本發(fā)明屬于焊接技術(shù)領域，具體涉及一種適用于大功率半導體分立器件的封裝的陶瓷絕緣子金屬外殼的焊接工藝。

背景技術(shù)：

陶瓷絕緣子金屬外殼在焊接時，其焊料容易出現(xiàn)流淌的現(xiàn)象。導致產(chǎn)品絕緣電阻低、耐壓差、氣密性差等不足。

階梯焊是在陶瓷絕緣子金屬外殼二步焊接的基礎上進行優(yōu)化和改良，主要是解決焊料的二次流淌。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提出一種陶瓷絕緣子金屬外殼的焊接工藝，克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，其工藝簡單，方便，絕緣電阻高、耐壓好、氣密性好、環(huán)境適應性強、可以采用多種材質(zhì)的引線，便于推廣應用。

為了達到上述設計目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

一種陶瓷絕緣子金屬外殼的焊接工藝，包括以下步驟：

步驟一、焊接件表面清理；將焊接件表面，尤其焊接位置進行打磨，清洗處理；

步驟二、一次焊接，采用氣體保護釬焊爐對焊接件進行第一次焊接，焊接溫度為940-950度；

步驟三、降溫，將一次焊接后的焊接件降溫到20~40度；

步驟四、二次焊接，采用氣體保護網(wǎng)帶爐對焊接件進行第二次焊接，焊接溫度為835-845度；

步驟五、降溫，將二次焊接后的焊接件降溫到20~40度；

步驟六、打磨處理；將二次焊接后的焊接件的焊接表面進行打磨，去除焊接表面的毛刺等；

步驟七、電鍍、檢驗，電鍍后檢驗焊接件焊接表面，合格品打包。

優(yōu)選地，所述一次焊接采用Ag90cu10為焊接材料，其熔點溫度是880度。

優(yōu)選地，所述二次焊接采用Ag72cu28為焊接材料，其熔點溫度是785度。

優(yōu)選地，所述一次焊接、二次焊接后需對焊接件焊接表面酸洗處理，去除表面氧化層。

優(yōu)選地，所述酸洗液為硫酸、鹽酸、磷酸、硝酸、鉻酸、氫氟酸中的一種或多種混合液。

本發(fā)明所述的陶瓷絕緣子金屬外殼的焊接工藝的有益效果是：其工藝簡單，方便，絕緣電阻高、耐壓好、氣密性好、環(huán)境適應性強、可以采用多種材質(zhì)的引線，便于推廣應用。

具體實施方式

下面對本發(fā)明的最佳實施方案作進一步的詳細的描述。

所述的陶瓷絕緣子金屬外殼的焊接工藝，包括以下步驟：

步驟一、焊接件表面清理；將焊接件表面，尤其焊接位置進行打磨，清洗處理；放置其上有雜質(zhì)，影響焊接。

步驟二、一次焊接，采用氣體保護釬焊爐對焊接件進行第一次焊接，焊接溫度為940-950度；

步驟三、降溫，將一次焊接后的焊接件降溫到20~40度；

步驟四、酸洗處理；將一次焊接后的焊接件的焊接表面進行酸洗，去除表面氧化層；

步驟五、二次焊接，采用氣體保護網(wǎng)帶爐對焊接件進行第二次焊接，焊接溫度為835-845度；

步驟六、降溫，將二次焊接后的焊接件降溫到20~40度；

步驟七、打磨處理；將二次焊接后的焊接件的焊接表面進行打磨，去除焊接表面的毛刺等；

步驟八、酸洗處理；將二次焊接后的焊接件的焊接表面進行酸洗，去除表面氧化層；

步驟九、電鍍、檢驗，電鍍后檢驗焊接件焊接表面，合格品打包。

所述一次焊接采用Ag90cu10為焊接材料，其熔點溫度是880度。

所述二次焊接采用Ag72cu28為焊接材料，其熔點溫度是785度。

所述酸洗液為硫酸、鹽酸、磷酸、硝酸、鉻酸、氫氟酸中的一種或多種混合液。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所做的進一步詳細說明，便于該技術(shù)領域的技術(shù)人員能理解和應用本發(fā)明，不能認定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下還可以做出若干簡單推演或替換，而不必經(jīng)過創(chuàng)造性的勞動。因此，本領域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的揭示，對本發(fā)明做出的簡單改進都應該在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。