此，F(xiàn)e的含量為0.011.0%的范圍。(P)P除了具有脫氧作用以外，還與Mg和Fe形成微細(xì)的析出物，是提高銅合金的強(qiáng)度和導(dǎo)電率所需要的元素。含有低于0.01%時，微細(xì)的析出物粒子不足，因此需要含有0.01%以上。但是，若超過0.4%而過剩地含有，則粗大的Mg—P析出粒子增加，隨之而來的是Mg殘渣量也過剩地增加，因此強(qiáng)度和彎曲加工性降低，熱加工性也降低。因此，P的含量為0.010.4%的范圍。(Mg)Mg與P形成微細(xì)的析出物，是使強(qiáng)度和導(dǎo)電率提高所需要的元素。當(dāng)含有低于0.1%時，本發(fā)明的微細(xì)的析出物粒子不足，因此為了有效地發(fā)揮這些作用，而含有0.1%以上。但是，若超過1.0%而過剩地含有，則析出粒子粗大化并成為破壞的起點，因此不僅強(qiáng)度降低，而且彎曲加工性也降低。因此，Mg的含量為0.11.0。/。的范圍。(Ni、Co)在銅合金中也可以還含有0.011.0。/。的Ni、Co的一種或兩種。Ni、Co與Mg—樣，在銅合金中作為(Ni、Co)—P系或(Ni、Co)—Fe—P系等的微細(xì)的析出物粒子分散，使強(qiáng)度和導(dǎo)電率提高。為了有效地發(fā)揮這些效果，需要含有0.01%以上。但是，若超過1.0%而過剩地含有，則招致析出粒子的粗大化，不僅強(qiáng)度降低，而且彎曲加工性也降低。因此，選擇性地使之含有時，Ni、0)的一種或兩種的含量為0.011.0%的范圍。(Zn)在銅合金中，也可以進(jìn)一步含有Zn、Sn的一種或兩種。Zn可改善用于電子元件的接合的鍍Sn和焊錫的耐熱剝離性，是有效地抑制熱剝離的元素。為了有效地發(fā)揮這一效果，優(yōu)選其含有0.005%以上。但是，若過剩地含有，則不僅反而使熔融Sn和焊錫的潤濕擴(kuò)展性劣化，而且還使導(dǎo)電率大為降低。因此，在考慮到耐熱剝離性提高效果和導(dǎo)電率降低作用的基礎(chǔ)上，在0.0053.0質(zhì)量％，優(yōu)選在0.0051.5質(zhì)量％的范圍內(nèi)選擇性地含有Zn。(Sn)Sn在銅合金中固溶而有助于強(qiáng)度提高。為了有效地發(fā)揮這一效果，優(yōu)選其含有0.01%以上。但是，若過剩地含有，則該效果飽和，而使導(dǎo)電率大大降低。因此，在考慮到強(qiáng)度提高效果和導(dǎo)電率降低作用的基礎(chǔ)上，在0.015.0質(zhì)量％，優(yōu)選在0.011.0質(zhì)量％的范圍選擇性地含有Sn。(其他元素)其他元素基本上是雜質(zhì)，優(yōu)選盡可能少。例如A1、Cr、Ti、Be、V、Nb、Mo、W等雜質(zhì)元素，除了易生成粗大的結(jié)晶/析出物以外，還容易引起導(dǎo)電率的降低。因此，優(yōu)選以總量計而使之處于0.5質(zhì)量％以下的極少含量。此外，在銅合金中微量包含的B、C、Na、S、Ca、As、Se、Cd、In、Sb、Pb、Bi、MM(混合稀土金屬)等元素，因此也容易引起導(dǎo)電率的降低，所以它們以總量計也優(yōu)選抑制在0.1質(zhì)量％以下的極少含量內(nèi)。更具體地說，優(yōu)選(1)Mn、Ca、Zr、Ag、Cr、Cd、Be、Ti、Co、Ni、Au、Pt的含量，以這些元素整體的合計為1.0質(zhì)量％以下，(2)Hf、Th、Li、Na、K、Sr、Pd、W、S、Si、C、Nb、Al、V、Y、Mo、Pb、In、Ga、Ge、As、Sb、Bi、Te、B、混合稀土金屬的含量，以這些元素的合計為0.1質(zhì)量％以下。(Mg化合物)在本發(fā)明中，如前述，使在強(qiáng)度提高上有效的、微細(xì)的Mg化合物大量存在，同時將粗大的Mg化合物控制得很少，由此得到均衡地具備了高強(qiáng)度和優(yōu)異的彎曲加工性的銅合金。因此，作為銅合金組織中的特定尺寸的Mg化合物，不僅包含Mg的析出物，還包含Mg的氧化物和結(jié)晶物，這就產(chǎn)生了對它們的量的比例加以規(guī)定的需要。但是，在這些存在于銅合金中的氧化物、結(jié)晶物、析出物的尺寸中，有著從數(shù)10nm級(數(shù)0.01pm)到數(shù)pm左右的各種情況，直接鑒定這些多種Mg化合物并對其加以規(guī)定非常地?zé)╇s。為此在本發(fā)明中，將通過下述提取殘渣法提取分離的一定尺寸以上的粗大的提取殘渣(包含各種粗大Mg析出物、Mg氧化物、Mg結(jié)晶物)中的Mg量，規(guī)定為粗大的Mg化合物所使用(消費)的Mg量。然后，求得該粗大的提取殘渣中的Mg量相對于銅合金中的Mg含量(作為合金含有的Mg量以下也稱為合金Mg含量)的比例，將該比例規(guī)定為相對于合金Mg含量，粗大的Mg化合物所使用(消費)的Mg的比例。此外在本發(fā)明中，將該粗大的Mg化合物規(guī)定為，以后述過濾器的網(wǎng)眼尺寸計超過0.1,的。而且在本發(fā)明中，為了成為具備高強(qiáng)度和優(yōu)異的彎曲加工性的銅合金，使根據(jù)下述提取殘渣法而在網(wǎng)眼尺寸O.lpm的過濾器上被提取分離出的提取殘渣中的下述Mg量，以相對于銅合金中的Mg含量的比例計為60。/。以下，如此來規(guī)定并控制銅合金中的Mg的氧化物、結(jié)晶物、析出物的尺寸。作為提取殘渣中的下述Mg量相對于該合金Mg含量的比例超過60%時，組織中的粗大的Mg的氧化物、結(jié)晶物、析出物(粗大的Mg化合物)變多，不僅強(qiáng)度沒有提高，而且使彎曲加工性降低。(提取殘渣法)在此，對于含有銅合金中的Mg的氧化物、結(jié)晶物和析出物的提取分離法進(jìn)行說明。為了只溶解銅合金中的銅和固溶元素(母體)，而不使銅合金中的結(jié)晶物、析出物、氧化物溶失并將其提取分離，利用的是作為銅合金的母體的銅會溶解于氧共存下的氨的這一性質(zhì)。因此作為溶解溶液，優(yōu)選采用醋酸銨的醇類溶液。此外，也可以使用硝酸銨的醇類溶液，但是，為了使測定具有再現(xiàn)性，在本發(fā)明中，使用醋酸銨的醇類溶液。具體來說，在本發(fā)明中，使用下述的提取分離液按下述的要領(lǐng)回收提取殘渣。即，準(zhǔn)備溶液中的醋酸銨濃度為10質(zhì)量％的醋酸銨一甲醇溶液(提取分離液)300ml，其中浸漬10g銅合金試料。然后，將該銅合金試料作為陽極，將白金作為陰極使用，在10mA/cm2的電流密度下進(jìn)行恒流電解。這時，邊觀察銅合金試料的溶解狀態(tài)，邊使母體溶解，之后使用聚碳酸酯制的薄膜過濾器(網(wǎng)眼尺寸O.lpm)，對銅合金溶解后的提取分離液進(jìn)行抽吸過濾，作為未溶解物回收殘留在過濾器上的殘渣。(提取殘渣中的上述Mg量)如此回收的上述過濾器上的未溶解物提取殘渣，通過以1比1的比例將王水和水加以混合的溶液("王水1+1"溶液)將其溶解后，通過ICP(感應(yīng)結(jié)合高頻InductivetyCoupledPlasma)發(fā)射光譜法進(jìn)行分析，求得提取殘渣中的上述Mg量。(制造條件)接下來，就用于使銅合金的組織成為上述本發(fā)明規(guī)定的組織而優(yōu)選的制造條件進(jìn)行說明。本發(fā)明銅合金基本上是銅合金板，對其在寬度方向上進(jìn)行切割的條，和將這些板條線圈化都包含在本發(fā)明銅合金的范圍內(nèi)。為了制造本發(fā)明的具有高強(qiáng)度和優(yōu)異的彎曲加工性的銅合金的板，作為最佳的制造方法，是在通過銅合金的鑄造、熱軋、冷軋、退火而得到銅合金板時，使銅合金熔解爐中的合金元素的添加完畢之后至鑄造開始的所需時間為1200以內(nèi)，此外，使從鑄錠的加熱爐取出鑄錠之后至熱軋終止的所需時間為1200秒以下。在一般性的制造工序中，通過調(diào)整到特定成分組成的銅合金熔湯的鑄造、鑄錠端面切削、均熱、熱軋、然后冷軋和退火的反復(fù)，能夠獲得最終(制品)板。然后，強(qiáng)度級等的機(jī)械的特性的控制，其進(jìn)行主要是通過冷軋條件、退火條件來控制O.ljtim以下的微細(xì)的生成物的析出。這時，Mg等的合金元素向適當(dāng)分散的金屬間化合物的擴(kuò)散使Mg等的固溶量和微細(xì)生成物的析出量穩(wěn)定化。但是，在這些一般性的制造工序中，即使通過熱軋以后的冷軋條件、退火條件，使所述微細(xì)生成物大量析出，仍難以均衡地使強(qiáng)度和彎曲加工性提高。其理由是由于，所添加的Mg量的大部分都被熔解/造時生成的氧化物、結(jié)晶物，以及從鑄錠的均熱至熱軋終止生產(chǎn)生的粗大析出物奪走，對應(yīng)所添加的Mg量而應(yīng)該生成的微細(xì)生成物的生成量意外地變少。此外，粗大結(jié)晶物多時，在冷軋、退火工序中析出的微細(xì)生成物被此粗大生成物捕集，母體中獨立存在的微細(xì)生成物越發(fā)變少。因此，在前述一般性的制造方法中，在Mg的添加量多的程度下，也不能獲得充分的強(qiáng)度和優(yōu)異的彎曲加工性。因此在本發(fā)明中，在上述制造工序中，要在更高層次上抑制粗大Mg化合物。'即，特別是為了抑制粗大Mg化合物，(l)從熔解爐中的合金元素添加完畢至鑄造開始的時間管理，以及(2)從加熱爐取出鑄錠之后到熱軋終止的時間管理很重要。首先，熔解/鑄造本身能夠通過半連續(xù)鑄造等的通常的方法進(jìn)行。但是，在前述(1)的從熔解爐中的合金元素添加完畢至鑄造開始的時間管理中，從熔解爐中的元素添加完畢之后，在1200秒以內(nèi)、優(yōu)選在1100秒以內(nèi)進(jìn)行鑄造，冷去卩/凝固速度為o.rc/秒以上，優(yōu)選為0.2。C/秒以上。由此，能夠抑制含Mg的氧化物和結(jié)晶物的生成和成長/粗大化，并使它們微細(xì)地分散。從抑制含Mg的氧化物的生成的觀點出發(fā)，更優(yōu)選進(jìn)行真空熔解/鑄造，或者在氧分壓低的氣氛下進(jìn)行熔解/鑄造。歷來，為了確實地熔解含有添加元素的Cu—P等的母合金，從而使固溶的添加元素均一分散在熔湯中，且因為需要進(jìn)行原料追加后的再分析，所以達(dá)到開始鑄造就需要1500秒以上的時間。但是，若是至鑄造要如此花費時間，則可知會促進(jìn)含Mg的氧化物的生成/粗大化，且使添加元素的制品率降低。為了避免這種含Mg的氧化物的生成/粗大化，本發(fā)明的銅合金在制造時，如上述，將瑢解爐中的合金元素添加元素至鑄造開始的的需時間縮短至1200秒以下，優(yōu)選縮短至1100秒以內(nèi)。這樣至鑄造的時間的縮短，能夠通過在過去的熔煉實際成績的基礎(chǔ)上預(yù)測原料追加后的組成，從而縮短再分析所需要的時間等來達(dá)成。其次，在所述(2)由加熱爐取出鑄錠之后至熱軋終止的時間管理中，以加熱爐加熱鑄錠后，從爐中被取出的鑄錠至熱軋開始會產(chǎn)生等候時間。但是，為了制造本發(fā)明的Mg化合物的粗大化得到了抑制的銅合金，推薦進(jìn)行從所述熔解至鑄造開始的時間和冷卻/凝固速度的控制，并且將從加熱爐取出鑄錠的時刻至熱軋終止的所需(總過程)時間控制在1200秒以下，優(yōu)選控制在1100秒以下。以前，對這樣的從加熱爐取出至熱軋終止的時間進(jìn)行管理的問題并未得到研究，由于從加熱爐向熱軋線的搬運(yùn)和隨著以生產(chǎn)性提高為目標(biāo)的板坯的大型化帶來的熱軋時間的延長，一般會花費超過1500秒的時間。但是，若如此花費時間，則可知其間會有Mg—P等的Mg系的粗大析出物析出，另外還會以熔解/鑄造中產(chǎn)生的結(jié)晶物和氧化物為核而析出Mg和P。若這些粗大的mP析出粒子增加，則M殘渣量也過剩地增加，因此強(qiáng)度和彎曲加工性降低，熱加工性也降低。為了避免這樣的固溶Mg、固溶P的減少和Mg化合物的粗大化等的作用，本發(fā)明合金在制造時，如上述積極地將從加熱爐取出至熱軋終止的合計所需時間管理在1200秒以內(nèi)。這樣的時間管理能夠通過從加熱爐向熱軋線迅速地搬運(yùn)鑄錠，避免使用使熱軋時間變長的大型坯，而是主動使用小型坯等來達(dá)成。在熱軋中，遵循常規(guī)方法即可，熱軋的進(jìn)入側(cè)溫度為10060(TC左右，終止溫度為60085(TC左右。其后，進(jìn)行冷軋和退火，成為制品板厚的銅合金板等。退火和冷軋也可以根據(jù)最終(制品)板厚而反復(fù)進(jìn)行。實施例1以下說明本發(fā)明的實施例。制造組織中的Mg化合物的狀態(tài)不同的Cu一Mg—P—F系合金的各種銅合金薄板，評價強(qiáng)度、導(dǎo)電率、彎曲性等的特性。具體來說，用無心感應(yīng)電爐將表1所示的各化學(xué)成分組成的銅合金分別加以熔煉后，以半連續(xù)鑄造法進(jìn)行鑄錠，得到厚70mmX寬200mmX長500mm的鑄錠。對各鑄錠的表面進(jìn)行端面切削并加熱后，進(jìn)行熱軋而成為厚16mm的板，從650。C以上的溫度在水中急冷。其次，除去氧化皮后，進(jìn)行一次冷軋(即中間延展冷軋)。對該板進(jìn)行端面切削后，進(jìn)行一次退火，進(jìn)行一次冷軋。接著，實施二次退火、最終冷軋，之后進(jìn)行低溫去應(yīng)變退火，得到厚約0.2mm的銅合金板。這時，如表1所示，使從熔解爐中的合金元素添加完畢到鑄造開始的所需時間(表1中記述為至鑄造開始的所需時間)、鑄造之時的冷卻凝固速度、加熱爐取出溫度、熱軋終止溫度、從加熱爐取出到熱軋開始的所需時間(表l中記述為至熱軋開始的所需時間)發(fā)生各種改變，以控制組織中的Mg化合物的狀態(tài)。還有，表1所示的各銅合金，除去記載元素量的余量組成均為Cu，作為表1所述以外的其他元素，Al、Cr、Ti、Be、V、Nb、Mo、W以它們的總量計為0.1質(zhì)量％以下。另夕卜，B、C、Na、S、Ca、As、Se、Cd、In、Sb、Pb、Bi、MM(混合稀土金屬)等元素，以它們的總量計也為0.1質(zhì)量％以下。此外，表1的各元素含量中所示的"一"表示在檢測界限以下。從如此得到的各銅合金板上提取10g提取殘渣測定用的試驗片，根據(jù)前述方法，通過前述的ICP發(fā)射光譜法分析，求得通過網(wǎng)眼為0.1pm的篩目提取分離的提取殘渣中所含的Mg量。這些結(jié)果顯示在表2中。另外，從隨各例一起得到的銅合金板上切下試料，進(jìn)行拉伸試驗、導(dǎo)電率測定、彎曲試驗。這些結(jié)果也顯示在表2中。(拉伸試驗)拉伸試驗是采用JIS13號B試驗片，利用5882型英斯特朗(Instron)公司制萬能試驗機(jī)，在室溫、試驗速度10.0mm/min、GL=50mm的條件下，測定抗拉強(qiáng)度，0.2%屈服點。(導(dǎo)電率測定)銅合金板試料的導(dǎo)電率，是通過銑削(milling)來加工寬10mmX長300mm的短狹條狀的試驗片，利用雙橋式(dubblebridge)阻抗測定裝置測定電阻抗，并根據(jù)平均截面積法計算出導(dǎo)電率。(彎曲加工性的評價試驗)銅合金板試料的彎曲試驗，遵循日本伸銅協(xié)會(JapanCopperandBrassAssociation)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行。將板材切割成寬10mm、長30mm,以0.05mm的彎曲半徑進(jìn)行彎曲軸與軋制方向成直角的(GoodWay)彎曲，用50倍的光學(xué)顯微鏡目視觀察彎曲部有無裂紋。無裂紋的評價為O，產(chǎn)生裂紋的評價為X。如表1所表明，作為本發(fā)明組成內(nèi)的銅合金發(fā)明例113，是在如下優(yōu)選的條件內(nèi)制造即，從熔解爐中的合金元素添加完畢至鑄造開始的所需時間在1000sec以內(nèi)，鑄造之時的冷卻凝固速度為0.5°C/sec以上，從加熱爐取出至熱軋開始的所需時間在1050sec以內(nèi)。另外，加熱爐取出溫度、熱軋終止溫度也恰當(dāng)。因此，發(fā)明例113，根據(jù)所述的提取法提取分離的提取殘渣中的Mg量相對于合金Mg含量的比例為60%以下，如此，使銅合金中的Mg氧化物、結(jié)晶物、析出物尺寸以被微細(xì)化的方式得到控制。其結(jié)果是，發(fā)明例113為屈服點在400MPa以上，導(dǎo)電率在60%IACS以上的高強(qiáng)度、高導(dǎo)電率，并且彎曲加工性優(yōu)異。相對于此，比較例14的銅合金，Mg的含量低得脫離下限0.1%。因此，雖然制造方法與前述發(fā)明例一樣，是在優(yōu)選的條件內(nèi)被制造，根據(jù)所述的提取法提取分離的提取殘渣中的Mg量相對于合金Mg含量的比例為60%以下，但是Mg過少。因此，盡管彎曲加工性優(yōu)異，但是強(qiáng)度低。比較例15的銅合金，Mg的含量的上限高得脫離上限1.0%。因此，雖然制造方法與前述發(fā)明例一樣，是在優(yōu)選的條件內(nèi)被制造，但是根據(jù)所述的提取法提取分離的提取殘渣中的Mg量相對于合金Mg含量的比例超過60%。其結(jié)果是，盡管強(qiáng)度高，但是彎曲加工性和導(dǎo)電率低。比較例16的銅合金其制造的制造方法在優(yōu)選的條件內(nèi)，根據(jù)所述的提取法提取分離的提取殘渣中的Mg量相對于合金Mg含量的比例為60%以下。雖然如此，但是P的含量低得脫離下限0.01X，因為P過少，所以盡管彎曲加工性優(yōu)異，但強(qiáng)度低。比較例17的銅合金，P的含量高得脫離上限0.4%。因此，粗大的Mg-P析出粒子增加，隨之而來的是Mg殘渣量也過剩增加，強(qiáng)度、彎曲加工性、導(dǎo)電率均低。比較例1823的銅合金，雖然成分組成在范圍內(nèi)，但是各個制造條件脫離優(yōu)選范圍、比較例18、21、22從熔解爐中的合金元素添加完畢至鑄造開始的所需時間過長、比較例19、21、23在鑄造之時的冷卻凝固速度過慢。比較例20、22、23從加熱爐取出至熱軋開始的所需時間過長。因此，這些比較例的銅合金，根據(jù)所述的提取法提取分離的提取殘渣中的Mg量相對于合金Mg含量的比例超過60。/。。其結(jié)果是，強(qiáng)度、彎曲加工性均低。根據(jù)以上的結(jié)果，揭示出在高強(qiáng)度、高導(dǎo)電率化的基礎(chǔ)上，用于使彎曲加工性也優(yōu)異的本發(fā)明銅合金板的成分組成、組織，還有用于獲得組織的優(yōu)選制造條件的意義。<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>其次，在表3中，顯示作為銅合金，前述選擇性添加元素和前述其他元素量(雜質(zhì)量)超過前述優(yōu)選上限規(guī)定的實施例。這些例子全部是在與所述發(fā)明例1相同的條件(至鑄造開始的所需時間為900sec，鑄造的冷卻速度為2"C/sec，加熱爐取出溫度960'C，熱軋終止溫度800'C，至熱軋開始的所需時間500sec)下，制造厚0.2mm的銅合金薄板。與所述實施例同樣，對這些銅合金薄板進(jìn)行強(qiáng)度、導(dǎo)電率、彎曲性等特性的評價。這些結(jié)果顯示在表4中。表3的發(fā)明例24，相當(dāng)于前述實施例表1、2中的發(fā)明例1，更具體地顯示出表3所述的A群和B群的其他元素量(雜質(zhì)量)。發(fā)明例25，表3的作為A群的Mn、Ca、Zr、Ag、Cr、Cd、Be、Ti、Co、Ni、Au、Pt的含量多。發(fā)明例26，表3的作為B群的Hf、Th、Li、Na、K、Sr、Pd、W、S、Si、C、Nb、Al、V、Y、Mo、Pb、In、Ga、Ge、As、Sb、Bi、Te、B、混合稀土金屬的含量，以這些元素的合計超過0.1質(zhì)量％。發(fā)明例27、28其Zn含量多。發(fā)明例29、30其Sn含量多。這些發(fā)明例2530，作為主要元素的Fe、P、Mg的含量在本發(fā)明組成內(nèi)，另外在優(yōu)選的條件內(nèi)制造。因此，這些發(fā)明例2530根據(jù)本發(fā)明規(guī)定的所述提取法提取分離的提取殘渣中的Mg量相對于合金Mg含量的比例為60%以下，如此使銅合金中的Mg氧化物、結(jié)晶物、析出物尺寸以被微細(xì)化的方式得到控制。其結(jié)果是，發(fā)明例2530為屈服點在400MPa以上、導(dǎo)電率在60。/。IACS以上，或屈服點在450MPa以上、導(dǎo)電率在55%IACS以上的均衡高強(qiáng)度、高導(dǎo)電率，并且彎曲加工性優(yōu)異。但是，因為A群和B群的其他元素含量高，所以與發(fā)明例24(相當(dāng)于表1、2的發(fā)明例1)相比，其導(dǎo)電率低。比較例31、32其Zn、Sn含有分別超過上限規(guī)定。這些比較例31、32作為主要元素的Fe、P、Mg的含量也在本發(fā)明組成內(nèi)，另外在優(yōu)選的條件下被制造。因此，比較例31、32根據(jù)本發(fā)明規(guī)定的所述提取法提取分離的提取殘渣中的Mg量相對于合金Mg含量的比例為60%以下，如此使銅合金中的Mg氧化物、結(jié)晶物、析出物尺寸以被微細(xì)化的方式得到控制。其結(jié)果是，比較例31、32為高強(qiáng)度，而且彎曲加工性優(yōu)異。但是，由于Zn、Sn的含量過高而超過上限，所以與發(fā)明例2530，導(dǎo)電率也顯著變低。<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>*A群為Mn、Ca、Zr、Ag、Cr、Cd、Be、Ti、Co、Ni、Au、Pt各元素。氺B群為Hf、Th、Li、Na、K、Sr、Pd、W、S、Si、C、Nb、Al、V、Y、Mo、Pb、In、Ga、Ge、As、Sb、Bi、Te、B、混合稀土金屬和元素。<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>(第二實施方式)在本發(fā)明中，為了達(dá)成高強(qiáng)度、高導(dǎo)電率、還有高彎曲加工性，銅合金的基本組成如下以質(zhì)量％計含有Fe:0.013.0%、P:0.010.4%、Mg:0.11.0%，余量是銅和不可避免的雜質(zhì)。該組成為了使銅合金組織的晶粒微細(xì)化，并且為了使用于抑制各個晶粒直徑的偏差所需要的微細(xì)的(不使之粗大化)析出粒子析出，也有來自成分組成的重要的前提條件。還有，在以下各元素的說明中，所述％顯示全部是質(zhì)量％。相對于此基本組成，為了使彎曲加工性提高，還可以含有以下元素。Ni、Co的一種或兩種:合計為0.011.0質(zhì)量％Zn:0.0053.0%Sn:0.015.0%。Mn、Ca中一種或兩種合計為0.00011.0°/。Zr、Ag、Cr、Cd、Be、Ti、Co、Ni、Au、Pt中一種或兩種以上合計為0.0011.0%Hf、Th、Li、Na、K、Sr、Pd、W、S、Si、C、Nb、Al、V、Y、Mo、Pb、In、Ga、Ge、As、Sb、Bi、Te、B、混合稀土金屬的含量合計為0.1質(zhì)量％以下。(Fe)Fe形成Fe—P系等的微細(xì)的析出物，是使強(qiáng)度和導(dǎo)電率提高所需要的元素。當(dāng)含有低于0.01%時，微細(xì)的析出物粒子不足。因此由析出粒子帶來的晶粒成長的抑制效果變小。其結(jié)果是，平均晶粒直徑和平均晶粒直徑標(biāo)準(zhǔn)偏差過大，強(qiáng)度降低。因此，為了有效地發(fā)揮這些效果，需要含有0.01%以上。但是，若超過3.0%而過剩含有，則招致析出粒子的粗大化，平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差過大，彎曲加工性降低。另外導(dǎo)電率也降低。因此，F(xiàn)e的含量為0.013.0%的范圍。(P)P除了具有脫氧作用以外，還與Fe結(jié)合，形成Fe—P系等析出物，是提高銅合金的強(qiáng)度和導(dǎo)電率所需要的元素。另外其與Mg結(jié)合，形成Mg—P系等的析出物，使銅合金的強(qiáng)度和導(dǎo)電率提高。若P的含有過少，則這些作用乃至微細(xì)的析出物粒子不足。因此，由析出粒子帶來的晶粒成長的抑制效果變小。其結(jié)果是，平均晶粒直徑和平均晶粒直徑標(biāo)準(zhǔn)偏差過大，強(qiáng)度降低。因此，需要含有0.01%以上。但是，若超過0.4%而過剩地含有，則粗大的Mg—P析出粒子增加，隨之而來的是平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差過大，彎曲加工性降低。另外導(dǎo)電率也降低。因此P的含量為0.010.4%的范圍。(Mg)Mg與P形成微細(xì)的析出物，是使強(qiáng)度和導(dǎo)電率提高所需要的元素。若Mg的含有過少，則這些作用甚至微細(xì)的析出物粒子不足。因此，由析出粒子帶來的晶粒成長的抑制效果變小。其結(jié)果是，平均晶粒直徑和平均晶粒直徑標(biāo)準(zhǔn)偏差過大，強(qiáng)度降低。其需要含有0.1%以上。但是，若超過1.0%而過剩地含有，則析出粒子粗大化，平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差過大，彎曲加工性降低。另外導(dǎo)電率也降低。因此，Mg的含量為0.11.0Q/。的范圍。(Ni、Co)在銅合金中也可以還含有Ni、Co的一種或兩種合計為0.011.0%。Ni、Co與Mg—樣，在銅合金中作為(Ni、Co)—P系或(Ni、Co)—Fe—P系等的微細(xì)的析出物粒子分散，使強(qiáng)度和導(dǎo)電率提高。為了有效地發(fā)揮這些效果，需要含有0.01%以上。但是，若超過1.0%而過剩地含有，則招致析出粒子的粗大化，平均晶粒直徑標(biāo)準(zhǔn)偏差過大，彎曲加工性降低。另外導(dǎo)電率也降低。因此，選擇性地含有Ni、Co的一種或兩種時，其含量合計為0.011.0%的范圍。(Zn)在銅合金中，也可以還含有Zn、Sn的一種或兩種。Zn可改善用于電子元件的接合的鍍Sn和焊錫的耐熱剝離性，是有效地抑制熱剝離的元素。為了有效地發(fā)揮這一效果，優(yōu)選其含有0.005%以上。但是，若超過3.0%而過剩地含有，則不僅反而使熔融Sn和焊錫的潤濕擴(kuò)展性劣化，而且也使導(dǎo)電率大為降低。因此，兼顧耐熱剝離性改善效果和導(dǎo)電率降低作用，在0.0053.0質(zhì)量％的范圍內(nèi)選擇性地含有Zn。(Sn)Sn在銅合金中固溶而有助于強(qiáng)度提高。為了有效地發(fā)揮這一效果，優(yōu)選含有0.01%以上。但是，若超過5.0%而過剩地含有，則該效果飽和，并使導(dǎo)電率大大降低。因此，兼顧強(qiáng)度提高效果和導(dǎo)電率降低作用，在0.015.0質(zhì)量％的范圍選擇性地含有Sn。(Mn、Ca)因為Mn、Ca有助于提高銅合金的熱加工性，所以在需要其效果時被選擇性地含有。Mn、Ca的一種或兩種以上的含量合計低于0.0001%時，無法得到期望的效果。另一方面，若其含量合計超過1.0%，則粗大的結(jié)晶物和氧化物生成，不僅使彎曲加工性降低，而且導(dǎo)電率的降低也很急劇。因此，這些元素的含量合計在0.00011.0%的范圍選擇性地含有。(Zr、Ag、Cr、Cd、Be、Ti、Au、Pt量)因為這些成分具有使銅合金的強(qiáng)度提高的效果，所以在需要其效果時選擇性地含有。這些成分的1種或2種以上的含量合計低于0.001%時，無法到到期望的效果。另一方面，若其含量合計超過1.0%，則粗大的結(jié)晶物和氧化物生成，不僅使彎曲加工性降低，而且導(dǎo)電率也急劇降低而不為優(yōu)選。因此，這些元素的含量合計在0.0011.0%的范圍選擇性地含有。(Hf、Th、Li、Na、K、Sr、Pd、W、S、Si、C、Nb、Al、V、Y、Mo、Pb、In、Ga、Ge、As、Sb、Bi、Te、B、混合稀土金屬量)這些成分是雜質(zhì)元素，這些元素的含量合計超過0.1%時，粗大的結(jié)晶物和氧化物生成而使彎曲加工性降低。因此，這些元素的含量優(yōu)選合計為0.1%以下。(銅合金組織)在本發(fā)明中，針對如上所述的使強(qiáng)度提高的組成的Cu—Mg—P—Fe系合金，如前述為了不使其彎曲加工性劣化，而使銅合金組織的晶粒微細(xì)化，并抑制各個晶粒直徑的偏差。在Cu—Mg—P—Fe系合金中，特別的是不僅平均晶粒直徑對彎曲加工性大有影響，晶粒直徑的偏差對彎曲加工性的影響也很大。因此在本發(fā)明中，為了得到均衡具備高強(qiáng)度和優(yōu)異的彎曲加工性銅合金，就要減少銅合金組織中的粗大的晶粒，并盡可能使各個晶粒直徑成為微細(xì)。作為其尺度，是在根據(jù)于場發(fā)射型掃描電子顯微鏡上搭載有背散射電子衍射圖像系統(tǒng)的結(jié)晶方位分析法而測定的晶粒直徑中，下述平均晶粒直徑為6.5pm以下，優(yōu)選為4pm以下，下述平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.5pm以下，優(yōu)選為0.9pm以下。在此，將根據(jù)上述結(jié)晶方位分析法測定的晶粒的個數(shù)定為n，各個測定的晶粒直徑定為x時，上述平均晶粒直徑由(Zx)/n表示，上述平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差由(111>2-(2>)2)/(n/(n-l)"2)表示。上述平均晶粒直徑超過6.5pm，上述平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差超過1.5，時，銅合金組織中的粗大的晶粒增加，各個晶粒直徑的偏差也變大，彎曲加工性劣化。(平均晶粒直徑、平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差測定方法)本發(fā)明中，之所以將平均晶粒直徑和平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差的測定方法規(guī)定為，在場發(fā)射型掃描電子顯微鏡(FieldEmissionScanningMicroscope:FESEM)上搭載有背散射電子衍射圖像[EBSP:ElectronBackScattering(Scattered)Pattem]系統(tǒng)的結(jié)晶方位分析法，是由于該測定方法因為有高分解能，所以有高精度。EBSP法是在FESEM的鏡筒內(nèi)對設(shè)置的試料照射電子射線，從而在屏幕上投影EBSP。用高感應(yīng)攝像機(jī)對其進(jìn)行拍攝，作為圖像輸入計算機(jī)。在計算機(jī)中分析該圖像，通過與采用了已知的結(jié)晶系的模擬圖案相比較，從而決定結(jié)晶的方位。算出的結(jié)晶的方位為三維歐拉角，與位置坐標(biāo)(x、y)等一起記錄。該程序?qū)τ谌珳y定點自動地進(jìn)行，因此測定結(jié)束時能夠得到數(shù)萬數(shù)十萬點的結(jié)晶方位數(shù)據(jù)。如此在EBSP法中，運(yùn)用X射線衍射法和使用透射電子顯微鏡的電子射線衍射法，還有如下優(yōu)點，即觀察視野寬闊，在數(shù)小時以內(nèi)得到數(shù)百個以上的大量晶粒相對應(yīng)的平均晶粒直徑、平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差或方位分析的情報。另外，因為不用對每個晶粒進(jìn)行測定，而是按任意的一定間隔掃描指定的區(qū)域而進(jìn)行測定，所以還具有能夠獲得關(guān)于網(wǎng)羅了測定區(qū)域整體的上述大量測定點的上述各情報。還有，這些在FESEM上搭載有EBSP的結(jié)晶方位分析法的詳情，詳細(xì)地記載于神戶制鋼技報八W52No.2(Sep.2002)P66—70等。采用這些在FESEM上搭載有EBSP的結(jié)晶方位分析法，在本發(fā)明中，測定所品銅合金的板厚方向的表面部的集合組織，進(jìn)行平均晶粒直徑、平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差、小角晶界的測定。在此，通常的銅合金板的情況，主要是形成由如下所示的被稱為Cube方位、Goss方位(以下也稱B方位)、Copper方位(以下也稱Cu方位)、S方位等大量方位因子構(gòu)成的集合組織，存在與之相應(yīng)的結(jié)晶面。它們的實際情況記載于例如長島晉一編著，"集合組織"(丸善株式會社刊)和輕金屬學(xué)會"輕金屬"解說Vol.43，1993,P285—293等。這些集合組織的形成即使在同結(jié)晶系的情況下，也會因加工、熱處理方法而有所不同。由軋制形成板材的集合組織的情況下，由軋制面和軋制方向表示，軋制面由(ABC)表現(xiàn)，軋制方向由〈DEF〉表現(xiàn)(ABCDEF表示整數(shù))。基于這種表現(xiàn)，各方位表現(xiàn)如下。Cube方位{001}<100>Goss方位{011}<100>Rotated-Goss方位{011}<011>Brass(B方位){011}<211>Copper方位(Cu方位){112}<111>(或D方位{4411<11118>})S方位{123}<634>B/G方位{011}<511>B/S方位{168}<211>P方位{011}<111>在本發(fā)明中，基本上從這些結(jié)晶面到±15°以內(nèi)的方位的偏差都屬于同一結(jié)晶面(方位因子)。另外，相鄰的晶粒的方位差為5。以上的晶粒的邊界定義為結(jié)晶晶界。而且在本發(fā)明中，將根據(jù)上述結(jié)晶方位分析法測定的晶粒數(shù)定為n，各個測定的晶粒直徑定為x時，上述平均晶粒直徑表示為(2>)/n，上述平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差表示為(n!>2—(2>)2〕/〔n/(n—l)1/2)。(小角晶界)在本發(fā)明中，除了上述晶粒直徑的控制以外，為了進(jìn)一步使彎曲加工性提高，優(yōu)選進(jìn)一步對小角晶界的比例進(jìn)行規(guī)定。該小角晶界是指，根據(jù)所述在FESEM上搭載有EBSP系統(tǒng)的結(jié)晶方位分析法而測定的結(jié)晶方位內(nèi)，結(jié)晶方位的差異小至515°的晶粒之間的晶界。在本發(fā)明中，該小角晶界的比例為，據(jù)所述搭載有EBSP系統(tǒng)的結(jié)晶方位分析法而測定的、這些小角晶界的結(jié)晶晶界的全長(測定的全部小角晶粒的結(jié)晶晶界的合計長度)，相對于同樣測定的、結(jié)晶方位的差異為5180°的結(jié)晶晶界的全長(測定的全部晶粒的結(jié)晶晶界的合計長度)的比例，優(yōu)選為4%以上，30%以下。艮口，小角晶界的比例(％)為〔(5—15°的結(jié)晶晶界的全長)/(5—180°的結(jié)晶晶界的全長))X100，在4%以上、30%以下，優(yōu)選為5%以上、25%以下。在本發(fā)明的Cu—Mg—P—Fe系合金中，不僅上述平均晶粒直徑和平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差對彎曲加工性大有影響，小角晶界的比例對彎曲加工性的影響也很大。因此，為了確實地使Cu—Mg—P—Fe系合金的彎曲加工性提高，作為這一結(jié)晶晶界的長度的小角晶界相對于全部結(jié)晶晶界的比例為4%以上、30%以下。當(dāng)該小角晶界的比例小至低于4%時，則有不能提高彎曲加工性的情況發(fā)生的可能性。該小角晶界的比例高達(dá)30%時，則強(qiáng)度變得過大，從而不能提高彎曲加工性。(制造條件)接下來，就用于使銅合金的組織成為上述本發(fā)明規(guī)定的組織而優(yōu)選的制造條件進(jìn)行說明。本發(fā)明銅合金基本上是銅合金板，對其在寬度方向上進(jìn)行切割的條，和將這些板條線圈化都包含在本發(fā)明銅合金的范圍內(nèi)。在本發(fā)明中，也與一般性的制造工序一樣，通過調(diào)整到特定成分組成的銅合金熔湯的鑄造、鑄錠端面切削、均熱、熱軋、然后冷軋和包括再結(jié)晶退火、析出退火等的退火的反復(fù)操作，從而獲得最終(制品)板。但是在上述制造工序之內(nèi)，通過組合以下說明的各制造條件并加以實施，則可以得到本發(fā)明規(guī)定組織、強(qiáng)度/高導(dǎo)電率及彎曲加工性。首先，將熱軋的終止溫度定為55085(TC。若在該溫度比550'C低的溫度域進(jìn)行熱軋，則再結(jié)晶不完全，因此會成為不均一組織，標(biāo)準(zhǔn)偏差變得過大，彎曲加工性劣化。若熱軋的終止溫度比85(TC高，則晶粒粗大化，彎曲加工性劣化。該熱軋后進(jìn)行水冷。其次，在此水冷后，將以再結(jié)晶為目的的退火前的冷軋的冷軋率定為7098%。若冷軋率比70%低，則作為再結(jié)晶核的點太少，因此平均晶粒直徑必然比本發(fā)明預(yù)期的要大，彎曲加工性劣化。另一方面，若冷率比98%高，則晶粒直徑的偏差變大，因此晶粒不均一，平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差必然比本發(fā)明預(yù)期的大，結(jié)果是彎曲性劣化。接著，進(jìn)行以再結(jié)晶為目的的退火(溶體化)。這時，為了抑制晶粒的成長，再結(jié)晶退火溫度優(yōu)選在55085(TC的范圍之內(nèi)的較低溫側(cè)的55070(TC。在該再結(jié)晶退火中，為了抑制晶粒的成長，還需要對升溫速度和冷卻速度兩方面進(jìn)行控制。g卩，該退火時的升溫度速度為50°C/s以上。若升溫度速度比50°C/s小，則再結(jié)晶粒的核生成變得不均一，因此平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差必然變大。另外，該退火后的冷卻速度為IO(TC/s以上。若該冷卻速度比100'C/s小，則退火時的晶粒的成長被促進(jìn)，平均晶粒直徑必然比本特許所預(yù)期的要大。在該再結(jié)晶退火后，以約300450°C的范圍的溫度進(jìn)行析出退火(中間退火，二次退火)，使微細(xì)的析出物形成，以提高銅合金板的強(qiáng)度和導(dǎo)電率(復(fù)原)。這些退火后，最終的冷軋中的冷軋率為1030%的范圍。通過此最終冷軋導(dǎo)入應(yīng)變，從而能夠使小角晶界的比例增加。若最終冷軋率比10%小，則充分的應(yīng)變未被導(dǎo)入，小角晶界的比例無法增加到前述的4%以上。另一方面，若最終冷軋率比30%高，則強(qiáng)度過大，同時平均晶粒直徑也過大，彎曲性劣化。還有，在該最終的冷軋前，在所述再結(jié)晶退火后也可以進(jìn)行用于恢復(fù)導(dǎo)電率的中間退火。如此得到的本發(fā)明的銅合金能夠在高強(qiáng)度/高導(dǎo)電率及家電、半導(dǎo)體元件、產(chǎn)業(yè)用機(jī)械和汽車用電機(jī)電子元件上廣泛有效地應(yīng)用。以下，列舉實施例更具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明當(dāng)然不受下述實施例的限制，在符合前、后述宗旨的范圍內(nèi)當(dāng)然也可以適當(dāng)?shù)丶右宰兏鼘嵤?，這些均包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。實施例2以下說明發(fā)明的實施例。以下說明本發(fā)明的實施例。制造組織中的平均晶粒直徑和平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差等不同的Cu—Mg—P—F系合金的各種銅合金薄板，評價強(qiáng)度、導(dǎo)電率、彎曲性等的特性。具體來說，是用無心感應(yīng)電爐將下述表5所示的化學(xué)成分組成的銅合金分別加以熔煉后，以半連續(xù)鑄造法進(jìn)行鑄錠，得到厚70mmX寬200mmX長500mm的鑄錠。對各鑄錠的表面進(jìn)行端面切削并加熱到95(TC達(dá)2小時后，進(jìn)行熱軋而成為厚20mm的板，從下述表6所示的各種溫度在水中急冷。其次，除去氧化皮后，以下述表6所示的各種冷軋率進(jìn)行一次冷軋(即中間延展冷軋)。對該板進(jìn)行端面切削后，作為一次退火，以下述表6所示的各種升溫度速度、冷卻速度，進(jìn)行60(TC的再結(jié)晶退火。其后進(jìn)行40(TCX10小時的用于恢復(fù)導(dǎo)電率的析出退火(二次退火)后，以下述表6所示的各種冷軋率進(jìn)行最終冷軋。然后，進(jìn)行極低溫去應(yīng)變退火，得到厚0.2mm的制品銅合金板。還有，表5所示的各銅合金，除去記載元素量的余量組成均為Cu，作為表1所述以外的其他元素，Zr、Ag、Cr、Cd、Be、Ti、Co、Ni、Au、Pt，以其總量計為0.05質(zhì)量％。另外，Hf、Th、Li、Na、K、Sr、Pd、W、S、Si、C、Nb、Al、V、Y、Mo、Pb、In、Ga、Ge、As、Sb、Bi、Te、B、混合稀土金屬(MM)這些元素，也以其總量計為0.1質(zhì)量％以下。表5的各元素含量中所示的"一"表示在檢測界限以下。(平均晶粒直徑、平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差、小角晶界的比例)測定這些制品銅合金板的平均晶粒直徑、平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差、小角晶界。在這些測定中，其進(jìn)行如前述，是采用在FESEM上搭載有EBSP的結(jié)晶方位分析法，測定制品銅合金板的板厚方向的表面部的集合組織。這些結(jié)果顯示在表6中。具體來說，是對制品銅合金的軋制面表面進(jìn)行機(jī)械研磨，再進(jìn)行拋光研究，接著進(jìn)行電解研磨，從而準(zhǔn)備好對表面進(jìn)行了調(diào)整的試料。其后，使用日本電子社制FESEM(JEOLJSM5410)，進(jìn)行利用EBSP的結(jié)晶方位測定和晶粒直徑測定。測定區(qū)域為300^imX300^im的區(qū)域，測定梯級間隔0.5(im。EBSP測定/分析系統(tǒng)使用EBSP:TSL社制(OIM)。另外，從隨各例一起得到的銅合金板上切下試料，進(jìn)行拉伸試驗、導(dǎo)電率測定、彎曲試驗。這些結(jié)果也顯示在表6中。(拉伸試驗)拉伸試驗是采用將長度方向作為軋制方向的JIS13號B試驗片，利用5882型英斯特朗(Instron)公司制萬能試驗機(jī)，在室溫、試驗速度10.0mm/min、GL=50mm的條件下，測定抗拉強(qiáng)度，0.2%屈服點(MPa)。(導(dǎo)電率測定)導(dǎo)電率的測定是將試驗片的長度方向作為軋制方向，通過銑削來加工寬10mmX長300mm的短狹條狀的試驗片，利用雙橋式阻抗測定裝置測定電阻抗，并根據(jù)平均截面積法計算出導(dǎo)電率。(彎曲加工性的評價試驗)銅合金板試料的彎曲試驗，遵循日本伸銅協(xié)會技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行。將板材切割成寬10mm、長30mm，以0.05mm的彎曲半徑進(jìn)行GoodWay(彎曲軸與軋制方向成直角)彎曲，用50倍的光學(xué)顯微鏡目視觀察彎曲部有無裂紋。這時，無裂紋的評價為O，發(fā)生表面粗糙的評價為A，產(chǎn)生裂紋的評價為X。如果該彎曲試驗優(yōu)異，則可以說所述貼緊彎曲或開槽后的90°彎曲等嚴(yán)酷的彎曲加工性也優(yōu)異。如表l所表明的，作為本發(fā)明組成內(nèi)的銅合金的發(fā)明例114，其在一次冷軋(冷軋率)、再結(jié)晶退火(升溫速度、冷卻速度)、最終冷軋(冷軋率)為優(yōu)選的條件范圍內(nèi)得到制品銅合金板。因此，發(fā)朋例114的組織被以如下方式控制根據(jù)在場發(fā)射型掃描電子顯微鏡上搭載有背散射電子衍射圖像系統(tǒng)的結(jié)晶方位分析法而測定的平均晶粒直徑為6.5pm以下，下述平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.5pm以下，結(jié)晶方位的差異為515。小角晶界的比例為4%以上。其結(jié)果是，發(fā)明例114為屈服點在400MPa以上，導(dǎo)電率在60%IACS以上的高強(qiáng)度、高導(dǎo)電率，并且彎曲加工性優(yōu)異。相對于此，比較例15的銅合金，F(xiàn)e的含量低得脫離下限0.01%。因此，雖然制造方法與前述發(fā)明例一樣，是在優(yōu)選的條件內(nèi)被制造的，但微細(xì)的析出物粒子不足，平均晶粒直徑和平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差遠(yuǎn)遠(yuǎn)偏離。其結(jié)果是，盡管彎曲加工性優(yōu)異，但是強(qiáng)度低。比較例16的銅合金，F(xiàn)e的含量的上限高得脫離上限3.0。/。。因此，雖然制造方法與前述發(fā)明例一樣，是在優(yōu)選的條件內(nèi)被制造，粗大的析出物粒子變多，平均晶粒直徑接近上限，平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差遠(yuǎn)遠(yuǎn)偏離。其結(jié)果特別是彎曲加工性差。比較例17的銅合金，P的含量低得脫離下限0.0ln/。，因為P過少，所以雖然制造方法與前述發(fā)明例一樣，是在優(yōu)選的條件內(nèi)被制造，但微細(xì)的析出物粒子不足，平均晶粒直徑和平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差遠(yuǎn)遠(yuǎn)偏離。其結(jié)果是，盡管彎曲加工性優(yōu)異，但是強(qiáng)度特別低。比較例18的銅合金，P的含量高得脫離上限0.4%。因此，雖然制造方法與前述發(fā)明例一樣，是在優(yōu)選的條件內(nèi)被制造，但粗大的Mg-P析出粒子增加，隨之而來的是平均晶粒直徑接近上限，平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差遠(yuǎn)遠(yuǎn)偏離。其結(jié)果是彎曲加工性特別差。比較例19的銅合金，Mg的含量低得脫離下限0.1%。因此，雖然制造方法與前述發(fā)明例一樣，是在優(yōu)選的條件內(nèi)被制造，但微細(xì)的析出物粒子不足，平均晶粒直徑和平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差遠(yuǎn)遠(yuǎn)偏離。其結(jié)果是，盡管彎曲加工性優(yōu)異，但是強(qiáng)度特別低。比較例20的銅合金，Mg的含量高得脫離上限1.0%。因此，雖然制造方法與前述發(fā)明例一樣，是在優(yōu)選的條件內(nèi)被制造，但粗大的Mg-P析出粒子增加，隨之而來的是平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差遠(yuǎn)遠(yuǎn)偏離。其結(jié)果是彎曲加工性特別差。比較例2128的銅合金，盡管成分組成在范圍內(nèi)，但是各個制造條件脫離優(yōu)選范圍。比較例21其熱軋的終止溫度過低。比較例22其熱軋的終止溫度過高。比較例23其一次冷軋的冷軋率過小。比較例24其一次冷軋的冷軋率過大。比較例25其再結(jié)晶退火的升溫速度過小。比較例26其再結(jié)晶退火的冷卻速度過小。比較例27其最終冷軋的冷軋率過小。比較例28其最終冷軋的冷軋率過大。因此，這些比較例的銅合金，無論其強(qiáng)度的高低，共通的是彎曲加工性都差。根據(jù)以上的結(jié)果，揭示出在高強(qiáng)度、高導(dǎo)電率化的基礎(chǔ)上，用于使彎曲加工性也優(yōu)異的本發(fā)明銅合金板的成分組成、組織，還有用于獲得組織的優(yōu)選制造條件的意義。<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>業(yè)產(chǎn)上的利用可能性如以上說明的，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種高強(qiáng)度化、高導(dǎo)電率，并且兼具優(yōu)異的彎曲加工性的Cu—Mg—P—F系合金。其結(jié)果是，作為小型化及輕量化的電氣電子元件用，除了半導(dǎo)體裝置用導(dǎo)線架以外，還能夠適用在導(dǎo)線架、連接器、端子、開關(guān)、繼電器等要求高強(qiáng)度高導(dǎo)電率化，并要求有嚴(yán)格的彎曲加工性的用途上。權(quán)利要求1.一種具備高強(qiáng)度和優(yōu)異的彎曲加工性的銅合金，其特征在于，以質(zhì)量％計含有Fe0.01～1.0％、P0.01～0.4％、Mg0.1～1.0％，余量是銅和不可避免的雜質(zhì)，其中，控制銅合金中的Mg的氧化物、結(jié)晶物、析出物的尺寸，使利用下述提取殘渣法在網(wǎng)眼尺寸為0.1μm的過濾器上所提取分離的提取殘渣中的下述Mg量相對于所述銅合金中的Mg含量的比例為60％以下，在此，所述提取殘渣法是在醋酸銨濃度為10質(zhì)量％的甲醇溶液300ml中浸漬10g所述銅合金，將該銅合金作為陽極，將白金作為陰極使用，在10mA/cm2的電流密度下進(jìn)行恒流電解，并利用網(wǎng)眼尺寸為0.1μm的聚碳酸酯制的薄膜過濾器，對僅溶解有該該銅合金母體的所述溶液進(jìn)行抽吸過濾，在該過濾器上分離提取未溶解物殘渣，另外，所述提取殘渣中的所述Mg量，是利用將王水和水以1比1的比例混合的溶液溶解所述過濾器上的未溶解物殘渣后，通過ICP發(fā)射光譜法分析而求得的。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅合金，其特征在于，在所述銅合金的組織中，根據(jù)由采用配備有背散射電子衍射圖像系統(tǒng)的電場發(fā)射型掃描電子顯微鏡進(jìn)行的結(jié)晶方位分析法所測定的晶粒直徑中，下述平均晶粒直徑為6.5pm以下，下述平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.5jim以下，在此，將測定的晶粒的個數(shù)定為n，將各個測定的晶粒直徑定為x時，上述平均晶粒直徑由(2>)/11表示，上述平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差由〔n2>2一(Zx)2)/(n/(n—l)1/2〕表示。3.—種具備高強(qiáng)度和優(yōu)異的彎曲加工性的銅合金，其特征在于，以質(zhì)量。/。計含有Fe:0.013.0%、P:0.010.4%、Mg:0.11.0%，余量是銅和不可避免的雜質(zhì)，其中，在根據(jù)由采用配備有背散射電子衍射圖像系統(tǒng)的電場發(fā)射型掃描電子顯微鏡進(jìn)行的結(jié)晶方位分析法所測定的晶粒直徑中，下述平均晶粒直徑為6.5pm以下，下述平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.5(im以下，在此，將測定的晶粒的個數(shù)定為n，將各個測定的晶粒直徑定為x時，上述平均晶粒直徑由(Zx)/ri表示，上述平均晶粒直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差由〔n!>2—(Ex)2)/〔n/(n—l)1/2)表示。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的銅合金，其特征在于，在所述銅合金組織中，根據(jù)所述結(jié)晶方位分析法測定的結(jié)晶方位的差異小到515°的晶粒間的晶界即小角晶界的比例，作為這些小角晶界的結(jié)晶晶界全長相對于結(jié)晶方位的差異為5180。的結(jié)晶晶界全長的比例，為4%以上30%以下。5.根據(jù)權(quán)利要求14中任一項所述的銅合金，其特征在于，所述銅合金還含有Ni、Co中的一種或兩種，其含量以質(zhì)量％計為0.011.0%。6.根據(jù)權(quán)利要求15中任一項所述的銅合金，其特征在于，所述銅合金以質(zhì)量^計還含有Zn:0.0053.0%。7.根據(jù)權(quán)利要求16中任一項所述的銅合金，其特征在于，所述銅合金以質(zhì)量％計還含有Sn:0.015.0%。8.根據(jù)權(quán)利要求17中任一項所述的銅合金，其特征在于，所述銅合金板還含有Mn、Ca中的一種或兩種，其含量以質(zhì)量。/。計合計為0.00011.0%。9.根據(jù)權(quán)利要求18中任一項所述的銅合金，其特征在于，所述銅合金板還含有Zr、Ag、Cr、Cd、Be、Ti、Co、Ni、Au、Pt中的一種或兩種以上，其含量以質(zhì)量％計合計為0.0011.0%。10.根據(jù)權(quán)利要求19中任一項所述的銅合金，其特征在于，所述銅合金含有Hf、Th、Li、Na、K、Sr、Pd、W、S、Si、C、Nb、Al、V、Y、Mo、Pb、In、Ga、Ge、As、Sb、Bi、Te、B、混合稀土金屬，這些元素的含量合計為0.1質(zhì)量％以下。11.一種銅合金板的制造方法，是將權(quán)利要求1所述的銅合金制成板的方法，其特征在于，在通過銅合金的鑄造、熱軋、冷軋、退火而得到銅合金板時，從在銅合金熔解爐中添加合金元素完畢到鑄造開始為止的所需時間為1200秒以內(nèi)，并且，從鑄錠的加熱爐取出鑄錠之后到熱軋結(jié)束為止的所需時間為1200秒以下。12.—種銅合金板的制造方法，是將權(quán)利要求3所述的銅合金制成板的方法，其特征在于，在通過包括銅合金的鑄造、熱軋、冷軋、再結(jié)晶退火、析出退火、冷軋的工序而得到銅合金板時，分別使熱軋的終止溫度為550850°C，使接下來的冷軋的冷軋率為7098%，使其后的再結(jié)晶退火的平均升溫度速度為50C/s以上，使再結(jié)晶退火后的平均冷卻速度為100。C/s以上，使其后的最終冷軋的冷軋率為1030%的范圍。13.—種銅合金板的制造方法，是將權(quán)利要求110中任一項所述的銅合金制成板的方法，其特征在于，在通過包括銅合金的鑄造、熱軋、冷軋、再結(jié)晶退火、析出退火、冷軋的工序而得到銅合金板時，從在銅合金熔解爐中添加合金元素完畢到鑄造開始為止的所需時間為1200秒以內(nèi)，并且，從鑄錠的加熱爐取出鑄錠之后到熱軋結(jié)束為止的所需時間為1200秒以下并且，分別使熱軋的終止溫度為550850C，使接下來的冷軋的冷軋率為7098%，使其后的再結(jié)晶退火的平均升溫度速度為50°C/S以上，使再結(jié)晶退火后的平均冷卻速度為100C/s以上，使其后的最終冷軋的冷軋率為1030%的范圍。全文摘要提供一種高強(qiáng)度化、高導(dǎo)電率化，并且具備優(yōu)異的彎曲加工性的Cu-Fe-P系合金，其以質(zhì)量％計含有Fe0.01～1.0％、P0.01～0.4％、Mg0.1～1.0％，余量是銅和不可避免的雜質(zhì)，其中，根據(jù)特定提取殘渣法而提取分離的提取殘渣中的、據(jù)特定測定法得出的Mg量，相對于所述銅合金中的Mg含量的比例為60％以下，并以此方式對銅合金中的Mg的氧化物、結(jié)晶物、析出物的尺寸進(jìn)行控制，從而使之兼具高強(qiáng)度和優(yōu)異的彎曲加工性。文檔編號C22C9/00GK101180412SQ20068001768公開日2008年5月14日申請日期2006年6月19日優(yōu)先權(quán)日2005年7月7日發(fā)明者工藤健,有賀康博,梶原桂申請人:株式會社神戶制鋼所