1.一種SiC逆變式等離子切割電源，其特征在于：包括主電路和閉環(huán)控制電路；所述主電路包括依次連接的噪聲抑制模塊、工頻整流濾波模塊、SiC逆變換流模塊、功率變壓器和SiC整流與平滑模塊，以及非接觸引弧模塊；其中，噪聲抑制模塊與交流輸入電源連接；SiC整流與平滑模塊和非接觸引弧模塊分別與負(fù)載連接；
所述閉環(huán)控制電路包括人機(jī)交互模塊、DSC控制器、故障診斷保護(hù)模塊、SiC高頻驅(qū)動(dòng)模塊以及負(fù)載電信號(hào)檢測(cè)模塊；所述人機(jī)交互模塊、故障診斷保護(hù)模塊、SiC高頻驅(qū)動(dòng)模塊、負(fù)載電信號(hào)檢測(cè)模塊和非接觸引弧模塊分別與DSC控制器連接；所述故障診斷保護(hù)模塊還分別與SiC逆變換流模塊和功率變壓器連接；SiC高頻驅(qū)動(dòng)模塊還與SiC逆變換流模塊連接；負(fù)載電信號(hào)檢測(cè)模塊還與SiC整流與平滑模塊連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC逆變式等離子切割電源，其特征在于：所述工頻整流濾波模塊包括整流器BR1、電感L1和電容C11；
所述SiC逆變換流模塊包括SiC功率開關(guān)器件Q1、SiC功率開關(guān)器件Q2、SiC功率開關(guān)器件Q3、SiC功率開關(guān)器件Q4、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電容C1、電容C2、電容C3、電容C4和電容Cr；
所述功率變壓器包括變壓器T1、電容C12和電阻R12；
所述SiC整流與平滑模塊包括SiC整流二極管D1、SiC整流二極管D2、SiC整流二極管D3、SiC整流二極管D4、電容C5、電容C6、電容C7、電容C8、電容C9、電容C10、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8、電阻R9、壓敏電阻YR1、壓敏電阻YR2、壓敏電阻YR3、壓敏電阻YR4和電感L2；
所述噪聲抑制模塊與整流器BR1的輸入端連接；電感L1和電容C11串聯(lián)，之后并聯(lián)在整流器BR1的輸出端；
電容C11與SiC功率開關(guān)器件Q1和SiC功率開關(guān)器件Q2組成的串聯(lián)電路并聯(lián)，并且與SiC功率開關(guān)器件Q3和SiC功率開關(guān)器件Q4組成的串聯(lián)電路并聯(lián)；電阻R1和電容C1串聯(lián)后并聯(lián)在SiC功率開關(guān)器件Q1上；電阻R2和電容C2串聯(lián)后并聯(lián)在SiC功率開關(guān)器件Q2上；電阻R3和電容C3串聯(lián)后并聯(lián)在SiC功率開關(guān)器件Q3上；電阻R4和電容C4串聯(lián)后并聯(lián)在SiC功率開關(guān)器件Q4上；SiC功率開關(guān)器件Q1和SiC功率開關(guān)器件Q2的連接點(diǎn)通過電容Cr和變壓器T1初級(jí)與SiC功率開關(guān)器件Q3和SiC功率開關(guān)器件Q4的連接點(diǎn)連接；電容C12和電阻R12串聯(lián)后并聯(lián)在變壓器T1初級(jí)上；變壓器T1次級(jí)與SiC整流二極管D1和SiC整流二極管D2組成的串聯(lián)電路并聯(lián)，并且與SiC整流二極管D3和SiC整流二極管D4組成的串聯(lián)電路并聯(lián)；電容C5和電阻R5串聯(lián)后分別與SiC整流二極管D1和壓敏電阻YR1并聯(lián)；電阻R6和電容C6串聯(lián)后分別與SiC整流二極管D2和壓敏電阻YR2并聯(lián)；電容C7和電阻R7串聯(lián)后分別與SiC整流二極管D3和壓敏電阻YR3并聯(lián)；電阻R8和電容C8串聯(lián)后分別與SiC整流二極管D4和壓敏電阻YR4并聯(lián)；SiC整流二極管D1和SiC整流二極管D2的連接點(diǎn)通過電感L2和電容C9與SiC整流二極管D3和SiC整流二極管D4的連接點(diǎn)連接；電阻R9和電容C10分別并聯(lián)在電容C9上；電容C10的一端與負(fù)載的正端連接，電容C10的另一端通過耦合變壓器器T2初級(jí)與負(fù)載的負(fù)端連接；耦合變壓器器T2次級(jí)與非接觸引弧模塊連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC逆變式等離子切割電源，其特征在于：所述非接觸引弧模塊包括型號(hào)為IC1 555的觸發(fā)器、SiC型場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q110、升壓變壓器T103、整流橋B101、放電器101、放電器102和高壓充電電容C106，以及其它外圍輔助電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC逆變式等離子切割電源，其特征在于：所述SiC高頻驅(qū)動(dòng)模塊包括場(chǎng)效應(yīng)管M201、場(chǎng)效應(yīng)管M202、場(chǎng)效應(yīng)管M203、場(chǎng)效應(yīng)管M204、變壓器T201、變壓器T202和四個(gè)SiC驅(qū)動(dòng)電路，以及其它外圍輔助電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC逆變式等離子切割電源，其特征在于：所述負(fù)載電信號(hào)檢測(cè)模塊包括電流采樣電路和電壓分壓采樣電路；所述電流采樣電路包括包括霍爾電流傳感器、型號(hào)為AD629的芯片U301和型號(hào)為OP177的芯片U302，以及其它外圍輔助電路；所述電壓分壓采樣電路包括由電阻R401和電阻402組成的分壓?jiǎn)卧?、型?hào)為L(zhǎng)F353的芯片U401和型號(hào)為HCNR201的芯片U402，以及其它外圍輔助電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC逆變式等離子切割電源，其特征在于：所述故障診斷保護(hù)模塊包括過壓欠壓監(jiān)測(cè)電路、缺相檢測(cè)電路和過熱檢測(cè)電路；所述過壓欠壓監(jiān)測(cè)電路包括由電阻R513、電阻R514、電阻R517和電阻R518組成的橋式電路、VCC直流源、比較器U501、比較器U502、光耦U515和光耦U516，以及其它外圍輔助電路；所述缺相檢測(cè)電路包括比較器U503和光耦U514，以及其它外圍輔助電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC逆變式等離子切割電源，其特征在于：所述噪聲抑制模塊包括三相共模電感Lcm、三相差模電感Ldm、X電容、Y電容和泄放電阻。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC逆變式等離子切割電源，其特征在于：所述DSC控制器包括內(nèi)嵌FREERTOS系統(tǒng)的DSC微處理器、電源單元、外部時(shí)鐘振蕩單元、復(fù)位單元和JTAG調(diào)試接口。