專利名稱：使用具有Si－Si鍵的含有機Si化合物形成含Si薄膜的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種使用具有Si-Si鍵的含有機Si化合物以形成含Si薄膜的方法，這種具有Si-Si鍵的含有機Si化合物對于通過有機金屬化學氣相沉積法(MetalOrganic Chemical Vapor Deposition，以下稱為MOCVD法。)和液相外延法(液相成長法)成膜的Si3N4薄膜、Si-O-Hf薄膜等含Si薄膜是一種很有用的原料。
背景技術：
雖然硅氧化膜被用作高電介質柵絕緣膜，但是近年來伴隨著LSI的高集成化，硅氧化膜的薄膜化在不斷進步。由于對厚度100nm或以下的薄膜在隧道電流流過時絕緣效果會降低，因此使用硅氧化膜以進行薄膜化存在局限。
因此人們希望有一種能夠替代硅氧化膜的柵絕緣膜，作為候補的含有硅的薄膜，具體的有Si3N4薄膜和Hf-O-Si薄膜等正受到人們的矚目。關于這些薄膜的制造方法，可以列舉的是是濺射法、離子蒸鍍法、涂敷熱分解法、溶劑一凝膠法等的MOD(Metal Organic Deposition)等，但是從組成可控制性和步階被覆性(段差被覆性)方面優(yōu)良以及和半導體制造工藝的整合性等的角度看，MOCVD法作為一種最適合制造薄膜的工藝而被人們研究。
作為使Si3N4薄膜和Hf-O-Si薄膜等含有硅的薄膜成膜的材料，一般使用的是六氯代乙硅烷(以下稱為Si2Cl6)。例如在形成Si3N4膜的時候，是通過將Si2Cl6和NH3加熱反應而得到的。作為該反應生成物的Si3N4不會完全附著在基板上，其一部分會附著在成膜裝置的排氣管等處。因此如果在附著有附著物的狀態(tài)下進行形成膜的處理，不久就會由于附著物的剝離而產生微粒。這種微粒如果附著在硅基板等處，可能會降低制品的成品率。因此，在成膜裝置內，需要定期地進行用氟酸系溶液等清洗以除去附著物的維護保養(yǎng)操作。
如果將該Si2Cl6和NH3加熱使之反應所生成的不只是Si3N4，還會產生由Si-Cl-N-H構成的反應中間體化合物。反應中間體包含在通過排氣管的排氣和附著物中。該反應中間體很容易水解，放出鹽酸和反應熱，生成水解產物。因此，在維護保養(yǎng)操作中，在附著有該反應中間體的狀態(tài)下取下排氣管后，會引起反應中間體和大氣中的水分發(fā)生水解反應，會產生氯化氫氣體等問題。
作為解決上述問題的對策，公開了一種在將被處理物收集在反應室內、反應室內的氣體通過和反應室連接的排氣管排氣，同時向反應室供給Si2Cl6和NH3在被處理物體上形成Si3N4膜的方法，其特征在于將排氣管加熱至可以使NH4Cl氣化的溫度，同時向排氣管內供給NH3(例如可以參照專利文獻1)。在上述專利文獻1中通過向排氣管內供給NH3，使反應時生成的反應中間體和NH3反應，形成難以產生氯化氫的由Si-N-H構成的化合物，從而抑制有毒氣體的產生。
特開2002-334869號公報但是在使用上述專利文獻1中所示的Si2Cl6之類的含氯Si-Si化合物通過熱CVD法成膜的情況下，首先Si-Si鍵斷裂形成含有Si-Cl鍵的游離基種，該Si-Cl鍵即使在700℃高溫的成膜條件下也難以斷裂，所以形成的膜中混入了Cl?；烊朐撃ぶ械腃l成為使由于成膜溫度所產生的應力增大、在膜上產生裂縫從而使產品的成品率下降的原因。
另外在700℃以下的低溫條件下成膜時，可以抑制由于成膜溫度所產生的應力，減少裂縫的產生，但是由于在低溫條件下成膜，使得進入膜中的Cl量增加，進入膜中的Cl量的增加會減弱膜強度，從而出現(xiàn)難以形成平坦的膜的問題。
進一步的，該Si2Cl6在空氣中具有可燃性，由于其操作伴隨著危險性，因此希望能有代替的化合物。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種使用氣化穩(wěn)定性優(yōu)良的、具有較高成膜速度且含有Si-Si鍵的有機Si化合物以形成含Si薄膜的方法。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種使用與以往的含有機Si化合物相比可以在更低的溫度下氣相沉積或者液相外延、而且得到的膜強度較大的、具有Si-Si鍵的含有機Si化合物以形成含Si薄膜的方法。
本發(fā)明的第1項是一種形成含Si薄膜的方法，其特征在于使用如下式(1)所示的具有Si-Si鍵的含有機Si化合物以形成含Si薄膜。
化2
其中R1表示氫或者甲基，R2表示甲基、乙基、丙基或者叔丁基。
在本發(fā)明的第1項中，使用由如上述式(1)所示的不含Cl的有機Si化合物形成含Si薄膜，因此不會由于該有機Si化合物而使得Cl混入膜中。所以得到的膜具有較高的強度。另外還可以抑制由于使用現(xiàn)有的含氯有機Si化合物在形成含Si薄膜時產生的Cl所引起在膜中的裂縫。
還有該有機Si化合物即使在低溫的成膜條件下，由于很容易形成作為形成膜的核的Si-N-H系活性氫系活性游離基活性種，因此與現(xiàn)有的有機Si化合物相比可以在更低溫度下氣相沉積。另外，即使在液相外延時通過在低溫下燒結也能形成含Si薄膜。進一步的還可以形成氣化穩(wěn)定性優(yōu)良、成膜速度較高的含Si薄膜。
本發(fā)明的第2項為，根據本發(fā)明第1項的形成含Si薄膜的方法，其中成膜方法是化學氣相沉積法或者液相外延法。
發(fā)明效果如上所述，本發(fā)明含Si薄膜的形成方法的特征是，使用如上述式(1)所示的具有Si-Si鍵的含有機Si化合物以形成含Si薄膜。由于使用具有這種結構的不含Cl的含有機Si化合物形成含Si薄膜，不會由于該有機Si化合物使得Cl混入膜中。因此得到的膜具有較高的強度。另外還可以抑制由于使用現(xiàn)有的含氯有機Si化合物在形成含Si薄膜時產生的Cl而引起膜中的裂縫。
還有該有機Si化合物即使在低溫的成膜條件下，由于很容易形成作為形成膜的核的Si-N-H系活性氫系活性游離基活性種，因此與現(xiàn)有的有機Si化合物相比可以在更低溫度下氣相沉積。另外，即使在液相外延時通過在低溫下燒結也能形成含Si薄膜。進一步的還可以形成氣化穩(wěn)定性優(yōu)良、成膜速度較高的含Si薄膜。
附圖的簡單說明 MOCVD裝置的示意圖。
具有其他構造的MOCVD裝置的示意圖。
本發(fā)明最佳的實施方式下面參照附圖對本發(fā)明最佳的實施方式進行說明。
本發(fā)明的含Si薄膜形成方法的特征是，使用如下述式(1)所示的具有Si-Si鍵的含有機Si化合物以形成含Si薄膜。
化3
其中R1表示氫或者甲基，R2表示甲基、乙基、丙基或者叔丁基。
由于使用如上述(1)式所示的不含Cl的含有機Si化合物形成含Si薄膜，因此不會由于該有機Si化合物而使得Cl混入膜中。因而得到的膜具有較高的強度。另外還可以抑制由于使用現(xiàn)有的含氯Si-Si化合物在形成含Si薄膜時產生的Cl而引起膜中的裂縫。
還有該含有機Si化合物即使在低溫的成膜條件下，如下式(2)所示，通過接受熱Δ，鍵從虛線所示的位置斷裂，很容易形成作為形成膜的核的Si-N-H系活性氫系活性游離基活性種，因此與現(xiàn)有的含有機Si化合物相比可以在更低溫度下氣相沉積。進一步的還可以形成氣化穩(wěn)定性優(yōu)良、成膜速度較高的含Si薄膜。
化4

上述式(1)中規(guī)定R1表示氫或者甲基，R2表示甲基、乙基、丙基或者叔丁基。之所以限定為這些基團，是因為如果碳原子數更多則缺乏熱的穩(wěn)定性，容易從末端引起鍵的斷裂等。
作為本發(fā)明的含有機Si化合物，例如如上述通式(1)中R1是甲基、R2是乙基的化合物即1，1，2，2四-(二乙基氨基)二甲基乙硅烷的制備方法，通過將鋰分散在四氫呋喃(以下稱為THF)中，使二(二乙基氨基)甲基氯硅烷(Et2N)2SiMeCl與之混合，該混合液在110～130℃、1.0mmHg的條件下邊攪拌邊反應約96小時，在常溫下能夠以約76％的收率得到1，1，2，2四(二乙基氨基)二甲基乙硅烷液體。
通過這種方法得到的含有機Si化合物，使用化學氣相沉積法或者液相外延法，在基體上例如硅基板上形成含Si薄膜。由于上述式(1)所示的含有機Si化合物在常溫下是液體，因此特別適合熱CVD法。
下面以采用MOCVD法形成Si3N4薄膜為例對使用含有機Si化合物以形成含Si薄膜的方法進行說明。
如

圖1所示，MOCVD裝置具有成膜室10和蒸氣發(fā)生裝置11。成膜室10的內部設有加熱器12，基板13保持在加熱器12上。該成膜室的內部通過帶有壓力傳感器14、冷阱15以及針形閥16的管線17被抽至真空。成膜室10通過針形閥36、氣體流量調節(jié)裝置34和NH3氣體導入管37連接。這里所形成的薄膜是SiO2之類的含氧薄膜的情況下，O2氣體從氣體導入管37被導入。蒸氣發(fā)生裝置11具有原料容器18，用于貯存作為原料的如上述式(1)所示在常溫下是液體的本發(fā)明的含有機Si化合物。原料容器18通過氣體流量調節(jié)裝置19和加壓用惰性氣體導入管21連接，另外原料容器18和供給管22連接。供給管22設有針形閥23以及流量調節(jié)裝置24，供給管22和氣化室26連接。氣化室26通過針形閥31、氣體流量調節(jié)裝置28和載氣導入管29連接。氣化室26進一步通過管線27和成膜室10連接。另外氣化室26還分別和氣體排放口32以及排放口33連接。
在該裝置中，加壓用惰性氣體從導入管21導入到原料容器18內，貯藏于原料容器18內的原料液通過供給管22傳送到氣化室26。在氣化室26氣化為蒸氣的含有機Si化合物進一步通過從載氣導入管29導入至氣化室26的載氣經過管線27供給到成膜室10內。在成膜室10內，使含有機Si化合物的蒸氣熱分解，并和通過NH3氣體導入管37導入的NH3氣體反應，生成的Si3N4堆積在經加熱的基板13上而形成Si3N4薄膜。加壓用惰性氣體、載氣可以是氬、氦、氮氣等。
這樣通過使用本發(fā)明的具有Si-Si鍵的含有機Si化合物形成含Si薄膜，具有優(yōu)良的氣化穩(wěn)定性和較高的成膜速度。另外，與現(xiàn)有的含有機Si化合物相比還可以在更低的溫度下氣相沉積，得到的含Si薄膜，膜強度較大，不容易產生裂縫等。
下面以形成Si-O-Hf薄膜的方法為例進行說明。
如圖2所示，在圖1 MOCVD裝置的蒸氣發(fā)生裝置11內，具有貯存溶液原料的原料容器38，該溶液原料含有和本發(fā)明的含有機Si化合物不同的例如有機鉿化合物，原料容器38通過氣體流量調節(jié)裝置39和加壓用惰性氣體導入管41連接，另外原料容器38還和供給管42連接。供給管42上設有針形閥43以及流量調節(jié)裝置44，供給管42和氣化室26連接。如此，采用和連接到貯存含有機Si化合物的原料容器18上的管線同樣的配置，從氣體導入管37導入O2氣。
在該裝置中，從原料容器18、38分別輸送至氣化室成為蒸氣狀的含有機Si化合物和有機鉿化合物供給至成膜室10內，在成膜室10內，使含有機Si化合物和有機鉿化合物的蒸氣熱分解，通過和由O2氣體導入管37導入的O2反應，其生成的Si-O-Hf堆積在經加熱的基板13上而形成Si-O-Hf薄膜。
作為液相外延法的涂布方法可以通過旋涂法、刮涂法、浸漬法、涂刷法、噴霧法、輥涂法等實施，但是并不限制于特定的涂布方法。例如通過上述的涂布方法在給定基體表面上涂布所希望厚度的含有機Si化合物，涂布后的基體在N2和NH3的氛圍下經過低溫燒結，在該基體表面上形成Si3N4薄膜。另外將燒結氛圍替換為O2和臭氧等也同樣可以形成Si-O-Hf薄膜。
下面對本發(fā)明的實施例和比較例進行詳細說明。
<實施例1>
在分散有鋰的四氫呋喃中混合((CH3)2N)2SiHCl，該混合液在110～130℃、1.0mmHg的條件下攪拌反應96小時，在常溫下得到液體物質。對得到的液體通過元素分析測定的結果顯示，Si＝23.93、C＝41.02、H＝11.11以及N＝23.92。另外質量分析的結果是m/e＝117和m/e＝233。進一步的，1H-NMR(C6D6)顯示，δ1.15(CH3)、δ1.22(CH3)、δ2.31(C-H、d)和δ5.3(H、q)。根據上述分析的結果可以認定得到的液體是具有上述式(1)所示結構的、R1是H、R2是CH3的1，1，2，2-四(二甲基氨基)乙硅烷[H((CH3)2N)2Si-Si(N(CH3)2)2H]。
<實施例2>
除了用((C2H5)2N)2SiHCl代替((CH3)2N)2SiHCl以外，其余以和實施例1同樣的方法進行反應，得到具有上述式(1)所示結構的、R1是H、R2是C2H6的1，1，2，2-四(二乙基氨基)乙硅烷[H((C2H6)2N)2Si-Si(N(C2H6)2)2H]。
<實施例3>
除了用((C3H7)2N)2SiHCl代替((CH3)2N)2SiHCl以外，其余以和實施例1同樣的方法進行反應，得到具有上述式(1)所示結構的、R1是H、R2是C3H7的1，1，2，2-四(二正丙基氨基)乙硅烷[H((C3H7)2N)2Si-Si(N(C3H7)2)2H]。
<實施例4>
除了用((CH(CH3)2)2N)2SiHCl代替((CH3)2N)2SiHCl以外，其余以和實施例1同樣的方法進行反應，得到具有上述式(1)所示結構的、R1是H、R2是CH(CH3)2的1，1，2，2-四(二異丙基氨基)乙硅烷[H((CH(CH3)2)2N)2Si-Si(N(CH(CH3)2)2)2H]。
<實施例5>
除了用((C(CH3)3)2N)2SiHCl代替((CH3)2N)2SiHCl以外，其余以和實施例1同樣的方法進行反應，得到具有上述式(1)所示結構的、R1是H、R2是C(CH3)3的1，1，2，2-四(二叔丁基氨基)乙硅烷[H((C(CH3)3)2N)2Si-Si(N(C(CH3)3)2)2H]。
<實施例6>
除了用((CH3)2N)2Si(CH3)Cl代替((CH3)2N)2SiHCl以外，其余以和實施例1同樣的方法進行反應，得到具有上述式(1)所示結構的、R1是CH3、R2是CH3的1，1，2，2-四(二甲基氨基)二甲基乙硅烷[(CH3)((CH3)2N)2Si-Si(N(CH3)2)2(CH3)]。
<實施例7>
除了用((C2H5)2N)2Si(CH3)Cl代替((CH3)2N)2SiHCl以外，其余以和實施例1同樣的方法進行反應，得到具有上述式(1)所示結構的、R1是CH3、R2是C2H5的1，1，2，2-四(二乙基氨基)二甲基乙硅烷[(CH3)((C2H5)2N)2Si-Si(N(C2H5)2)2(CH3)]。
<實施例8>
除了用((C3H7)2N)2Si(CH3)Cl代替((CH3)2N)2SiHCl以外，其余以和實施例1同樣的方法進行反應，得到具有上述式(1)所示結構的、R1是CH3、R2是C3H7的1，1，2，2-四(二正丙基氨基)二甲基乙硅烷[(CH3)((C3H7)2N)2Si-Si(N(C3H7)2)2(CH3)]。
<實施例9>
除了用((CH(CH3)2)2N)2Si(CH3)Cl代替((CH3)2N)2SiHCl以外，其余以和實施例1同樣的方法進行反應，得到具有上述式(1)所示結構的、R1是CH3、R2是CH(CH3)2的1，1，2，2-四(二異丙基氨基)二甲基乙硅烷[(CH3)((CH(CH3)2)2N)2Si-Si(N(CH(CH3)2)2)2(CH3)]。
<實施例10>
除了用((C(CH3)3)2N)2Si(CH3)Cl代替((CH3)2N)2SiHCl以外，其余以和實施例1同樣的方法進行反應，得到具有上述式(1)所示結構的、R1是CH3、R2是C(CH3)3的1，1，2，2-四(二叔丁基氨基)二甲基乙硅烷[(CH3)((C(CH3)3)2N)2Si-Si(N(C(CH3)3)2)2(CH3)]。
<比較例1>
準備Cl3Si-SiCl3，將該化合物原樣當作含有機Si化合物使用。
<比較例2>
除了用(H2N)2SiHCl代替((CH3)2N)2SiHCl以外，其余以和實施例1同樣的方法進行反應，得到具有上述式(1)所示結構的、R1是H、R2是H的1，1，2，2-四氨基乙硅烷[H(H2N)2Si-Si(NH2)2H]。
<比較例3>
除了用((C4H9)2N)2SiHCl代替((CH3)2N)2SiHCl以外，其余以和實施例1同樣的方法進行反應，得到具有上述式(1)所示結構的、R1是H、R2是C4H9的1，1，2，2-四(二正丁基氨基)乙硅烷[H((C4H9)2N)2Si-Si(N(C4H9)2)2H]。
<比較例4>
除了用((CH2CH(CH3)2)2N)2SiHCl代替((CH3)2N)2SiHCl以外，其余以和實施例1同樣的方法進行反應，得到具有上述式(1)所示結構的、R1是H、R2是CH2CH(CH3)2的1，1，2，2-四(二1-甲基丙基氨基)乙硅烷[H((CH2CH(CH3)2)2N)2Si-Si(N(CH2CH(CH3)2)2)2H]。
<比較例5>
除了用((CH(CH3)(C2H5))2N)2SiHCl代替((CH3)2N)2SiHCl以外，其余以和實施例1同樣的方法進行反應，得到具有上述式(1)所示結構的、R1是H、R2是CH(CH3)(C2H5)的1，1，2，2-四(二2-甲基丙基氨基)乙硅烷[H((CH(CH3)(C2H5))2N)2Si-Si(N(CH(CH3)(C2H5))2)2H]。
<比較例6>
除了用((C5H11)2N)2SiHCl代替((CH3)2N)2SiHCl以外，其余以和實施例1同樣的方法進行反應，得到具有上述式(1)所示結構的、R1是H、R2是C5H11的1，1，2，2-四(二正戊基氨基)乙硅烷[H((C5H11)2N)2Si-Si(N(C5H11)2)2H]。
<比較例7>
除了用((C4H9)2N)2Si(CH3)Cl代替((CH3)2N)2SiHCl以外，其余以和實施例1同樣的方法進行反應，得到具有上述式(1)所示結構的、R1是CH3、R2是C4H9的1，1，2，2-四(二正丁基氨基)二甲基乙硅烷[(CH3)((C4H9)2N)2Si-Si(N(C4H9)2)2(CH3)]。
<比較例8>
除了用((CH2CH(CH3)2)2N)2Si(CH3)Cl代替((CH3)2N)2SiHCl以外，其余以和實施例1同樣的方法進行反應，得到具有上述式(1)所示結構的、R1是CH3、R2是CH2CH(CH2)2的1，1，2，2-四(二1-甲基丙基氨基)二甲基乙硅烷[(CH3)((CH2CH(CH3)2)2N)2Si-Si(N(CH2CH(CH3)2)2)2(CH3)]。
<比較例9>
除了用((CH(CH3)(C2H5))2N)2Si(CH3)Cl代替((CH3)2N)2SiHCl以外，其余以和實施例1同樣的方法進行反應，得到具有上述式(1)所示結構的、R1是CH3、R2是CH(CH3)(C2H5)的1，1，2，2-四(二2-甲基丙基氨基)二甲基乙硅烷[(CH3)((CH(CH3)(C2H5))2N)2Si-Si(N(CH(CH3)(C2H5))2)2(CH3)]。
<比較例10>
除了用((C5H11)2N)2Si(CH3)Cl代替((CH3)2N)2SiHCl以外，其余以和實施例1同樣的方法進行反應，得到具有上述式(1)所示結構的、R1是CH3、R2是C5H11的1，1，2，2-四(二正戊基氨基)二甲基乙硅烷[(CH3)((C5H11)2N)2Si-Si(N(C5H11)2)2(CH3)]。
<比較例11>
除了用((CH3)2N)2Si(C2H5)Cl代替((CH3)2N)2SiHCl以外，其余以和實施例1同樣的方法進行反應，得到具有上述式(1)所示結構的、R1是C2H5、R2是CH3的1，1，2，2-四(二正戊基氨基)二甲基乙硅烷[(C2H5)((CH3)2N)2Si-Si(N(CH3)2)2)(C2H5)]。
<比較評價1>
分別用實施例1～10以及比較例1～11中得到的含有機Si化合物進行下面的試驗。
首先各自準備5塊硅基板作為基板，基板如圖1所示設置在MOCVD裝置的成膜室內。然后分別設定基板溫度在500C，氣化溫度在100℃，壓力為約266Pa(2托)。將NH3氣作為反應氣體，其分壓為100ccm。然后將Ar氣體作為載氣，含有機Si化合物分別以0.05cc/分的比例供給，成膜時間在1分鐘、2分鐘、3分鐘、4分鐘和5分鐘的時候分別各自從成膜室取出1塊基板，從成膜結束后基板上的Si3N4薄膜截面SEM(掃描電子顯微鏡)像測定膜厚。得到的每一個成膜時間的膜厚結果分別如表1所示。


根據表1可以看出，使用比較例1～11的含有機Si化合物得到的薄膜隨著時間的推移膜厚也不會變厚，成膜的穩(wěn)定性較差。與此相對的使用實施例1～10的含有機Si化合物得到的薄膜，每個成膜時間的膜厚是均等的，可以得出成膜的穩(wěn)定性較高的結果。
<比較評價2>
分別用實施例1～10以及比較例1～11中得到的含有機Si化合物，除了將基板的溫度分別改變?yōu)?00℃以上、600℃、500℃和400℃以外，其余按照和比較評價1條件同樣的方法在硅基板上形成Si3N4薄膜。對形成薄膜后的基板表面用SEM進行攝像，求得在某一定面積上裂縫所占有的比例。得到的在膜表面上裂縫所占有比例的結果如表2所示。


從表2可以看出，比較例1～11中得到的薄膜表面的裂縫含有比例顯示出0.1％～1.0％的較高比例的結果。在低溫成膜條件下特別顯著。與此相對實施例1～10得到的薄膜表面的裂縫含有比例為0.01％～0.022％左右，可以得出裂縫被大大抑制的結果。
<比較評價3>
分別用實施例1～10以及比較例1～11中得到的含有機Si化合物進行下面的試驗。
首先將這些含有機Si化合物溶解在有機溶劑中配置成濃度為0.5摩爾濃度的溶液原料。有機溶劑使用正辛烷。另外為每份溶液原料各準備4枚表面上形成膜厚為1000℃硅氧化膜的4英寸的硅薄片。接著在薄片表面上用旋涂法涂布溶液原料。調節(jié)該涂布的厚度使其在熱處理后形成的薄膜的膜厚成為50nm。
然后將表面涂布有溶液原料的薄片在N2氣氛下進行熱處理，在薄片的硅氧化膜上形成Si3N4薄膜。每份溶液原料的熱處理溫度分別改變?yōu)?00℃以上、600℃、500℃和400℃。形成Si3N4薄膜的薄片表面用SEM進行攝像，求得在某一定面積上裂縫所占有的比例。得到的在Si3N4薄膜表面上裂縫所占有比例的結果如表3所示。


從表3可以看出，比較例1～11中得到的薄膜表面的裂縫含有比例顯示出0.1％～05％的較高比例的結果。與此相對實施例1～10中得到的薄膜表面的裂縫含有比例為0.01％～0.04％左右，可以得出裂縫被大大抑制的結果。
權利要求
1.形成含Si薄膜的方法，其特征在于使用如下式(1)所示的具有Si-Si鍵的含有機Si化合物以形成含Si薄膜 其中R1表示氫或者甲基，R2表示甲基、乙基、丙基或者叔丁基。
2.如權利要求1所述的形成含Si薄膜的方法，其中成膜方法是化學氣相沉積法或液相外延法。
全文摘要
本發(fā)明的形成含Si薄膜的方法，氣化穩(wěn)定性優(yōu)良，具有較高的成膜速度。與以往的含有有機Si的化合物相比可以在更低的溫度下氣相沉積或者液相外延、而且得到的膜強度較大。本發(fā)明的形成含Si薄膜的方法，其特征在于使用如右式(1)所示的具有Si－Si鍵的含有機Si化合物以形成含Si薄膜，其中R
文檔編號C23C16/42GK1645569SQ200410007828
公開日2005年7月27日 申請日期2004年2月13日 優(yōu)先權日2003年2月13日
發(fā)明者齋篤 申請人:三菱綜合材料株式會社