專利名稱：太陽光譜選擇性吸收涂層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于太陽能集熱器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及利用磁控反應(yīng)濺射真空鍍膜技術(shù)制備的太陽光譜選擇性吸收涂層。
美國專利US339.484涉及到的選擇性吸收涂層是在玻璃上先濺射沉積一層紅外高反射的銅膜，然后沉積不銹鋼一碳化物為吸收層，該涂層太陽吸收比(AM2)α≈0.92，發(fā)射率ε≈0.05(100℃)。
中國發(fā)明專利CN1056159A涉及的是一種AlNxOy選擇性吸收涂層，制備時以單個的鋁材作陰極，使用氬氣、氮?dú)?、氧氣三種氣體，該涂層太陽吸收比α≈0.90～0.94，紅外發(fā)射率ε＝0.07～0.12。
中國發(fā)明專利CN1077018A涉及的是鋁-碳吸收層，鋁-氮為減反射膜的選擇性吸收涂層。制備時也是單個的鋁陰極，通入的氣體是氬氣、氮?dú)狻⒓淄?或乙炔)三種，其中的甲烷(或乙炔)是可燃?xì)怏w，太陽吸收比α＝0.92～0.95，發(fā)射率ε＝0.05～0.07(80℃)。
中國發(fā)明專利CN85100142.4涉及的是一種鋁-氮(或鋁-碳-氧)選擇性吸收涂層，用單個鋁陰極，活性氣體是高純氮?dú)?一氧化碳)，太陽吸收比α≈0.93，發(fā)射率ε≈0.06(100℃)。
本發(fā)明提出的一種太陽光譜選擇性吸收涂層，包括反射層，吸收層，減反射層，其特征在于所述吸收層是以鈦及合金鋁為陰極在氮?dú)?、空氣、氮?dú)?氧氣氣氛中濺射而成的鋁氮+鈦氮-鋁鈦[(AlN+TiN)-AlTi]膜及鋁氮氧+鈦氮氧-鋁鈦[(AlNO+TiNO)-AlTi]膜。所述的減反射層為鋁氮+鈦氮(AlN+TiN)膜及鋁氮氧+鈦氮氧(AlNO+TiNO)膜。所述的吸收層的厚度為0.15×10-6m至0.4×10-6m。所述的減反射層厚度為0.04×10-6m至0.2×10-6m。
本發(fā)明制備的太陽光譜選擇性吸收涂層在大氣狀態(tài)下經(jīng)350℃，250小時，或400℃，50小時，或450℃，80小時烘烤后，其太陽吸收比α都可達(dá)0.93以上，發(fā)射率ε＝0.06～0.10(80℃)。
本發(fā)明制備的太陽光譜選擇性吸收涂層在大氣狀態(tài)下經(jīng)350℃，250小時，或400℃，50小時，或450℃，80小時烘烤后，其太陽吸收比α都可達(dá)0.93以上，發(fā)射率ε＝0.06～0.10(80℃)。
權(quán)利要求
1.一種太陽光譜選擇性吸收涂層，包括反射層，吸收層，減反射層，其特征在于所述吸收層是以鈦及合金鋁為陰極在氮?dú)鈿夥罩袨R射而成的鋁氮+鈦氮-鋁鈦[(AlN+TiN)-AlTi]膜。
2.一種太陽光譜選擇性吸收涂層，包括反射層，吸收層，減反射層，其特征在于所述吸收層是以鈦及合金鋁為陰極在空氣氣氛中濺射而成的鋁氮氧+鈦氮氧-鋁鈦[(AlNO+TiNO)-AlTi]膜。
3.一種太陽光譜選擇性吸收涂層，包括反射層，吸收層，減反射層，其特征在于所述吸收層是以鈦及合金鋁為陰極在氮?dú)?氧氣氣氛中濺射而成的鋁氮氧+鈦氮氧-鋁鈦[(AlNO+TiNO)-AlTi]膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽光譜選擇性吸收涂層，其特征在于所述的減反射層為鋁氮+鈦氮(AlN+TiN)膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求2、3所述的太陽光譜選擇性吸收涂層，其特征在于所述的減反射層為鋁氮+鈦氮(AlN+TiN)和鋁氮氧+鈦氮氧(AlNO+TiNO)膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的太陽光譜選擇性吸收涂層，其特征在于所述的吸收層的厚度為0.15×10-6m至0.4×10-6m。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的太陽光譜選擇性吸收涂層，其特征在于所述的減反射層厚度為0.04×10-6m至0.2×10-6m。
全文摘要
一種太陽光譜選擇性吸收涂層,涉及太陽能集熱器技術(shù)領(lǐng)域。包括反射層,吸收層,減反射層,其特征在于吸收層是以鈦及合金鋁為陰極在氮?dú)?、空氣、氮?dú)?氧氣氣氛中濺射而成的鋁氮+鈦氮－鋁鈦[(AlN+TiN)－AlTi]膜及鋁氮氧+鈦氮氧－鋁鈦[(AlNO+TiNO)－AlTi]膜,其減反射層為鋁氮+鈦氮(AlN+TiN)膜及鋁氮氧+鈦氮氧(AlNO+TiNO)膜。本發(fā)明制備的太陽光譜選擇性吸收涂層在大氣狀態(tài)下經(jīng)350℃,250小時,或400℃,50小時,或450℃,80小時烘烤后,其太陽吸收比α都可達(dá)0.93以上,發(fā)射率ε=0.06～0.10(80℃)。
文檔編號C23C14/34GK1360084SQ0113813
公開日2002年7月24日 申請日期2001年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月31日
發(fā)明者史月艷, 申越 申請人:清華大學(xué)