專利名稱：蒸鍍掩模及制法、顯示裝置及制法以及具有其的電子機器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種蒸鍍掩模及其制造方法、電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法、具有電致發(fā)光顯示裝置的電子機器，該蒸鍍掩模是在形成電致發(fā)光顯示裝置等的空穴輸送層、發(fā)光層等薄膜時所使用的；更詳細(xì)地說、本發(fā)明主要是與用于制造有機電致發(fā)光(下面，稱為有機EL)顯示裝置的蒸鍍掩模等有關(guān)的。
背景技術(shù)：
以往的有機EL顯示裝置多是在電阻加熱式真空蒸鍍裝置中、將有機材料進(jìn)行真空蒸鍍而作成的。特別是全色的有機EL顯示裝置，由于必需高精度地制造細(xì)微的RGB(紅、綠、藍(lán))的發(fā)光元件，因而是用金屬掩模等、將RGB等各個像素不同的有機物質(zhì)，有選擇地在要求的位置上形成薄膜的掩模蒸鍍方法制造。而且、由于在制造高精細(xì)全色的有機EL顯示裝置時，必需使蒸鍍掩模高精細(xì)，必需較薄、高精度地制造蒸鍍掩模，因而用電鑄法形成蒸鍍掩模。
但是，隨著有機EL顯示裝置向高精細(xì)進(jìn)展，由于以往的由金屬掩模與玻璃等構(gòu)成的被蒸鍍基板之間熱膨脹系數(shù)相差較大，因而由熱形成的偏差就不能忽視。特別是在想使用大型的被蒸鍍基板、由此增加每1張被蒸鍍基板的取出個數(shù)時，由熱引起的偏差問題就顯著地呈現(xiàn)出來。
為了解決上述的問題，以往的蒸鍍掩模是由熱膨脹系數(shù)比玻璃小的硅基板制造蒸鍍掩模(例如、參照專利文獻(xiàn)1)。
由于以往的蒸鍍掩模是從大型的被蒸鍍基板制造多個有機EL顯示裝置，因而具有這樣的結(jié)構(gòu)，即、將1個份的由硅基板作成的有機EL顯示裝置的多張第2基板(掩模薄片)粘貼在具有開口部的、由硼硅玻璃構(gòu)成的第1基板(掩模支持體)上的結(jié)構(gòu)(例如、參照專利文獻(xiàn)2)。形成這樣的結(jié)構(gòu)是由于硅基板只能制成最大直徑為300mm左右的圓盤狀，因而不能只用硅基板制造大型的被蒸鍍基板用的蒸鍍掩模的原故。而且，由于用熱膨脹系數(shù)與硅基板接近的硼硅玻璃作成第1基板，因而就降低了蒸鍍掩模的撓曲。
專利文獻(xiàn)1特開2001-185350號公報(圖1)專利文獻(xiàn)2特開2003-100460號公報(圖1、圖4)但是，在以往的蒸鍍掩模(例如、參照專利文獻(xiàn)2)制造過程中，在將由硅基板構(gòu)成的第2基板與由硼硅玻璃構(gòu)成的第1基板接合時，必需每接合1片第2基板、進(jìn)行對準(zhǔn)(位置對準(zhǔn))，有加工精度的要求，要花費較多的加工時間，因而存在使成本增高的問題。
另外，由于在第2基板上，預(yù)先形成與像素圖案相對應(yīng)的開口部，因而在將第2基板與第1基板接合時，一旦位置偏移，就會有像素圖案偏移的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題而作出的，其目的是提供一種能對大型的被蒸鍍基板進(jìn)行蒸鍍的高精度蒸鍍掩模、和能容易而且低成本地制造該蒸鍍掩模的制造方法。還提供一種具有用上述蒸鍍掩模形成的空穴輸送層等電致發(fā)光層的電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法；提供一種具有電致發(fā)光顯示裝置的電子機器。
為了達(dá)到上述目的而作出的本發(fā)明蒸鍍掩模，是將由1片或多片單晶硅基板形成的掩模薄片與掩模支持體接合而構(gòu)成，其特征在于，上述掩模薄片是接合在上述掩模支持體的所定位置上、它的朝向是被接合成使上述單晶硅基板的結(jié)晶方向與所定的方向一致的；上述掩模薄片是在上述單晶硅基板上形成開口部而構(gòu)成的。
由于將單晶硅基板與由硼硅玻璃等構(gòu)成的掩模支持體接合、在其接合后的單晶硅基板上形成與像素圖案相對應(yīng)的開口部，因而在將單晶硅基板接合時不要求高的位置精度，能容易地制造蒸鍍掩模。又因為在將單晶硅基板與掩模支持體接合之后形成開口部，所以具有高精度的像素圖案的開口部。而且，由于在將多片單晶硅基板與掩模支持體接合的情況下、可以在大型的被蒸鍍基板上進(jìn)行蒸鍍，因而能夠1次制造多個電致發(fā)光顯示裝置。
本發(fā)明的蒸鍍掩模，是在使上述單晶硅基板的結(jié)晶方向與所定的方向一致地、將該單晶硅基板接合在上述掩模支持體的所定位置上之前，將蝕刻掩模形成在上述單晶硅基板上的。
由于在將單晶硅基板與掩模支持體接合之前，在單晶硅基板上形成蝕刻掩模，因而可以防止由硼硅玻璃等構(gòu)成的掩模支持體由熱氧化等因素而引起的撓曲。
本發(fā)明的蒸鍍掩模，其中的掩模支持體是由硼硅玻璃構(gòu)成；是用陽極接合工藝、將單晶硅基板與掩模支持體接合的。
由于用陽極接合工藝將單晶硅基板與由硼硅玻璃構(gòu)成的掩模支持體接合，因而不必使用粘接劑，而且可以消除使用粘接劑時產(chǎn)生的撓曲。
本發(fā)明的蒸鍍掩模，上述掩模薄片是表面上具有由碳和氟元素構(gòu)成的薄膜。
由于掩模薄片是表面上具有由碳和氟元素構(gòu)成的薄膜，因而在蒸鍍時就能容易地與被蒸鍍基板接合或從其上卸下。
本發(fā)明的蒸鍍掩模的制造方法，是將在1片或多片單晶硅基板形成的掩模薄片與掩模支持體接合而構(gòu)成蒸鍍掩模的，在進(jìn)行使單晶硅基板的結(jié)晶方向與所定的方向一致地、將該單晶硅基板與上述掩模支持體的所定位置相接合的工序?qū)嵤┲?，實施在單晶硅基板上形成開口部而作成掩模薄片的工序。
由于先將單晶硅基板與由硼硅玻璃等構(gòu)成的掩模支持體接合，在此工序之后，在單晶硅基板上形成與像素圖案相對應(yīng)的開口部，因而在將單晶硅基板接合時，不要求高的位置精度，可以容易地制造蒸鍍掩模。另外，由于在將單晶硅基板與掩模支持體接合之后形成開口部，因而可以形成高精度的像素圖案相對應(yīng)的開口部。而且，在將多張單晶硅基板與掩模支持體接合時，可以得到可以在大型的被蒸鍍基板上實施蒸鍍的蒸鍍掩模，就能夠1次制造多個電致發(fā)光顯示裝置。
本發(fā)明的蒸鍍掩模的制造方法，在使該單晶硅基板的結(jié)晶方向與所定的方向一致地、將單晶硅基板與上述掩模支持體的所定位置接合的工序中，用至少1邊為直線狀的基準(zhǔn)構(gòu)件使單晶硅基板的結(jié)晶方向與所定的方向一致。
在將單晶硅基板與掩模支持體接合的工序中，通過用至少1邊為直線狀的基準(zhǔn)構(gòu)件、使單晶硅基板的結(jié)晶方向一致，可以1次就能將排列成1列的單晶硅基板接合。另外，通過使用這個基準(zhǔn)構(gòu)件，可以高精度地使單晶硅基板的結(jié)晶方向一致。
本發(fā)明的蒸鍍掩模制造方法，在實施使單晶硅基板的結(jié)晶方向與所定的方向一致地、將該單晶硅基板與掩模支持體的所定位置接合的工序之前，在單晶硅基板上形成蝕刻掩模。
由于在使單晶硅基板與掩模支持體接合之前，在單晶硅基板上形成蝕刻掩模，因而可以防止由硼硅玻璃等構(gòu)成的掩模支持體由熱氧化等因素而撓曲。
本發(fā)明的蒸鍍掩模制造方法，在掩模支持體是硼硅玻璃的情況下，用陽極接合工藝、將單晶硅基板與掩模支持體接合。
通過陽極接合工藝將單晶硅基板與由硼硅玻璃構(gòu)成的掩模支持體接合，就不必使用粘接劑，而且可以消除使用粘接劑時產(chǎn)生的撓曲。
本發(fā)明的蒸鍍掩模的制造方法，用劈開工藝、從單晶硅晶片切斷而形成單晶硅基板。
通過利用劈開工藝、從單晶硅晶片切出單晶硅基板，可以容易地得到結(jié)晶方向一致的單晶硅基板。
本發(fā)明的蒸鍍掩模的制造方法，在碳和氟元素的混合氣體的等離子體氣氛中，在掩模薄片的表面上形成由碳和氟元素構(gòu)成的薄膜。
由于在掩模薄片的薄膜上形成由碳和氟元素構(gòu)成的薄膜，因而在用由這個蒸鍍掩模的制造方法得到的蒸鍍掩模進(jìn)行蒸鍍時，能容易地與被蒸鍍基板接合或從其上卸下。
本發(fā)明的電致發(fā)光顯示裝置，具有用上述的任意一個蒸鍍掩模而形成的空穴注入層、發(fā)光層和電子輸送層。
由于上述蒸鍍掩模是具有與高精度的像素圖案相對應(yīng)的開口部，因而使用這些蒸鍍掩模而形成的空穴注入層、發(fā)光層和電致輸送層等構(gòu)成的電子發(fā)光層是高精度的，而且，具有這個電致發(fā)光層的電致發(fā)光顯示裝置也是高圖像質(zhì)量的。
本發(fā)明的電致發(fā)光顯示裝置，具有用上述的任意一個蒸鍍掩模而形成的電子注入層、發(fā)光層和空穴輸送層。
由于上述蒸鍍掩模是具有與高精度的像素圖案相對應(yīng)的開口部，因而使用這些蒸鍍掩模而形成的電子注入層、發(fā)光層和空穴輸送層等構(gòu)成的電致發(fā)光層是高精度的，而且，具有這個電致發(fā)光層的電致發(fā)光顯示裝置也是高圖像質(zhì)量的。
本發(fā)明電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，將上述的任意一個蒸鍍掩模配置在被蒸鍍基板的所定位置上而形成空穴注入層、發(fā)光層和電子輸送層。
用上述的蒸鍍掩模就能1次制造多個電致發(fā)光顯示裝置，而且可以得到高圖像質(zhì)量的電致發(fā)光顯示裝置。
本發(fā)明電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，將上述的任意一個蒸鍍掩模配置在被蒸鍍基板的所定位置上而形成電子注入層、發(fā)光層和空穴輸送層。
用上述的蒸鍍掩模就能1次制造多個電致發(fā)光顯示裝置，而且可以得到圖像質(zhì)量高的電致發(fā)光顯示裝置。
設(shè)有本發(fā)明電致發(fā)光顯示裝置的電子機器，具備電致發(fā)光顯示裝置，該電致發(fā)光顯示裝置是具有用上述任意一個蒸鍍掩模而形成的空穴注入層、發(fā)光層等。
使用上述的蒸鍍掩模而形成的空穴注入層、發(fā)光層等電致發(fā)光層是高精度的，并設(shè)有該電致發(fā)光層的電致發(fā)光顯示裝置是高圖像質(zhì)量的顯示裝置。


圖1(A)是表示本發(fā)明第1實施方式的蒸鍍掩模的頂視圖、圖1(B)是該蒸鍍掩模的橫向截面圖。
圖2是表示圖1所示的蒸鍍掩模的掩模支持體的的圖。
圖3是表示圖1所示的蒸鍍掩模的掩模薄片的的圖。
圖4是表示用切出工藝形成單晶硅基板的工序的圖。
圖5表示將單晶硅基板與掩模支持體相接合的工序的圖。
圖6是表示形成蒸鍍掩模的制造工序的截面放大圖。
圖7是表示實施方式2的蒸鍍掩模的制造工序的截面放大圖。
圖8是電致發(fā)光顯示裝置的像素的縱向截面圖。
圖9是形成電致發(fā)光層時的局部截面圖。
圖10(A)(B)是表示本發(fā)明第4實施方式的電子機器的一例子的圖。圖中，1掩模支持體、2掩模薄片、2a單晶硅基板、3開口部、4開口部、5對準(zhǔn)標(biāo)記、10單晶硅晶片、11取向平面、12基準(zhǔn)構(gòu)件、14紫外線固化粘接劑、15氧化硅膜、21圖案、22凹部、30玻璃基板、31TFT配線、32平坦化絕緣膜、33ITO層、34氧化硅層、35空穴輸送層、36發(fā)光層、37電子注入層、38ITO層、39透明密封膜、40蒸鍍掩模、51紅色像素的電致發(fā)光層、52綠色像素的電致發(fā)光層、53藍(lán)色像素的電致發(fā)光層。
具體實施例方式
圖1是表示本發(fā)明第1實施方式的蒸鍍掩模的圖。圖1(A)是該蒸鍍掩模的頂視圖、圖1(B)是該蒸鍍掩模的橫向截面圖。本實施方式1的蒸鍍掩模的結(jié)構(gòu)是將多片由單晶硅基板構(gòu)成的掩模薄片2與由硼硅玻璃構(gòu)成的掩模支持體1的上面相接合(圖1(A)中表示6片掩模薄片)。在掩模支持體1上設(shè)有多個開口部3，掩模薄片2以覆蓋開口部3的狀態(tài)接合著。在掩模薄片2上設(shè)置著多個與像素相對應(yīng)的開口部4。該開口部4的一個的縱橫尺寸是幾十μm左右，在蒸鍍到被蒸鍍基板上時、是能一下子將一種顏色份的所有像素都蒸鍍上。這種電致發(fā)光層的蒸鍍方法在下面將詳細(xì)說明。而且、還在掩模支持體1上形成有凸?fàn)畹膶?zhǔn)標(biāo)記5，以用于在蒸鍍時、與被蒸鍍基板對準(zhǔn)(位置方向?qū)?zhǔn))。該凸?fàn)畹膶?zhǔn)標(biāo)記5也可以形成凹狀或貫通的孔。
雖然在本實施方式1中，用硼硅玻璃作成掩模支持體1，但也可以用硅基板等作成掩模支持體1。而且，與掩模支持體1相接合的掩模薄片2也可以不是多片、而是1片。
圖2是表示圖1所示蒸鍍掩模的掩模支持體1的圖，圖3是表示圖1所示蒸鍍掩模的掩模薄片2的圖。如圖2所示，在掩模支持體1上設(shè)有多個開口部3，在它的上表面設(shè)有對準(zhǔn)標(biāo)記5。該開口部3是譬如將微小的砂粒形成噴射的束流與硼硅玻璃基板相碰而形成。而對準(zhǔn)標(biāo)記5是在硼硅玻璃基板上、用陰極真空噴鍍工藝將金·鉻等形成膜、用照相平板印刷術(shù)形成圖案，也可用蝕刻工藝形成。如圖3所示，在掩模薄片2上設(shè)置著多個開口部4，將掩模支持體1與掩模薄片2進(jìn)行接合時，接合成使開口部4位于開口部3的上方。
最好、掩模支持體1是用熱膨脹系數(shù)與硅接近的或相等的材料作成。這是因為在蒸鍍電致發(fā)光層時、就不會在掩模支持體1和掩模薄片2的接合部分產(chǎn)生由熱應(yīng)力而引起的變形。譬如，硼硅玻璃中的派熱克斯(Pyrexglass注冊商標(biāo))#7740(康寧公司制造)熱膨脹系數(shù)是3.25×10-6/℃，由于該熱膨脹系數(shù)與硅的熱膨脹系數(shù)3.5×10-6/℃非常接近，因而上述的硼硅玻璃適于作成掩模支持體1。
圖4是表示用切出工藝、作成由單晶硅晶片構(gòu)成的掩模薄片2的單晶硅基板的工序的圖。譬如，先準(zhǔn)備表面的結(jié)晶方位是(100)、設(shè)有2個取向平面11的單晶硅晶片10。這里，單晶硅晶片10是(100)方位的，2個取向平面11是在(110)方位、沿著相互垂直的方向而形成。在單晶硅晶片10上，用預(yù)熱氧化工藝、全面地形成作為蝕刻掩模的氧化硅薄膜。接著，沿著與這2個取向平面11平行的線、用切片鋸將其切斷，切出矩形的單晶硅基板2a。這時也可以不用切片鋸切斷的方法、利用劈開工藝、從單晶硅晶片10切斷成單晶硅基板2a。在用劈開工藝、切斷單晶硅晶片10時，最好、預(yù)先沿著切斷的線形成細(xì)的槽溝。該單晶硅基板2a也可以不作成矩形的形狀，只要將它各邊中的至少1邊作成直線狀就可以。而且、也可以在切出單晶硅基板2a之后形成氧化硅薄膜，也可以用CVD(ChemicalVapor Deposition)裝置形成氮化硅等薄膜。
圖5是表示把由圖4所示工序作成的單晶硅基板2a與掩模支持體1進(jìn)行接合的工序的頂視圖。另外，在將單晶硅基板2a與掩模支持體1接合的階段，與各個像素相對應(yīng)的開口部4還沒有形成。在圖5所示的工序中，將單晶硅基板2a與預(yù)先形成開口部3和對準(zhǔn)標(biāo)記5的掩模支持體1的上面相接合。這時，用至少1邊為直線狀的基準(zhǔn)構(gòu)件12使單晶硅基板2a的結(jié)晶方向一致。所謂使結(jié)晶方向一致是指與基準(zhǔn)構(gòu)件12與對準(zhǔn)標(biāo)記5的方向相比照，將圖4所示工序中已切斷的單晶硅基板2a的1邊設(shè)定成沿著基準(zhǔn)構(gòu)件的程度就可以(參照圖5)。這樣，就能借助于基準(zhǔn)構(gòu)件12的1次對準(zhǔn)(位置方向的比照)，如圖5所示地可以將1列平行排列的單晶硅基板2a接合上。這里，基準(zhǔn)構(gòu)件12的對準(zhǔn)是1列1列地進(jìn)行的。在本實施方式1中，該單晶硅基板2a與掩模支持體1的接合是用紫外線固化粘接劑進(jìn)行的。由于是在單晶硅基板2a與掩模支持體1接合之后、如下所示地進(jìn)行與各個像素對應(yīng)的開口部4的加工，因而單晶硅基板2a的位置精度沒有什么高的要求。
圖6是表示將圖5所示工序中接合上單晶硅基板2a的掩模支持體1加工而作成蒸鍍掩模的制造工序的放大截面圖。圖6是表示1片單晶硅基板2a和它的周邊的掩模支持體1。先準(zhǔn)備1片在圖5所示工序?qū)尉Ч杌?a接合上的掩模支持體1(圖6(a))。其中，單晶硅基板2a的兩面上都形成有氧化硅薄膜15，用紫外線固化粘接劑14將單晶硅基板2a與掩模支持體1接合。接著，將單晶硅基板2a下面的氧化硅薄膜20除去，在單晶硅基板2a上面的氧化硅薄膜15上、用照相平板印刷術(shù)形成與像素圖案(開口部4)相對應(yīng)形狀的圖案，用氟酸對這部分氧化硅薄膜進(jìn)行一半蝕刻、形成圖案21(圖6(b))。這里，在進(jìn)行照相印刷術(shù)之后，對單晶硅基板2a下面的氧化硅薄膜20、進(jìn)行由CF3形成的干燥蝕刻而有選擇地將其除去。
接著，將接合著單晶硅基板2a的掩模支持體1浸入到TMAH(四甲基氫氧化物)水溶液中，對單晶硅基板2a的下面?zhèn)冗M(jìn)行各向異性蝕刻而形成凹部22。此后、將接合了單晶硅基板2a的掩模支持體1浸入到氟酸水溶液中，對單晶硅基板2a上面的氧化硅薄膜15進(jìn)行全面的蝕刻，直到圖案21部分的氧化硅薄膜消除為止(圖6(c))。
接著，對應(yīng)于圖案部分21進(jìn)行YAG激光照射，形成開口部4(圖6(d))。這里，氧化硅薄膜15成為蝕刻掩模，只有硅被蝕刻、在單晶硅基板2a上形成開口部4。
此后，將接合了單晶硅基板2a的掩模支持體1浸入到氫氧化鉀水溶液等液體中，進(jìn)行各向異性蝕刻(圖6(e))。由此，將單晶硅基板2a的開口部4周邊的硅蝕刻成尖的狀態(tài)。這樣進(jìn)行是為了在蒸鍍時、能使蒸鍍物從較大角度的開口部4進(jìn)入。
最后，進(jìn)行由CF3氣體形成的干蝕刻，將單晶硅基板2a上面的氧化硅薄膜15除去，完成蒸鍍掩模(圖6(f))。
另外，在圖6(f)的工序中，也可以用稀氟酸水溶液除去氧化硅薄膜15。
雖然在圖6(f)的工序中大致完成了蒸鍍掩模，但也可以在該蒸鍍掩模上面再形成由碳和氟元素構(gòu)成的薄膜。這是所謂的特弗隆(注冊商標(biāo))膜，就能在蒸鍍時、蒸鍍掩模與被蒸鍍基板之間容易蒸鍍或卸下。為了形成由碳和氟元素構(gòu)成的薄膜，也可以在碳和氟元素的混合氣體的等離子體氣氛中、在整個蒸鍍掩模上形成薄膜。
由于在本實施方式1中，將單晶硅基板2a與硼硅玻璃構(gòu)成的掩模支持體1接合，此后、在單晶硅基板2a上形成與像素相對應(yīng)的開口部4，因而在將單晶硅基板2a接合時，不要求高的位置精度，可以容易地制造蒸鍍掩模。還由于將單晶硅基板2a與掩模支持體1接合之后、形成開口部4，因而可以形成與高精度的像素圖案相對應(yīng)的開口部4。此外，由于將多張單晶硅基板2a與掩模支持體1接合，因而可以對大型的被蒸鍍基板進(jìn)行蒸鍍；能夠1次制造多個電致發(fā)光的顯示裝置。
而且，在將單晶硅基板2a與掩模支持體1相接合的工序中，通過用至少有1邊是直線狀的基準(zhǔn)構(gòu)件12、使單晶硅基板2a的結(jié)晶方向一致，因而1道工序就可以將排列成1列的單晶硅基板2a接合上。而且通過使用該基準(zhǔn)構(gòu)件12，因而可以使單晶硅基板2a的結(jié)晶方向高精度地一致。
實施方式2圖7是表示本實施方式2的蒸鍍掩模的制造工序的放大截面圖。
圖7中表示1片單晶硅基板2b和它的周邊的掩模支持體1。本實施方式2的蒸鍍掩模、除了特別表示的部分以外，其余都是與圖1所示的實施方式1的蒸鍍掩模同樣的，與實施方式1同樣的構(gòu)件使用相同的符號。
首先，在如圖4所示的結(jié)晶方位是(100)方位的單晶硅晶片10的上面、用濺射工藝、形成金·鉻薄膜15a。這時，最好先形成與硅有密接力的鉻的薄膜，然后在其上形成具有優(yōu)良耐藥品性能的金的薄膜。接著，與實施方式1同樣地切出單晶硅基板2b，用陽極接合工藝、將其與由硼硅玻璃構(gòu)成的掩模支持體1接合(如圖7(a))。該陽極接合可以如下所述地進(jìn)行，即、使單晶硅基板2b與掩模支持體1的接合面彼此對準(zhǔn)地配置，與實施方式1同樣地使結(jié)晶方向一致，加熱到300～500℃，在施加500V左右的電壓下進(jìn)行。
接著，在金·鉻薄膜15a上、形成與像素圖案(開口部4)相對應(yīng)形狀的圖案，使用對金·鉻起作用的蝕刻液體、進(jìn)行一半蝕刻而形成圖案21a(如圖7(b))。
此后，用TMAH水溶液對單晶硅基板2b的下面進(jìn)行各向異性的蝕刻、形成凹部22a，將接合了單晶硅基板2b的掩模支持體1浸入到金·鉻起作用的蝕刻液體中，對整個金·鉻薄膜15a進(jìn)行全面蝕刻，直到殘存在圖案21a部分上的金·鉻薄膜消除為止(如圖7(c))。
接著，與實施方式1同樣地照射YAG激光，在單晶硅基板2b上形成開口部4(如圖7(d))。最后，用氫氧化鉀等水溶液對接合有單晶硅基板2b的掩模支持體1進(jìn)行蝕刻，將單晶硅基板2b的開口部4周邊的硅蝕刻成尖的形狀而完成蒸鍍掩模(如圖7(e))。
也可以在圖7(e)所示的工序中，由蝕刻工藝將殘存的金·鉻薄膜消除。
在本實施方式2中，通過將單晶硅基板2b與硼硅玻璃構(gòu)成的掩模支持體1進(jìn)行陽極接合，因而不要粘接劑，而且可以不產(chǎn)生使用粘接劑時所發(fā)生的撓曲。而且，由于沒有使用粘接劑，因而在蒸鍍時不會發(fā)生氣體，可以制造適于高真空蒸鍍的蒸鍍掩模。
實施方式3圖8是表示本實施方式3的電致發(fā)光顯示裝置的1個像素的縱向截面圖。本實施方式3是將有機EL顯示裝置作為電致發(fā)光顯示裝置的一個例子而進(jìn)行說明的。
圖8所示的有機EL顯示裝置是在由無堿玻璃等構(gòu)成的玻璃基板30上形成有TFT配線31、平坦化絕緣膜32和ITO層33。ITO(Indium Tin Oxide)的作用是用于使電流流向像素的陽極。氧化硅層34被堆積在像素周圍的不發(fā)光部分上。作為電致發(fā)光層的空穴輸送層35、發(fā)光層36和電子注入層37由有機EL材料構(gòu)成、通過真空蒸鍍等工藝形成。在其上、形成有構(gòu)成陰極的ITO層38、透明密封膜39。實施方式1和實施方式2的蒸鍍掩模主要是在形成電致發(fā)光層時被使用，此外、在用真空噴鍍工藝形成ITO層33時、還可以用作噴濺掩模。電致發(fā)光層除了空穴輸送層35、發(fā)光層36和電子注入層37以外，也可包含設(shè)置空穴注入層等情況。也可以替代空穴輸送層35、發(fā)光層36和電子注入層37，將電子輸送層、發(fā)光層和空穴注入層作成電致發(fā)光層。
圖9是用實施方式1或?qū)嵤┓绞?的蒸鍍掩模形成電致發(fā)光層時的部分截面圖。先將蒸鍍掩模40(在圖9中、只表示開口部4周邊的部分)的開口部4和預(yù)先形成ITO層33等的玻璃基板30的紅色像素的位置對準(zhǔn)，用真空蒸鍍工藝形成紅色像素的電致發(fā)光層51(如圖9(a))。接著，使蒸鍍掩模40的位置偏移，與玻璃基板30的綠色像素的位置對準(zhǔn)、形成綠色像素的電致發(fā)光層52(如圖9(b))。同樣，形成藍(lán)色像素的電致發(fā)光層53(如圖9(c))。
由于本實施方式3是使用實施方式1或?qū)嵤┓绞?的蒸鍍掩模而形成電致發(fā)光層，因而電致發(fā)光層是高精度的、而且可以得到高圖像質(zhì)量的電致發(fā)光顯示裝置。
實施方式4圖10是表示本發(fā)明實施方式4的電子機器的一個例子的圖。圖10(A)是將本發(fā)明的電致發(fā)光顯示裝置用作攜帶式電話的顯示面板的情況，圖10(B)是將本發(fā)明的電致發(fā)光顯示裝置用于個人計算機的顯示屏的情況。此外，本發(fā)明的電致發(fā)光顯示裝置還可以用于游戲機或數(shù)碼相機的顯示屏。
權(quán)利要求
1.一種蒸鍍掩模，是將以1片或多片單晶硅基板形成的掩模薄片與掩模支持體接合之結(jié)構(gòu)的蒸鍍掩模，其特征在于，上述掩模薄片是接合在上述掩模支持體的所定位置上，掩模薄片的朝向是被接合成使上述單晶硅基板的結(jié)晶方向與所定的方向一致，上述掩模薄片是在上述單晶硅基板上形成開口部而構(gòu)成的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍掩模，其特征在于，在使上述單晶硅基板的結(jié)晶方向與所定的方向一致地、將該單晶硅基板接合在上述掩模支持體的所定位置上之前，將蝕刻掩模形成在上述單晶硅基板上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蒸鍍掩模，其特征在于，上述掩模支持體是由硼硅玻璃構(gòu)成；是用陽極接合工藝、將上述單晶硅基板與上述掩模支持體進(jìn)行接合的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項所述的蒸鍍掩模，其特征在于，上述掩模薄片是表面上具有由碳和氟元素構(gòu)成的薄膜。
5.一種蒸鍍掩模的制造方法，是將以1片或多片單晶硅基板形成的掩模薄片與掩模支持體接合之結(jié)構(gòu)的蒸鍍掩模的制造方法，其特征在于，在使上述單晶硅基板的結(jié)晶方向與所定的方向一致地、將該單晶硅基板與上述掩模支持體的所定位置相接合的工序?qū)嵤┲?，實施在上述單晶硅基板上形成開口部而作成上述掩模薄片的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蒸鍍掩模制造方法，其特征在于，在使上述單晶硅基板的結(jié)晶方向與所定的方向一致地、將該單晶硅基板與上述掩模支持體的所定位置接合的工序中，用至少1邊為直線狀的基準(zhǔn)構(gòu)件使上述單晶硅基板的結(jié)晶方向與所定的方向一致。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的蒸鍍掩模制造方法，其特征在于，在使上述單晶硅基板的結(jié)晶方向與所定的方向一致地、將該單晶硅基板與上述掩模支持體的所定位置接合的工序?qū)嵤┲?，在上述單晶硅基板上形成蝕刻掩模。
8.根據(jù)權(quán)利要求5～7中任意一項所述的蒸鍍掩模制造方法，其特征在于，在上述掩模支持體是硼硅玻璃的情況下，用陽極接合工藝、將上述單晶硅基板與上述掩模支持體進(jìn)行接合。
9.根據(jù)權(quán)利要求5～8中任意一項所述的蒸鍍掩模制造方法，其特征在于，用劈開工藝、從單晶硅晶片切斷而作成上述單晶硅基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求5～9中任意一項所述的蒸鍍掩模制造方法，其特征在于，在碳和氟元素的混合氣體的等離子體氣氛中，在上述掩模薄片的表面上形成由碳和氟元素構(gòu)成的薄膜。
11.一種電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，具有使用權(quán)利要求1～4中任意一項所述的蒸鍍掩模而形成的空穴注入層、發(fā)光層和電子輸送層。
12.一種電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，具有使用權(quán)利要求1～4中任意一項所述的蒸鍍掩模而形成的電子注入層、發(fā)光層和空穴輸送層。
13.一種電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，將權(quán)利要求1～4中任意一項所述的蒸鍍掩模配置在被蒸鍍基板的所定位置上而形成空穴注入層、發(fā)光層和電子輸送層。
14.一種電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，將權(quán)利要求1～4中任意一項所述的蒸鍍掩模配置在被蒸鍍基板的所定位置上而形成電子注入層、發(fā)光層和空穴輸送層。
15.一種電子機器，其特征在于，具有權(quán)利要求11或12所述的電致發(fā)光顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種蒸鍍掩模，其結(jié)構(gòu)是將以1片或多片單晶硅基板形成的掩模薄片與掩模支持體接合的；掩模薄片是接合在掩模支持體的所定位置上，它的朝向是被接合成使單晶硅基板的結(jié)晶方向與所定的方向一致；掩模薄片是在單晶硅基板上形成開口部而構(gòu)成的。
文檔編號C23C14/04GK1578563SQ20041007162
公開日2005年2月9日 申請日期2004年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月22日
發(fā)明者桑原貴之, 四谷真一 申請人:精工愛普生株式會社