專利名稱：用于紅外輻射元件的反射器的制作方法
用于M卜^t元件的^f器技術(shù)領(lǐng)域^"發(fā)明涉M于^卜,元件的M器。
技術(shù)背景包括^S^f金屬^^如金層的用于^t^t元件的^f器^M頁域中是已知的。這種M器例如用于^卜線燈或^卜Mi。熱器。然而，包括輛錄器的已知的問獻它們的受限制的金層的熱穩(wěn)定性。 發(fā)明內(nèi)容的改善的^t器。 、 ， - s ,本發(fā)明的另一個目的在于提^^種具有改善的熱穩(wěn)定性的用于^卜旨元件的^j"器，從而該絲器能夠用在高溫下而不^f氐該絲器的絲率。 才娥本發(fā)明的一個方面，提供了一種用于^t驗元件的悲器。該A^器包^fe^屬箔，該^4箔Ji^A有 -^^qfe該金屬箔上的第一氧化物層； -^^在所錄一氧^^層上的^t^^金屬層；以及 -^^在所i^卜^Jt層上的第二氧^^層。 ^卜絲元件例如可包^^卜線燈或^卜妙熱器。 才娥本發(fā)明的A4t器對波長范圍在1000nm和2000nm之間的全^#^ 高于90%或甚至高于95%，例如99%。 金屬箔可包^fW可金屬或金^^r。 M的^"屬箔包括不自箔。金屬箔的厚度^it襯0.01和0.50mm之間，例如0.08mm。第一氧化物層用作擴散阻掉層并阻止^K^層的金屬的擴彭'J;i^中。第二氧化物層用作紅外反射層的，層，給予該紅外反射層所需的熱穩(wěn)定性。該^紅外反射層可包括具有^j"特性的W^金屬或金^^。 優(yōu)選的^卜^f層包紛'J如金、鉑、鈀、銠或它們的合金。 ^>1優(yōu)逸的，因為它的M特，I^^它的目蝕性。皿地，^t^t層的厚度介于50和600nm之間，例如300nm。^卜A^層可通過^^r^4頁域已知的技^^^,例如,法、噴涂;i^電噴涂法、蒸鍍法如熱或電子^^鍍法、電鍍法或化學(xué)^目;^^如等離子， 強化學(xué)^f目沉積。^^^K^t層的^^技術(shù)是通itiW"法。第一IU彌層可包^fi"f可Jr屬氧化物。M的ir屬氧^^包括氧^^、氧德、氧她、氧條、氧修、氧條、氧條、氧她、氧條、氧她^zfb^^或IUb4^或它們的la合。最to的氧化物是氧辦和氧她。繼地，第一氧化物層的厚度介于50和500nm之間，例如100nm或 300nm。第二氧^^層可包^fi^金屬氧^^。 M的金屬氧^^包括氧^^、氧 德、氧她、氧條、氧條、氧條、氧她、氧德、氧據(jù)、氧狄、 緣鋅或氧條。最艦的氧德是氧賄和氧她。^f)^ii地，第二氧4緣層的厚度介于l和100nm之間，例如5nm、 10nm或 30nm。第 一氧化物層可包括與第二氧化物層相同的氧化物或可包括不同的氧化物。第^a第二氧化物層可通過^f可4^頁域已知的技^^L^，例如、,^tP反應(yīng)',法、通it^:奢涂布處理如;^^^^t^、通過化學(xué)^目^^如熱)^f匕學(xué) ^目^^p減燃燒化學(xué)^目^^、或通過蒸鍍斜。A^電子^^鍍il^熱蒸鍍。沉積第一和第二氧化物層的伏選技術(shù)A^濺射法。才^t本發(fā)明的第二方面，提^^種與熱處理之前的全反射相比能把熱處理 之后的紅外ifushe元件的^KgJ^層對波長范圍為1000至2000nm的全M的損耗l^f氐到少于15%的方法。 該方法包括以下步驟 -提條屬箔；-在金屬箔上^^第一氧^^層；-在笫一氧4b^層上J5L^^卜^Jt金屬層；以及 一在踏a層上餘第二氧條層。更^4J也，熱處理之后的對波長范圍為1000至2000nm的全M的損^f氐 于10%或<氐于5%。為了本^發(fā)明的目的，該熱處理包^^C^器^i^露在700°C的溫度下加熱72 小時。可以,地，這種熱處理構(gòu)成了苛刻的^，因為M卜，元件的工作 !Ht通常大約為250°C和300°C。


下面將參照附圖更詳細J4^ii^發(fā)明，其中 -圖l是4Mt本發(fā)明的反射器的示意圖。脅實施方式通過圖1中示意性示出的例子雑^^發(fā)明。 M器10包括厚度為0.08mm的不銹鋼箔12。在不辨岡箔12上沉積了包括CeOx的第一氧/tt^層14。第一氧化物層14 通過DC維、蹄法;^^。第一氧^^層的厚^ 160nm。,，包括賴紅 夕卜絲層16通過DC維、;5W法^^在第一氧^^層14上。^t絲層16的 厚^ 350nm。在^t^J"層16 Jiif過DC^、;5yt法;i5L^包括CeOx的第二 氧4^7層18。笫二氧化物層18的厚;1^6nm。才M^本發(fā)明另 一實施方式的M器包括-不^W^;-厚^ 160nm的包括YxOy的第一氧"^^層； -厚>1^ 300nm的包括Au的^卜A4t層； -厚M 6nm的包括YxOy的第二氧^^7層；對兩種實施方式的M器在苛刻條降(severe condition)下進行熱處理。A^"器在700°C的溫度下加熱72小時。通過視覺檢查和測量全^j"來估計^Jf器的質(zhì)量。 在熱處理仏賴似率絲100%。對描述的兩種實施方式的理^j機以顯示出對波長范圍為1000至2000nm 的全A^介于95%和99%之間。熱處理之后，對波長范圍為1000至2000nm的全a的減少量低于15%。 在一些實施方式中，獲得了低于5%的對波長范圍為1000至2000nm的全M 的減少量。
權(quán)利要求
1. 一種用于紅外輻射元件的反射器，所述反射器包括金屬箔，該金屬箔上覆蓋有沉積在所述金屬箔上的第一氧化物層，沉積在所述第一氧化物層上的紅外反射金屬層；以及沉積在所述紅外反射層上的第二氧化物層。
2、 ^i^5U'決求i所述的a器，其中所iii^卜織元件包^^卜線燈或b卜^熱器。
3、 ## '溪求1或2所述的a器，其中所ii^器具有至少90%的 對波長范圍在1000nm至2000nm的全a。
4、 根據(jù)前述^^r一項權(quán)矛虔求所述的反紂器，其中所述金屬箔包括不糊箔。
5、 才娥前述^f可一項^U'J要求所述的^l"器，其中所iii^卜A^金屬包括 金、柏、鈀、銠或它們的M。
6、 條前述賄一項糊要求所述的絲器，其中所鄉(xiāng)一氧條層選自 ^氧條氧化鋁、氧微、氧脅、氧條、氧爐、氧緣、氧她、氧 化錳、氧化珪、氧化鋅或氧^^或它們的組合構(gòu)成的組。
7、 才娥前述<射可一項4^漆求所述的絲器，其中所鄉(xiāng)二氧《緣層選自 *氧條氧化鋁、氧她、氧她、氧條、氧條、氧她、氧她、氧 化錳、氧化硅、氧^#或氧4^#或它們的組合構(gòu)成的組。
8、 才賺前述^^r一項;)5U'漆求所述的M器，其中所ii^hSJt層的厚度介于50和600nm之間。
9、 才賺前迷^^r一項權(quán)禾'漆求所述的絲器，其中所錄一氧^^層的厚度# 50和500nm之間。
10、 才娥前述<封可一項;^，決求所述的絲器，其中所鄉(xiāng)二氧4緣層的 厚度介于1和lOOnm之間。
11、 一種與熱處理"^前的對波長范圍為1000至2000mn的全^^J財目J^fe熱 處理之后的^t,元件的^K^f層對波長范圍為1000至2000nm的全X4t 的損耗l^f氐到少于15%的方法，其中所述熱處理包括暴露在700°C的溫度下72 小時，所述方法包括以下步驟-提條屬箔；-在所述金屬箔上^^、第一氧化物層；-在所錄一氧^^層上J5t^^1^it金屬層；以及-在所i^卜M層上^^第二氧m^層。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中在所述熱處理^對波長范圍為 1000至2000nm的全^j"的損耗小于5%。
13、 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其中所ii^卜,元件^^卜 線燈或^卜 熱器。
14、 根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一項所述的方法，其中所述金屬箔包括不
15、 根據(jù)權(quán)利要求11至14中^f—項所述的方法，其中所5ii^卜^lt金屬 包括金、鉑、鈀、銠或它們的M。
16、 根據(jù)權(quán)利要求11至15中^-項所述的方法，其中所^一氧化物層 選自由氧條氧條氧她、氧條、氧條、氧條、氧她、氧她、 氧化錳、氧化珪、氧化鋅或氧"^^或它們的組合構(gòu)成的組。
17、 根據(jù)權(quán)利要求11至16中4—項所述的方法，其中所ii^二氧"^^層 選自由氧賄、氧條氧她、氧條、氧微、氧碰、氧緣、氧她、 氧化錳、氧化珪、氧化鋅或氧^^或它們的組合構(gòu)成的組。
18、 根據(jù)權(quán)利要求10至16中^f—項所述的方法，其中所^t^"層的 厚度介于50和600nm之間。
19、 根據(jù)權(quán)利要求11至18中4—項所述的方法，其中所^一氧^^層 的厚JL介于50和300nm之間。
20、 根據(jù)權(quán)利要求11至19中>[—項所述的方法，其中所i^二氧化物層 的厚度介于1和100nm之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于紅外輻射元件的反射器。該反射器包括金屬箔，該金屬箔上覆蓋有沉積在該金屬箔上的第一氧化物層；沉積在所述第一氧化物層上的紅外反射金屬層；以及沉積在所述紅外反射層上的第二氧化物層。第一氧化物層用作擴散阻擋層并阻止紅外反射層的金屬的擴散到基板中。第二氧化物層用作紅外反射層的保護層，給予該紅外反射層所需的熱穩(wěn)定性。
文檔編號C23C14/08GK101248704SQ200680015807
公開日2008年8月20日 申請日期2006年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月11日
發(fā)明者H·利芬斯, R·格勒嫩 申請人:貝卡爾特股份有限公司