專利名稱：拋光組合物及用該拋光組合物拋光后的磁記錄盤基片的制作方法
技術(shù)領域：
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本發(fā)明涉及一種拋光組合物，更具體地說，涉及用于對插入包括在電腦中的硬盤驅(qū)動器中的磁記錄盤基片進行拋光的組合物，并涉及生產(chǎn)用該拋光組合物拋光的磁記錄盤基片的方法。
背景技術(shù)：
通常，已經(jīng)推薦的有各種各樣的用于拋光磁記錄盤基片的組合物，它們呈現(xiàn)出拋光速率高，對基片表面造成如刮痕、凹點及結(jié)節(jié)的缺陷少及拋光所致破壞小。例如，JP-A-昭61-291674披露了一種含有氨基磺酸或磷酸的拋光組合物，JP-A-昭62-25187披露了一種含有硝酸鋁的拋光組合物，和JP-A-平2-158682披露了一種含有金屬亞硝酸鹽的拋光組合物。
JP-A-平4-275387披露了一種含有兩種類型的拋光促進劑的拋光組合物，其一是硫酸鋁或氯化鋁，另一種為過氧化物、硝酸、硝酸鹽、亞硝酸鹽，或芳族硝基化合物。
另外，含有作為拋光促進劑的勃姆石、勃姆石氧化鋁溶膠或膠體氧化鋁的拋光組合物，也被披露用作為一種產(chǎn)生高質(zhì)量拋光面而不出現(xiàn)表面缺陷的有效組合物。
據(jù)報道，其它拋光組合物有，例如在JP-A-平1-188264(一種添加了勃姆石的含氧化鋁的組合物)，JP A-平1-205973(一種添加了金屬鹽及勃姆石的含氧化鋁的組合物)，JP-A-平2-84485(一種包括葡糖酸、乳酸、其鈉鹽及膠體氧化鋁的拋光組合物)，JP-A-平2-158683(一種添加了勃姆石及無機或有機酸的銨鹽的含氧化鋁的組合物)，JP-A-平3-115383(一種添加了勃姆石及水溶性過氧化物的含氧化鋁的組合物)，JP-A-平4-363385(一種添加了螯合化合物、勃姆石及鋁鹽的含氧化鋁的組合物)，及JP-A-平11-92749(一種包括氧化鋁、勃姆石及多胺螯合化合物或多氨基羧酸螯合化合物的組合物)。
這些組合物得以開發(fā)，都是為了使拋光面質(zhì)量高，無表面缺陷如凹點、結(jié)節(jié)及刮痕，又保持高拋光速率。
但是，在迅速增長的計算機硬件領域中，由于硬盤驅(qū)動器中磁頭與磁記錄盤間距離越窄(飛行高度)，記錄密度越高，對磁記錄盤提出的要求沒有休止，要求表面精加工質(zhì)量更高。但是迄今為止，可充分滿足這種對實際性能無休止需求的磁記錄盤還沒能生產(chǎn)出來。
如上所述為了提高記錄密度，這種磁盤基片必須平度高；表面糙度低；沒有凹點、結(jié)節(jié)或刮痕，而且在磁盤外周邊末段部分可能形成的轉(zhuǎn)出量必須少。在要求其表面糙度Ra約15?；蚋图捌渌匦缘母哔|(zhì)量拋光面的情況下，通常已被認可的超微凹點及結(jié)節(jié)卻提出了問題。為此，需要有能達到高質(zhì)量精加工表面的極優(yōu)拋光組合物。
為了滿足這些要求，本發(fā)明的目的在于提供一種能提供高質(zhì)量拋光面而不產(chǎn)生表面缺陷又能保持高拋光速率的拋光組合物。更具體地說，本發(fā)明的目的在于提供一種拋光組合物，在拋光磁記錄盤的鍍有Ni-P的鋁基片期間，這種拋光組合物可達到高拋光效率，并能形成一種極好的拋光面，其光滑度高，沒有表面缺陷。
發(fā)明公開本發(fā)明的拋光組合物至少包括水、氧化鋁及衍生于鋁鹽的溶膠產(chǎn)物。
該拋光組合物還可包含拋光促進劑，其含量為0.01-10質(zhì)量％。
該拋光促進劑為至少一種選自有機酸、無機酸及其鹽類的物質(zhì)。
該溶膠產(chǎn)物是鋁鹽與至少一種選自氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、有機胺化合物、胺螯合化合物、氨基羧酸類、氨基羧酸螯合化合物及氨基膦酸螯合化合物中的物質(zhì)的混合物。
該溶膠產(chǎn)物可以是至少一種選自鋁鹽水合物及脫水物的物質(zhì)與至少一種選自氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、有機胺化合物、胺螯合化合物、氨基羧酸類、氨基羧酸螯合化合物及氨基膦酸螯合化合物中的物質(zhì)的混合物，所述鋁鹽包括諸如硫酸鋁、氯化鋁、硝酸鋁、磷酸鋁及硼酸鋁的無機酸鋁鹽和諸如醋酸鋁、乳酸鋁及硬脂酸鋁的有機酸鋁鹽。
該溶膠產(chǎn)物可以是至少一種選自硫酸鋁、氯化鋁及硝酸鋁的鋁鹽與至少一種選自氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、三乙醇胺及氨基三亞甲基膦酸中的化合物的混合物。
該溶膠產(chǎn)物含量為0.01-5質(zhì)量％。
本發(fā)明還提供了一種生產(chǎn)衍生于鋁鹽的溶膠產(chǎn)物的方法，其包括用攪拌器對鋁鹽與至少一種選自氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、有機胺化合物、胺螯合化合物、氨基羧酸、氨基羧酸螯合化合物及氨基膦酸螯合化合物中的物質(zhì)進行混合。
在生產(chǎn)上述溶膠產(chǎn)物的方法中，該鋁鹽為至少一種選自硫酸鋁、氯化鋁及硝酸鋁的物質(zhì)。
在上述生產(chǎn)溶膠產(chǎn)物的方法中，該攪拌器是一種高剪切攪拌器。
本發(fā)明還提供了一種生產(chǎn)磁記錄盤基片的方法，其包括對未加工的磁記錄盤基片和拋光襯墊中至少之一進行旋轉(zhuǎn)，同時將任一種所述拋光組合物加入該基片與襯墊之間的空間。
在上述磁記錄盤基片的生產(chǎn)方法中，未加工的磁記錄盤基片是化學鍍Ni-P的鋁盤。
根據(jù)本發(fā)明的包含衍生于鋁鹽的溶膠產(chǎn)物的拋光組合物，可能獲得一種基片，該基片具有抑制了的在磁盤外周邊末段部分形成的轉(zhuǎn)出并具有高質(zhì)量的鏡面拋光面而無表面缺陷，同時保持了高拋光速率。當用這種基片作磁記錄盤時，有可能使它與磁頭間的距離更小，從而提高了記錄密度。
附圖簡要說明

圖1為表明用于生產(chǎn)根據(jù)本發(fā)明溶膠產(chǎn)物的高剪切攪拌器結(jié)構(gòu)的一個實施例的示意圖。
圖2為對確定經(jīng)拋光的磁盤的轉(zhuǎn)出量的一種解釋圖。
實施本發(fā)明最佳方式本發(fā)明針對一種拋光組合物，它包括水、氧化鋁及衍生于鋁鹽的溶膠產(chǎn)物。優(yōu)選的是，該組合物除包含以上組分外，還包含拋光促進劑。更具體地說，本發(fā)明針對一種拋光組合物，在該組合物中加入了衍生于鋁鹽的溶膠產(chǎn)物，其中該溶膠產(chǎn)物是通過鋁鹽與例如能在水溶液中離解出氫氧離子的無機堿性化合物或能通過水合形成游離羥基的氨或胺化合物的化合物之間的反應而形成的。
該衍生于鋁鹽的溶膠產(chǎn)物與拋光促進劑協(xié)同作用，有效地提高了拋光速率，改善了整個組合物的粘度，增強了氧化鋁顆粒的分散性能及再分散性能。此外，該溶膠產(chǎn)物可增強氧化鋁在拋光襯墊上的保留率，從而降低轉(zhuǎn)出量。
對本發(fā)明所用的氧化鋁沒有提出具體的限制，諸如α、θ或γ型晶體結(jié)構(gòu)類型的任何氧化鋁均可使用。在這些氧化鋁中，從保證高拋光速率的觀點來看，α-氧化鋁是優(yōu)選的。盡管對氧化鋁粒徑?jīng)]有提出具體限制，但平均粒徑優(yōu)選為0.02-5μm，更優(yōu)選為0.3-2μm。在本發(fā)明中，該平均粒徑可適當按照欲達到的目標表面糙度來確定。
用于本發(fā)明的拋光組合物優(yōu)選含氧化鋁，其量為1-30質(zhì)量％，更優(yōu)選為3-20質(zhì)量％。
用于本發(fā)明拋光組合物中的衍生于鋁鹽的溶膠產(chǎn)物可通過以下方法獲得將選自氫氧化鈉；氫氧化鉀；氨；有機胺化合物，如C1-C10烷基胺(如一甲胺、二甲胺、三甲胺或甲基乙胺)或羥烷基胺(如三乙醇胺)；(多)胺螯合化合物(1，2-乙二胺、二亞乙基三胺或聯(lián)吡啶)；氨基羧酸(也稱氨基酸，如甘氨酸或谷氨酸)；(多)氨基羧酸螯合化合物(如乙二胺四乙酸(EDTA)、二亞乙基五乙酸(DTPA)、次氮基乙酸(NTA)，或亞氨基二乙酸)；及氨基膦酸螯合化合物，如二亞乙基三胺五亞甲基膦酸或氨基三亞甲基膦酸)中的至少一種物質(zhì)，添加至含有以水合物或脫水物形式存在的至少一種選自如硫酸鋁、氯化鋁、硝酸鋁、磷酸鋁及硼酸鋁的無機酸鋁鹽類；及如醋酸鋁、乳酸鋁及硬脂酸鋁的有機酸鋁鹽類中的物質(zhì)的水溶液中，同時用高剪切攪拌器進行混合。將鋁鹽和與水反應易形成游離羥基基團的物質(zhì)(例如氨或胺)；帶末端羥基的化合物；或具有如氫氧化鈉或氫氧化鉀的羥基的化合物進行混合，形成一種其中組分化合物是以鏈式連接的鏈結(jié)構(gòu)物質(zhì)。
在制取衍生于鋁鹽的溶膠產(chǎn)物時，采用能對鋁鹽的原料混合溶液產(chǎn)生高剪切力的高剪切攪拌器來完成攪拌步驟。這樣能形成適于對磁記錄盤基片進行拋光的溶膠產(chǎn)物。
圖1表示實施高剪切攪拌的攪拌器的一個實施例，其中將裝配有渦輪4的屏蔽筒5，用支撐桿7支撐，以懸掛方式裝在攪拌容器1內(nèi)。
在具有以上結(jié)構(gòu)的攪拌器中，在由渦輪軸6高速旋轉(zhuǎn)渦輪4時，在產(chǎn)生一種剪力的同時，攪拌位于屏蔽筒5內(nèi)的鋁鹽的原料混合溶液。溶液從屏蔽筒5的上開口以對流形式上升，在設置于液位3附近的換向板3的存在下，沿攪拌容器的內(nèi)周邊壁形成向下對流9，并上升朝向位于攪拌容器下部的屏蔽筒5的下開口，在屏蔽筒5內(nèi)再遭受高剪切攪拌，并通過攪拌容器1內(nèi)的對流而被循環(huán)。結(jié)果獲得了溶膠產(chǎn)物。
高剪切攪拌器中的渦輪4的轉(zhuǎn)數(shù)可隨攪拌容器1的尺寸、渦輪4的形狀及屏蔽筒5的體積而變化。在攪拌容器1的體積為2-20升時，渦輪以500-12,000轉(zhuǎn)/分旋轉(zhuǎn)，優(yōu)選6000-10,000轉(zhuǎn)/分，更優(yōu)選7,000-9,000轉(zhuǎn)/分。而在攪拌容器體積加倍時，渦輪轉(zhuǎn)數(shù)優(yōu)選應為約其一半。在攪拌容器1的體積為2-20升時，攪拌時間為15-60分鐘。隨容器體積增加，必須增加攪拌時間。
本發(fā)明人通過X-射線衍射及核磁共振已對該溶膠產(chǎn)物結(jié)構(gòu)進行了分析。分析顯示，按照本發(fā)明的溶膠產(chǎn)物如那些由硫酸鋁及氨；氯化鋁及氨；硫酸鋁及氫氧化鈉；及硫酸鋁及三乙醇胺產(chǎn)生的溶膠產(chǎn)物，不呈現(xiàn)屬于假勃姆石或類似物質(zhì)的特征峰，而呈現(xiàn)寬范圍的衍射圖，而由勃姆石氧化鋁與葡糖酸或硝酸鋁獲得的溶膠產(chǎn)物卻呈現(xiàn)屬于假勃姆石晶體貢獻的峰。因此，本發(fā)明溶膠產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)被認為是無定形的。
盡管以上結(jié)果沒有顯示根據(jù)本發(fā)明的溶膠產(chǎn)物中的清楚網(wǎng)絡結(jié)構(gòu)，可以認為，這種結(jié)構(gòu)的形成是通過鋁原子與游離羥基團的鍵合形成三羥鋁石結(jié)構(gòu)的氫氧化鋁Al(OH)3，并進一步通過對氫氧化鋁進行水合，從而形成無定形水合氧化鋁Al(OH)3·n H2O溶膠所致。
包括本發(fā)明溶膠產(chǎn)物的這種組合物含鋁鹽的量為0.01-5質(zhì)量％，優(yōu)選0.05-2質(zhì)量％。其量不足0.01質(zhì)量％時，不能達到所希望的效果，而在該量超過5質(zhì)量％時，這種組合物膠凝，并形成表面缺陷，如凹點及結(jié)節(jié)。
在本發(fā)明的一種方式中，可用有機酸或無機酸鹽作為拋光促進劑。有機酸可以是選自丙二酸、丁二酸、己二酸、乳酸、蘋果酸、檸檬酸、甘氨酸、天冬氨酸、酒石酸、葡糖酸、胨葡糖酸(peptogluconic)、亞氨基二乙酸及富馬酸中的至少一種。無機酸鹽可以是選自硫酸鈉、硫酸鎂、硫酸鎳、硫酸鋁、硫酸銨、硝酸鎳、硝酸鋁、硝酸銨、硝酸鐵、氯化鋁及氨基磺酸鎳中的至少一種。
有機酸或無機酸鹽的量為0.01-10質(zhì)量％，優(yōu)選0.1-2質(zhì)量％。當其量不足0.01質(zhì)量％時，不能達到拋光促進劑的效果，而當其量超過10質(zhì)量％時，產(chǎn)生凹點及結(jié)節(jié)，從而使拋光面品質(zhì)惡化。另外，出現(xiàn)氧化鋁顆粒聚集，這對液體性質(zhì)影響不利。
在本發(fā)明的另一方式中，作為拋光促進劑，可采用有機酸與有機酸鹽或無機酸鹽的組合。與以上情況類似，有機酸可以是選自丙二酸、丁二酸、己二酸、乳酸、蘋果酸、檸檬酸、甘氨酸、天冬氨酸、酒石酸、葡糖酸、胨葡糖酸、亞氨基二乙酸及富馬酸中的至少一種。有機酸鹽可以是選自上述有機酸的鉀鹽、鈉鹽與銨鹽中的至少一種。
與以上情況類似，該無機酸鹽可以是選自硫酸鈉、硫酸鎂、硫酸鎳、硫酸鋁、硫酸銨、硝酸鎳、硝酸鋁、硝酸銨、硝酸鐵、氯化鋁及氨基磺酸鎳中至少一種。在有機酸與有機酸鹽和/或無機酸鹽的所有組合中，酸類與鹽類的總量按拋光組合物總量計為0.01-10質(zhì)量％，優(yōu)選為0.1-2質(zhì)量％。在這些組分之中，必須調(diào)節(jié)有機酸量達到至少0.003質(zhì)量％。
在拋光促進劑中任何組合的總量不足0.01質(zhì)量％時，拋光促進效果變差，而在該量超過10質(zhì)量％時，拋光組合物溶液的粘度過度增加，出現(xiàn)對液體性質(zhì)不良的氧化鋁顆粒的聚集，在拋光面上產(chǎn)生凹點及結(jié)節(jié)，從而降低了品質(zhì)，造成不利。在采用有機酸與有機酸組合時，同物種酸類的組合會產(chǎn)生更好的拋光特性。
除上述組分外，本發(fā)明拋光組合物可含有用作添加劑以滿足各種需求的任何氧化鋁溶膠、表面活性劑、清潔劑、防腐蝕劑、殺菌劑、pH控制劑、增稠劑及表面改性劑如纖維素、氨基磺酸或磷酸。
本發(fā)明拋光組合物優(yōu)選pH為2-6。
可按常規(guī)方法以同樣方式，利用該拋光組合物，獲得磁記錄盤基片，其包括將該拋光組合物加至待拋光的未加工磁記錄盤基片的表面與拋光襯墊之間，旋轉(zhuǎn)該未加工基片及拋光襯墊二者中的至少一個，使拋光組合物在表面上滑動。
下面以實施例方式，對本發(fā)明更詳細地描述，但不應把它看成是對本發(fā)明的限制。
實施例按實施例1-16制備的包括不同組分的十六種拋光組合物示于表1中，按比較實施例1-10所制備的包括不同組分和不包含衍生于鋁鹽的溶膠產(chǎn)物的十種拋光組合物示于表2中。以下描述制備這些拋光組合物的方法、衍生于鋁鹽的溶膠產(chǎn)物的配方實施例、對記錄盤基片進行拋光的條件及評價基片拋光特性的方法。
(拋光組合物的制備)在焙燒爐中于空氣氣氛下加熱氫氧化鋁至約1，200℃，獲得α-氧化鋁。碾碎由此獲得的α-氧化鋁，并將其進行濕分級，由此得到三種氧化鋁樣品，其平均粒徑分別為0.6μm、0.7μm及1.0μm。在各實施例或比較實施例中，均按表1或2所示的組成比例及在以下所示攪拌條件下，對具體的鋁鹽及氨或其它堿性化合物進行混合，以由此制得衍生于鋁鹽的溶膠產(chǎn)物。含各自溶膠產(chǎn)物的配方實施例匯集顯示如下。
此后，根據(jù)表1或2所示的各自組成，稱量加入水、氧化鋁、衍生于鋁鹽的溶膠產(chǎn)物及拋光促進劑，并加以混合，由此制取相應的拋光組合物樣品。
(用于生產(chǎn)衍生于鋁鹽的溶膠產(chǎn)物的配方實施例)用于生產(chǎn)衍生于鋁鹽的溶膠產(chǎn)物的配方實施例(按重量比)示于此后。
(1)衍生于硫酸鋁及氨的溶膠產(chǎn)物水∶硫酸鋁(18水合物、以下均采用其作為硫酸鋁)∶28％氨水＝20∶5∶3.6；(2)衍生于硫酸鋁及氨基三亞甲基膦酸(縮寫為NTMP)的溶膠產(chǎn)物水∶硫酸鋁∶NTMP＝20∶5∶15；(3)衍生于硫酸鋁及二亞乙基三胺五亞甲基膦酸的溶膠產(chǎn)物(縮寫為DTPMP)的溶膠產(chǎn)物水∶硫酸鋁∶DTPMP＝20∶5∶15；(4)衍生于硫酸鋁及三乙醇胺(縮寫為TEA)的溶膠產(chǎn)物水∶硫酸鋁∶TEA＝20∶5∶15(5)衍生于氯化鋁及氨的溶膠產(chǎn)物水∶氯化鋁(六水合物)∶28％氨水＝20∶5∶3.6；(6)衍生于硝酸鋁及氨的溶膠產(chǎn)物水∶硝酸鋁(非水合物，此后均采用其作為硝酸鋁)∶28％氨水＝20∶5∶3.6；(7)衍生于硝酸鋁及三乙醇胺的溶膠產(chǎn)物水∶硝酸鋁∶TEA＝20∶5∶15；(8)衍生于硫酸鋁及氫氧化鈉的溶膠產(chǎn)物水∶硫酸鋁∶50％氫氧化鈉＝20∶5∶3。
加至該組合物中的溶膠產(chǎn)物的量(含量)定義為，所用鋁鹽與構(gòu)成溶膠產(chǎn)物的化合物的總重量，扣除各組分的水含量。
(生產(chǎn)溶膠產(chǎn)物的攪拌條件)用圖1所示結(jié)構(gòu)的高剪切攪拌器，對預先制備的原料混合溶液進行高剪切攪拌，獲得溶膠產(chǎn)物。
所用攪拌器是T.K.Homoxer，M-型MK-II式攪拌器，它是JapanSpecial Machine Chemical Industry Co.，Ltd(日本專用機器化學工業(yè)公司)的產(chǎn)品。該攪拌容器容積為2升，屏蔽筒中渦輪的轉(zhuǎn)數(shù)為8000轉(zhuǎn)/分。
(拋光條件)用尺寸為3.5英寸、化學鍍Ni-P的鋁磁盤作為待拋光的工件。拋光測試及磁盤評價均按下述條件下進行。
拋光測試條件拋光試驗機9B雙邊拋光機(System Seiko公司的產(chǎn)品)拋光襯墊Politex DG面板轉(zhuǎn)數(shù)頂面板為28轉(zhuǎn)/分，底面板為45轉(zhuǎn)/分；中心齒輪為8轉(zhuǎn)/分漿液進料速度100毫升/分拋光時間5分鐘工作壓力80克/厘米2。
(磁盤評定方法)拋光速率按拋光磁盤前后重量差計算拋光面質(zhì)量在顯微鏡下觀察并計數(shù)磁盤上的凹點、結(jié)節(jié)；具體對5張磁盤兩側(cè)面橫向觀察凹點與結(jié)節(jié)，并在(放大50倍)視野范圍內(nèi)計數(shù)；并對一張磁盤兩側(cè)面橫向觀察刮痕，在(放大100倍)視野內(nèi)對刮痕計數(shù)。
轉(zhuǎn)出量用表面記錄儀(surfcorder)SE-3OD型(Kosaka Kenkyujo公司的產(chǎn)品)。
具體地說，使用表面記錄儀描繪拋光硬磁盤表面的周邊部分，繪出如圖2所示的曲線S。沿曲線S的周邊繪出垂直線h。該曲線S上在垂直線h到磁盤中心為3,000μm及2,000μm處的點分別被確定為A和B。當延伸直線穿過A和B點時，在距垂直線h為500μm處的點被設定為C。通過C點繪出垂直線k，而處于垂直線k及曲線S的相交處的點被確定為D。將C及D點間的長度t確定為磁盤轉(zhuǎn)出量。
工業(yè)應用性如上所述，本發(fā)明的拋光組合物，至少包括水、氧化鋁、衍生于鋁鹽的溶膠產(chǎn)物，及任選的拋光促進劑，該拋光組合物可獲得高的拋光速率、少量的轉(zhuǎn)出量、及無表面缺陷的高質(zhì)量鏡面拋光的表面，該表面做為磁記錄盤基片的表面是最佳的。
比較表1及2清楚表明，添加該溶膠產(chǎn)物，可減低轉(zhuǎn)出量到三分之一或更低，提供了一種幾乎沒有凹點、結(jié)節(jié)及刮痕的表面性能良好的拋光面，并可達到高的拋光速率。添加拋光促進劑至本發(fā)明的拋光組合物中，其拋光速率可得到進一步提高，效果很顯著，且轉(zhuǎn)出量增強至約500。[表1-1]

表中，Lac乳酸，Mal蘋果酸，ALS硫酸鋁，AM氨，Nod結(jié)節(jié)，Scr刮痕，ROA轉(zhuǎn)出量，％質(zhì)量％[表1-2]

表中，Mal蘋果酸，Glu葡糖酸，ALS硫酸鋁，ALC氯化鋁，ALN硝酸鋁，AM氨，Nod結(jié)節(jié)，Scr劃痕，ROA轉(zhuǎn)出量，％質(zhì)量％[表2]

表中，Lac乳酸，Mal蘋果酸，Nod結(jié)節(jié)，Scr劃痕，ROA轉(zhuǎn)出量，M許多，％質(zhì)量％
權(quán)利要求
1.一種拋光組合物，至少包括水、氧化鋁及衍生于鋁鹽的溶膠產(chǎn)物。
2.按照權(quán)利要求1所述的拋光組合物，還包括拋光促進劑。
3.按照權(quán)利要求2所述的拋光組合物，其中拋光促進劑為至少一種選自有機酸、無機酸及其鹽類的物質(zhì)。
4.按照權(quán)利要求1或2所述的拋光組合物，其中溶膠產(chǎn)物是鋁鹽與至少一種選自氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、有機胺化合物、胺螯合化合物、氨基羧酸、氨基羧酸螯合化合物及氨基膦酸螯合化合物中的物質(zhì)的混合物。
5.按照權(quán)利要求1或2所述的拋光組合物，其中溶膠產(chǎn)物是至少一種選自包括無機酸鋁鹽、和有機酸鋁鹽的鋁鹽水合物及脫水物中的物質(zhì)，與至少一種選自氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、有機胺化合物、胺螯合化合物、氨基羧酸、氨基羧酸螯合化合物及氨基膦酸螯合化合物中的物質(zhì)的混合物，所述無機酸鋁鹽包括硫酸鋁、氯化鋁、硝酸鋁、磷酸鋁及硼酸鋁，所述有機酸鋁鹽包括醋酸鋁、乳酸鋁及硬脂酸鋁。
6.按照權(quán)利要求1或2所述的拋光組合物，其中溶膠產(chǎn)物是至少一種選自硫酸鋁、氯化鋁及硝酸鋁的鋁鹽與至少一種選自氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、三乙醇胺及氨基三亞甲基膦酸的化合物的混合物。
7.按照權(quán)利要求2所述的拋光組合物，其中包含的拋光促進劑量為0.01-10質(zhì)量％。
8.按照權(quán)利要求1或2所述的拋光組合物，其中包含的溶膠產(chǎn)物量為0.01-5質(zhì)量％。
9.一種生產(chǎn)衍生于鋁鹽的溶膠產(chǎn)物的方法，包括用攪拌器，對鋁鹽與至少一種選自氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、有機胺化合物、胺螯合化合物、氨基羧酸、氨基羧酸螯合化合物及氨基膦酸螯合化合物中的物質(zhì)進行混合。
10.按照權(quán)利要求9所述的生產(chǎn)溶膠產(chǎn)物的方法，其中鋁鹽為至少一種選自硫酸鋁、氯化鋁及硝酸鋁的物質(zhì)。
11.按照權(quán)利要求9或10所述的生產(chǎn)溶膠產(chǎn)物的方法，其中攪拌器是高剪切攪拌器。
12.一種生產(chǎn)磁記錄盤基片的方法，包括對未加工的磁記錄盤基片及拋光襯墊中至少之一進行旋轉(zhuǎn)，同時將按照權(quán)利要求1或2的拋光組合物加入至該基片與襯墊之間的空間。
13.按照權(quán)利要求12所述的生產(chǎn)磁記錄盤基片的方法，其中未加工的磁記錄盤基片是化學鍍Ni-P的鋁磁盤。
全文摘要
一種拋光組合物,其至少包含水、氧化鋁及衍生于鋁鹽的溶膠產(chǎn)物。用該拋光組合物拋光后的磁記錄盤基片抑制了其外周邊部分形成的轉(zhuǎn)出量,其具有幾乎無凹點、結(jié)節(jié)及刮痕的高質(zhì)量鏡面拋光的表面,并能使它與磁頭間的距離小,而由此能達到記錄密度。
文檔編號B24B37/00GK1366547SQ01800919
公開日2002年8月28日 申請日期2001年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月5日
發(fā)明者石飛健, 汲田哲朗, 洪公弘, 鈴木義典 申請人:昭和電工株式會社, 山口精研工業(yè)株式會社