專利名稱：成膜方法和成膜裝置、自發(fā)光元件的制造方法和制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及成膜方法和成膜裝置、自發(fā)光元件的制造方法和制造裝置。
背景技術(shù)：
作為在被成膜面上成膜金屬材料的方法之一，已經(jīng)知道有電子束蒸鍍法。該電子束蒸鍍法與加熱蒸鍍相比，可以獲得較高的成膜速度，所以被應(yīng)用于有機(jī)EL元件等自發(fā)光元件的金屬電極膜形成中，可以縮短制造時(shí)間。
圖1是說明基于以往的電子束蒸鍍的金屬薄膜形成的說明圖。根據(jù)該方法，在真空成膜室內(nèi)配置基板J1，利用電子束發(fā)生器(電子槍)J4向收容在成膜源(坩堝)J2內(nèi)的金屬材料J3照射電子束J5并使其熔化，所產(chǎn)生的金屬蒸氣蒸鍍?cè)诨錔1的被成膜面J1a上，形成金屬薄膜。
在利用這種電子束蒸鍍法形成金屬薄膜的情況下，向金屬材料J3照射電子束J5時(shí)，如圖1所示，從金屬材料J3飛出二次電子J6，飛出的二次電子J6沖擊被成膜面J1a，存在損傷被成膜面J1a的問題。并且，產(chǎn)生撞到金屬材料J3上的電子束J5未被金屬材料J3吸收而反彈的反彈電子，存在該反彈電子沖擊被成膜面J1a而損傷被成膜面J1a的問題。
例如，在利用前述的電子束蒸鍍法形成有機(jī)EL元件的金屬電極時(shí)，有機(jī)EL元件在基板上形成透明電極，在其上成膜由包括發(fā)光層在內(nèi)的各種功能層構(gòu)成的有機(jī)層，再在其上成膜金屬電極膜，由于具有這種層疊結(jié)構(gòu)，所以在有機(jī)層的表面上產(chǎn)生因二次電子或反彈電子造成的損傷，破壞有機(jī)層并降低發(fā)光效率，或者變成產(chǎn)生泄漏的原因，這些不合適的地方被視為問題。
因此，研究防止電子束蒸鍍法中的二次電子或反彈電子沖擊被成膜面J1a的對(duì)策，提出了下述專利文獻(xiàn)1記載的現(xiàn)有技術(shù)。根據(jù)該現(xiàn)有技術(shù)，如圖1所示，在被成膜面J1a和成膜源J2之間，利用磁鐵J7A、J7B形成與被成膜面J1a平行的磁場(chǎng)M，使前述的二次電子J6等的行進(jìn)方向在該磁場(chǎng)M中折彎，防止它們到達(dá)被成膜面J1a。
日本特許第3568189號(hào)公報(bào)根據(jù)這種現(xiàn)有技術(shù)，可以利用平行于被成膜面J1a而形成的磁場(chǎng)M，避免被成膜面J1a因二次電子J6等而損傷，但另一方面，由于該磁場(chǎng)M，降低了從成膜源J2產(chǎn)生的負(fù)電荷(電子或陰離子)到達(dá)被成膜面J1a的比率。并且，由于陽離子J8具有較大的慣性，所以幾乎不會(huì)受到磁場(chǎng)M的影響而到達(dá)被成膜面J1a。這樣，在利用設(shè)有防止二次電子J6等到達(dá)被成膜面J1a的磁場(chǎng)M的電子束蒸鍍法形成被成膜面J1a時(shí)，擔(dān)心所形成的金屬薄膜處于正側(cè)帶電的狀態(tài)。
這樣，在所形成的金屬薄膜處于正側(cè)帶電的狀態(tài)時(shí)，認(rèn)為該靜電會(huì)給周圍帶來不良影響，并且在形成了金屬電極的情況下，變?yōu)橐蛟撿o電而施加電壓的狀態(tài)，例如在形成有機(jī)EL元件的金屬電極(陰極)的情況下，由于該正側(cè)帶電，使得在有機(jī)層之間施加較大的反方向電壓，所以有機(jī)層有可能產(chǎn)生絕緣被破壞等降低元件功能的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明把解決這種問題作為其課題的一例。即，本發(fā)明的目的在于，在利用設(shè)有防止二次電子等到達(dá)被成膜面的磁場(chǎng)的電子束蒸鍍來形成金屬薄膜時(shí)，使所形成的金屬薄膜的帶電狀態(tài)處于合適狀態(tài)，并且在利用這種電子束蒸鍍形成有機(jī)EL元件等自發(fā)光元件的金屬電極時(shí)，使金屬電極的帶電狀態(tài)處于合適狀態(tài)，以將元件的功能降低防患于未然。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的成膜方法和成膜裝置、自發(fā)光元件的制造方法和制造裝置至少具備以下各獨(dú)立權(quán)利要求的結(jié)構(gòu)。
一種成膜方法，通過電子束蒸鍍?cè)诒怀赡っ嫔闲纬山饘俦∧ぃ涮卣髟谟?，在所述被成膜面和成膜源之間形成與所述被成膜面平行的磁場(chǎng)，以防止由于對(duì)所述成膜源進(jìn)行的電子束照射而從該成膜源朝向所述被成膜面的負(fù)電荷，一面監(jiān)視所述被成膜面周邊的正電荷，一面根據(jù)該監(jiān)視結(jié)果調(diào)整所述被成膜面上形成的金屬薄膜的電荷狀態(tài)。
一種成膜裝置，通過電子束蒸鍍?cè)诒怀赡っ嫔闲纬山饘俦∧?，其特征在于，具有磁?chǎng)形成單元，其在所述被成膜面和成膜源之間形成與所述被成膜面平行的磁場(chǎng)，以防止由于對(duì)所述成膜源進(jìn)行的電子束照射而從該成膜源朝向所述被成膜面的負(fù)電荷；電荷監(jiān)視單元，其監(jiān)視所述被成膜面周邊的正電荷；電荷調(diào)整單元，其根據(jù)該電荷監(jiān)視單元的監(jiān)視結(jié)果，調(diào)整所述被成膜面上形成的金屬薄膜的電荷狀態(tài)。
一種自發(fā)光元件的制造方法，通過電子束蒸鍍?cè)谧园l(fā)光元件的功能層上的被成膜面上形成金屬電極膜，其特征在于，在所述被成膜面和成膜源之間形成與所述被成膜面平行的磁場(chǎng)，以防止由于對(duì)所述成膜源進(jìn)行的電子束照射而從該成膜源朝向所述被成膜面的負(fù)電荷，一面監(jiān)視所述被成膜面周邊的正電荷，一面根據(jù)該監(jiān)視結(jié)果調(diào)整所述被成膜面上形成的金屬電極膜的電荷狀態(tài)。
一種自發(fā)光元件的制造裝置，通過電子束蒸鍍?cè)谧园l(fā)光元件的功能層上的被成膜面上形成金屬電極膜，其特征在于，具有磁場(chǎng)形成單元，其在所述被成膜面和成膜源之間形成與所述被成膜面平行的磁場(chǎng)，以防止由于對(duì)所述成膜源進(jìn)行的電子束照射而從該成膜源朝向所述被成膜面的負(fù)電荷；電荷監(jiān)視單元，其監(jiān)視所述被成膜面周邊的正電荷；電荷調(diào)整單元，其根據(jù)該電荷監(jiān)視單元的監(jiān)視結(jié)果，調(diào)整所述被成膜面上形成的金屬電極膜的電荷狀態(tài)。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的說明圖。
圖2是說明本發(fā)明的實(shí)施方式的說明圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。圖2是說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的成膜方法、成膜裝置的說明圖。
該成膜裝置通過電子束蒸鍍?cè)诨?的被成膜面1a上形成金屬薄膜，利用電子束發(fā)生器4向收容在成膜源2內(nèi)的金屬材料3照射電子束EB以使其熔化，所產(chǎn)生的金屬蒸氣蒸鍍?cè)诨?的被成膜面1a上，形成金屬薄膜，與現(xiàn)有技術(shù)相同，具有磁場(chǎng)形成單元5(磁鐵5A、5B)，其在被成膜面1a和成膜源2之間形成與被成膜面1a平行的磁場(chǎng)M，以防止因向成膜源2照射電子束5而從成膜源2朝向被成膜面1a的負(fù)電荷ES(二次電子或反彈電子)。
并且，該成膜裝置除所述磁場(chǎng)形成單元5外，還具有電荷監(jiān)視單元6，其監(jiān)視被成膜面1a周邊的正電荷；電荷調(diào)整單元(負(fù)電荷產(chǎn)生單元7或磁場(chǎng)調(diào)整單元8)，其根據(jù)電荷監(jiān)視單元6的監(jiān)視結(jié)果，調(diào)整被成膜面上形成的金屬薄膜的電荷狀態(tài)。此處所說的電荷監(jiān)視單元6是使用了檢測(cè)因附著在金屬板上的正電荷而形成的電流的檢流計(jì)或收集正電荷的法拉第杯等的裝置，設(shè)置在基板1的附近，用于監(jiān)視基板周邊的正電荷。負(fù)電荷產(chǎn)生單元7是利用熱電子放出(燈絲)等產(chǎn)生電子、負(fù)電荷的裝置，設(shè)置在與基板1的被成膜面1a相對(duì)的方向上。磁場(chǎng)調(diào)整單元8是利用磁鐵等產(chǎn)生磁場(chǎng)的裝置，設(shè)置在基板1和成膜源2之間。
在使用這種成膜裝置的成膜方法中，當(dāng)通過電子束蒸鍍?cè)诒怀赡っ?a上形成金屬薄膜時(shí)，在被成膜面1a和成膜源2之間形成與被成膜面1a平行的磁場(chǎng)M，以防止由于對(duì)成膜源2進(jìn)行的電子束EB照射而從成膜源2朝向被成膜面1a的負(fù)電荷ES，一面監(jiān)視被成膜面1a周邊的正電荷P0，一面根據(jù)監(jiān)視結(jié)果調(diào)整被成膜面1a上形成的金屬薄膜的電荷狀態(tài)。
這樣，從成膜源2飛出的二次電子等的行進(jìn)方向由于磁場(chǎng)形成單元5形成的與被成膜面1a平行的磁場(chǎng)M而折彎，所以能夠?qū)⒊赡こ跗诙坞娮拥葲_擊被成膜面1a而損傷被成膜面1a的問題防患于未然。并且，以后，當(dāng)在被成膜面1a上開始形成金屬薄膜時(shí)，利用電荷監(jiān)視單元6逐次監(jiān)視被成膜面1a周邊的正電荷，根據(jù)該監(jiān)視結(jié)果調(diào)整金屬薄膜的電荷狀態(tài)，所以能夠把金屬薄膜的電荷狀態(tài)調(diào)整為合適的狀態(tài)。
因此，即使通過磁場(chǎng)形成單元5去除朝向被成膜面1a的負(fù)電荷，由此產(chǎn)生成膜于被成膜面1a上的金屬薄膜帶正電的情況，也能夠利用基于電荷監(jiān)視單元6的輸出的電荷調(diào)整單元的調(diào)整功能，把帶電狀態(tài)校正為合適的方向，能夠避免因金屬薄膜的帶電造成的靜電的不良影響。
此時(shí)的電荷調(diào)整單元作為主動(dòng)校正帶正電的金屬薄膜的帶電狀態(tài)的手段，可以使用向金屬薄膜上施加負(fù)電荷的負(fù)電荷產(chǎn)生單元7，并且作為通過調(diào)整減少被磁場(chǎng)形成單元5去除的負(fù)電荷來緩和金屬薄膜帶正電的程度的手段，可以使用磁場(chǎng)調(diào)整單元8，其調(diào)整因磁場(chǎng)形成單元5形成的磁場(chǎng)M的強(qiáng)度或方向，使從成膜源2朝向被成膜面1a的負(fù)電荷的一部分通過。該各個(gè)單元可以單獨(dú)使用，也可以一并使用構(gòu)成電荷調(diào)整單元。
并且，該電荷調(diào)整單元對(duì)電荷狀態(tài)的調(diào)整，優(yōu)選調(diào)整為去除金屬薄膜上的帶電。由此，可以排除因靜電造成的問題和因靜電產(chǎn)生的不必要的電壓施加。
通過使用這種成膜裝置和成膜方法形成自發(fā)光元件的金屬電極膜，可以將這種成膜裝置和成膜方法用作自發(fā)光元件的制造裝置和制造方法。此時(shí)，在自發(fā)光元件的功能層上形成前述的被成膜面1a，可以把前述的金屬薄膜說成金屬電極膜來進(jìn)行說明。
根據(jù)具有這種磁場(chǎng)形成單元5、電荷監(jiān)視單元6和電荷調(diào)整單元(負(fù)電荷產(chǎn)生單元7或磁場(chǎng)調(diào)整單元8)的自發(fā)光元件制造裝置以及使用該裝置的制造方法，可以解決二次電子等沖擊自發(fā)光元件的功能層而損傷功能層的問題，并且能夠把成膜于功能層上的金屬電極膜的帶電狀態(tài)調(diào)整為合適的狀態(tài)，所以能夠防止由于因帶電造成的靜電而向功能層施加不需要的電壓從而使功能層的絕緣被破壞等問題。由此，能夠避免因靜電造成的自發(fā)光元件的功能降低。
以下，說明把前述自發(fā)光元件作為有機(jī)EL元件時(shí)的制造裝置和制造方法。作為制造裝置，使用前述說明的裝置，這樣，在有機(jī)EL元件的制造步驟中，進(jìn)行有機(jī)層上的金屬電極(陰極)的成膜。
一般情況下，有機(jī)EL元件具有在陽極(空穴注入電極)和陰極(電子注入電極)之間夾入有機(jī)層的結(jié)構(gòu)，通過向兩個(gè)電極之間施加電壓，從陽極注入/輸送到有機(jī)層內(nèi)的空穴和從陰極注入/輸送到有機(jī)層內(nèi)的電子再結(jié)合，以實(shí)現(xiàn)發(fā)光。
形成在由陽極和陰極構(gòu)成的一對(duì)電極之間層疊包括有機(jī)層在內(nèi)的各種功能層的層結(jié)構(gòu)。該層結(jié)構(gòu)一般是由空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層構(gòu)成，但除發(fā)光層以外的各層也可以根據(jù)需要省略，并且各層可以由單一材料形成，也可以形成為混合了多種材料的混合層，還可以在高分子粘合劑中分散各種功能材料。各層可以形成為單層也可以形成為多層。另外，在前述層結(jié)構(gòu)的最上部，在其上利用濺射法形成電極時(shí)，為了使有機(jī)層不受損傷，有時(shí)設(shè)置具有緩沖功能的層，并且有時(shí)也設(shè)置用于使由于各層的成膜而形成的表面凹凸變平坦的層。
形成于基板上的有機(jī)EL元件的配置可以呈點(diǎn)矩陣狀配置多個(gè)，也可以具有單個(gè)或多個(gè)預(yù)定大小的發(fā)光區(qū)域。顯示區(qū)域中的有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)方式可以是無源驅(qū)動(dòng)方式、有源驅(qū)動(dòng)方式中的任何方式，沒有特別限定。另外，作為有機(jī)EL元件單體的結(jié)構(gòu)，可以采用層疊多個(gè)有機(jī)EL元件的結(jié)構(gòu)(SOLEDStacked OLED)、在陰極和陽極之間設(shè)置電荷產(chǎn)生層的結(jié)構(gòu)(多光子元件)，其結(jié)構(gòu)也沒有特別限定。
將具體的制造方法示例如下。
前處理步驟準(zhǔn)備上面層疊了透明導(dǎo)電膜(ITO、IZO等)和金屬導(dǎo)電膜(Cr、Al、Ag等)的基板(玻璃、塑料等)(作為一例，基板使用玻璃基板，透明導(dǎo)電膜使用ITO，金屬導(dǎo)電膜使用Cr膜)。特別是在使用具有堿成分的玻璃基板時(shí)，使用基板表面成膜了阻擋層(SiO2、TiO2等)的基板，使得含有的不純?cè)?堿金屬、Ca、Na等)不會(huì)滲透到表面。
然后，對(duì)于具有阻擋層、透明導(dǎo)電膜和金屬導(dǎo)電膜的基板，利用光刻法對(duì)最上層的金屬導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成連接第1電極或第2電極(陽極或陰極)的引出電極。
然后，利用光刻法對(duì)在基板上露出的透明導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成第1電極(陽極)。此時(shí)，引出電極的形成部分按照引出電極的樣式進(jìn)行構(gòu)圖，形成在透明導(dǎo)電膜上層疊了金屬導(dǎo)電膜的引出電極。
然后，利用光刻法對(duì)感光性聚酰亞胺等絕緣膜進(jìn)行構(gòu)圖，以便在第1電極上限定發(fā)光區(qū)域的開口，從而確定基板上的有機(jī)EL元件的配置。并且，根據(jù)需要，也可以形成用于限定第2電極的分隔壁。然后，根據(jù)需要實(shí)施UV清洗步驟，以去除基板表面的有機(jī)物和水分。
成膜步驟
把經(jīng)過了前處理步驟的基板輸送到蒸鍍裝置內(nèi)，按照?qǐng)D2所示，對(duì)基板設(shè)置成膜用掩模1，由此在基板上通過成膜用掩模1成膜有機(jī)層的圖形。
示出有關(guān)有機(jī)層的成膜的示例，例如，通過蒸鍍層疊50nm的成為空穴注入層的CuPc等，然后層疊50nm的4，4-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(NPD)等作為空穴輸送層。并且，使用成膜用掩模1，在其上的各個(gè)成膜區(qū)域分涂RGB各發(fā)光層來成膜。
具體來講，在基板上設(shè)置具有B發(fā)光層的成膜圖形的成膜用掩模1，作為B發(fā)光層，在4，4’-二(2，2-二苯乙烯基)-聯(lián)苯(DPVBi)的主材料中加入4，4’-二(2-咔唑次乙烯基)聯(lián)苯(BCZVBi)作為1％重量百分比的摻雜劑而共蒸鍍50nm。由此，在成膜區(qū)域形成B發(fā)光層的成膜圖形。
然后，在基板1上設(shè)置具有G發(fā)光層的成膜圖形的成膜用掩模1，蒸鍍50nm的香靈素6作為G發(fā)光層。由此，在成膜區(qū)域形成G發(fā)光層的成膜圖形。
另外，在基板1上設(shè)置具有R發(fā)光層的成膜圖形的成膜用掩模1，作為R發(fā)光層，在三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)的主材料中加入4-二氰基甲基-2-甲基-6-(對(duì)二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)作為1％重量百分比的摻雜劑而共蒸鍍50nm。由此，在成膜區(qū)域形成R發(fā)光層的成膜圖形。
然后，蒸鍍20nm的Alq3作為電子輸送層。并且，利用前述的使用電子束蒸鍍的成膜裝置或成膜方法，蒸鍍150nm的鋁(Al)作為第2電極(陰極)。
密封步驟然后，把基板從成膜步驟后的真空氛圍下搬入氮?dú)獾亩栊詺怏w氛圍下的密封室。另一方面，通過噴砂處理在表面設(shè)置凹部，把凹部內(nèi)裝填了干燥手段(SrO、CaO等)的玻璃密封基板搬入到密封室內(nèi)。并且，使用分配器等在玻璃密封基板上的預(yù)定位置處涂布適量混合了(約0.1～0.5％重量百分比)粒徑為1～300μm的隔離體(最好是玻璃或塑料制的)的紫外線硬化型環(huán)氧樹脂制的粘接劑，使該玻璃密封基板和基板通過所述粘接劑而粘貼，從基板側(cè)或玻璃密封基板側(cè)向粘接劑照射紫外線，使粘接劑硬化。這樣，在基板和玻璃密封基板之間的密封空間內(nèi)收容顯示區(qū)域，可以將構(gòu)成顯示區(qū)域的有機(jī)EL元件與外部空氣隔離。
根據(jù)這種本發(fā)明的實(shí)施方式，在通過設(shè)置了防止二次電子等到達(dá)被成膜面的磁場(chǎng)的電子束蒸鍍來形成金屬薄膜時(shí)，可以使所形成的金屬薄膜的帶電狀態(tài)處于合適的狀態(tài)。并且，在通過這種電子束蒸鍍形成有機(jī)EL元件等自發(fā)光元件的金屬電極時(shí)，可以使金屬電極的帶電狀態(tài)處于合適的狀態(tài)，將元件的功能降低防患于未然。特別是在前述的有機(jī)EL元件的制造中，可以防止下述問題在成膜第2電極(陰極)時(shí)，由于該電極帶正電而在有機(jī)層之間施加反方向電壓，導(dǎo)致有機(jī)層的絕緣被破壞等。并且，在想將成膜后的金屬電極的帶電狀態(tài)保持為特定帶電狀態(tài)時(shí)等，可以根據(jù)情況進(jìn)行電荷調(diào)整。
權(quán)利要求
1.一種成膜方法，通過電子束蒸鍍?cè)诒怀赡っ嫔闲纬山饘俦∧?，其特征在于，在所述被成膜面和成膜源之間形成與所述被成膜面平行的磁場(chǎng)，以防止由于對(duì)所述成膜源進(jìn)行的電子束照射而從該成膜源朝向所述被成膜面的負(fù)電荷，一面監(jiān)視所述被成膜面周邊的正電荷，一面根據(jù)該監(jiān)視結(jié)果調(diào)整所述被成膜面上形成的金屬薄膜的電荷狀態(tài)。
2.一種成膜裝置，通過電子束蒸鍍?cè)诒怀赡っ嫔闲纬山饘俦∧?，其特征在于，具有磁?chǎng)形成單元，其在所述被成膜面和成膜源之間形成與所述被成膜面平行的磁場(chǎng)，以防止由于對(duì)所述成膜源進(jìn)行的電子束照射而從該成膜源朝向所述被成膜面的負(fù)電荷；電荷監(jiān)視單元，其監(jiān)視所述被成膜面周邊的正電荷；電荷調(diào)整單元，其根據(jù)該電荷監(jiān)視單元的監(jiān)視結(jié)果，調(diào)整所述被成膜面上形成的金屬薄膜的電荷狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜裝置，其特征在于，所述電荷調(diào)整單元具有向所述金屬薄膜上施加負(fù)電荷的負(fù)電荷產(chǎn)生單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的成膜裝置，其特征在于，所述電荷調(diào)整單元具有磁場(chǎng)調(diào)整單元，其調(diào)整所述磁場(chǎng)，使從所述成膜源朝向所述被成膜面的負(fù)電荷的一部分通過。
5.根據(jù)權(quán)利要求2～4中任一項(xiàng)所述的成膜裝置，其特征在于，所述電荷調(diào)整單元調(diào)整所述電荷狀態(tài)，以去除所述金屬薄膜上的帶電。
6.一種自發(fā)光元件的制造方法，通過電子束蒸鍍?cè)谧园l(fā)光元件的功能層上的被成膜面上形成金屬電極膜，其特征在于，在所述被成膜面和成膜源之間形成與所述被成膜面平行的磁場(chǎng)，以防止由于對(duì)所述成膜源進(jìn)行的電子束照射而從該成膜源朝向所述被成膜面的負(fù)電荷，一面監(jiān)視所述被成膜面周邊的正電荷，一面根據(jù)該監(jiān)視結(jié)果調(diào)整所述被成膜面上形成的金屬電極膜的電荷狀態(tài)。
7.一種自發(fā)光元件的制造裝置，通過電子束蒸鍍?cè)谧园l(fā)光元件的功能層上的被成膜面上形成金屬電極膜，其特征在于，具有磁場(chǎng)形成單元，其在所述被成膜面和成膜源之間形成與所述被成膜面平行的磁場(chǎng)，以防止由于對(duì)所述成膜源進(jìn)行的電子束照射而從該成膜源朝向所述被成膜面的負(fù)電荷；電荷監(jiān)視單元，其監(jiān)視所述被成膜面周邊的正電荷；電荷調(diào)整單元，其根據(jù)該電荷監(jiān)視單元的監(jiān)視結(jié)果，調(diào)整所述被成膜面上形成的金屬電極膜的電荷狀態(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的自發(fā)光元件的制造裝置，其特征在于，所述電荷調(diào)整單元具有向所述金屬電極膜上施加負(fù)電荷的負(fù)電荷產(chǎn)生單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的自發(fā)光元件的制造裝置，其特征在于，所述電荷調(diào)整單元具有磁場(chǎng)調(diào)整單元，其調(diào)整所述磁場(chǎng)，使從所述成膜源朝向所述被成膜面的負(fù)電荷的一部分通過。
10.根據(jù)權(quán)利要求7～9中任一項(xiàng)所述的自發(fā)光元件的制造裝置，其特征在于，所述電荷調(diào)整單元調(diào)整所述電荷狀態(tài)，以去除所述金屬電極膜上的帶電。
全文摘要
在利用設(shè)有防止二次電子等到達(dá)被成膜面的磁場(chǎng)的電子束蒸鍍而形成金屬薄膜時(shí)，使所形成的金屬薄膜的帶電狀態(tài)處于合適狀態(tài)。一種通過電子束蒸鍍?cè)诨?1)的被成膜面(1a)上形成金屬薄膜的成膜裝置，利用電子束發(fā)生器(4)向收容在成膜源(2)內(nèi)的金屬材料(3)照射電子束EB并使其熔化，所產(chǎn)生的金屬蒸氣蒸鍍?cè)诨?1)的被成膜面(1a)上，形成金屬薄膜。具有磁場(chǎng)形成單元(5(磁鐵5A、5B))，在被成膜面(1a)和成膜源(2)之間形成與被成膜面(1a)平行的磁場(chǎng)M，以防止由于向成膜源(2)照射電子束(5)而從成膜源(2)朝向被成膜面(1a)的負(fù)電荷ES；電荷監(jiān)視單元(6)，監(jiān)視被成膜面(1a)周邊的正電荷；電荷調(diào)整單元(負(fù)電荷產(chǎn)生單元7或磁場(chǎng)調(diào)整單元8)，根據(jù)電荷監(jiān)視單元(6)的監(jiān)視結(jié)果，調(diào)整被成膜面上形成的金屬薄膜的電荷狀態(tài)。
文檔編號(hào)C23C14/28GK1827842SQ20051009710
公開日2006年9月6日 申請(qǐng)日期2005年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月28日
發(fā)明者丹博樹, 安喰隆美 申請(qǐng)人:日本東北先鋒公司