專(zhuān)利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有給定的溝槽形狀的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
例如專(zhuān)利文獻(xiàn)1～3中記載了現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置的制造方法。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載了通過(guò)各向異性蝕刻而在硅基板上形成溝槽之后，進(jìn)行各向同性蝕刻，從而弄圓上述溝槽的底部的角部的方法。在此方法中，采用RIE(Reactive Ion Etching)裝置進(jìn)行各向異性蝕刻，采用CDE(Chemical Dry Etching)裝置進(jìn)行各向同性蝕刻。各向同性蝕刻是把SF6氣體，或CF4及O2的混合氣體用作蝕刻氣體來(lái)進(jìn)行的。
專(zhuān)利文獻(xiàn)2中記載了通過(guò)各向異性蝕刻而在硅基板上形成溝槽之后，進(jìn)行各向同性蝕刻，從而在上述溝槽的底部在橫向也進(jìn)行蝕刻的方法。在此方法中，各向同性蝕刻是把包含Cl2氣體及O2的混合氣體用作蝕刻氣體來(lái)進(jìn)行的。
專(zhuān)利文獻(xiàn)3中記載了作為蝕刻氣體，把CF4及Cl2的混合氣體用作蝕刻氣體，在施加了偏置電壓的狀態(tài)下，對(duì)硅基板進(jìn)行干蝕刻的溝槽部形成方法。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1特開(kāi)2001-244325號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2特開(kāi)2002-43413號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)3特開(kāi)2002-184856號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明打算解決的課題然而，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，不能使得存在多個(gè)的溝槽部都成為希望的形狀而精度很好地形成。因此，在形成阱時(shí)在給定的區(qū)域以外的部分也會(huì)注入雜質(zhì)，有時(shí)P型阱和N型阱的接合面不位于元件分離膜的下方。因此，在P型阱和N型阱的接合面上有時(shí)會(huì)產(chǎn)生漏泄電流。
即，在硅基板上形成阱的場(chǎng)合，使得光致抗蝕劑膜的端部位于元件分離膜上而形成，把此光致抗蝕劑膜作為掩膜進(jìn)行雜質(zhì)的注入。近幾年，隨著晶體管尺寸變小，元件分離膜的幅度變窄了。因此，由于光致抗蝕劑膜的偏差以及雜質(zhì)的注入角度而在希望的區(qū)域以外的部分也會(huì)注入雜質(zhì)，有時(shí)P型阱和N型阱的接合面不位于元件分離膜的下方。因此，在P型阱和N型阱的接合面上有時(shí)會(huì)產(chǎn)生漏泄電流。
還有，專(zhuān)利文獻(xiàn)3中記載了作為蝕刻氣體，把CF4及Cl2的混合氣體用作蝕刻氣體，在施加了偏置電壓的狀態(tài)下，對(duì)硅基板進(jìn)行干蝕刻的溝槽部形成方法。然而，采用這樣的蝕刻方法，即使對(duì)溝槽的底部進(jìn)行蝕刻，與上述一樣，在P型阱和N型阱的接合面上有時(shí)也會(huì)產(chǎn)生漏泄電流。
用于解決課題的方案根據(jù)本發(fā)明，提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包含采用第1蝕刻氣體對(duì)硅基板進(jìn)行選擇性干蝕刻而形成第1溝槽部的工序；以及采用第2蝕刻氣體在上述第1溝槽部的底部對(duì)上述硅基板進(jìn)一步進(jìn)行干蝕刻，形成包含從上述第1溝槽部的底部向下方擴(kuò)徑的部分的第2溝槽部的工序，在形成上述第2溝槽部的上述工序中，采用氯氣和碳氟化合物氣體的混合氣體作為上述第2蝕刻氣體，并且與形成上述第1溝槽部的上述工序相比，在較低的偏置電壓下進(jìn)行蝕刻。
這樣的本發(fā)明的制造方法，使得存在多個(gè)的溝槽都由第1溝槽部和具有從上述第1溝槽部的底部向下方擴(kuò)徑的部分的第2溝槽部構(gòu)成而精度很好地形成。
因此，能在由這些溝槽部構(gòu)成的溝槽內(nèi)埋設(shè)絕緣膜，從而形成具有在底部擴(kuò)徑的部分的元件分離膜。這樣就不會(huì)由于在硅基板上形成P型阱及N型阱時(shí)的光致抗蝕劑膜的偏差以及雜質(zhì)的注入角度而在希望的區(qū)域以外的部分注入雜質(zhì)。即，按這樣的形狀，注入雜質(zhì)時(shí)的余量大，P型阱和N型阱的接合面會(huì)位于元件分離膜的下方。因此，能抑制P型阱和N型阱的接合面上的漏泄電流的產(chǎn)生。
發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能提供一種精度很好地形成包含從上述第1溝槽部的底部向下方擴(kuò)徑的部分的第2溝槽部，抑制了P型阱和N型阱的接合面上的漏泄電流的產(chǎn)生的半導(dǎo)體裝置的制造方法。


圖1是示意地表示實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
圖2是示意地表示實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
圖3是示意地表示實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
標(biāo)號(hào)說(shuō)明101硅基板103、103a第1絕緣膜105、105a第2絕緣膜107開(kāi)口部109第1溝槽部
111反應(yīng)生成物113第2溝槽部115硅氧化膜115a元件分離膜具體實(shí)施方式
以下用附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施的方式。另外，在所有附圖中，同樣的構(gòu)成要素付以同樣的符號(hào)，適當(dāng)?shù)厥÷粤苏f(shuō)明。
本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法包含以下工序。
(i)采用第1蝕刻氣體對(duì)硅基板選擇性地進(jìn)行干蝕刻而形成第1溝槽部的工序(圖1(a)～(c))。
(ii)采用第2蝕刻氣體，在上述第1溝槽部的底部對(duì)上述硅基板進(jìn)一步進(jìn)行干蝕刻，形成包含從上述第1溝槽部的底部向下方擴(kuò)徑的部分的第2溝槽部的工序(圖2(a)～(c))。
(iii)埋入上述第1溝槽內(nèi)部及上述第2溝槽內(nèi)部而涂布含聚硅氨烷涂布液之后，通過(guò)加熱處理而形成絕緣膜的工序(圖3(a)～(b))。
在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，首先，在硅基板101上按順序積層第1絕緣膜103和第2絕緣膜105(圖1(a))。
作為第1絕緣膜103，可以列舉硅氧化膜等，可以采用熱氧化法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等來(lái)形成。作為第2絕緣膜105，可以列舉硅氮化膜等，可以采用CVD法等來(lái)形成。在本實(shí)施方式中，以2層構(gòu)造的例子為絕緣膜，不過(guò)，也可以是單層構(gòu)造，也可以是3層以上。
然后，在第2絕緣膜105上形成光致抗蝕劑膜(未圖示)，采用通常的石板印刷技術(shù)，在光致抗蝕劑膜上轉(zhuǎn)印掩膜圖形。把此光致抗蝕劑膜作為掩膜，蝕刻除去第1絕緣膜103和第2絕緣膜105，在給定的位置形成開(kāi)口部107(圖1(b))。
接著，把形成了開(kāi)口部107的第1絕緣膜103a及第2絕緣膜105a作為掩膜，采用第1蝕刻氣體對(duì)硅基板101選擇性地進(jìn)行各向異性蝕刻，形成第1溝槽部109。第1溝槽部109具有向下方縮徑的錐形形狀。還有，在形成第1溝槽部109時(shí)，覆蓋第1溝槽部109的內(nèi)壁及第2絕緣膜105a的表面而形成反應(yīng)生成物層111(圖1(c))。
在RIE(Reactive Ion Etching)裝置中進(jìn)行各向異性蝕刻。在本實(shí)施方式中，第1蝕刻氣體為HBr/O2/N2的混合氣體，氣體流量為HBr∶O2∶N2＝80∶3∶2(sccm)，偏置電壓為300V，以在此條件下進(jìn)行的列子來(lái)說(shuō)明。
接著，采用第2蝕刻氣體，在第1溝槽部109的底部對(duì)硅基板101進(jìn)一步進(jìn)行干蝕刻，形成包含從第1溝槽部109的底部向下方擴(kuò)徑的部分的第2溝槽部113(圖2(a))。
第2溝槽部113的形成是在與形成第1溝槽部109時(shí)所用的RIE(Reactive Ion Etching)裝置相同的裝置內(nèi)連續(xù)進(jìn)行的。這樣就能不破壞裝置內(nèi)的真空，不把硅基板101置于大氣中而形成第2溝槽部113。
在本實(shí)施方式中。作為蝕刻氣體，采用氯氣和碳氟化合物氣體的混合氣體作為蝕刻氣體。作為碳氟化合物，可以采用以CnF2n+2(n是整數(shù))表示的化合物。作為這樣的碳氟化合物，可以列舉C3F8、CF4等。在本實(shí)施方式中，可以采用CF4。蝕刻氣體可以含有惰性氣體等。作為惰性氣體，可以采用N2、Ar、He等。
采用這樣的混合氣體，能抑制在第1溝槽部109的側(cè)壁上形成的反應(yīng)生成物層111、第1絕緣膜103a及第2絕緣膜105a的蝕刻，并且促進(jìn)第1溝槽部109的底部的硅基板101的蝕刻。即，通過(guò)適當(dāng)?shù)亟M合氯和碳氟化合物的混合比，就能形成具有希望的形狀的第2溝槽部113。具體而言，氯和碳氟化合物的混合比可以取為1∶10～10∶1。以這樣的混合比進(jìn)行干蝕刻就能得到特別顯著的效果。
再有，在形成第2溝槽部113時(shí)，與形成第1溝槽部109的上述工序相比，以較低的偏置電壓來(lái)進(jìn)行。在本實(shí)施方式中，在不施加偏置電壓的條件下進(jìn)行。另外，不施加偏置電壓是指不損害本實(shí)施方式的效果的范圍，絲毫不排除施加偏置電壓的情況。
還有，根據(jù)希望的第2溝槽部113的形狀、混合氣體的混合比率適當(dāng)?shù)剡x擇蝕刻時(shí)間。
接著，采用稀氟酸(HF)除去反應(yīng)生成物層111(圖2(b))。然后，采用通常的CMP(Chemical mechanical Polishing)法等除去第1絕緣膜103a和第2絕緣膜105a，形成本實(shí)施方式的溝槽構(gòu)造(第1溝槽部109及第2溝槽部113)(圖2(c))。
溝槽構(gòu)造可以是硅基板101上的開(kāi)口部的幅度a為40nm以上140nm以下，第2溝槽部113的最大幅度b為40nm以上140nm以下，離硅基板101表面的深度c為100nm以上500nm以下。本實(shí)施方式中表示例子，開(kāi)口部的幅度a為60nm的程度，最大幅度b為60nm的程度，深度c為300nm的程度。
在本實(shí)施方式中，再埋入第1溝槽部109內(nèi)及第2溝槽部113內(nèi)而涂布含聚硅氨烷涂布液(未圖示)，通過(guò)加熱處理而形成絕緣膜(硅氧化膜115)(圖3(a))。
具體而言，首先，把含聚硅氨烷涂布液涂布在硅基板101表面上，將其埋入第1溝槽部109內(nèi)及第2溝槽部113內(nèi)。作為涂布法，可以采用旋涂法等。
含聚硅氨烷涂布液是在二甲苯、芳香族系溶劑等給定的溶劑中溶解聚硅氨烷而獲得的，還可以含有催化劑等。作為聚硅氨烷，可以采用由-(SiH2NH)-的重復(fù)單元構(gòu)成的全氫聚硅氨烷。
然后，對(duì)硅基板101上形成的含聚硅氨烷涂布膜(未圖示)進(jìn)行加熱處理，形成硅氧化膜115。在含有H2O及氧的氣氛下，或含有臭氧的氣氛下，以100℃～500℃的程度進(jìn)行加熱處理。通過(guò)此加熱處理，使聚硅氨烷變?yōu)榉墙Y(jié)晶SiO2，形成硅氧化膜115(圖3(a))。
再有，采用通常的CMP法等除去在溝槽外的硅氧化膜115，形成元件分離膜115a(圖3(b))。
之后，采用通常的方法制作阱、柵極電極、擴(kuò)散層等，制成半導(dǎo)體裝置。
以下說(shuō)明這樣的本實(shí)施方式的效果。
在本實(shí)施方式中，在形成第2溝槽部的工序中，采用氯氣和碳氟化合物氣體的混合氣體作為第2蝕刻氣體。
一般而言，氯氣是主要蝕刻硅的氣體，對(duì)在第1溝槽部的側(cè)壁上形成的反應(yīng)生成物層的選擇性高。另一方面，碳氟化合物氣體是蝕刻反應(yīng)生成物層的氣體，但是沒(méi)有蝕刻選擇性，也會(huì)蝕刻硅、絕緣膜。在本發(fā)明中，通過(guò)混合二種氣體來(lái)確保對(duì)反應(yīng)生成物及掩膜的選擇性，并且使得在第1溝槽部的底部，硅的蝕刻成為可能。
再有，在本實(shí)施方式中，在形成第2溝槽部時(shí)，與形成第1溝槽部的場(chǎng)合相比，以低的偏置電壓進(jìn)行蝕刻。
這樣就能在第1溝槽部的底部通過(guò)各向同性蝕刻而精度很好地形成包含從第1溝槽部的底部向下方擴(kuò)徑的部分的第2溝槽部。
在由這些溝槽部構(gòu)成的溝槽內(nèi)形成絕緣膜，從而形成具有在底部擴(kuò)徑的部分的元件分離膜。這樣，就不會(huì)由于在硅基板上形成P型阱及N型阱時(shí)的光致抗蝕劑膜的偏差以及雜質(zhì)的注入角度而在希望的區(qū)域以外的部分注入雜質(zhì)。因此，P型阱和N型阱的接合面會(huì)位于元件分離膜的下方。能抑制這些接合面上的漏泄電流的產(chǎn)生。
再有，根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，能提高半導(dǎo)體裝置的成品率。另一方面，在現(xiàn)有制造方法中，溝槽形狀會(huì)產(chǎn)生偏差，降低了半導(dǎo)體裝置的成品率。相比之下，在本實(shí)施方式中，能全都成為均勻形狀地精度很好地形成存在多個(gè)的溝槽部，因而提高了半導(dǎo)體裝置的成品率。
再有，在不施加偏置電壓的條件下進(jìn)行形成第2溝槽部的工序。
這樣就會(huì)在第1溝槽部的底部，在橫向有效地蝕刻硅基板，因而能效率很好地形成具有給定的形狀的第2溝槽部113。
再有，用作蝕刻氣體的碳氟化合物是CF4。
采用Cl2和CF4的混合氣體作為蝕刻氣體，從而能抑制在第1溝槽部的側(cè)壁上形成的反應(yīng)生成物層的蝕刻，并且促進(jìn)第1溝槽部的底部的硅基板的蝕刻。因此，能有效地形成具有希望的形狀的第2溝槽部。
還有，形成第1溝槽部109的工序和形成第2溝槽部113的工序在同一裝置內(nèi)進(jìn)行。這樣就能穩(wěn)定地形成希望的溝槽形狀。
另一方面，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，用不同的裝置進(jìn)行各向異性蝕刻和各向同性蝕刻。因此，制造工序變得繁雜，在使基板移動(dòng)到進(jìn)行各向同性蝕刻的裝置時(shí)一下變?yōu)槌憾赜诖髿?，因而反?yīng)生成物層等的性質(zhì)就會(huì)變化，不能穩(wěn)定地得到希望的溝槽形狀。
相比之下，在本實(shí)施方式中，在同一裝置內(nèi)進(jìn)行形成這些溝槽部的工序，不破壞的真空，不把硅基板101置于大氣中。這樣就能以簡(jiǎn)便的方法穩(wěn)定地形成希望的溝槽形狀。
再有，采用各向同性蝕刻對(duì)硅基板進(jìn)行干蝕刻，從而形成第2溝槽部。
這樣就能使得第2溝槽部成為給定的形狀而容易地形成。
在本實(shí)施方式中，包含形成第2溝槽部113的工序之后，埋入第1溝槽部109內(nèi)及第2溝槽部113內(nèi)而涂布含聚硅氨烷涂布液，通過(guò)加熱處理而形成絕緣膜的工序。
這樣，在具有從第1溝槽部的底部向下方擴(kuò)徑的部分的第2溝槽部也能確實(shí)填充絕緣膜，能形成元件分離膜。由于具有這樣的形狀的元件分離膜，因而不會(huì)由于在硅基板上形成P型阱及N型阱時(shí)的光致抗蝕劑膜的偏差以及雜質(zhì)的注入角度而在希望的區(qū)域以外的部分注入雜質(zhì)。因此，P型阱和N型阱的接合面會(huì)位于元件分離膜的下方。能抑制這些接合面上的漏泄電流的產(chǎn)生。
以上參照附圖敘述了本發(fā)明的實(shí)施方式，不過(guò)，這些只是本發(fā)明的例示，也可以采用上述以外的各種構(gòu)成。
例如，在本實(shí)施方式中，以使第1溝槽部109形成為向下方縮徑的錐狀的例子進(jìn)行了說(shuō)明，不過(guò)，沒(méi)有特別限定，也可以是與底部相同的直徑，也可以一定程度地?cái)U(kuò)徑。
還有，在本實(shí)施方式中，說(shuō)明了第2溝槽部113形成為斷面橢圓形狀的例子，不過(guò)，只要具有從上述第1溝槽部的底部向下方擴(kuò)徑的部分即可，沒(méi)有特別限定，也可以是大致球狀、大致圓錐狀、大致圓柱狀等形狀。
實(shí)施例實(shí)施例1在實(shí)施方式的制造方法中，形成溝槽部時(shí)的蝕刻條件采用以下條件而制成半導(dǎo)體裝置。
·形成第1溝槽部時(shí)的干蝕刻條件蝕刻裝置RIE(Reactive Ion Etching)裝置第1蝕刻氣體HBr/O2/N2混合氣體氣體流量HBr∶O2∶N2＝80∶3∶2(sccm)偏置電壓300V蝕刻時(shí)間45秒·形成第2溝槽部時(shí)的干蝕刻條件蝕刻裝置RIE(Reactive Ion Etching)裝置第2蝕刻氣體Cl2/CF4的混合氣體氣體流量Cl2∶CF4＝1∶5(sccm)偏置電壓0V蝕刻時(shí)間200秒在這樣的條件下進(jìn)行干蝕刻，在硅基板上形成了由向下方縮徑的錐狀的第1溝槽部和具有從第1溝槽部的底部向下方擴(kuò)徑的部分的第2溝槽部構(gòu)成的溝槽部，這一點(diǎn)得到了確認(rèn)。
比較例1形成第2溝槽部時(shí)的干蝕刻條件如下，此外與實(shí)施例1相同而制成半導(dǎo)體裝置。
·形成第2溝槽部時(shí)的干蝕刻條件蝕刻裝置RIE(Reactive Ion Etching)裝置第2蝕刻氣體Cl2/CF4的混合氣體氣體流量Cl2∶CF4＝1∶5(sccm)偏置電壓500V蝕刻時(shí)間200秒在這樣的條件下進(jìn)行干蝕刻，硅基板上形成了在第1溝槽部109底部進(jìn)一步向下方縮徑的錐狀的溝槽部，這一點(diǎn)得到了確認(rèn)。
比較例2形成第2溝槽部時(shí)的干蝕刻條件如下，此外與實(shí)施例1相同而制成半導(dǎo)體裝置。
·形成第2溝槽部時(shí)的干蝕刻條件蝕刻裝置RIE(Reactive Ion Etching)裝置第2蝕刻氣體HBr/CF4的混合氣體氣體流量HBr∶CF4＝1∶5(sccm)偏置電壓0V蝕刻時(shí)間200秒在這樣的條件下進(jìn)行干蝕刻，在第1溝槽部109底部不進(jìn)行干蝕刻，不形成實(shí)施例1那樣具有從第1溝槽部的底部向下方擴(kuò)徑的部分的第2溝槽部。
比較例3形成第2溝槽部時(shí)的干蝕刻條件如下，此外與實(shí)施例1相同而制成半導(dǎo)體裝置。
·形成第2溝槽部時(shí)的干蝕刻條件蝕刻裝置RIE(Reactive Ion Etching)裝置第2蝕刻氣體Cl2的單獨(dú)氣體偏置電壓0V蝕刻時(shí)間200秒在上述條件下進(jìn)行干蝕刻，不對(duì)在第1溝槽部的側(cè)壁上形成的反應(yīng)生成物層進(jìn)行蝕刻，而是對(duì)在第1溝槽部的底部的硅進(jìn)行各向同性蝕刻。這樣，在硅基板上形成了向下方縮徑的錐狀的溝槽部，而不形成實(shí)施例1那樣具有從第1溝槽部的底部向下方擴(kuò)徑的部分的第2溝槽部。
比較例4形成第2溝槽部時(shí)的干蝕刻條件如下，此外與實(shí)施例1相同而制成半導(dǎo)體裝置。
·形成第2溝槽部時(shí)的干蝕刻條件蝕刻裝置RIE(Reactive Ion Etching)裝置第2蝕刻氣體CF4的單獨(dú)氣體偏置電壓0V蝕刻時(shí)間200秒在上述條件下進(jìn)行干蝕刻，沒(méi)有蝕刻的選擇性，掩膜(第1絕緣膜及第2絕緣膜)、在第1溝槽部的側(cè)壁上形成的反應(yīng)生成物層以及硅基板都會(huì)被蝕刻。這樣，就在第1溝槽部的底部推進(jìn)各向同性蝕刻，但是第1溝槽部也會(huì)被各向同性蝕刻而在橫向擴(kuò)展，不能形成希望的溝槽形狀。
這樣，在實(shí)施例子1中，在硅基板上形成了具有從第1溝槽部的底部向下方擴(kuò)徑的部分的第2溝槽部，這一點(diǎn)得到了確認(rèn)。在實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置中，在這些溝槽內(nèi)形成了元件分離膜，能抑制P型阱和N型阱的接合面上的漏泄電流的產(chǎn)生，這一點(diǎn)得到了確認(rèn)。這樣就降低了半導(dǎo)體裝置的不良率，提高了產(chǎn)品的成品率。
另一方面，在比較例1～3中，在硅基板上形成了向下方縮徑的錐狀的溝槽部，而不形成具有從第1溝槽部的底部向下方擴(kuò)徑的部分的第2溝槽部。因此，在硅基板上形成阱的場(chǎng)合，由于光致抗蝕劑膜的偏差而在希望的區(qū)域以外的部分也會(huì)注入雜質(zhì)，P型阱和N型阱的接合面上的漏泄電流的發(fā)生率高。
再有，在比較例4中，第1溝槽部在橫向擴(kuò)展，在溝槽內(nèi)形成的元件分離膜的幅度大。因此，不能確保晶體管區(qū)域，產(chǎn)品的成品率就會(huì)降低。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包含采用第1蝕刻氣體對(duì)硅基板進(jìn)行選擇性干蝕刻而形成第1溝槽部的工序；以及采用第2蝕刻氣體在所述第1溝槽部的底部對(duì)所述硅基板進(jìn)一步進(jìn)行干蝕刻，形成包含從所述第1溝槽部的底部向下方擴(kuò)徑的部分的第2溝槽部的工序，在形成所述第2溝槽部的所述工序中，采用氯氣和碳氟化合物氣體的混合氣體作為所述第2蝕刻氣體，并且與形成所述第1溝槽部的所述工序相比，在較低的偏置電壓下進(jìn)行蝕刻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，形成所述第2溝槽部的所述工序是在不施加所述偏置電壓的條件下進(jìn)行的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述碳氟化合物是CF4。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，形成所述第1溝槽部的所述工序和形成所述第2溝槽部的所述工序是在同一裝置內(nèi)進(jìn)行的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，形成所述第2溝槽部的所述工序是通過(guò)各向同性蝕刻對(duì)所述硅基板進(jìn)行干蝕刻的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在形成所述第2溝槽部的所述工序之后，還包含，在埋入所述第1溝槽內(nèi)部及所述第2溝槽內(nèi)部而涂布含聚硅氨烷涂布液之后，通過(guò)加熱處理而形成絕緣膜的工序。
全文摘要
一種能抑制P型阱和N型阱的接合面上的漏泄電流的產(chǎn)生的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包含采用第1蝕刻氣體對(duì)硅基板進(jìn)行選擇性干蝕刻而形成第1溝槽部(109)的工序；以及采用第2蝕刻氣體在第1溝槽部(109)的底部對(duì)硅基板(101)進(jìn)一步進(jìn)行干蝕刻，形成包含從第1溝槽部(109)的底部向下方擴(kuò)徑的部分的第2溝槽部(113)的工序。在形成第2溝槽部(113)的所述工序中，采用氯氣和碳氟化合物氣體的混合氣體作為所述第2蝕刻氣體，并且與形成第1溝槽部(109)的所述工序相比，在較低的偏置電壓下進(jìn)行蝕刻。
文檔編號(hào)C23F4/00GK1953141SQ20061013560
公開(kāi)日2007年4月25日 申請(qǐng)日期2006年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月17日
發(fā)明者藤田修 申請(qǐng)人:恩益禧電子股份有限公司