本發(fā)明涉及人工晶體領域，具體地，本發(fā)明涉及人工晶體制備方法。

背景技術：

人工晶體，又稱人工晶狀體，是可以通過手術植入眼睛里代替摘除的自身混濁晶體的精密光學器件，簡稱iol(intraocularlens，iol)。目前制備人工晶體的方法通常需要車削聚合物透鏡坯料，制備出兩面光學面后，鉆銑出兩側力學區(qū)與光學區(qū)輪廓，拋光除去車削痕跡以及鉆銑毛刺后，即可得到iol成品。隨著iol原料的發(fā)展，材料供應商開發(fā)出了兩面光學面注塑成型的iol半成品，加工商只需從鉆銑處邊緣輪廓即可。

目前制備人工晶體有三種方法：第一種、最常見的晶體胚料是圓片(blank)，將圓片車削出兩個光學面后(車削加工一面的時間為2～3分鐘)，再經低溫銑削出兩側力學區(qū)與光學區(qū)輪廓，這個步驟耗時約為2～3分鐘，這樣就得到了晶體粗品，獲得一個完整的晶體粗品耗時6～9分鐘，拋光除去晶體粗品的車削痕跡以及銑削毛刺，可得到完整的人工晶體；第二種、采用具有一面有光學面的晶體胚料，經車床制備出另一個光學面，再經低溫銑削工藝得到晶體粗品，獲得一個完整的晶體粗品耗時4～6分鐘，再拋光得到人工晶體；第三種、采用具有兩個光學面的晶體胚料，省去加工兩個光學面的時間，再經低溫銑削工藝就可得到晶體粗品，獲得一個完整的晶體粗品耗時2～3分鐘，再拋光得到人工晶體。

然而，目前用于制備人工晶體的方法仍有待改進。

技術實現(xiàn)要素：

本申請是基于發(fā)明人對以下事實和問題的發(fā)現(xiàn)和認識作出的：

目前的人工晶體制備方法，普遍存在加工過程緩慢，車銑獲得的人工晶體產品需要進行長時間拋光處理才能達產品對于人工晶體表面光潔程度的要求，生產效率較低，并且目前的人工晶體制備方法的生產成本較高。發(fā)明人經過深入研究發(fā)現(xiàn)，目前的人工晶體制備方法，用晶體材料經車床及銑床，獲得晶體粗品，車銑的每片晶體的耗時約2～3分鐘，然后再經過拋光機處理，才能得到人工晶體成品。而拋光機可同時處理大約2000片晶體，因此整個晶體的生產決速步驟是晶體車銑。而且晶體車銑步驟涉及的高精密金剛石車床及金剛石車銑刀具成本較高，因此上述車銑過程不僅導致人工晶體加工過程緩慢，并且需要高成本投入以滿足高昂的設備維護和耗材費用，還需要豐富經驗的人員進行操作。

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決以上相關技術中的技術問題之一。為此，本發(fā)明提出一種制備人工晶體的方法。該方法加工速度快、生產成本低，可以實現(xiàn)批量生產。根據本發(fā)明的實施例，該方法包括：(1)提供人工晶體粗胚，所述人工晶體粗胚包括：光學區(qū)，所述光學區(qū)具有上光學面以及下光學面；以及外圍區(qū)，所述外圍區(qū)環(huán)繞所述光學區(qū)；(2) 對所述外圍區(qū)進行激光切割處理，以便形成所述人工晶體，所述人工晶體包括：所述光學區(qū)，所述光學區(qū)包含所述上光學面以及所述下光學面；以及支撐件，所述支撐件與所述光學區(qū)相連。由此，可以快速地實現(xiàn)對人工晶體粗胚的切割，進而可以提高制備人工晶體的生產效率。

根據本發(fā)明的實施例，所述激光切割的激光包括納秒激光、皮秒激光以及飛秒激光的至少之一。利用上述激光光源進行激光切割，可以避免由于激光脈沖寬度過大而在切割的過程中造成形成人工晶體粗胚的材料出現(xiàn)熔融等損傷。

根據本發(fā)明的實施例，步驟(2)中，所述激光切割的激光波長為248～10600nm。由此，可以避免由于激光能量過大，在切割的過程中造成形成人工晶體粗胚的材料出現(xiàn)熔融等損傷，或者激光能量不足，不能夠完成對人工晶體粗胚的有效切割。

根據本發(fā)明的實施例，在步驟(2)中，所述激光切割的激光波長為355～1560nm。由此，可以進一步提高對人工晶體粗胚的切割效果。

根據本發(fā)明的實施例，在步驟(2)中，所述激光切割的激光波長為248nm、355nm、533nm、710nm、745nm、920nm、1030nm、1064nm、1560nm、9300nm以及10600nm的至少之一。由此，可以利用具有上述波長的激光或組合激光完成切割，從而可以進一步提高對人工晶體粗胚的切割效果。

根據本發(fā)明的實施例，在步驟(2)中，所述激光切割的掃描速率為100～1000mm/s。由此，可以有效地實現(xiàn)對人工晶體粗胚的切割，并且防止由于掃描速率過慢，單像素點激光停留時間過長而在切割的過程中造成形成人工晶體粗胚的材料出現(xiàn)熔融等損傷。

根據本發(fā)明的實施例，在步驟(2)中，所述激光切割的掃描速率為200～500mm/s。由此，可以進一步提高激光切割的效率以及效果。

根據本發(fā)明的實施例，在步驟(2)中，所述激光切割的切割時間為1s～60s。由此，可以提高利用該方法制備人工晶體的生產效率。

根據本發(fā)明的實施例，在步驟(2)中，所述激光切割的切割時間為1s～30s。由此，可以進一步提高利用該方法制備人工晶體的生產效率。

根據本發(fā)明的實施例，該方法進一步包括：(3)對所述人工晶體進行除塵處理，所述除塵處理是利用除塵顆粒、除塵粉末、表面活性劑以及水的至少之一進行的。由此，可以進一步提高激光切割后人工晶體表面的光潔度，利用除塵顆粒、除塵粉末、表面活性劑以及水與人工晶體產生摩擦，除去附著在人工晶體表面的雜質，從而提高利用該方法制備的人工晶體的質量。除塵處理易實現(xiàn)批量生產，提高生產效率。

根據本發(fā)明的實施例，在步驟(3)中，所述除塵顆粒含有硅酸鋯、氧化鋯、氧化鋁、氮化硅、剛玉、陶瓷、玻璃、云母、石英、貝殼、牛角、桃核殼、椰子殼、鋁、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、增強聚丙烯、聚氯乙烯、丙烯腈/丁二烯/苯乙烯共聚物、苯乙烯丙烯腈共聚物、環(huán)烯烴聚合物、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚酰胺、聚甲醛、聚苯醚、聚砜、聚苯硫醚、聚醚醚酮、液晶聚合物、含氟塑料、聚氨酯、酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、密胺樹脂、玻璃纖維以及碳纖維的至少之一。由此，可以利用上述 來源廣泛、容易獲得的除塵顆粒在除塵處理過程中與人工晶體進行摩擦，從而除去人工晶體表面的雜質。此外，上述顆粒成本低廉，有利于降低該方法制備人工晶體的成本。

根據本發(fā)明的實施例，在步驟(3)中，所述除塵粉末含有氧化鋁粉末、氧化硅粉末、氧化鈰粉末、氧化鈦粉末、硅酸鎂粉末、硅酸鋁粉末、滑石粉、磷酸鈣粉末、磷酸鎂粉末、硫酸鈣粉末、石膏粉末、硫酸鋇粉末、陶瓷粉末、高嶺土粉末、硅藻土粉末、珍珠粉末、炭粉末、碳纖維粉末以及聚乙烯醇粉末的至少之一。上述粉末成本低廉、容易獲得，并且有利于在除塵過程中對除塵顆粒以及人工晶體之間的摩擦進行緩沖，從而可以提高除塵處理的效率以及效果。

根據本發(fā)明的實施例，在步驟(3)中，所述表面活性劑含有烷烴磺酸鹽、長鏈脂肪酸鹽、聚乙二醇、聚乙二醇烷基醚、聚乙二醇脂肪酸酯、聚乙二醇失水山梨醇脂肪酸脂、失水山梨醇肪酸脂、脂肪酸甘油、雷米邦、琥珀酸酯磺酸鹽以及磺化木質素的至少之一。上述表面活性劑成本低廉，并且在有水存在的情況下，能夠在除塵過程中實現(xiàn)對人工晶體表面進行清洗以及保護，從而可以提高利用該方法制備的人工晶體的質量。

附圖說明

圖1顯示了根據本發(fā)明一個實施例的人工晶體粗胚的俯視圖；

圖2顯示了根據本發(fā)明一個實施例的人工晶體粗胚的側面圖；

圖3顯示了根據本發(fā)明一個實施例的人工晶體的俯視圖；

圖4顯示了根據本發(fā)明一個實施例的人工晶體的側面圖；以及

圖5顯示了實施例1中的部分人工晶體的顯微鏡照片。

具體實施方式

下面詳細描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明提出了一種制備人工晶體的方法。根據本發(fā)明的實施例，該方法包括：

s100：提供人工晶體粗胚

根據本發(fā)明的實施例，在該步驟中，提供人工晶體粗胚。參考圖1以及圖2，該人工晶體粗胚100包括：外圍區(qū)110以及光學區(qū)120；形成在光學區(qū)120上表面的上光學面121以及形成在光學區(qū)120下表面上的下光學面122。外圍區(qū)110以及光學區(qū)120可以是一體化形成的。由此，可以通過后續(xù)步驟對預先形成有光學面的人工晶體粗胚100進行切割，方便地形成人工晶體。需要說明的是，該步驟中提供的人工晶體粗胚100的形狀、材料不受特別限制，本領域技術人員可以根據需要制備的人工晶體的具體情況對人工晶體粗胚100的上述特征進行選擇。例如，人工晶體粗胚可以由聚甲基丙烯酸酯、硅凝膠、水凝膠以及丙烯酸酯或者上述材料的改性材料形成，本領域技術人員可以選擇市面上有售的具有上光學面以及下光學面的人工晶體粗胚產品作為根據本發(fā)明實施例的人工晶體粗胚100。

s200：激光切割處理

根據本發(fā)明的實施例，在該步驟中，通過激光對人工晶體粗胚100的外圍區(qū)110進行激光切割，以便形成人工晶體，參考圖3以及圖4，激光切割形成的人工晶體包括光學區(qū)120以及支撐件200。支撐件200與人工晶體光學區(qū)120相連，以便對人工晶體光學區(qū)120起到支撐作用。外圍區(qū)110與光學區(qū)120可以是一體成型的，因此，通過對外圍區(qū)110進行激光切割，將外圍區(qū)110加工成具有支撐作用的支撐件200。外圍區(qū)110與光學區(qū)120也可以分開制備，將外圍區(qū)110加工成支撐件200后，再與光學區(qū)120連接起到支撐作用。在該步驟中，光學區(qū)120的結構不變，以便實現(xiàn)人工晶體的使用功能。

下面對激光切割的具體參數進行詳細說明。

根據本發(fā)明的實施例，激光切割的激光可以為納秒激光、皮秒激光以及飛秒激光的至少之一。換句話說，激光切割時激光的脈沖寬度可以為10^-9s～10^-15s。發(fā)明人經過大量實驗發(fā)現(xiàn)，采用上述激光可以快速地實現(xiàn)對人工晶體粗胚100的切割，并且當激光的脈沖寬度在上述范圍內時，可以實現(xiàn)切割速度快、切口小的激光切割，進而避免由于單脈沖強度過大而對形成人工晶體粗胚的材料造成損傷。

根據本發(fā)明的實施例，在該步驟中，激光切割的激光波長可以為248～10600nm?；蛘?，可以選擇波長為355～1560nm的激光完成激光切割。例如，根據本發(fā)明的具體實施例，優(yōu)選的，波長可以為：248nm、355nm、533nm、710nm、745nm、920nm、1030nm、1064nm、1560nm、9300nm、10600nm，波動范圍可以為±10nm。發(fā)明人經過大量實驗發(fā)現(xiàn)，當激光的波長大于10600nm時，則對邊緣的燒蝕比較明顯，不利于獲得高質量的人工晶體產品。

根據本發(fā)明的實施例，在該步驟中，激光切割的掃描速率為100～1000mm/s。根據本發(fā)明的實施例，激光切割的掃描速率還可以為200～500mm/s。發(fā)明人經過大量實驗發(fā)現(xiàn)，當激光切割的掃描速率過慢時，不僅會嚴重影響制備人工晶體的生產效率，也會由于單個像素點處激光停留時間過長而對人工晶體造成負面影響；而當掃描速率過快時，則不容易切割成曲線，因此造成利用激光切割生產人工晶體的良品率下降。發(fā)明人經過大量實驗發(fā)現(xiàn)，當掃描速率為上述范圍時，能夠在保證快速切割制備人工晶體的同時，保證產品的良品率。

根據本發(fā)明的實施例，上述激光切割的時間為1s～60s。由此，可以實現(xiàn)對人工晶體粗胚的快速加工。需要說明的是，此處的激光切割時間受加工件的大小、激光的波長、掃描速率以及脈沖寬度的影響，因此采用不同的激光切割條件或是對不同大小的工件進行加工時，所需要的激光切割時間也不同。本領域技術人員可以根據實際情況對上述條件進行調節(jié)，總體來說，根據本發(fā)明實施例的激光切割過程可以在1s～60s以內完成。采用激光切割的方法，在一些實施方式中，激光切割過程可以在1s～30s以內完成，在一些實施方式中，激光切割過程可以在1s～15s以內完成，在一些實施方式中，激光切割過程可以在1s～5s以內完成，最快時僅需1s或2s即可加工出一片人工晶體。與傳統(tǒng)的鉆銑加工工藝相比，激光切割加工速度快，僅需要后續(xù)簡單的除塵處理，即可獲得符合產品要求的人工晶體。此外，激光切割過程不涉及銑刀等耗材，通過對激光切割相關參數的設置可以實現(xiàn)對切割精 度的嚴格控制，因此避免了同一把銑刀在加工不同批次工件時由于銑刀逐漸磨損而造成的工件切割精度不同。

根據本發(fā)明的實施例，為了提高利用本發(fā)明提出的方法制備的人工晶體的質量，獲得表面潔凈、邊緣形狀流暢的人工晶體，解決切割后的人工晶體邊緣由于汽化的材料回落到人工晶體粗胚的表面造成人工晶體有液滴狀斑點、濺射斑點等情況，可以通過后續(xù)除塵處理除去回落在人工晶體表面的汽化材料雜質，以獲得表面潔凈的人工晶體。具體地，根據本發(fā)明的實施例，在激光切割之后，還可以進一步包括：

s300：除塵處理

根據本發(fā)明的實施例，在該步驟中，利用除塵顆粒、除塵粉末、表面活性劑以及水的至少之一對人工晶體進行除塵處理。換句話說，可以將人工晶體與除塵顆粒、除塵粉末、表面活性劑以及水的至少之一混合均勻，將該混合物置于密閉容器，采用轉動、震蕩及其動作組合操作密閉容器，以便利用除塵顆粒、除塵粉末與人工晶體之間進行輕微的摩擦，除去附著在人工晶體表面的汽化材料，進而除去人工晶體邊緣的斑點。也可將混合物至于敞開的容器中，用機械攪拌使混合物做輕微的摩擦。經過除塵處理之后的人工晶體采用去離子水進行清洗，除去人工晶體表面的顆粒殘留即可獲得邊緣平滑、無斑點的人工晶體。令人意外的是，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)該除塵方法還能將人工晶體粗胚上車削紋路消除，使人工晶體獲得更好的表面光潔度。這些車削紋路是人工晶體粗胚模具制作中引入的。

具體地，在該步驟中，除塵顆粒可以含有硅酸鋯、氧化鋯、氧化鋁、氮化硅、剛玉、陶瓷、玻璃、云母、石英、貝殼、牛角、桃核殼、椰子殼、鋁、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、聚苯乙烯(ps)、增強聚丙烯(pp)、聚氯乙烯(pvc)、丙烯腈/丁二烯/苯乙烯共聚物(abs)、苯乙烯丙烯腈共聚物(sa)、環(huán)烯烴聚合物(coc和cop)、聚碳酸酯(pc)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(pbt)、聚酰胺(pa)、聚甲醛(pom)、聚苯醚(ppo)、聚砜(pes、ppsu和psu)、聚苯硫醚(pps)、聚醚醚酮(peek)、液晶聚合物(lcp)、含氟塑料(fp)、聚氨酯(pu)、酚醛樹脂(pf)、環(huán)氧樹脂(ep)、密胺樹脂(uf)、玻璃纖維以及碳纖維的至少之一。換句話說，除塵顆?？梢院猩鲜霾牧匣蛏鲜霾牧系慕M合物，其中，除塵顆粒可以利用玻璃纖維以及碳纖維與上述物質組合形成增強材料。在具體實施中，除塵顆粒的組合非限定性的可以為pp/ps合金、pc/pmma合金、pc/abs合金、pc/pbt合金、pc/pa合金、pa/abs合金、ppo/pa合金、ppo/pet合金、ppo/pbt合金等?？梢岳蒙鲜鑫镔|形成表面光滑的類球狀物作為除塵顆粒，通過在容器中的與人工晶體摩擦除去表面附著的汽化材料雜質。上述除塵顆粒成本低廉，有利于降低該方法制備人工晶體的成本。需要說明的是，上述顆粒的具體組成以及顆粒的粒徑等參數不受特別限制，本領域技術人員可以根據實際情況進行選擇，只要除塵顆?？梢栽诔龎m處理的過程中除去人工晶體表面附著的汽化材料即可。

根據本發(fā)明的實施例，除塵粉末包括氧化鋁粉末、氧化硅粉末、氧化鈰粉末、氧化鈦粉末、硅酸鎂粉末、硅酸鋁粉末、滑石粉、磷酸鈣粉末、磷酸鎂粉末、硫酸鈣粉末、石膏粉末、硫酸鋇粉末、陶瓷粉末、高嶺土粉末、硅藻土粉末、珍珠粉末、炭粉末、碳纖維粉 末以及聚乙烯醇粉末的至少之一。上述粉末成本低廉、容易獲得，并且有利于在除塵過程中對除塵顆粒以及人工晶體之間的摩擦進行緩沖，從而可以提高除塵處理的效率以及效果。

根據本發(fā)明的實施例，表面活性劑包括烷烴磺酸鹽、長鏈脂肪酸鹽、聚乙二醇、聚乙二醇烷基醚、聚乙二醇脂肪酸酯、聚乙二醇失水山梨醇脂肪酸脂、失水山梨醇肪酸脂、脂肪酸甘油、雷米邦、琥珀酸酯磺酸鹽以及磺化木質素的至少之一。需要說明的是，在本發(fā)明中表面活性劑可以為上述范圍內的任意兩親物質的一種或混合物，只要可以在除塵處理中實現(xiàn)對人工晶體進行保護、清洗即可。例如，在具體實施過程中，表面活性劑可以非限定性的為十二烷基磺酸鈉、油酸鈉，油酸鉀、聚乙二醇600，聚乙二醇1000、聚乙二醇3000、聚乙二醇二甲醚、聚乙二醇辛基苯酚醚(tritonx-10)、聚乙二醇硬脂肪酸酯(se-40)、聚乙二醇單油酸酯、tween20、tween60、tween80、span20、span30、span60、月桂酸聚乙二醇甘油酯、辛酸聚乙二醇甘油酯、雷米邦a、琥珀酸酯磺酸鈉、木質素磺酸鈉的至少之一或者其組合。上述表面活性劑成本低廉，并且在有水存在的情況下，能夠在除塵過程中實現(xiàn)對人工晶體表面進行清洗以及保護，從而可以提高利用該方法制備的人工晶體的質量。

由此，在該步驟中，經過轉動、震蕩及其動作的組合，即可完成除塵處理，進而可以縮短加工人工晶體所需要的工時，提高利用該方法制備人工晶體的效率。

綜上所述，利用本發(fā)明提供的制備人工晶體的方法，采用激光完成對人工晶體粗胚的切割，并通過除塵處理防止人工晶體的邊緣出現(xiàn)液滴狀斑點、濺射斑點、粉塵等污染?？傮w來說，本發(fā)明提供的制備人工晶體的方法具備以下優(yōu)點：

(1)本方法可以實現(xiàn)快速制備人工晶體，生產效率較傳統(tǒng)的鉆銑工藝可以提高100倍。

(2)本方法采用激光切割，避免使用昂貴的進口耗材以及設備，極大的降低生產成本。

(3)本方法可以采用人工晶體粗胚進行生產，該人工晶體粗胚可通過具有光學面的模具制作成型，也可直接購買，進而可以實現(xiàn)快速、方便、低廉的批量生產。

(4)本方法整體工藝綠色環(huán)保。

下面將結合實施例對本發(fā)明的方案進行解釋。本領域技術人員將會理解，下面的實施例僅用于說明本發(fā)明，而不應視為限定本發(fā)明的范圍。實施例中未注明具體技術或條件的，按照本領域內的文獻所描述的技術或條件或者按照產品說明書進行。所用試劑或儀器未注明生產廠商者，均為可以通過市購獲得的常規(guī)產品。

本發(fā)明中，nm表示納米，mm/s表示毫米每秒，s表示秒，g表示克，ml表示毫升。

實施例1

將一人工晶體粗胚置于波長為355nm的納秒激光操作臺上，設定激光切割速度800mm/s，設定激光運動軌跡，對焦，定位，開啟激光，1s切割完畢一個晶體粗品。將晶體粗品，放入含有100g氧化鋯顆粒，500g陶瓷顆粒，2.0g氧化鋁粉末，2.0g硅酸鋁粉末，110ml去離子水，2ml質量分數為2％聚乙二醇油酸酯的容器內，密封，開始轉動容器，過濾，去離子水沖洗得到晶體。參考圖5(a)，不經過拋光除塵處理之前，人工晶體表面具有粉塵，參考圖5(b)以及圖5(c)，用顯微鏡觀察成品表面形貌，拋光除塵后無明顯粉塵、崩邊、所有區(qū)域完好無缺。

實施例2

將一人工晶體粗胚置于波長為355nm的納秒激光操作臺上，設定激光切割速度500mm/s，設定激光運動軌跡，對焦，定位，開啟激光，1s切割完畢一個晶體粗品。將晶體粗品，放入含有600g陶瓷顆粒，2.0g氧化鋁粉末，110ml去離子水、10ml質量分數為1％tween80的容器內，密封，開始轉動容器，過濾，去離子水沖洗得到晶體。

實施例3

將一人工晶體粗胚置于波長為533nm的納秒激光操作臺上，設定激光速度300mm/s，設定激光運動軌跡，對焦，定位，開啟激光，1s切割完畢一個晶體粗品。將晶體粗品，放入含有440g聚甲醛顆粒，200g核桃殼顆粒，4.0g硅藻土粉末，120ml去離子水，3ml質量分數為5％聚乙二醇辛基苯酚醚的容器內，密封，開始轉動容器，過濾，去離子水沖洗得到晶體。

實施例4

將一人工晶體粗胚置于波長為10600nm的納秒激光操作臺上，設定激光切割速度400mm/s，設定激光運動軌跡，對焦，定位，開啟激光，1s切割完畢一個晶體粗品。將晶體粗品，放入含有300g玻璃珠，2.0g二氧化鈦粉末，50ml去離子水，10ml20％聚乙二醇-600的容器內，密封，開始轉動容器，過濾，去離子水沖洗得到晶體。

實施例5

將一人工晶體粗胚置于波長為355nm的皮秒激光操作臺上，設定激光切割速度200mm/s，設定激光運動軌跡，對焦，定位，開啟激光，2s切割完畢一個晶體粗品。將晶體粗品，放入含有300g聚對苯二甲酸丁酯顆粒，2.0g水合硅酸鎂粉末，50ml去離子水，10ml質量分數為10％油酸鉀的容器內，密封，開始轉動容器，過濾，去離子水沖洗得到晶體。

實施例6

將一人工晶體粗胚置于1030nm的皮秒激光操作臺上，設定激光切割速度300mm/s，設定激光運動軌跡，對焦，定位，開啟激光，2s切割完畢一個晶體粗品。將晶體粗品，放入含有200g聚丙烯玻纖合金顆粒，300g聚甲基丙烯酸酯顆粒，2.0g硅酸鎂，120ml去離子水，10ml25％雷米幫a的容器內，密封，開始轉動容器，過濾，去離子水沖洗得到晶體。

實施例7

將一人工晶體粗胚置于1560nm的飛秒激光操作臺上，設定激光切割速度100mm/s，設定激光運動軌跡，對焦，定位，開啟激光，30s切割完畢一個晶體粗品。將晶體粗品，放入含有600g聚酰胺玻纖合金顆粒，3.0g磷酸鈣粉末、120ml去離子水、15ml質量分數為5％span60的容器內，密封，開始轉動容器，過濾，去離子水沖洗得到晶體。

實施例8

將一人工晶體粗胚置于波長為248nm的納秒激光操作臺上，設定激光切割速度500mm/s，設定激光運動軌跡，對焦，定位，開啟激光，1s切割完畢一個晶體粗品。將晶體粗品，放入含有600g陶瓷顆粒，2.0g氧化鋁粉末，110ml去離子水、10ml質量分數為 1％月桂酸聚乙二醇甘油酯的容器內，密封，開始轉動容器，過濾，去離子水沖洗得到晶體。

實施例9

將一人工晶體粗胚置于波長為1060nm的飛秒激光操作臺上，設定激光切割速度600mm/s，設定激光運動軌跡，對焦，定位，開啟激光，60s切割完畢一個晶體粗品。將晶體粗品，放入含有200g陶瓷珠，300g聚對苯二甲酸丁酯玻纖合金顆粒，5.0g滑石粉粉末，120ml去離子水，10ml質量分數為10％tween30的容器內，密封，開始轉動容器，過濾，去離子水沖洗得到晶體。

實施例10

將一人工晶體粗胚置于波長為355nm的皮秒激光操作臺上，設定激光切割速度1000mm/s，設定激光運動軌跡，對焦，定位，開啟激光，16s切割完畢一個晶體粗品。將晶體粗品，放入含有300g玻璃珠，3.0g水合滑石粉粉末，50ml去離子水，5ml質量分數為10％油酸鉀的容器內，密封，開始轉動容器，過濾，去離子水沖洗得到晶體。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術語“上”、“下”、“頂”、“底”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接觸，或第一和第二特征通過中間媒介間接接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本說明書的描述中，參考術語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特征、結構、材料或者特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不必須針對的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結構、材料或者特點可以在任一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領域的技術人員可以將本說明書中描述的不同實施例或示例以及不同實施例或示例的特征進行結合和組合。

盡管上面已經示出和描述了本發(fā)明的實施例，可以理解的是，上述實施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領域的普通技術人員在本發(fā)明的范圍內可以對上述實施例進行變化、修改、替換和變型。