專利名稱：濺射電極以及具有濺射電極的濺射裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
發(fā)明是關(guān)于用于利用濺射法向處理基板進(jìn)行成膜的濺射電極以及具有濺射電極的濺射裝置。
背景技術(shù)：
在濺射法中，通過使等離子體中的離子向根據(jù)要在處理基板表面上成膜的膜的組成而制作成規(guī)定形狀的靶進(jìn)行加速并沖擊，使靶原子飛散，在處理基板表面上形成薄膜。此時(shí)，靶由于受到離子的沖擊而溫度變高，所以存在靶熔解、出現(xiàn)裂紋等問題。
因此，通過由銦或錫等熱傳導(dǎo)率高的材料構(gòu)成的接合材料把靶接合到例如銅制的背板上而制成靶組合體，在此狀態(tài)下安裝到作為濺射陰極的濺射電極主體上，形成在濺射期間，通過利用冷卻水(制冷劑)冷卻背板來(lái)對(duì)靶進(jìn)行間接除熱的結(jié)構(gòu)(專利文件1)。
通常，靶與背板的接合，通過例如把形成為規(guī)定形狀的靶以及背板載置到加熱板上，分別加熱至上述接合材料熔解的規(guī)定溫度，在靶以及背板的各接合面上涂布接合材料后，相互粘合，在此狀態(tài)下自然冷卻至接合材料冷固溫度為止。
專利文件1特開平7-26375號(hào)公報(bào)(例如，參照?qǐng)D1)。
如上所述地接合靶和背板時(shí)，存在由于基于該靶以及背板相互的材質(zhì)和面積的不同而產(chǎn)生的加熱時(shí)的熱膨脹差，在通過接合材料接合的靶組合體中發(fā)生翹曲的問題。此時(shí)，翹曲的方向，隨作為成膜材料的靶的組成而不同。把發(fā)生翹曲的靶組合體安裝到濺射電極主體上并通過濺射進(jìn)行成膜時(shí)，由于靶的中央?yún)^(qū)域和其周邊區(qū)域到設(shè)置在靶組合體的后方的磁鐵組合體的距離不同，處理基板面內(nèi)膜厚變得不均勻。這種情況，在為了對(duì)近年來(lái)的FPD制造用的玻璃基板這樣的面積大的基板利用濺射法形成薄膜，使靶的面積增大時(shí)，更變得明顯了。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的課題，鑒于以上各點(diǎn)，在于提供不受接合時(shí)靶組合體的翹曲的影響，可以在處理基板整個(gè)面上以大致均勻的膜厚進(jìn)行成膜的濺射電極以及具有該濺射電極的濺射裝置。
為了解決上述課題，本發(fā)明第1方面的濺射電極，具備具有濺射用的靶、和通過接合材料接合到該靶的濺射面的背面?zhèn)鹊谋嘲宓陌薪M合體，通過背板的從靶向外側(cè)延伸的部分，把該靶組合體能夠裝卸地安裝在濺射電極主體上，該濺射電極的特征在于，設(shè)置有沿著對(duì)于將所述背板安裝在濺射電極主體上的安裝位置所分別位于的水平面成正交的方向，向靶組合體的中央?yún)^(qū)域施加拉伸力或按壓力的任何一方的翹曲校正單元。
據(jù)此，例如利用螺栓等結(jié)合機(jī)構(gòu)，通過背板的從靶向外側(cè)延伸的部分，把靶組合體固定到濺射電極主體上。接著，把翹曲校正單元連接到背板背側(cè)的中央?yún)^(qū)域，根據(jù)利用接合材料進(jìn)行接合時(shí)的靶組合體的翹曲方向，通過翹曲校正單元向靶組合體的中央?yún)^(qū)域施加拉伸力或者按壓力的任一方。由此，因?yàn)閺陌械臑R射面到處理基板的距離在靶整個(gè)面上大致一定，即可以令未使用時(shí)的靶的濺射面大致水平，所以可以不受靶的翹曲的影響、以大致均勻的膜厚進(jìn)行成膜。
此時(shí)，如果所述翹曲校正單元，例如由位于靶組合體的后方、設(shè)置于濺射電極主體上的支持部、和一端與該支持部螺紋結(jié)合的軸部構(gòu)成；該軸部的另一端可自由裝卸地安裝在背板的中央?yún)^(qū)域，則就可以以簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)向靶組合體的中央?yún)^(qū)域施加拉伸力或者按壓力以進(jìn)行翹曲的校正。
如設(shè)置多個(gè)所述翹曲校正單元，則由于能夠施加拉伸力或者按壓力的任一方的部位變多，所以能夠進(jìn)行用于使靶的濺射面大致水平的微調(diào)整，特別是，在靶有變形時(shí)或其面積較大時(shí)有效。
另外，本發(fā)明另一方面的濺射裝置的特征在于，間隔規(guī)定的距離并列設(shè)置了第1方面的濺射電極；并設(shè)置有以在各靶的前方形成磁通的方式分別設(shè)置在各靶組合體的后方的、由多個(gè)磁鐵構(gòu)成的磁鐵組合體，以及向各靶交替施加負(fù)電位以及接地電位或正電位的任何一方的交流電源。
據(jù)此，通過交流電源向一方的靶施加負(fù)的電位，向另一方的靶施加接地電位或者正的電位，則另一方的靶起到陽(yáng)極的作用，在分別連接到1個(gè)交流電源的靶相互間分別產(chǎn)生等離子體，施加了負(fù)的電位的靶被濺射。然后，按照交流電源的頻率切換靶的電位則另一方的靶被濺射，可以交替地依次濺射各靶。
由此，不受靶和背板接合時(shí)的翹曲的影響、和可以把不放出濺射粒子的靶相互間的間隔設(shè)定較小這兩點(diǎn)相結(jié)合，即便對(duì)于面積大的處理基板通過濺射法進(jìn)行成膜時(shí)，也可以以大致均勻的膜厚進(jìn)行成膜。
如設(shè)置以使所述磁通對(duì)于靶自由地平行移動(dòng)的方式一體地驅(qū)動(dòng)各磁鐵組合體的驅(qū)動(dòng)單元，則在濺射時(shí)在靶整個(gè)面可以成為濺射區(qū)域，可以提高靶的利用效率。
此時(shí)，所述磁鐵組合體具有支持各磁鐵的支持板，在該支持板上設(shè)有可以插通翹曲校正單元的軸部的、沿各磁鐵組合體的移動(dòng)方向延伸的長(zhǎng)孔。
發(fā)明的效果如上所說(shuō)明的，利用本發(fā)明的濺射電極以及具有該濺射電極的濺射裝置，能實(shí)現(xiàn)不受接合時(shí)靶組合體中發(fā)生的翹曲的影響、可以在處理基板整個(gè)面上以大致均勻的膜厚進(jìn)行成膜的效果。


圖1是概略地說(shuō)明本發(fā)明的濺射裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
圖2是說(shuō)明翹曲校正單元的配置的圖。
圖3是沿圖2的III-III線的剖面圖。
圖4是說(shuō)明本發(fā)明的濺射裝置的其他變形例子的圖。
圖5是表示按照實(shí)施例1以及比較例1利用濺射進(jìn)行成膜時(shí)的沿處理基板的橫方向的膜厚的分布的圖。
具體實(shí)施例方式
參照?qǐng)D1至圖3進(jìn)行說(shuō)明，1是安裝了本發(fā)明的濺射電極的磁控管式的濺射裝置(下面稱為“濺射裝置”)。濺射裝置1為直通式，具有通過旋轉(zhuǎn)泵、渦輪分子泵等真空排氣機(jī)構(gòu)(未圖示)可以保持規(guī)定的真空度的真空腔11。真空腔11的上部空間中設(shè)有的基板運(yùn)送機(jī)構(gòu)2。該基板運(yùn)送機(jī)構(gòu)2，具有公知的結(jié)構(gòu)，例如，具有裝有處理基板S的托架21，使驅(qū)動(dòng)單元間歇驅(qū)動(dòng)，向與后述的靶相對(duì)的位置依次輸送處理基板S。
在真空腔11中設(shè)有氣體導(dǎo)入單元3。氣體導(dǎo)入單元3，通過設(shè)有質(zhì)量流控制器31的氣體管32，與氣體源33相連通，可以向?yàn)R射室11內(nèi)以一定的流量導(dǎo)入氬等濺射氣體和反應(yīng)性濺射時(shí)使用的反應(yīng)氣體。作為反應(yīng)氣體，可以使用氧、氮、碳、氫、臭氧或者過氧化氫、或者它們的混合氣體等。
另外，在真空腔11的下側(cè)，與運(yùn)送到成膜室11的處理基板S相對(duì)地配置有濺射電極主體4。濺射電極主體4具有與處理基板S相對(duì)配置的大致直方體(俯視為長(zhǎng)方形)的靶41。靶41，根據(jù)Al、Ti、Mo、ITO等要在處理基板S上成膜的薄膜的組成，用公知的方法分別制作而成。靶41，通過銦和錫等的接合材料，接合到在濺射期間冷卻靶41的、具有公知結(jié)構(gòu)的背板42上。
此時(shí)，靶41與背板42的接合，通過例如把形成為規(guī)定形狀的靶41以及背板42載置到加熱板上，分別加熱至上述接合材料熔解的規(guī)定溫度，在靶41以及背板42的各接合面上涂布接合材料后，相互粘合，在此狀態(tài)下自然冷卻至接合材料冷固溫度為止來(lái)進(jìn)行。
接合靶41和背板42形成靶組合體之后，介由絕緣板43安裝到濺射電極主體4的框架44上。此時(shí)，在背板42的從靶41向外側(cè)伸出的部分42a上，隔開規(guī)定的間隔設(shè)有多個(gè)開口(未圖示)，通過該開口，把螺栓B擰緊固定到在框架44的上面上隔開規(guī)定的間隔形成的螺孔中，由此來(lái)固定靶組合體41、42。
在靶41的周圍，為了穩(wěn)定地產(chǎn)生等離子體，圍繞靶41的周圍地設(shè)置有接地屏蔽(未圖示)。此時(shí)，利用未圖示的密封圈等真空密封單元，僅使靶41以及接地屏蔽位于濺射室11內(nèi)。
另外，濺射電極主體4，在位于靶41的后方裝備有磁鐵組合體5。磁鐵組合體5，具有與靶41平行設(shè)置的支持板51。該支持板51，由比靶41的橫寬小、沿靶41的長(zhǎng)邊方向從其兩側(cè)伸出的長(zhǎng)方形的平板構(gòu)成，是由對(duì)磁鐵的吸附力進(jìn)行放大的磁性材料制成的。在支持板51上，交替變換磁性地設(shè)有沿靶41的長(zhǎng)邊方向的棒狀的中央磁鐵52，和沿支持部51的外周設(shè)置的周邊磁鐵53。此時(shí)，設(shè)計(jì)成中央磁鐵52的換算成同磁化時(shí)的體積，與周邊磁鐵53的換算成同磁化時(shí)的體積之和相等(周邊磁鐵∶中心磁鐵∶周邊磁鐵＝1∶2∶1)。
由此，在各靶41的前方，分別形成平衡的閉環(huán)隧道狀的磁通M，通過在靶41的前方捕捉電離的電子以及由于濺射而產(chǎn)生的二次電子，可以使靶41的前方的電子密度提高、使等離子體密度提高。
然后，利用基板運(yùn)送單元2把處理基板S搬送到與靶41相對(duì)的位置，通過氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)3導(dǎo)入規(guī)定的濺射氣體。通過連接到靶41的濺射電源6向靶41施加負(fù)的直流電壓或者高頻電壓，在處理基板S以及靶41上形成垂直的電場(chǎng)，在靶41的前方產(chǎn)生等離子體，靶41被濺射，在處理基板S表面上成膜。
另外，如上所述地接合靶41和背板42時(shí)，存在由于基于該靶41以及背板42相互的材質(zhì)和面積的不同而產(chǎn)生的加熱時(shí)的熱膨脹差，在通過接合材料接合的靶組合體41、42中發(fā)生翹曲的問題。此時(shí)，利用Al等熔點(diǎn)低的材料制作靶41時(shí)，產(chǎn)生中央?yún)^(qū)域R鼓起地翹曲，另一方面，利用Ti、Cr等熔點(diǎn)高的材料制作時(shí)，產(chǎn)生周邊區(qū)域鼓起地翹曲。把發(fā)生翹曲的靶組合體41、42安裝到濺射電極主體4上并通過濺射進(jìn)行成膜時(shí)，存在處理基板S面內(nèi)膜厚變得不均勻的擔(dān)憂。
在本實(shí)施方式中，沿對(duì)于安裝有背板42的框架44的水平面相正交的方向，設(shè)置了向靶組合體41、42的中央?yún)^(qū)域施加拉伸力或者按壓力中的任一方的校正單元7。
如圖2以及圖3所示，翹曲校正單元7，由配置在靶組合體41、42的后方的支持部71、72，和由支持部72所支持的軸部73構(gòu)成。與背板42背面平行地設(shè)置的支持板71，例如是不銹鋼制，設(shè)定成當(dāng)施加了用于校正翹曲的力后也不會(huì)變形的厚度。
支持板71中，在與發(fā)生翹曲時(shí)翹曲量較多的背板42的中央?yún)^(qū)域R相對(duì)的位置上分別設(shè)置4個(gè)貫通孔71a，在支持板71的下面安裝有支持片72。支持片72，例如為不銹鋼制，在其中央部形成有開口部72a。并且，在使支持片72的開口部72a、和形成在支持板71上的貫通孔71a在上下方向上一致的狀態(tài)下，利用螺栓B1，將支持片72固定到支持板71上。該支持板71、支持片72以及后述的螺帽構(gòu)成支持部。
軸部73，由尺寸設(shè)定為比背板42背面和支持板71的上面之間的間隔長(zhǎng)的不銹鋼制的棒狀材料構(gòu)成，在其兩端部上，形成有螺紋孔73a。軸部73的一端配置成突出到支持片72的下方，在其突出的部分上螺紋結(jié)合有螺帽74。另外，在軸部73的另一端，使開口部72a以及貫通孔71a在上下方向上一致地、螺紋結(jié)合固定在形成在背板42的背面的螺孔中。
在此，背板42，由于連接有來(lái)自用于向靶41施加負(fù)的直流電壓或者高頻電壓的濺射電源42的電源線纜6a上，故為了使翹曲校正單元7絕緣，在背板42背面的規(guī)定位置上設(shè)置凹部，在該凹部嵌設(shè)內(nèi)部設(shè)有螺紋孔的硬質(zhì)塑料等絕緣材料42b，并且以空芯圓筒形狀的硬質(zhì)塑料等絕緣材料73b覆蓋軸部73的周圍。
另外，由于磁鐵組合體5位于背板42和支持板71之間，故如圖3所示，在磁鐵組合體的支持板51上形成有可以插通軸部73的開口部51a。
然后，在把軸部73的另一端螺紋結(jié)合固定到絕緣材料42b的螺紋孔里的狀態(tài)下，邊保持螺帽74不轉(zhuǎn)動(dòng)、邊使軸部73移動(dòng)到支持板71側(cè)(圖2中的下方)，則靶組合體41、42的中央?yún)^(qū)域R上被施加拉伸力、引向支持板71方向(圖2中下方)，可以使得未使用時(shí)的靶41的濺射面411大致水平。另一方面，邊保持螺帽74不轉(zhuǎn)動(dòng)、邊使軸部73移動(dòng)到處理基板S側(cè)(圖2中的上方)，則靶組合體41、42的中央?yún)^(qū)域R上被施加按壓力、被壓向處理基板S側(cè)，結(jié)果可以使得未使用時(shí)的靶41的濺射面411大致水平。由此，可以使從靶41的濺射面411到處理基板S為止的距離在整個(gè)面上都大致一定，可以不受靶41的翹曲的影響，能夠以大致均勻的膜厚在處理基板S上成膜。
另外，固定磁鐵組合體5的位置，則中央磁鐵52的上方的等離子體密度變低，與其周邊相比較，隨著濺射的進(jìn)行靶41的侵蝕量變少。因此，優(yōu)選利用未圖示的電機(jī)等驅(qū)動(dòng)單元使磁鐵組合體5在沿靶41的水平方向的2個(gè)位置之間平行且等速地往返運(yùn)動(dòng)。此時(shí)，將形成在磁鐵組合體的支持板51上的開口51a形成為沿著磁鐵組合體5的往返運(yùn)動(dòng)方向的長(zhǎng)孔即可。
在本實(shí)施方式中，為了簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)，對(duì)由設(shè)置在靶組合體41、42后方的支持部71、72、和軸部73構(gòu)成的翹曲校正單元7進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限于此，不論其構(gòu)成方式如何，只要是可以向中央?yún)^(qū)域R施加拉張力或按壓力的即可。另外，對(duì)于設(shè)置4個(gè)翹曲校正單元7的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但其個(gè)數(shù)并不限于此，例如可以根據(jù)靶41的面積來(lái)適當(dāng)設(shè)定。
另外，在本實(shí)施方式中，對(duì)濺射室11中設(shè)置1個(gè)濺射電極4的類型進(jìn)行了說(shuō)明，但在對(duì)大面積的處理基板S進(jìn)行成膜時(shí)，也可以如圖4所示，例如并列設(shè)置6個(gè)濺射電極主體4，成為磁控管濺射電極C，構(gòu)成濺射裝置10。
此時(shí)，靶41a～41f，其未使用時(shí)的濺射面411，并列設(shè)置在位于與處理基板S相平行的同一平面上，在各靶41a～41f的相互面對(duì)的側(cè)面412相互之間，不設(shè)置任何陽(yáng)極或屏蔽等結(jié)構(gòu)部件。各靶41a～41f的外形尺寸，設(shè)定得在并列設(shè)置各靶41a～41f之際，比處理基板S的外形尺寸大。
另外，各靶41a～41f上連接有施加了交流電壓的3個(gè)交流電源61、62、63，在各靶41a～41f的后方配置有磁鐵組合體5a～5f。此時(shí)，對(duì)于相鄰的2個(gè)靶(例如，41a、41b)分配1個(gè)交流電源61，對(duì)于一方的靶41a施加負(fù)的電位之際，對(duì)其他的靶41b施加接地電位或者正的電位。
例如，通過各交流電源61、62、63，向一方的靶41a、41c、41e施加負(fù)的電位，向另一方的靶41b、41d、41f施加接地電位或正的電位，則另一方的靶41b、41d、41f起到陽(yáng)極的作用，在分別連接到1個(gè)交流電源61、62、63的靶(例如，41a和41b)相互間，分別產(chǎn)生等離子體，施加了負(fù)的電位的靶41a、41c、41e被濺射。然后，按照交流電源61、62、63的頻率、切換靶41a～41f的電位，則另一方的靶41b、41d、41f被濺射，由此各靶41a～41f交替地依次被濺射，在處理基板S表面整體上被成膜。
由此，由于沒有必要在未放出濺射粒子的靶41a～41f相互間設(shè)置任何陽(yáng)極或屏蔽等結(jié)構(gòu)部件，可以使該不放出濺射粒子的區(qū)域盡可能小。結(jié)果，不僅不受靶的翹曲的影響，還可以使處理基板S面內(nèi)的膜厚分布大致均勻。
此時(shí)，與上述實(shí)施方式相同，利用氣缸等驅(qū)動(dòng)單元D，在沿靶41a～41f的水平方向的2個(gè)(L點(diǎn)、R點(diǎn))位置之間，使磁鐵組合體5a～5f一體且平行地往返運(yùn)動(dòng)，使得可以在各靶41a～41f整個(gè)面均等地得到侵蝕區(qū)域。此時(shí)，也可以在驅(qū)動(dòng)單元D的驅(qū)動(dòng)軸D1上安裝各磁鐵組合體5a～5f。
另外，分別與位于兩端的磁鐵組合體5a、5f的周邊磁鐵53的極性相一致地設(shè)置棒狀的輔助磁鐵8，使得并列設(shè)置磁鐵組合體5a～5f時(shí)可以調(diào)節(jié)其兩側(cè)的磁場(chǎng)平衡；把支持輔助磁鐵8的支持部81安裝到氣缸D的驅(qū)動(dòng)軸D1上，使其與磁鐵組合體5一體地移動(dòng)。由此，可以提高磁鐵組合體5a～5f的兩端處的磁通密度、使磁場(chǎng)平衡得到改善，進(jìn)而能夠使處理基板S面內(nèi)的膜厚分布、使進(jìn)行反應(yīng)性濺射時(shí)的膜質(zhì)分布大致均勻。

在本實(shí)施例中，利用圖1所示的濺射裝置1，在處理基板S上成膜Al。此時(shí)，采用玻璃基板(1200mm×1000mm)作為處理基板S，并利用Al作為靶41，用公知的方法制作成具有1400mm×1200mm的外形尺寸，接合到銅制的背板42上。
此時(shí)，利用In作為接合材料，把靶41以及背板42載置到加熱板上，分別加熱至200℃，在靶41以及背板42的各接合面上涂布接合材料后，相互粘合，在此狀態(tài)下使其自然冷卻，形成靶組合體41、42。
然后利用螺栓B把靶組合體安裝到框架44上，把翹曲校正單元7的軸部74安裝到背板42的背面后，利用水平計(jì)，通過軸部74向磁鐵組合體5方向拉伸，使從靶41的濺射面411到處理基板S為止的距離在靶整個(gè)面上大致一定。
作為濺射條件，被真空排氣的真空腔11內(nèi)的壓力保持為0.3Pa，控制質(zhì)量流控制器21，導(dǎo)入作為濺射氣體的氬(Ar流量200sccm)。另外，設(shè)定向靶41的投入電力為40kW，濺射時(shí)間為30秒。圖5中以虛線表示在此條件下在玻璃基板S上濺射時(shí)沿玻璃基板S的橫方向的膜厚的分布。
(比較例1)作為比較例1，利用圖1所示的濺射裝置1，在處理基板S上成膜Al。此時(shí)，濺射條件等與上述實(shí)施方式1設(shè)為相同，但制造靶組合體41、42后通過螺栓B安裝到框架44后，不進(jìn)行翹曲的矯正。圖5中以實(shí)線表示在此條件下在玻璃基板S上濺射時(shí)沿玻璃基板S的橫方向的膜厚的分布。
參照?qǐng)D5進(jìn)行說(shuō)明，在比較例1中，可知玻璃基板兩側(cè)(玻璃基板的外周緣部)的膜厚(約270nm)變厚，與其中央?yún)^(qū)域的膜厚最薄的部分(約230nm)相比，產(chǎn)生約40nm的膜厚差，膜厚不均勻。與其相對(duì)，在實(shí)施例1中，可知玻璃基板的中央?yún)^(qū)域和其周邊區(qū)域的膜厚的差在小于等于約10nm的范圍，即可以提高膜厚的均勻。
權(quán)利要求
1.一種濺射電極，其具備具有濺射用的靶、和通過接合材料接合到該靶的濺射面的背面?zhèn)鹊谋嘲宓陌薪M合體，通過背板的從靶向外側(cè)延伸的部分，把該靶組合體能夠裝卸地安裝在濺射電極主體上，該濺射電極的特征在于，設(shè)置有沿著對(duì)于將所述背板安裝在濺射電極主體上的安裝位置所分別位于的水平面成正交的方向，向靶組合體的中央?yún)^(qū)域施加拉伸力或按壓力的任何一方的翹曲校正單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射電極，其特征在于，所述翹曲校正單元，由位于靶組合體的后方、設(shè)置于濺射電極主體上的支持部、和一端與該支持部螺紋結(jié)合的軸部構(gòu)成；該軸部的另一端可自由裝卸地安裝在背板的中央?yún)^(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的濺射電極，其特征在于，設(shè)置有多個(gè)所述翹曲校正單元。
4.一種濺射裝置，其特征在于，隔開規(guī)定的間隔并列設(shè)置了權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任意一項(xiàng)所述的濺射電極；并設(shè)置有以在各靶的前方形成磁通的方式分別設(shè)置在各靶組合體的后方的、由多個(gè)磁鐵構(gòu)成的磁鐵組合體，以及向各靶交替施加負(fù)電位以及接地電位或正電位的任何一方的交流電源。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的濺射裝置，其特征在于，設(shè)置有以使所述磁通對(duì)于靶自由地平行移動(dòng)的方式一體地驅(qū)動(dòng)各磁鐵組合體的驅(qū)動(dòng)單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的濺射裝置，其特征在于，所述磁鐵組合體具有支持各磁鐵的支持板，在該支持板上設(shè)有可以插通翹曲校正單元的軸部的、沿各磁鐵組合體的移動(dòng)方向延伸的長(zhǎng)孔。
全文摘要
在利用由接合材料接合靶和背板而構(gòu)成的靶組合體、通過濺射進(jìn)行成膜時(shí)，接合時(shí)發(fā)生翹曲，則處理基板面內(nèi)膜厚變得不均勻。本發(fā)明介由從背板的靶向外側(cè)伸出的部分(42a)，把由靶(41)和通過接合材料接合的背板(42)構(gòu)成的靶組合體安裝到濺射電極主體(4)上。然后，設(shè)置沿對(duì)于靶的濺射面相正交的方向，向靶組合體的中央?yún)^(qū)域施加拉張力或者按壓力的任何一方的翹曲校正單元(7)。
文檔編號(hào)C23C14/35GK1916231SQ20061011108
公開日2007年2月21日 申請(qǐng)日期2006年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月18日
發(fā)明者大石祐一, 小松孝, 中村肇, 新井真, 清田淳也, 谷典明 申請(qǐng)人:株式會(huì)社愛發(fā)科