專利名稱：用于改進cvd膜性能的邊流面板的制作方法
相關申請的交叉引用本美國非臨時專利申請要求2003年12月15日提交的60/529,819號美國臨時專利申請的優(yōu)先權，其通過引用的方式為所有目的并入本說明書。
背景技術：
美國專利第4,854,263號通過引用方式為所有目的并入本說明書，該專利描述了諸如氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅之類材料的等離子增強型化學氣相沉積(PECVD)；用于沉積這些材料的平行板型PECVD反應器的使用；并且特別地，涉及為平行板型反應器而設的氣體入口岐管以及使用所述岐管和所述反應器高速率沉積這些材料以及在不使用高氫含量的氣體(例如氨氣)的情況下沉積氮化硅和氮氧化硅的方法。如其說明書所詳細描述的，美國專利4,854,263號描述了氣體入口岐管面板，此面板具有多個小孔，并且每個小孔包含一個出口，其位于所述盤的腔室或者處理側處，和一個入口沉孔，其與所述處理側間隔開，為了增強氣體的離解和反應，所述出口大于所述入口。所述小孔可以設置成許多優(yōu)選為凹狀橫截面輪廓之中的任何一個，包括拋物線或者雙曲線橫截面或者當前優(yōu)選的錐形橫截面。在另一方面，所述氣體入口小孔可以稠密地布置成覆蓋/聯(lián)鎖的面心六邊形陣列。一個單獨的小孔形成一個關聯(lián)的六邊形的邊并且還處于第二關聯(lián)的六邊形的中心。這種稠密配置有助于形成均勻高速率的沉積，而沒有圖案、條痕或者其它不均勻形態(tài)的出現(xiàn)。雖然某些化學氣相沉積膜，特別是那些含碳的化學氣相沉積膜對襯底表面上的化學氣相沉積材料有效，但是人們已經(jīng)認識到，它在邊緣部分上的沉積速率可能呈現(xiàn)下降。這種在邊緣部分沉積速率的不同可能使結果產(chǎn)生的沉積膜的均勻性難于控制。因此，本技術領域對能在襯底的邊緣部分化學氣相沉積材料具有更高均勻特性的裝置和方法存在需求。
發(fā)明概述依照本發(fā)明的實施例涉及在工件表面之上分配處理氣體的裝置和方法。依照本發(fā)明的一個實施例，工藝氣體通過設有多個孔或者小孔的基本圓形的氣體分配噴頭流到半導體晶片的表面。位于所述面板中心的第一組孔以不共心的方式排列且不呈徑向對稱。這種不對稱的排列使孔口和其中分配的氣體達到最大密度。所述晶片的邊緣不均勻地暴露于從所述第一孔組流出的氣體，為了對其補償，所述面板周邊形成有共心排列且呈徑向對稱的第二孔組。用流經(jīng)所述第一和第二組孔的氣體處理襯底，使得所形成的膜在中心到邊緣區(qū)域的均勻性或均勻度顯示得到提高。依照本發(fā)明的裝置的實施例包括圍繞處理室的壁、位于所述室內(nèi)的晶片基座、以及與所述室流體連通的第一排氣管道。處理氣體源通過基本圓形的氣體分配噴頭與所述室流體連通。所述氣體分配噴頭包括位于噴頭中心區(qū)域并相對所述噴頭的半徑不對稱的第一組孔，以及位于噴頭周邊區(qū)域并相對所述半徑對稱的第二組孔。依照本發(fā)明，在半導體襯底上沉積材料的方法的實施例包括，使處理氣體通過第一組孔流向襯底的中心部分，所述第一組孔呈徑向不對稱且處于基本圓形的氣體分配面板的中心部分。所述處理氣體通過第二組孔流向所述襯底的邊緣部分，所述第二組孔呈徑向對稱且處于基本圓形的氣體分配面板的周邊部分。本發(fā)明的這些和其它實施例，以及本發(fā)明的特征和一些潛在的優(yōu)勢結合以下的文字和附圖更詳細地描述。
圖形的簡要說明

圖1A是示例性的CVD系統(tǒng)的簡化剖視圖。圖1B示出了圖1A的CVD系統(tǒng)的分解透視圖。圖1C示出了圖1A的CVD系統(tǒng)的另一個分解透視圖。圖2示出了依照本發(fā)明的氣體分配噴頭的一個實施例的下側的簡化平面圖。圖2A是描述圖2的噴頭的第一組孔口的不共心排列的簡化示意圖。圖2B是描述圖2的噴頭的第二組孔口的共心排列的簡化示意圖。圖3A示出了圖2的氣體分配噴頭中所示的來自第一組的孔口的簡化剖視圖。圖3B示出了圖2的氣體分配噴頭中所示的來自第二組的孔口的剖視圖。圖4A圖示了使用只設有非徑向對稱定位的孔的常規(guī)面板沉積的BLOKTM含氮阻擋層膜的折射率和厚度的曲線圖。圖4B圖示了使用擴展覆蓋面積比圖4A的面板更大且以徑向不對稱定位的孔為特征的面板，沉積的BLOKTM含氮阻擋層膜的折射率和厚度的曲線圖。圖4C圖示了使用將徑向定位的孔與常規(guī)面板的多個非徑向定位的孔相結合的面板，沉積的BLOKTM含氮阻擋層膜的折射率和厚度的曲線圖。圖4D圖示了使用將徑向定位的孔與圖4B的面板的增加的(extended)多個非徑向定位的孔相結合的面板，沉積的BLOKTM含氮阻擋層膜的折射率和厚度的曲線圖。圖5A示出了通過常規(guī)面板設計的第一組孔的模擬氣流顯示的軸向速度。圖5B示出了通過依照本發(fā)明面板設計的第一和第二組孔的模擬氣流所顯示的壓降。
本發(fā)明的詳細描述圖1A示出了可以實施本發(fā)明的方法的一種合適的CVD裝置，該圖是CVD系統(tǒng)10的垂直剖視圖，CVD系統(tǒng)10設有真空室或者處理室15，其包括室壁15a和室罩組件15b。室壁15a和室罩組件15b示于圖1B和1C中的分解透視圖中。CVD系統(tǒng)10包含氣體分配歧管11，其用于將工藝氣體分散至位于所述工藝室中部的加熱底座12上的襯底(未顯示)。處理期間，所述襯底，例如半導體晶片，被置于底座12的平坦(或者輕微凸起)的表面12a(圖1B)上。在下方的裝/卸載位置(未顯示)和上方的非常鄰近歧管11的處理位置(如圖1A所示)之間，所述底座可以可控制地移動。中插板(未顯示)包括用于提供所述晶片所處位置上的信息的傳感器。沉積氣體和載氣通過平坦的圓形氣體分配面板13a的孔13b(圖1C)被引入室15。更具體地，沉積工藝氣體通過入口歧管11(如圖1A中箭頭40所指)，再通過常規(guī)的多孔鍛盤(perforated blockerplate)42，然后通過氣體分配面板13a中的孔13b，流入所述室內(nèi)。到達所述歧管之前，沉積氣體和載氣從氣體源7a通過氣體輸送系統(tǒng)7(圖1A)的氣體供應管線8輸入混合系統(tǒng)9，在混合系統(tǒng)9中它們被混合然后輸送至歧管11。通常，每種工藝氣體的供應管線包含(i)多個安全截流閥(未顯示)，其可用于自動地或者手動地截斷工藝氣體流入所述室，以及(ii)質量流量控制器(也未顯示)，其用于測量通過所述供應管線的氣體的流量。當處理中使用有毒氣體(例如臭氧或者鹵化氣體)，所述多個安全截流閥依照常規(guī)的構造被置于每條氣體供應管線上。在CVD系統(tǒng)10中執(zhí)行的沉積工藝，或者可以是熱工藝，或者可以是等離子體增強工藝。在等離子體增強工藝中，RF電源44在氣體分配面板13a和所述底座之間施加了電功率，以便激勵工藝氣體混合物在面板13a和所述底座之間的被稱為“反應區(qū)域”的圓柱形區(qū)域內(nèi)形成等離子體。所述等離子體的成分反應，從而在支撐在底座12上的所述半導體晶片的表面上沉積需要的膜。RF電源44是混合頻率RF電源，其一般提供的功率，對于高RF頻率(RF1)為13.56MHz，對于低RF頻率(RF2)為360KHz，以增強被引入真空室15的活性反應物質種類的分解。在熱工藝中，將不使用RF電源44，并且所述工藝氣體混合物進行熱反應，從而在支撐在底座12上的所述半導體晶片的表面上沉積需要的膜，底座12以電阻方式加熱以給所述反應提供能量。等離子體增強沉積處理過程中，所述等離子體加熱整個處理室10，包括對圍繞排氣通道23和截流閥24的室體的壁15a加熱。當還未產(chǎn)生等離子體時或者在熱沉積處理期間，熱液體循環(huán)通過處理室的壁15a使得所述室保持在高溫。被用來加熱所述室壁15a的流體包括典型的流體類型，例如水基的乙二醇(ethylene glycol)或者油基的傳熱流體。這樣的加熱有助于降低或者消除不希望的反應生成物的凝結并能更好地去除所述工藝氣體的揮發(fā)性產(chǎn)物和其它可能對處理過程造成污染的污染物，而如果它們在冷真空通道的壁上凝結并在沒有氣流的時候返回到處理室內(nèi)，就可能造成污染。未沉積于層中的所述氣體混合物的殘留部分，包括反應產(chǎn)物，通過真空泵50排出所述室，真空泵50通過前級管路55與排氣通道23相連。具體地，所述氣體可以通過圍繞所述反應區(qū)域的環(huán)形槽狀的孔口16排出，并進入環(huán)形排氣通風室(exhaust plenum)17。環(huán)形槽16和通風室17由所述室的圓柱形側壁15a(包括該壁上的上絕緣襯套19)的頂部和環(huán)形室罩20的底部之間的空隙所形成。槽孔口16和通風室17在360°圓周上的對稱度和均勻性是特別重要的，其重要性在于使工藝氣體能夠在晶片上方均勻地流動，以便在所述晶片上沉積均勻的膜。從排氣通風室17開始，所述氣體流經(jīng)排氣通風室17的橫向延伸部分21的下部，經(jīng)過一觀察端口(未顯示)，通過向下延伸的氣體通道23，經(jīng)過真空截流閥24(其本體與下部的室壁15a形成整體)，并進入排氣出口25，其與外部的真空泵50通過前級管路55相連。所述底座12的晶片支撐盤(優(yōu)選為鋁、陶瓷或者它們的組合物)采用內(nèi)嵌單回路嵌入的加熱元件電阻式加熱，嵌入的加熱元件被構造成平行同心圓形式的兩個完整回路。所述加熱元件的外部鄰近所述支撐盤的周界設置，而內(nèi)部沿著具有較小半徑的同心圓的路線設置。所述加熱元件的配線通過底座12的支柱。一般地，任意的或者所有的所述室的襯套、氣體入口歧管面板、以及各種其它反應器硬件都由諸如鋁、陽極化鋁或者陶瓷材料制成。在美國專利5,558,717號的發(fā)明名稱為“CVD Processing Chamber”中描述了此CVD裝置的一個實例。US專利5,558,717號轉讓給本發(fā)明的受讓人應用材料有限公司，并以所有目的以參考形式并入本發(fā)明。隨著晶片通過自動葉片(blade)經(jīng)過所述室10的插入/移開開口26傳遞進入以及離開所述室的主體，升降機構加馬達(未顯示)可提升以及降落加熱的底座組件12和它的晶片頂升桿12b。所述馬達在處理位置14和下部的晶片裝載位置之間提升以及降落底座12。所述馬達、與供應管線8相連的閥或者流量控制器、氣體傳輸系統(tǒng)、截流閥、RF電源44、和室及襯底加熱系統(tǒng)都由系統(tǒng)控制器34(圖1A)經(jīng)控制線36所控制，所述控制線36在圖1A中只示出了一些?？刂破?4依靠來自光學傳感器的反饋來確定截流閥以及基座之類的可移動的機械組件的位置，所述可移動的機械組件在控制器34的控制下通過合適的馬達來移動。在一個實施例中，所述系統(tǒng)控制器包括硬盤驅動器(存儲器38)、軟盤驅動器和處理器37。所述處理器包括單片機(SBC)、模數(shù)輸入/輸出板、接口板和步進電機控制板。CVD系統(tǒng)10的不同部分遵照Versa Modular European(VME)標準，規(guī)定了電路板、卡籠(cardcage)、和連接器的尺寸和類型。所述VME標準還將總線結構規(guī)定為16位數(shù)據(jù)總線和24位地址總線。系統(tǒng)控制器34控制CVD機器的所有活動。所述系統(tǒng)控制器運行系統(tǒng)控制軟件，系統(tǒng)控制軟件是儲存于存儲器38之類的計算機可讀介質中的計算機程序。存儲器38優(yōu)選是硬盤驅動器，但是存儲器38也可以是其它種類的存儲器。所述計算機程序包括指令集，其對以下方面進行指示，即，氣體的引入和排出的定時、氣體的混合、室壓、室溫、RF功率級、基座位置、以及特定處理的其它參數(shù)。儲存在其它存儲器設備(包括例如軟盤或者其它合適的驅動器)上的其它計算機程序也可以使用來操作控制器34。以上反應器的描述主要出于示例性說明的目的，并且可以使用其它等離子體CVD裝置，例如電子回旋共振(ECR)等離子體CVD設備、感應耦合RF高密度等離子體CVD設備等等。而且，上述系統(tǒng)可能會有變化，例如底座設計、加熱器設計、RF電源頻率、RF電源連接件的位置以及其它方面都有可能有變化。舉例而言，所述晶片可以由基座支撐并由石英燈加熱。所述層和用于形成本發(fā)明的這種層的方法并不局限于任何特定的裝置或者局限于任何特定的等離子體激勵方法。圖2示出了依照本發(fā)明的氣體分配噴頭的一個實施例的下側的簡化平面圖。噴頭13的下表面上的氣體分配面板13a包括兩個不同的區(qū)域。第一個是中心區(qū)域200，其中第一組206孔13b構造成用于傳輸處理氣體從而在相應的晶片表面的中心區(qū)域之上形成一均勻厚度的層。圖2A示出了第一組206孔13b的排列的簡化示意圖，所述孔13b呈不共心定位并相對于基本圓形的面板13a的半徑r不對稱。這種孔排列方式保證了孔的最大密度并因此保證了通過其中流向所述晶片表面的氣體的最大密度。第二個是周邊區(qū)域，其中第二組208孔13c被構造成以一定的密度來傳輸處理氣體，從而在晶片邊緣區(qū)域之上形成相稱的均勻厚度的層。圖2B示出了孔13c的排列的簡化示意圖，孔13c呈共心定位并相對于基本圓形的面板13a的半徑r對稱。這種孔排列方式保證了流向所述晶片邊緣的氣流是均質的，并使在晶片邊緣區(qū)域的材料的形成呈現(xiàn)均勻的特性和性能。在一個特定的實施例中，所述第二組孔13c呈中心定向，其球圈(BC)為13.20″。球圈的尺寸可以改變，這取決于所述面板的尺寸和流需求(flow requirement)。依照本發(fā)明的實施例，雖然基本圓形的面板的總體尺寸保持不變，但是由于所述面板邊緣處的額外的共心孔行的存在，在處理的襯底上所進行的沉積就好像來自于更大直徑的面板。并且，所述面板周邊添加的孔使得所述室內(nèi)部的等離子體更加均勻。這種等離子體的均勻性接著又提高了產(chǎn)生的沉積的膜的性質方面的均勻性，例如它們的厚度、折射率(RI)以及介電常數(shù)(k)。所述第二組中的孔的尺寸與所述面板的其它部分中的孔的尺寸相比，可以相同或者不同。這種額外的、共心定位的孔行可以對流向所述晶片邊緣的工藝氣體進行重新分配。所述晶片邊緣上的沉積速率可以獨立控制。因此，可以獲得呈現(xiàn)優(yōu)良的從晶片中心到邊緣的均勻性的化學氣相沉積膜。圖3A示出了所述第一組的孔的簡化剖視圖，其裝置由圖2示出。依照本發(fā)明，這個特定的實施例包含五千一百三十個第一類型的孔。依照本發(fā)明的實施例，孔的數(shù)量不局限于此數(shù)字或者任何其它特定的數(shù)字。此第一組的孔13b具有直徑為0.150英寸(0.150″)的沉孔300，經(jīng)過一個直徑約0.016+/-0.0005″、長度為0.043″的縮頸或者孔口304后，引導至一直徑為0.045-0.048″的出口孔302。這些孔13b非共心定位，而是依照所述噴頭的X-Y平面內(nèi)形成的行定位。所述第一類型孔的數(shù)量和尺寸可以根據(jù)所述面板的尺寸和流需求進行調(diào)整。圖3B示出了第二組孔13c的簡化剖視圖，其裝置由圖2示出。參照本發(fā)明，這種特定的實施例包含二百四十個第二類型孔。此第二組孔13c顯示具有直徑為0.060″的沉孔306，經(jīng)過一個直徑約0.020+/-0.0005″、長度為0.043″的縮頸或者孔口310后，引導至一直徑為0.045-0.048″的出口孔308。所述第二類型孔的數(shù)量和尺寸可以根據(jù)所述面板的尺寸和流需求進行調(diào)整。如上所述，依照本發(fā)明的實施例，采用氣體分配噴頭/面板設計改進了對襯底邊緣處進行處理所形成的均勻性。下面的表1闡述了多個實例，其中，相比沒有第二組共心定位的孔口的常規(guī)面板，采用如圖2所示的面板實施例通過CVD沉積而得的材料，其特性的均勻性得到了改進。
表1CVD膜的中心到邊緣的均勻性 下面的表2和相應的圖4A-D對使用多個不同的面板設計沉積的BLOKTM含氮的阻擋層膜的均勻性特性改進提供了更多的細節(jié)。
表2 表2和圖4A-D示出非徑向定位的孔所覆蓋的區(qū)域的增加或擴充使厚度和折射率的均勻性得到了一些改進，如在常規(guī)的面板設計中添加徑向定位的孔得到的結果。所述面板設計結合了XY孔區(qū)域的擴展以及徑向定位孔的引入，從而使得沉積的膜的特性的均勻性得到最大的改進。圖5A示出了描述通過常規(guī)面板的模擬氣流的軸向速度的剖視圖，所述常規(guī)面板只包括第一組孔。圖5B示出了描述通過面板的一個實施例的模擬氣流的軸向速度，所述面板依照本發(fā)明特征在于具有第一和第二組孔。在此設計中，因為所述第二組孔的孔口(orifice)尺寸大于所述第一組孔的孔口尺寸，所述第二組孔的氣體傳導更大，并且速度更快。具體地，比較圖5A和5B，顯示從第二孔組流向晶片的邊緣區(qū)域的氣體的軸向速度大約是從第一孔組流向晶片的中心區(qū)域的氣體的軸向速度的兩倍。這些模擬結果顯示所述第二組孔給晶片的邊緣帶來額外的氣流，并因此使得氣流量可以通過所述第二組孔中的孔口的尺寸得到控制。進一步的針對氣體壓力的模擬顯示對于依照本發(fā)明特征為具有兩組孔的實施例，所觀察到的通過或穿過所述第一組孔的壓降非常接近于所觀察到的通過所述第二組孔的壓降。通過所述第一和第二組孔的這種壓降的均勻性有助于在晶片上建立穩(wěn)定的沉積條件。應該了解的是，在這里描述的本發(fā)明可以應用于使用噴頭來向襯底分配工藝氣體的任何襯底處理系統(tǒng)。這不僅包括CVD系統(tǒng)，還包括蝕刻和清洗系統(tǒng)，這里僅僅列出了少數(shù)實例。多種不同的氣體類型可以經(jīng)顯示有本發(fā)明特性的噴頭流出。依照本發(fā)明的實施例可以分配含氮或碳的工藝氣體，將其用于沉積含氮或含碳材料。依照本發(fā)明的實施例也可以分配包含氟或者其它高活性元素的氣體，將其用于從所述室內(nèi)的暴露表面上清洗殘留物。依照本發(fā)明的實施例不局限于以上所述的特定的面板設計。舉例而言，可以根據(jù)特定的應用需要來調(diào)整徑向定位的孔的尺寸、密度和數(shù)量。并且，依照本發(fā)明的其它實施例，氣體可以通過不同的路徑流入徑向對稱孔和徑向不對稱孔。以這種方式，氣體可以在不同的壓力下或者以不同的速度流入所述面板的中心區(qū)域和邊緣區(qū)域，從而使得操作者能夠實現(xiàn)對材料在襯底邊緣區(qū)域上的沉積進行更精確的控制。雖然這里顯示了和具體描述了包含本發(fā)明的思想和教導的各種實施例，所屬技術領域的技術人員還可以容易地想出包含這些教導的許多其它各種的實施例。舉例而言，雖然以上描述的具體實施例特征為在所述面板周邊上的單獨一行的共心定位的孔，但是本發(fā)明不局限于這種構造?？梢赃x擇的實施例可以使用多于一行的這樣的第二類型孔而依然在本發(fā)明的范圍之中。雖然以上是本發(fā)明的具體實施例的完整描述，然而還可以采用各種改造、變化和替換方式。這些等價的和可以選擇的方法包含于本發(fā)明的范圍之中。因此，本發(fā)明的范圍不局限于所描述的實施例，而是由所附權利要求和它們的等價物的全部范圍所限定。
權利要求
1.一種裝置，其包括圍繞處理室的壁；置于所述室中的晶片基座；與所述室流體連通的第一排氣管道；和通過基本圓形的氣體分配噴頭與所述室流體連通的處理氣體源，所述氣體分配噴頭包括置于中心噴頭區(qū)域并相對于所述噴頭半徑不對稱的第一組孔，和置于周邊噴頭區(qū)域并相對于所述半徑對稱的第二組孔。
2.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述氣體分配噴頭被設置用于傳輸氣體至襯底的表面，所述襯底的直徑為300mm，所述第一組孔的數(shù)量大約為5000個，以及所述第二組孔的數(shù)量大約為240個。
3.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述第一和第二組孔包括進氣孔，其通過孔口與出氣孔流體連通，所述孔口的寬度小于所述進氣孔和所述出氣孔。
4.根據(jù)權利要求3所述的裝置，其中所述第一組孔的孔口的直徑大約為0.016″，并且所述第二組孔的孔口的直徑大約為0.020″。
5.根據(jù)權利要求3所述的裝置，其中所述第二組孔以單行排列，其具有相對于晶片中心的球圈中心。
6.根據(jù)權利要求1所述的裝置，進一步包括引導氣體從氣體源流向所述第一組孔的第一氣體通道，和引導氣體從所述氣體源流向所述第二組孔的第二氣體通道。
7.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述第二組孔被設置用于使氣體流向晶片的邊緣部分，氣體具有的軸向速度是流經(jīng)所述第一組孔的氣體顯示的軸向速度的大約兩倍。
8.一種用來在半導體襯底上沉積材料的方法，所述方法包括使工藝氣體通過非徑向對稱的第一組孔流向襯底的中心部分，所述第一組孔位于基本圓形的氣體分配面板的中心部分；和使所述處理氣體通過徑向對稱的第二組孔流向所述襯底的邊緣部分，所述第二組孔位于所述基本圓形的氣體分配面板的周邊部分。
9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中所述處理氣體同時流經(jīng)所述第一和第二組孔。
10.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中所述處理氣體流向所述邊緣部分包括流動額外體積的處理氣體，其用于補償離開所述邊緣部分的氣流。
11.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中流動所述處理氣體引起固體材料在所述襯底上的沉積。
12.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中所述工藝氣體流經(jīng)所述第一和第二組孔，使得由所述沉積的材料顯示的厚度、折射率、和介電常數(shù)中的至少一個的均勻性得到改進。
13.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中所述第二組孔被設置使得氣體流向晶片的邊緣部分，所述氣體具有的軸向速度是流經(jīng)所述第一組孔的氣體顯示的軸向速度的大約兩倍。
14.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中流動所述處理氣體的包括流動含碳的處理氣體，以實現(xiàn)含碳材料的沉積。
15.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中流動所述處理氣體實現(xiàn)了含碳的氧化硅低K介電層的沉積，所述介電層顯示的厚度均勻性為1.5％或者更小。
16.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中流動所述處理氣體包括流動含氮的處理氣體，以實現(xiàn)含氮材料的沉積。
17.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中流動所述處理氣體實現(xiàn)了含氮的氧化硅阻擋層的沉積，所述阻擋層顯示的折射率的變化范圍是0.02或者更小。
18.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中流動所述處理氣體包括流動含氟的處理氣體。
19.一種圓形的氣體分配噴頭，包括面板，其形成有第一組孔和第二組孔，所述第一組孔位于中心區(qū)域并相對于所述面板的半徑不對稱，所述第二組孔位于周邊區(qū)域并相對于所述半徑對稱。
20.根據(jù)權利要求19所述的圓形的噴頭，其中所述第一和第二組孔包括進氣口，其通過孔口與出氣口流體連通，所述孔口的寬度小于所述進氣口和所述出氣口。
21.根據(jù)權利要求20所述的噴頭，其中所述第一組孔的孔口的直徑小于所述第二組孔的孔口的直徑。
全文摘要
依照本發(fā)明的實施例涉及在工件表面上分配處理氣體的裝置和方法。依照本發(fā)明的一個實施例，工藝氣體通過形成有多個孔的基本圓形的氣體分配噴頭流向半導體晶片的表面。位于面板中心的第一組孔以不共心的方式排列且不呈徑向對稱。這種不對稱排列使得孔和其中分配的氣體達到最大密度。為了補償所述晶片的邊緣對從所述第一孔組流出的氣體的不均勻暴露，所述面板周邊形成第二組孔，所述第二組孔共心排列并呈徑向對稱。用流經(jīng)所述第一和第二組孔的氣體對襯底進行處理引起膜的形成，所述膜在從中心到邊緣區(qū)域的均勻性得到改進。
文檔編號C23C16/00GK1902732SQ200480040349
公開日2007年1月24日 申請日期2004年12月14日 優(yōu)先權日2003年12月15日
發(fā)明者M·趙, L·崔, J·C·羅查-阿爾瓦雷斯, T·K·丘 申請人:應用材料有限公司