專利名稱：用以形成薄膜的可在基片和防鍍片之間改變距離的噴鍍?cè)O(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及噴鍍?cè)O(shè)備，更具體地說(shuō)，涉及用以在液晶顯示裝置、半導(dǎo)體、磁光記錄盤、磁記錄盤等上面形成薄膜的可改變基片和防鍍片之間距離的噴鍍?cè)O(shè)備。
背景技術(shù)：
噴鍍?cè)O(shè)備一般用以制造液晶顯示裝置、半導(dǎo)體、磁光錄盤、磁錄盤等。用于大量生產(chǎn)的噴鍍?cè)O(shè)備包括兩種設(shè)備，就是，用以連同夾具傳送基片的串聯(lián)式噴鍍?cè)O(shè)備和只是傳送基片的簇形工具式噴鍍?cè)O(shè)備。
在串聯(lián)式噴鍍?cè)O(shè)備中，很多操作室如裝料室、卸料室和成膜室作直線形或成U形順序排列?；蓨A具夾持。很多基片夾具穿過(guò)平行于基片表面的操作室以便接連地在各基片上形成薄膜。
在這種設(shè)備中，一般將很多基片夾持在一個(gè)基片夾具上，再移動(dòng)基片夾具而進(jìn)行傳送。在成膜室內(nèi)設(shè)有用以遮蓋部分基片的防鍍片和設(shè)備的機(jī)械部分以便在規(guī)定部分以外的基片上和在真空容器內(nèi)不致鍍上不必要的薄膜。
因此，與只是傳送基片相比，基片的傳送比較容易，而且基片是在高速下傳送的。這樣，串聯(lián)式噴鍍?cè)O(shè)備具有很高的生產(chǎn)率。但在傳送基片時(shí)必須在基片和防鍍片之間或基片夾具和防鍍片之間留出較大的間隙以免接觸。由于間隙很大，就在基片夾具和真空容器內(nèi)鍍上不必要的薄膜。在存在這種不必要的薄膜而銳落時(shí)，基片就受到沾染而降低了鍍膜的質(zhì)量。此外，為防止在用以移動(dòng)基片夾具的基片夾具驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)上鍍上薄膜，就須設(shè)置大量不同的防鍍片，還須經(jīng)常更換、清洗這些防鍍片。這樣，維護(hù)工作就變得很困難。
另一方面，在簇形工具式噴鍍?cè)O(shè)備中，在設(shè)備中央設(shè)置中心室，其中裝有在真空中操作的自動(dòng)機(jī)，在中心室的周圍設(shè)有若干操作室如成膜室、裝料室和卸料室。薄膜是在停上而準(zhǔn)確地位于成膜室內(nèi)的基片上形成的。因此，對(duì)防鍍片可作相當(dāng)靠近基片的安排，以及在成膜時(shí)不會(huì)在規(guī)定部分以外的基片上和在真空容器內(nèi)鍍上薄膜。
因此就可盡量減少在不必要的部分上鍍上薄膜，由于可以減少防鍍片的構(gòu)件數(shù)量，維護(hù)也變得容易了。但，在真空中操作的自動(dòng)機(jī)在設(shè)備中心基本上一次只能傳送一個(gè)基片，其基片的傳送能力就很有限。這樣，生產(chǎn)率也受到限制。
近年來(lái)，曾就這兩類設(shè)備提出了幾種新的噴鍍?cè)O(shè)備。例如，在日本公開專利申請(qǐng)No.4-137522、6-69316、8-3744和9-143733中就公開了這方面的技術(shù)。
這些新噴鍍?cè)O(shè)備的共同之處是采用了稱作基片小車、支架或基片傳送器的基片夾持器，對(duì)基片作平行于基片表面的傳送。為形成薄膜，將基片裝在基片夾持器上，使其按用途在各操作室內(nèi)移動(dòng)。
但，認(rèn)為對(duì)普通的串聯(lián)式噴鍍?cè)O(shè)備作出了改進(jìn)的這些噴鍍?cè)O(shè)備并沒(méi)有解決串聯(lián)式噴鍍?cè)O(shè)備中存在的傳統(tǒng)問(wèn)題。也就是，對(duì)傳送中在基片和防鍍片之間或在基片夾具和防鍍片之間的間隙仍采取一固定的距離。因此，在基片夾具上或在真空容器內(nèi)鍍上不必要的薄膜這一問(wèn)題還是沒(méi)有得到改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能形成高質(zhì)量鍍膜的噴鍍?cè)O(shè)備。
本發(fā)明另一目的是提供一種維護(hù)容易的噴鍍?cè)O(shè)備。
本發(fā)明的再一個(gè)目的是提供一種在傳送基片中能防止基片受損的噴鍍?cè)O(shè)備。
作為本發(fā)明的一個(gè)方面，提出一種噴鍍?cè)O(shè)備，用以?shī)A持在基片夾具上的基片上形成噴鍍薄膜的同時(shí)，，在經(jīng)由一個(gè)閘閥相互連接的真空室之間傳送所述基片夾，該噴鍍?cè)O(shè)備包括對(duì)電極、位于對(duì)電極和基片夾具之間的防鍍片，在真空室之間以與基片的表面平行的方向傳送所述基片夾的基片夾具傳送機(jī)構(gòu)和移動(dòng)機(jī)構(gòu)，移動(dòng)機(jī)構(gòu)用以移動(dòng)基片夾具傳送機(jī)構(gòu)而改變基片和防鍍片之間的距離。
由于移動(dòng)機(jī)構(gòu)移動(dòng)基片夾具傳送機(jī)構(gòu)而改變基片和防鍍片之間的距離，當(dāng)在基片上形成薄膜時(shí)基片可移近防鍍片而在傳送基片時(shí)基片可移離防鍍片。因此，在基片夾具上或在真空容器內(nèi)就不會(huì)鍍上不必要的薄膜，并可使基片夾具等的維護(hù)比較容易。由于不會(huì)鍍上不必要的薄膜，基片就不會(huì)由于脫落的薄膜受到沾染。這樣，就可在基片上形成高質(zhì)量的鍍膜。
作為本發(fā)明的另一方面，用以在真空室內(nèi)由基片夾具夾持的基片上形成噴鍍薄膜的噴鍍?cè)O(shè)備包括對(duì)電極、位于對(duì)電極和基片夾具之間的防鍍片和移動(dòng)機(jī)構(gòu)，移動(dòng)機(jī)構(gòu)用以移動(dòng)防鍍片而改變基片和防鍍片之間的距離。
由于移動(dòng)機(jī)構(gòu)移動(dòng)防鍍片而改變基片和防鍍片之間的距離，當(dāng)在基片上形成薄膜時(shí)基片可移近防鍍片而在傳送基片可移離防鍍片。因此，在基片夾具或在真空容器內(nèi)就不會(huì)鍍上不必要的薄膜，就可使基片夾具等的維護(hù)比較容易。由于不會(huì)鍍上不必要的薄膜，基片就不會(huì)由于脫落的薄膜受到沾染。這樣，就可在基片上形成高質(zhì)量的鍍膜。
本發(fā)明的以上和其他目的、特點(diǎn)、狀況和優(yōu)點(diǎn)從以下對(duì)本發(fā)明結(jié)合附圖所作具體說(shuō)明會(huì)變得更加明顯。


圖1、2為平面圖和正視圖，簡(jiǎn)略地示出本發(fā)明噴鍍?cè)O(shè)備第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)；圖3、4為側(cè)視圖，示出本發(fā)明第一實(shí)施例中成膜室(分別在基片上形成薄膜時(shí)和在傳送基片時(shí))的內(nèi)部結(jié)構(gòu)；圖5、6為本體部分的平面圖，示出本發(fā)明第二實(shí)施例中成膜室(分別在基片上形成薄膜時(shí)和在傳送基片時(shí))的內(nèi)部結(jié)構(gòu)；圖7、8為主體部分的平面圖，示出本發(fā)明第三實(shí)施例中成膜室(分別在基片上形成薄膜時(shí)和在傳送基片時(shí))的內(nèi)部結(jié)構(gòu)；圖9、10為主體部分的平面圖，示出本發(fā)明第四實(shí)施例中成膜室(分別在基片上形成薄膜時(shí)和在傳送基片時(shí))的內(nèi)部結(jié)構(gòu)；圖11、12為主體部分的平面圖，示出本發(fā)明第五實(shí)施例中成膜室(分別在基片上形成薄膜時(shí)和在傳送基片時(shí))的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式
第一實(shí)施例以下對(duì)本發(fā)明噴鍍?cè)O(shè)備第一實(shí)施例參照附圖進(jìn)行說(shuō)明。
如圖1、2所示，噴鍍?cè)O(shè)備包括裝料室1、通過(guò)可開閉的閘閥2a與裝料室1連接的加熱室3、通過(guò)可開閉的閘閥2b與加熱室3連接的成膜室4、通過(guò)可開閉的閘閥2c與成膜室4連接的冷卻室5和通過(guò)可開閉的閘閥2d與冷卻室5連接的卸料室6。在裝料室1的入口和卸料室6的出口分別設(shè)有可開閉的閘閥2e和2f。
如圖1、2所示，現(xiàn)對(duì)在噴鍍?cè)O(shè)備內(nèi)基片的流程進(jìn)行說(shuō)明。
1)將基片7在空氣中裝在如托盤一類基片夾具8的基片夾持孔9內(nèi)。
2)開啟裝料室1入口處的閘閥2e。在將基片夾具8送入裝料室1后，關(guān)閉裝料室1入口處的閘閥2e。
3)在裝料室1內(nèi)，用圖中未示出的抽氣裝置使空氣壓力達(dá)到預(yù)定的真空度。
4)在達(dá)到預(yù)定的真空度后，開啟裝料室1和加熱室3之間的閘閥2a，將基片夾具8從裝料室1送入加熱室3，關(guān)閉閘閥2a。
5)在加熱室3內(nèi)，將裝在基片夾具8上的基片7加熱到預(yù)定的溫度。
6)在將基片7加熱到預(yù)定的溫度后，開啟加熱室3和成膜室4之間的閘閥2b，將基片夾具8送入成膜室4，再關(guān)閉閘閥2b。
7)在成膜室4內(nèi)，在裝在基片夾具8上的基片7上形成薄膜。
8)在基片7上形成薄膜后，開啟成膜室4和冷卻室5之間的閘閥2c，將基片夾具8送入冷卻室5，再關(guān)閉閘閥2c。
9)在冷卻室5內(nèi)將裝在基片夾具8上的基片7冷卻到預(yù)定的溫度。
10)在基片7冷卻到預(yù)定的溫度后，開啟冷卻室5和卸料室6之間的閘閥2d，將基片夾具8送入卸料室6，再關(guān)閉閘閥2d。
11)在卸料室6內(nèi)，圖中未示出的進(jìn)氣裝置從外邊供氣而達(dá)到大氣壓。
12)在卸料室6內(nèi)達(dá)到大氣壓后，開啟卸料室6出口處的閘閥2f，將基片夾具8從卸料室6送到設(shè)備外邊，再關(guān)閉閘閥2f。
13)在送到設(shè)備外邊的基片夾具8上的從基片夾持孔9內(nèi)卸下已形成薄膜的基片7。
14)在已卸去基片7的基片夾具8內(nèi)，再將尚未處理的另一基片7裝入基片夾持孔9內(nèi)。再將基片夾具8送到裝料室1內(nèi)。
由于一系列的處理是以平行和連續(xù)的方式進(jìn)行的，這就取得了很高的生產(chǎn)率。這里，基片夾具8是由設(shè)在各處理室內(nèi)的基片夾具傳送機(jī)構(gòu)16傳送的。
盡管在圖1所示實(shí)施例中在基片夾具8的一個(gè)表面上裝上一個(gè)基片7，但這種結(jié)構(gòu)實(shí)際上并不僅限于此。
圖3為主體部分的側(cè)視圖，用以示出在第一實(shí)施例的噴鍍?cè)O(shè)備中形成薄膜時(shí)成膜室4的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。成膜室4包括用以在基片7上形成薄膜的對(duì)電極12、帶有定位銷11的防鍍片13、用以將驅(qū)動(dòng)力引入真空室的機(jī)構(gòu)14、用以通過(guò)機(jī)構(gòu)14將驅(qū)動(dòng)力傳入成膜室(真空室)4的驅(qū)動(dòng)力發(fā)生機(jī)構(gòu)15、用以傳送基片夾具8的基片夾具傳送機(jī)構(gòu)16和用以通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)使基片夾具傳送機(jī)構(gòu)16移動(dòng)的球螺紋17。
為形成薄膜，使基片7固定在與對(duì)電極12對(duì)置的位置上面處于靜止?fàn)顟B(tài)。在成膜室4內(nèi)，在基片7和對(duì)電極12之間設(shè)有用以遮蓋部分基片7的防鍍片13，使薄膜不致在規(guī)定部分以外的基片7上形成。防鍍片13帶有定位銷11。用以?shī)A持基片7的基片夾具8帶有定位孔10。在將定位銷11插入定位孔10時(shí)，基片夾具8和防鍍片13之間的位置關(guān)系也就確定而被固定。因此，在夾持在基片夾具8中的基片7和防鍍片13之間的位置關(guān)系也就確定下來(lái)。
防鍍片13的尖端和基片7表面設(shè)置的很靠近但留有預(yù)定的間隙，其距離約為0.1～5mm。由于防鍍片13在從對(duì)電極12一側(cè)觀察時(shí)遮蓋了規(guī)定部分以外的基片7，就避免了在不必要的部分上鍍上薄膜。
圖4為側(cè)視圖，示出當(dāng)基片在噴鍍室內(nèi)移動(dòng)時(shí)成膜室的內(nèi)部。
在對(duì)基片7作出入傳送時(shí)基片7垂直于圖4紙面被傳送。在傳送基片7時(shí)，基片7和基片夾具8垂直于基片7的表面并離開防鍍片13(如箭頭20所示方向)移動(dòng)，因而避免了須傳送的基片7或基片夾具8與防鍍片13的接觸。這樣，定位銷11被拉出定位孔10。然后開始傳送基片7和基片夾具8。這時(shí)，防鍍片13尖端和基片7表面之間的距離約為5～30mm。這一距離應(yīng)該足以避免定位銷11與基片7或基片夾具8接觸。但是，此距離并不限于此值，而應(yīng)根據(jù)設(shè)備的結(jié)構(gòu)選定適當(dāng)?shù)木嚯x。
以上所述動(dòng)作是指在形成薄膜后送出基片夾具的操作，而將基片夾具放到預(yù)定位置上(送入)以便形成薄膜的動(dòng)作是與以上操作相反的。
在噴鍍?cè)O(shè)備內(nèi)，由于在基片7上形成薄膜時(shí)基片7和防鍍片13彼此接近，因而使定位銷11插入定位孔10，而在基片7移動(dòng)時(shí)就將定位銷11撥出。但，定位孔10并不總是必需的而是可以省略的。在這一結(jié)構(gòu)中也可使定位銷11壓靠在基片夾具8上，因此也可精確地取得基片7和防鍍片13之間的距離。
在本實(shí)施例中，基片7如上所述是由基片夾具8的移動(dòng)傳送的。圖4中用箭頭20所示基片夾具8的移動(dòng)是在基片夾具傳送機(jī)構(gòu)16由于球螺紋17的轉(zhuǎn)動(dòng)而移動(dòng)時(shí)所取得的。球螺紋17是用真空容器外邊的驅(qū)動(dòng)力發(fā)生裝置15所產(chǎn)生的并由用以將驅(qū)動(dòng)力引入真空室的機(jī)構(gòu)14引入真空室的驅(qū)動(dòng)力驅(qū)動(dòng)并轉(zhuǎn)動(dòng)的。此外，基片夾具8也是利用此驅(qū)動(dòng)力傳送的。須指出，基片夾具傳送機(jī)構(gòu)16具有與球螺紋17嚙合的螺紋孔。
盡管在此實(shí)施例中基片7是利用球螺紋17移近和移離防鍍片13，這一結(jié)構(gòu)并不僅限于此而可利用連桿機(jī)構(gòu)、凸輪機(jī)構(gòu)、齒輪等。
盡管在本實(shí)施例中采用和敘述了作直線布置的串聯(lián)式噴鍍?cè)O(shè)備，作為一種設(shè)備結(jié)構(gòu)，此設(shè)備結(jié)構(gòu)并不僅限于此。本發(fā)明也可用于具有其他結(jié)構(gòu)、較上述串聯(lián)式噴鍍?cè)O(shè)備有所改進(jìn)的串聯(lián)式噴鍍?cè)O(shè)備。
如上所述，在本實(shí)施例中，噴鍍?cè)O(shè)備的優(yōu)點(diǎn)是能同時(shí)解決這兩個(gè)問(wèn)題一是在傳送中基片7和基片夾具8與防鍍片13接觸的問(wèn)題，二是在形成薄膜中在不必要的部分上鍍上薄膜的問(wèn)題，這是使基片7和裝有基片7的基片夾具8移近和移離防鍍片13取得的。此外，可以在設(shè)備外邊將基片7裝上基片夾具8和從其上卸下，因此，噴鍍?cè)O(shè)備的優(yōu)點(diǎn)還在于清洗基片夾具8等一類維護(hù)工作可在設(shè)備外邊進(jìn)行。
第二實(shí)施例圖5、6為主體部分平面圖，示出噴鍍?cè)O(shè)備第二實(shí)施例中成膜室4的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。由于在圖5、6未予示出的部分具有與圖1、2所示噴鍍?cè)O(shè)備第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)，就不再對(duì)其作具體的重復(fù)說(shuō)明。
在第二實(shí)施例中，噴鍍?cè)O(shè)備的成膜室4包括具有防鍍片固定部分23a和防鍍片可動(dòng)部分23b的防鍍片23、帶有定位銷11和使冷卻水循環(huán)的冷卻水孔27的驅(qū)動(dòng)力傳遞體24、使驅(qū)動(dòng)力引入真空容器的機(jī)構(gòu)25、通過(guò)機(jī)構(gòu)25將驅(qū)動(dòng)力傳遞到成膜室(真空室)4內(nèi)的驅(qū)動(dòng)力發(fā)生裝置26和冷卻水供送機(jī)構(gòu)28。
傳送入成膜室4的基片夾具8停留在預(yù)定位置上，在此位置上進(jìn)行薄膜成形。在成膜室4中基片夾具停留位置附近，對(duì)裝在基片夾具8上的各基片設(shè)有防鍍片23。防鍍片23布置在對(duì)電極12和基片7之間，在薄膜成形期間(在基片夾具停留時(shí))防鍍片靠近基片7如圖5所示。因此，防止了噴鍍薄膜粘在基片7上不須形成薄膜的部分和基片夾具8上。此外，在如圖6所示的傳送期間，防鍍片23離開基片7。因此，在傳送中可避免基片7和防鍍片23之間的接觸，因此可防止在噴鍍?cè)O(shè)備中產(chǎn)生缺陷和基片7的受損。
現(xiàn)對(duì)防鍍片23的結(jié)構(gòu)和操作作具體的說(shuō)明如下。
防鍍片23包括防鍍片固定部分23a和防鍍片可動(dòng)部分23b。防鍍片固定部分23a固定在對(duì)電極12一側(cè)，防鍍片可動(dòng)部分23b驅(qū)動(dòng)力傳遞體24支承。驅(qū)動(dòng)力傳遞體24在真空容器(成膜室4)外邊與驅(qū)動(dòng)力發(fā)生裝置26連接，并可由驅(qū)動(dòng)力使其在圖中作垂直移動(dòng)，該驅(qū)動(dòng)力內(nèi)驅(qū)動(dòng)力發(fā)生裝置26(如氣缸和馬達(dá))產(chǎn)生并由機(jī)構(gòu)25引入真空容器內(nèi)，機(jī)構(gòu)25用以將驅(qū)動(dòng)力引入真空容器(如電磁聯(lián)軸節(jié)、伸縮軟管和磁力水封件)。
支承防鍍片可動(dòng)部分23b的驅(qū)動(dòng)力傳遞體24具有定位銷11。定位銷11成形為可使其在驅(qū)動(dòng)力傳遞體24被向下驅(qū)動(dòng)時(shí)(向基片一側(cè))裝入設(shè)在基片夾具8內(nèi)的定位孔10內(nèi)。
在具有防鍍片23及其這種結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的噴鍍?cè)O(shè)備中，在薄膜形成期間，基片7停止而驅(qū)動(dòng)力發(fā)生裝置26向下驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)力傳遞體24(向基片一側(cè))如圖5所示。此時(shí)，定位銷11裝入基片夾具8的定位孔10，驅(qū)動(dòng)力傳遞體24和基片夾具8之間的位置關(guān)系，也就是基片7在成膜室4內(nèi)的位置也就確定下來(lái)。
此時(shí)，防鍍片可動(dòng)部分23b的尖端和基片7的表面彼此靠近而取得預(yù)定的間隙(約0.1～5mm)，而防鍍片固定部分23a和防鍍片可動(dòng)部分23b在從對(duì)電極12觀察時(shí)被設(shè)置成作部分搭接。因此，在這種情況下，這種基片7上不須形成薄膜的部分以及基片夾具8在從對(duì)電極12觀察時(shí)就被遮住。這樣，就可避免在不必要的部分上鍍上薄膜。
與此同時(shí)，在傳送基片夾具8時(shí)，驅(qū)動(dòng)力發(fā)生裝置26向上驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)力傳遞體24(向?qū)﹄姌O一側(cè))如圖6所示，定位銷11就從定位孔10中脫出。這樣，從防鍍片可動(dòng)部分23b尖端到基片7表面的距離變成約為5～30mm。這一距離只要求足以避免定位銷11與基片7或基片夾具8接觸，并且該距離不僅限于上值。此外，可根據(jù)設(shè)備的結(jié)構(gòu)選定合適的距離。
在從基片7或基片夾具8到防鍍片可動(dòng)部分23b的間距離變得夠大時(shí)就開始傳遞基片夾具8。在這種設(shè)備中，可避免基片7(或基片夾具8)和防鍍片23之間的接觸，這就可消除缺陷和基片受損現(xiàn)象。
靠近基片7和對(duì)電極12布置的防鍍片23在薄膜成形持續(xù)時(shí)被加熱升溫。在防鍍片23中的溫升會(huì)使防鍍片23產(chǎn)生熱膨脹，使鍍膜從防鍍片23上脫落(產(chǎn)生顆粒)而沾染基片7。因此，必須盡量抑制防鍍片23內(nèi)的溫升。這樣，在此實(shí)施例中，在驅(qū)動(dòng)力傳遞體24內(nèi)設(shè)有冷卻水孔27，利用冷卻水孔27使冷卻水循環(huán)(圖5、6僅示出用以將冷卻水引入防鍍片23的部分而略去了用以從防鍍片23中排出冷卻水的部分)。將冷卻水孔27布置在防鍍片23周圍而與其靠近以便有效地冷卻防鍍片23。這樣就可消除顆粒的產(chǎn)生。也可將其他具有使冷卻水進(jìn)入防鍍片23所需開孔的結(jié)構(gòu)用作冷卻防鍍片23的方法。
第三實(shí)施例作為第三實(shí)施例，圖7、8示出防鍍片23及其圖5、6所示驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的另一結(jié)構(gòu)的例子。圖7示出在薄膜成形期間成膜室4的狀態(tài)，圖8為主體部分的平面圖，示出傳送基片時(shí)成膜室4的內(nèi)部。
圖7、8所示防鍍片33具有與圖5、6所示防鍍片23相反的在防鍍片固定部分33a和防鍍片可動(dòng)部分33b之間的位置關(guān)系。即使采用這種結(jié)構(gòu)也可防止噴鍍薄膜粘結(jié)在基片7上不須形成薄膜的部分和基片夾具8上，并可在傳送時(shí)防止基片7和防鍍片33之間的接觸。
第四實(shí)施例盡管在第二、第三實(shí)施例中，部分的防鍍片23或33(防鍍片可動(dòng)部分23b或33b)是移動(dòng)的，在圖9、10所示第四實(shí)施例中整個(gè)防鍍片43是移動(dòng)的。
在此情況下，在防鍍片43上在對(duì)電極12一側(cè)設(shè)有凸起20并使防鍍片43移動(dòng)基片夾具8一側(cè)時(shí)就避免了在對(duì)電極12和防鍍片43之間產(chǎn)生間隙。這就可避免由此間隙產(chǎn)生不必要的鍍膜。
第五實(shí)施例第五實(shí)施例為第四實(shí)施例中防鍍片43的移動(dòng)機(jī)構(gòu)的變型。圖11、12示出防鍍片53的結(jié)構(gòu)示例和在此實(shí)施例中的移動(dòng)機(jī)構(gòu)。
在此實(shí)施例中，防鍍片53繞轉(zhuǎn)軸21轉(zhuǎn)動(dòng)。在此情況下，用于轉(zhuǎn)動(dòng)操作的圖中未示出的轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)力是由真空容器外邊的驅(qū)動(dòng)力發(fā)生裝置產(chǎn)生并由將驅(qū)動(dòng)力引入真空容器內(nèi)的機(jī)構(gòu)引入真空容器，這與以上所述實(shí)施例是相同的。
在基片夾具8上不設(shè)定位孔，防鍍片53是通過(guò)使定位銷11a貼靠在基片夾具8上來(lái)定位的。由于對(duì)防鍍片53可通過(guò)轉(zhuǎn)軸21作準(zhǔn)確安裝，即使在用定位銷11a通過(guò)其與基片夾具8的接觸進(jìn)行定位時(shí)也可取得很高的距離精度。
盡管以上所述實(shí)施例敘述了處理室作直線排列的串聯(lián)式噴鍍?cè)O(shè)備的結(jié)構(gòu)，這些實(shí)施例并不限于這種設(shè)備而可應(yīng)用于具有其他結(jié)構(gòu)、對(duì)上述串聯(lián)式噴鍍?cè)O(shè)備有所改進(jìn)的串聯(lián)式噴鍍?cè)O(shè)備或簇形工具式噴鍍?cè)O(shè)備。
在本發(fā)明噴鍍?cè)O(shè)備中，至少部分的防鍍片(遮蓋部分的基片以便在規(guī)定的部分以外的部分上不致形成薄膜)在基片上形成薄膜時(shí)移近基片而在傳送基片時(shí)移離基片。由于在基片形成薄膜時(shí)防鍍片和基片彼此靠近，就可防止在不必要的部分上形成薄膜。由于在傳送基片時(shí)防鍍片和基片彼此相隔較遠(yuǎn)，就可避免基片與防鍍片的接觸，這就可消除基片的受損和設(shè)備的缺陷。
由于驅(qū)動(dòng)防鍍片的驅(qū)動(dòng)力是在真空容器外邊產(chǎn)生而通過(guò)將驅(qū)動(dòng)力引入真空容器的機(jī)構(gòu)引入真空容器的，驅(qū)動(dòng)力發(fā)生裝置并未設(shè)在真空容器內(nèi)。
在將冷卻防鍍片的機(jī)構(gòu)設(shè)在傳遞驅(qū)動(dòng)力的驅(qū)動(dòng)力傳遞體內(nèi)時(shí)，就可消除舉例來(lái)說(shuō)顆粒的影響。
由于防鍍片具有定位件，就可準(zhǔn)確地確定基片夾具和防鍍片之間的位置關(guān)系。
盡管對(duì)本發(fā)明作了很具體的說(shuō)明和圖示，可清楚地理解，這只是作為說(shuō)明和示例而不應(yīng)引以為限定的依據(jù)，本發(fā)明的精神和范圍只受所附權(quán)利要求書條款的限制。
權(quán)利要求
1.一種噴鍍?cè)O(shè)備，用以在受基片夾具夾持的基片上形成噴鍍薄膜的同時(shí)，在經(jīng)由一個(gè)閘閥相互連接的真空室之間傳送所述基片夾，該噴鍍?cè)O(shè)備具有一個(gè)對(duì)電極；一防鍍片，設(shè)在所述對(duì)電極和所述基片夾具之間；一基片夾具傳送機(jī)構(gòu)，在真空室之間以與基片的表面平行的方向傳送所述基片夾；和一移動(dòng)機(jī)構(gòu)，用以移動(dòng)所述基片夾具傳送機(jī)構(gòu)以改變所述基片和所述防鍍片之間的距離。
2.按權(quán)利要求1所述噴鍍?cè)O(shè)備，其中所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)包括一驅(qū)動(dòng)力發(fā)生裝置，設(shè)在真空室外邊，一驅(qū)動(dòng)力引入機(jī)構(gòu)，與所述驅(qū)動(dòng)力發(fā)生裝置連接，和一基片夾具移動(dòng)機(jī)構(gòu)，與所述驅(qū)動(dòng)力引入機(jī)構(gòu)連接。
3.按權(quán)利要求2所述噴鍍?cè)O(shè)備，其中所述基片夾具傳送機(jī)構(gòu)具有一螺紋孔，和所述基片夾具移動(dòng)機(jī)構(gòu)包括一球螺紋，與所述驅(qū)動(dòng)力引入機(jī)構(gòu)連接，并與所述螺紋孔嚙合。
4.按權(quán)利要求1所述噴鍍?cè)O(shè)備，其中所述防鍍片具有一定位銷，和所述基片夾具具有一定位孔，在其內(nèi)插入所述定位銷。
全文摘要
一種噴鍍?cè)O(shè)備，用以在由基片夾具夾持的基片上形成噴鍍薄膜的同時(shí)，在經(jīng)由一個(gè)閘閥相互連接的真空室之間傳送所述基片夾，該噴鍍?cè)O(shè)備具有對(duì)電極、裝在對(duì)電極和基片夾具之間的防鍍片、在真空室之間以與基片的表面平行的方向傳送所述基片夾的基片夾具傳送機(jī)構(gòu)和移動(dòng)機(jī)構(gòu)，移動(dòng)機(jī)構(gòu)用以移動(dòng)基片夾具傳送機(jī)構(gòu)以改變基片和防鍍片之間的距離。
文檔編號(hào)C23C14/34GK1548574SQ20041004352
公開日2004年11月24日 申請(qǐng)日期1999年2月16日 優(yōu)先權(quán)日1998年2月17日
發(fā)明者二川正康, 水戶清 申請(qǐng)人:夏普公司