1.一種手持式熔錫設(shè)備，其特征在于，包括電路板倉(cāng)和高頻振蕩電路，所述高頻振蕩電路包括諧振電路板、諧振線(xiàn)圈和續(xù)流電感，所述諧振電路板和續(xù)流電感設(shè)置在電路板倉(cāng)內(nèi)部，所述諧振線(xiàn)圈包括兩個(gè)串聯(lián)的第二高頻線(xiàn)圈和第三高頻線(xiàn)圈，所述第二高頻線(xiàn)圈和第三高頻線(xiàn)圈的一端相互擰在一起形成抽頭，所述抽頭與續(xù)流電感可拆卸式連接，所述第二高頻線(xiàn)圈和第三高頻線(xiàn)圈的另一端伸入電路板倉(cāng)與諧振電路板可拆卸式連接，所述電路板倉(cāng)為空心的圓筒形；所述高頻振蕩電路具體包括電源、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第一非極性電容、第一高頻線(xiàn)圈、第一晶體管、第二晶體管、第一二極管、第二二極管、第三二極管、第四二極管、第五二極管、第六二極管、所述第二高頻線(xiàn)圈、所述第三高頻線(xiàn)圈，所述第一高頻線(xiàn)圈是續(xù)流電感，所述第一電阻的第一端與第一高頻線(xiàn)圈的第一端、第四電阻的第一端、電源正極連接，所述第一電阻的第二端與第二電阻的第一端、第一二極管的第二端、第三二極管的第一端、第一晶體管的G極連接，所述第一高頻線(xiàn)圈的第二端與所述第二高頻線(xiàn)圈的第二端、所述第三高頻線(xiàn)圈的第一端連接，所述第四電阻的第二端與第三電阻的第二端、第六二極管的第一端、第四二極管的第二端、第二晶體管的G極連接，所述第一二極管的第一端與所述第三高頻線(xiàn)圈的第二端、第一非極性電容的第二端、第五二極管的第二端、第二晶體管的D極連接，所述第六二極管的第二端與所述第二高頻線(xiàn)圈的第一端、第一非極性電容的第一端、第二二極管的第一端、第一晶體管的D極連接，所述第二電阻的第二端、第三二極管的第二端、第一晶體管的S極、第二二極管的第二端、第三電阻的第一端、第四二極管的第一端、第二晶體管的S極、第五二極管的第一端接入電源地。
2.如權(quán)利要求1所述的手持式熔錫設(shè)備，其特征在于：還包括保護(hù)電路，所述保護(hù)電路耦接于供電端和第一高頻線(xiàn)圈的第一端之間，包括基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路和反饋環(huán)路，所述基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路包括并聯(lián)電路和第七電阻，所述并聯(lián)電路包括并聯(lián)的第七齊納二極管、第八電阻和第二電容，所述并聯(lián)電路的第一端接地，所述并聯(lián)電路的第二端耦接第七電阻的第一端，所述第七電阻的第二端耦接供電端，所述反饋環(huán)路包括第三晶體管、第一放大器、第二放大器和第九電阻，所述第三晶體管的第一端耦接供電端，所述第三晶體管的第二端耦接第一高頻線(xiàn)圈的第一端，所述第三晶體管的控制端耦接第一放大器的輸出端，所述第一放大器的第二輸入端耦接并聯(lián)電路的第二端，所述第一放大器的第一輸入端耦接第二放大器的輸出端，所述第二放大器的輸入端耦接第一高頻線(xiàn)圈的第一端，所述第二放大器的輸出端耦接第九電阻后耦接地，所述第三晶體管為場(chǎng)效應(yīng)晶體管或者M(jìn)OS晶體管或者三極管。
3.如權(quán)利要求2所述的手持式熔錫設(shè)備，其特征在于，所述保護(hù)電路還包括匹配環(huán)路、比較器和放電通路，所述匹配環(huán)路包括第十電阻、第十一電阻、第十二電阻和第十三電阻，所述第十電阻的第一端耦接供電端，所述第十電阻的第二端耦接第十一電阻后耦接地，所述第十二電阻的第一端耦接供電端，所述第十二電阻的第二端耦接第十三電阻后耦接地，所述第十電阻的第二端耦接比較器的第一輸入端，所述第十二電阻的第二端耦接比較器的第二輸入端，放電通路包括串聯(lián)的N-MOS晶體管和第十四電阻，所述比較器的輸出端連接N-MOS晶體管的控制端，所述N-MOS晶體管的第二端耦接地，所述N-MOS晶體管的第一端耦接地十四電阻的第一端，所述第十四電阻的第二端耦接第一放大器的第二輸入端。
4.如權(quán)利要求3所述的手持式熔錫設(shè)備，其特征在于,所述第十電阻和第十二電阻均為匹配電阻，第十一電阻的溫度系數(shù)大于第十三電阻的溫度系數(shù)，常溫下第十一電阻的阻值小于第十三電阻的阻值。
5.如權(quán)利要求4所述的手持式熔錫設(shè)備，所述第三二極管、第四二極管為穩(wěn)壓二極管，所述第一二極管、第二二極管、第五二極管、第六二極管為快恢復(fù)二極管。
6.如權(quán)利要求5所述的手持式熔錫設(shè)備，第一晶體管和第二晶體管均為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
7.如權(quán)利要求1所述的手持式熔錫設(shè)備，其特征在于，所述電路板倉(cāng)具有小孔，所述小孔設(shè)置了高頻振蕩電路中電源的開(kāi)關(guān)。
8.如權(quán)利要求1所述的手持式熔錫設(shè)備，其特征在于，所述第一高頻線(xiàn)圈、第二高頻線(xiàn)圈和第三高頻線(xiàn)圈的直徑為20mm。
9.如權(quán)利要求1所述的手持式熔錫設(shè)備，其特征在于，所述第一高頻線(xiàn)圈、第二高頻線(xiàn)圈和第三高頻線(xiàn)圈的匝數(shù)為5匝。