本發(fā)明屬于微割技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種微顯蝕割刃具的制造方法。

背景技術(shù)：

隨著我國微電子工業(yè)的發(fā)展，大多精密器件和特殊儀器都需要微割技術(shù)，微顯蝕割裝置曝光技術(shù)及其應(yīng)用技術(shù)也必將被提高到新的水平。微割技術(shù)具有非常好的平行性，微顯蝕割裝置投影透鏡的數(shù)值孔徑只有0.001，其焦深可達(dá)100μm，也就是說，硅片表面任何起伏在100μm之內(nèi)，離子束的分辨力基本不變。而光學(xué)曝光的焦深只有1～2μm，可清晰顯示出微顯蝕割裝置投影曝光獲得的線條圖形，線條跨越硅片表面的起伏結(jié)構(gòu)時其線寬沒有任何變化。微顯蝕割裝置投影曝光的另一個優(yōu)點是通過控制離子能量可以控制離子的穿透深度，從而控制抗蝕劑的曝光深度。微割技術(shù)制造的微顯蝕割刃具可用于特殊精密領(lǐng)域的復(fù)雜微納結(jié)構(gòu)和器件的加工制造，更可用于納米級切削。微顯蝕割裝置在半導(dǎo)體行業(yè)有著重要作用，在超精密加工中要獲得高精度，除了配套的精密機床、高分檢測儀器相應(yīng)的環(huán)境條件以外，還須具備高精度微顯蝕割刃具。刃口半徑直接影響切削過程，因此，減小刃口半徑，可減小刀具對金屬的擠壓力，有助于提高切削過程的穩(wěn)定性，改善工件質(zhì)量和延長刃具使用壽命。

因此，本發(fā)明設(shè)計者首先利用微顯蝕割裝置對刀具進(jìn)行初級加工，繼而采用車削或拋光方法去掉微顯蝕割裝置初級加工中的非晶層，再利用微顯蝕割裝置精制微顯蝕割刃具的刃口半徑，刃口圓弧半徑可小于15nm。該方法具有精度高、可重復(fù)性強、適用于多種材料和刀具形狀等特點。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
：

本發(fā)明的目的在于提供一種微顯蝕割刃具的制造方法，該技術(shù)方案克服了現(xiàn)有方法復(fù)雜加工刀具輪廓的缺陷，達(dá)成納米級刃口半徑，精制成一種微顯蝕割刃具。

本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案：

一種微顯蝕割刃具的制造方法，通過以下步驟實現(xiàn)：

A.利用微顯蝕割裝置對微顯蝕割刃具毛坯進(jìn)行初級加工，形成刃具前刀面；

B.利用車削或拋光方法去除刃具前刀面產(chǎn)生的納米級非晶改性層，對刃具前刀面實施精制處理；

C.將前刀面精制處理后的微顯蝕割刃具放進(jìn)微顯蝕割裝置內(nèi)，按照既定規(guī)格，利用微顯蝕割裝置銑削精修，精制成微顯蝕割刃具的后刀面和側(cè)刀面，從而達(dá)成微顯蝕割刃具的制造。

本發(fā)明較佳的方案為，上述的微顯蝕割裝置為15～60KeV、10～30nA；上述的微顯蝕割裝置銑削加工中所采用的微顯蝕割裝置設(shè)定為5～20KeV、2～8nA。

針對本發(fā)明提出的一種微顯蝕割刃具的制造方法，本案設(shè)計者首先利用微顯蝕割裝置對刀具進(jìn)行初級加工，繼而采用車削或拋光方法去掉微顯蝕割裝置初級加工中的非晶層，再利用微顯蝕割裝置精制微顯蝕割刃具的刃口半徑，刃口圓弧半徑可小于20nm。該方法具有精度高、可重復(fù)性強、適用于多種材料和刃具形狀等特點。

附圖說明

圖1為本發(fā)明微顯蝕割刃具的示意圖。

符號說明：

A.刃具,

B.初級切削形成的非晶層,

C.微顯蝕割裝置精制處理后的刃具。

上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例,詳細(xì)說明如下。

具體實施方式：

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下參照附圖，并結(jié)合較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的一種微顯蝕割刃具的制造方法，其具體實施方式、特征等，詳細(xì)說明如后。

實施例：

本發(fā)明提出的一種微顯蝕割刃具的制造方法，可以用于加工包括車、銑、刨等各種微型刃具。上述微型刀具的質(zhì)材可以是聚晶金剛石、硬質(zhì)合金等超硬材料。

本發(fā)明提出的一種微顯蝕割刃具的制造方法：首先利用微顯蝕割裝置對刀具進(jìn)行初級加工，繼而采用車削或拋光方法去掉微顯蝕割裝置初級加工中的非晶層，再利用微顯蝕割裝置精制微顯蝕割刃具的刃口半徑，刃口圓弧半徑可小于20nm。該方法具有精度高、可重復(fù)性強、適用于多種材料和刃具形狀等特點。

上述微顯蝕割裝置，可以采用鈹離子、鎵離子；繼而采取拋光的處理方法；然后實施精制處理。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明,任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi),當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例,但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。