本發(fā)明涉及一種用于制造電容觸摸屏的方法，該方法尤其涉及在兩層投射式電容觸摸屏的兩個(gè)導(dǎo)電層上刻劃圖案，其中，兩個(gè)導(dǎo)電層位于基板的相對的面。

背景技術(shù)：

電容觸摸屏技術(shù)在，例如移動(dòng)電話、衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)、PDA屏幕和手持游戲機(jī)中廣泛使用。

電容觸摸屏的一種具體形式稱作投射電容式觸摸技術(shù)或“PCT”。在PCT設(shè)備中，感測電極的XY陣列形成在透明導(dǎo)電材料層中。在使用中，在用戶的手指和來自感測電極的投射電容之間形成電容。做出觸摸、精確地測量觸摸并將其轉(zhuǎn)換成用于適當(dāng)?shù)能浖?yīng)用的底層電子設(shè)備執(zhí)行的命令。PCT屏幕享受手指和觸針響應(yīng)準(zhǔn)確所帶來的好處。

PCT技術(shù)的一種具體形式具有兩個(gè)分離的透明導(dǎo)電材料層，并且在所檢測的電極陣列層的交叉點(diǎn)處的電極之間的互電容是變化的。

透明導(dǎo)電材料層分別被劃分成在第一正交方向上電連接但在第二正交方向上電隔離的多個(gè)分立電極單元?？虅潏D案對于兩層可相同或不同。

在使用PCT技術(shù)的電容觸摸屏中，透明基板通常在每一個(gè)與其相對的表面上沉積了一層透明導(dǎo)電材料。使用兩個(gè)單獨(dú)的激光器在每個(gè)透明導(dǎo)電材料層中刻劃電極圖案。每個(gè)激光器通過聚焦在最靠近它的基板表面上來進(jìn)行刻劃圖案，即所謂的近側(cè)燒蝕。專利申請GB08003305.3描述了這種方法?；蛘?，使用單個(gè)激光器且可能需要翻轉(zhuǎn)基板并將設(shè)備對準(zhǔn)以進(jìn)行第二層的刻劃工藝。在希望兩個(gè)表面上電極圖案相同的情況下，可以在兩個(gè)層之間聚焦單個(gè)激光器，并且選擇其參數(shù)以在兩個(gè)層的每一層中同時(shí)進(jìn)行刻劃而不損壞透明基板。應(yīng)當(dāng)理解，這種單個(gè)激光器工藝不能用于在兩個(gè)層上提供不同的圖案。該工藝描述于JP 8320638A和US 2008/129318 A中。

WO 2011/018595描述了一種用于在PCT觸摸屏的兩個(gè)導(dǎo)電層上提供不同電極圖案的刻劃方法，該方法不需要第二個(gè)激光器或轉(zhuǎn)動(dòng)基板。該方法通過將激光光學(xué)器件的焦距從最靠近激光器的基板的表面處的點(diǎn)改變到距離激光器最遠(yuǎn)的基板表面處的點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)，從而執(zhí)行所謂的遠(yuǎn)側(cè)燒蝕。近側(cè)燒蝕通常是在PCT觸摸屏的導(dǎo)電層中對電極圖案進(jìn)行刻劃的優(yōu)選機(jī)制。這是因?yàn)榧す夤β蕿椴ＡЩ逅p。WO 2011/018595中描述的方法是該慣例的例外，其接受激光衰減以便通過消除對第二激光或者轉(zhuǎn)動(dòng)基板的需要，然后重新校準(zhǔn)激光來簡化工藝。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的尤其在于提供一種用于制造電容觸摸屏的替代方法，與現(xiàn)有方法相比，該方法具有更高的產(chǎn)率。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于對分別沉積在透明基板的相對的第一表面和第二表面上的第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層進(jìn)行激光刻劃的方法，所述方法包括：引導(dǎo)第一激光束通過一個(gè)或多個(gè)透鏡到位于所述基板的所述第一表面上的或與所述基板的所述第一表面緊鄰的焦斑，使得所述聚焦的激光束穿過所述第二導(dǎo)電層和所述基板的所述第二表面；沿著與所述第一激光束的軸線正交的平面中的兩個(gè)軸線引起所述第一激光束和所述基板之間的相對運(yùn)動(dòng)，從而在所述第一導(dǎo)電層中刻劃出第一圖案；引導(dǎo)第二激光束通過一個(gè)或多個(gè)透鏡到位于所述基板的所述第二表面上的或與所述基板的所述第二表面緊鄰的焦斑，使得所述聚焦的激光束穿過所述第一導(dǎo)電層和所述基板的所述第一表面；沿著與所述第二激光束的軸線正交的平面中的兩個(gè)軸線引起所述第二激光束和所述基板之間的相對運(yùn)動(dòng)，從而在所述第二導(dǎo)電層中刻劃出第二圖案。

第一激光束和第二激光束可相同，且該方法可進(jìn)一步包括：在所述第一導(dǎo)電層中刻劃出所述第一圖案之后，將基板或激光束從基板的第二表面面向所述激光束的位置移動(dòng)到基板的第一表面面向所述激光束的位置。第一激光束和第二激光束可從基板的相對側(cè)發(fā)射。通過第一激光束和第二激光束對第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的刻劃可是同時(shí)發(fā)生的。第一激光束和第二激光束可具有在1000nm至1100nm范圍內(nèi)的波長。在第一導(dǎo)電層中刻劃出的第一圖案可與在第二導(dǎo)電層中刻劃出的第二圖案不同，或者第一圖案可與第二圖案相同。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，第一激光束可以從基板去除第一導(dǎo)電層的閾值能量密度低于第一激光束可以從基板去除第二導(dǎo)電層的閾值能量密度，第二激光束可以從基板去除第二導(dǎo)電層的閾值能量密度低于第二激光束可以從基板移除第一導(dǎo)電層的閾值能量密度。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，在對應(yīng)于第一導(dǎo)電層的位置處的第一激光束的能量密度超過第一激光束從基板去除第一導(dǎo)電層所需的閾值能量密度，且在對應(yīng)于所述第二導(dǎo)電層的位置的第一激光束的能量密度不超過第一激光束從所述基板去除所述第二導(dǎo)電層所需的閾值能量密度，以及在對應(yīng)于第二導(dǎo)電層的位置處的第二激光束的能量密度超過第二激光束從基板去除第二導(dǎo)電層所需的閾值能量密度，且在對應(yīng)于所述第一導(dǎo)電層的位置的第二激光束的能量密度不超過第二激光束從所述基板去除所述第一導(dǎo)電層所需的閾值能量密度。

用于通過第一激光束或第二激光束分別刻劃第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層的工藝窗口可大于用于通過第二激光束或第一激光束分別刻劃第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層的工藝窗口，其中，工藝窗口定義為激光束相對于待刻劃的目標(biāo)導(dǎo)電層的聚焦位置的范圍，在工藝窗口內(nèi)，激光束可以刻劃目標(biāo)導(dǎo)電層而不刻劃相對的導(dǎo)電層。

用于通過第一激光束或第二激光束分別刻劃第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層的工藝窗口超過待刻劃的目標(biāo)導(dǎo)電層在刻劃激光束軸線方向上的位置變化，和/或刻劃激光束的焦平面在刻劃激光束軸線方向上的位置變化，或待刻劃的目標(biāo)導(dǎo)電層在刻劃激光束軸線方向上的位置變化和刻劃激光束的焦平面在刻劃激光束軸線方向上的位置變化的組合。

第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層可由相同的材料形成。第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層可由氧化銦錫形成。基板厚度優(yōu)選等于或小于1.5mm。

所述方法可進(jìn)一步包括引導(dǎo)第一激光束通過一個(gè)或多個(gè)透鏡到位于所述基板的所述第二表面上的或與所述基板的所述第二表面緊鄰的焦斑；沿著與所述第一激光束的軸線正交的平面中的兩個(gè)軸線引起所述第一激光束和所述基板之間的相對運(yùn)動(dòng)，從而在第一金屬層中刻劃出第三圖案，所述第一金屬層布置在第二導(dǎo)電層上或介于第二導(dǎo)電層和基板之間；引導(dǎo)第二激光束通過一個(gè)或多個(gè)透鏡到位于所述基板的所述第一表面上的或與所述基板的所述第一表面緊鄰的焦斑；沿著與所述第一激光束的軸線正交的平面中的兩個(gè)軸線引起所述第二激光束和所述基板之間的相對運(yùn)動(dòng)，從而在第二金屬層中刻劃出第四圖案，所述第二金屬層布置在第一導(dǎo)電層上或介于第一導(dǎo)電層和基板之間。

附圖說明

下面將參照附圖描述本發(fā)明的其它目的和特征，其中：

圖1示出了本發(fā)明中使用的基板；

圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的工藝；

圖3A和圖3B示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的工藝；

圖4A示出了用于刻劃電極圖案的第一方法；

圖4B示出了用于刻劃電極圖案的第二方法。

具體實(shí)施方式

圖1示出了通常用于諸如本發(fā)明的PCT技術(shù)中的基板。用于典型的兩層電容觸摸屏的基板11是透明的，可是剛性的且可由玻璃或其他無機(jī)透明材料(例如二氧化硅)制成，或者可是柔性的且可由諸如聚酯(PET)或聚碳酸酯(PC)或薄柔性玻璃(TFG)制成?；宓暮穸韧ǔＴ?.3mm至1.5mm的范圍內(nèi)。將透明且導(dǎo)電的層14、14’涂布到基板的兩個(gè)表面12、13上。這些通常是無機(jī)氧化物材料的薄層，例如氧化銦錫(ITO)或其它透明導(dǎo)電氧化物(TCO)?；谟袡C(jī)材料或納米顆粒材料的其他透明導(dǎo)電層可作為替代物。對于電容觸摸屏，層厚度通常在50nm至幾百nm的范圍內(nèi)，表面電阻率在50歐姆/平方至150歐姆/平方的范圍內(nèi)。從現(xiàn)在開始，我們在本說明書中將這些透明導(dǎo)電材料稱為TCM?；?1的兩個(gè)表面12、13可涂覆有相同的TCM。優(yōu)選地，兩個(gè)表面12、13可涂覆有ITO作為導(dǎo)電層14、14’。進(jìn)一步地，基板厚度優(yōu)選等于或小于1.5mm。更優(yōu)選地，基板厚度在約0.5mm和約1.0mm之間。還優(yōu)選地，基板厚度為約0.7mm。

為了在TCM涂層中形成分立電極，使用脈沖激光束在TCM涂層中刻劃圖案。通常對激光束的波長進(jìn)行選擇使得激光束可以穿過基板11而沒有顯著的吸收，但TCM涂層吸收了一些激光能量。激光束通常具有紅外或紫外中心的波長，通常分別在1000nm～1100nm和350nm～360nm的范圍內(nèi)，但是其他波長也是可能的。激光束通常由一個(gè)或多個(gè)透鏡聚焦到一點(diǎn)。激光束的能量密度隨著與聚焦光學(xué)器件的距離而改變。能量密度在焦點(diǎn)處最大并在遠(yuǎn)離焦點(diǎn)處由于激光束的發(fā)散而減小。脈沖激光聚焦在TCM涂層的點(diǎn)上或在接近TCM涂層的點(diǎn)上，并調(diào)節(jié)激光功率和脈沖能量使得TCM吸收足夠的能量以將其從基板表面燒蝕掉?；?1和激光束沿著垂直于激光束軸的平面中的兩個(gè)軸相對于彼此移動(dòng)，從而刻劃以產(chǎn)生所需的電隔離的電極圖案。

在JP 8320638A和US 2008/129318 A的方法中，激光束在基板內(nèi)(在基板的相對側(cè)上的兩個(gè)TCM涂層之間)聚焦。對激光束參數(shù)進(jìn)行選擇使得在對應(yīng)于TCM涂層的位置處的激光束的能量密度足以燒蝕TCM層以從基板表面將其去除。在GB 08003305.3中，激光束聚焦在近側(cè)的TCM涂層(離發(fā)射激光束處的位置最近)。對激光束參數(shù)進(jìn)行選擇使得最大能量密度超過從基板近側(cè)表面燒蝕TCM所需的閾值。當(dāng)激光束穿過基板時(shí)，激光束的發(fā)散確保在基板相對的表面上的另一個(gè)TCM涂層的位置處的能量密度不足以從基板表面燒蝕TCM。在WO 2011/018595中，使用了GB 08003305.3的方法在基板的第一表面上的TCM涂層中形成電極圖案。通過增加聚焦的光學(xué)系統(tǒng)的焦距或通過朝著基板來移動(dòng)聚焦透鏡，而在基板的第二表面上的TCM涂層中形成電極圖案，以便將激光束通過基板聚焦到基板的第二表面上的TCM涂層上。對激光束參數(shù)進(jìn)行選擇使得最大能量密度超過從基板遠(yuǎn)側(cè)表面燒蝕TCM所需的閾值。當(dāng)激光束穿過基板時(shí)，激光束的收斂確保在基板的第一表面上的TCM涂層的位置處的能量密度不足以從基板的第一表面燒蝕TCM涂層。在上述的每個(gè)專利文獻(xiàn)中，所描述的工藝假設(shè)在基板的任一側(cè)上的TCM涂層有相似的燒蝕閾值且依賴于激光束的發(fā)散，以確保僅燒蝕在基板的一側(cè)上的TCM涂層。如果基板足夠厚，則這不是問題。然而，如果基板較薄(例如小于0.3mm)，則該工藝行不通，因?yàn)樵诨逭麄€(gè)厚度上的能量密度的變化不足。

圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的用于對沉積在透明基板11的相應(yīng)的相對的第一表面12和第二表面13上的第一透明導(dǎo)電層(TCM涂層)14和第二透明導(dǎo)電層(TCM涂層)14’進(jìn)行激光刻劃的工藝?？梢钥闯?，引導(dǎo)第一激光束21通過一個(gè)或多個(gè)透鏡22到位于基板11的第一表面12上的或與基板11的第一表面12緊鄰的焦斑F，使得聚焦的激光束21穿過第二導(dǎo)電層14’和基板11的第二表面13。此外，引導(dǎo)第二激光束21’通過一個(gè)或多個(gè)透鏡22’到位于基板11的第二表面13上的或與基板11的第二表面13緊鄰的焦斑F’，使得聚焦的激光束21’穿過第一導(dǎo)電層14和基板11的第一表面12。然后激光束21、21’在導(dǎo)電層14、14’中刻劃出電極圖案。

圖3A和圖3B示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的用于激光刻劃沉積在透明基板11的相應(yīng)的相對的第一表面12和第二表面13上的第一透明導(dǎo)電層14和第二透明導(dǎo)電層14’的工藝。從圖3A中可以看出，引導(dǎo)第一激光束21通過一個(gè)或多個(gè)透鏡22到位于基板11的第一表面12上的或與基板11的第一表面12緊鄰的焦斑F1，使得聚焦的激光束21穿過第二導(dǎo)電層14’和基板11的第二表面13。然后，在第一導(dǎo)電層14中刻劃出電極圖案之后，將基板11從基板11的第二表面13面向激光束21的位置移動(dòng)到基板11的第一表面12面向激光束21的位置。隨后，如圖3B所示，引導(dǎo)第二激光束21通過一個(gè)或多個(gè)透鏡22到位于基板11的第二表面13上的或與基板11的第二表面13緊鄰的焦斑F，使得聚焦的激光束21穿過第一導(dǎo)電層14和基板11的第一表面12。然后激光束21在第二導(dǎo)電層14’中刻劃出電極圖案。

在如上描述的每個(gè)工藝中，基板兩側(cè)上的TCM涂層進(jìn)行遠(yuǎn)側(cè)燒蝕，其中，激光束瞄準(zhǔn)并燒蝕離激光束發(fā)射處最遠(yuǎn)的基板側(cè)上的TCM涂層。

進(jìn)行實(shí)驗(yàn)以確定對于激光束波長、激光束脈沖持續(xù)時(shí)間、基板材料、基板厚度和ITO薄層電阻的不同組合的近側(cè)和遠(yuǎn)側(cè)TCM涂層的典型ITO燒蝕閾值。結(jié)果示于圖1中。結(jié)果表明，對于參數(shù)的某些組合，遠(yuǎn)側(cè)TCM涂層的燒蝕閾值顯著低于近側(cè)TCM涂層的燒蝕閾值。認(rèn)為這種意想不到的結(jié)果的原因在于激光束與基板近側(cè)表面上的TCM涂層和基板遠(yuǎn)側(cè)表面上的TCM涂層相互作用時(shí)的不同機(jī)制。在遠(yuǎn)側(cè)TCM涂層的情況下，激光束可以直接作用在TCM～基板界面處，這意味著激光束可以將TCM涂層從基板剝離。在近側(cè)TCM涂層的情況下，激光必須穿過TCM涂層以到達(dá)TCM-基板界面，因此能量可經(jīng)由TCM涂層而衰減，以及如果涂層被蒸發(fā)，能量可經(jīng)由在TCM涂層上方的羽流中的任何噴射材料而衰減。實(shí)質(zhì)上，與將TCM涂層剝離相比，蒸發(fā)TCM涂層會需要更多的能量。另外，將TCM涂層從基板剝離的能力受諸如TCM涂層和基板之間的粘合強(qiáng)度的因素的影響。因此，燒蝕閾值也將取決于激光器參數(shù)及基板和TCM的類型。

表1

可選擇在圖2和圖3中所示并如上所述的方法中使用的激光束、基板和TCM涂層參數(shù)的組合，使得近側(cè)燒蝕的閾值高于遠(yuǎn)側(cè)燒蝕的閾值。這意味著在近側(cè)TCM涂層和遠(yuǎn)側(cè)TCM涂層的相應(yīng)位置處的激光束21、21’的能量密度可足以燒蝕遠(yuǎn)側(cè)TCM涂層(即，高于用于遠(yuǎn)側(cè)燒蝕的閾值)，但不足以燒蝕近側(cè)TCM涂層(即，低于用于近側(cè)燒蝕的閾值)。以這種方式選擇參數(shù)允許使用遠(yuǎn)側(cè)燒蝕工藝在基板11(甚至對于薄基板)的每一側(cè)12、13上形成不同的電極圖案。這是因?yàn)闊g閾值的差異使近側(cè)TCM涂層免于被去除。

此外，由于近側(cè)和遠(yuǎn)側(cè)燒蝕之間燒蝕閾值的差異增大，可以通過使用遠(yuǎn)側(cè)燒蝕工藝來增大工藝窗口。工藝窗口定義為激光束相對于待刻劃的目標(biāo)基板表面的聚焦位置的范圍，在該工藝窗口內(nèi)，刻劃加工是有效的，即第一激光束或第二激光束可以在目標(biāo)基板上分別刻劃目標(biāo)第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層而不會刻劃相對的層。因此，優(yōu)選選擇激光束、基板和TCM涂層參數(shù)的組合，使得對于該參數(shù)組合的遠(yuǎn)側(cè)燒蝕的工藝窗口超過用于該參數(shù)組合的近側(cè)燒蝕的工藝窗口。

工藝窗口的增加的大小使得該工藝能夠以高產(chǎn)出的方式進(jìn)行。這是因?yàn)閷⒒?1全部區(qū)域保持在工藝窗口中更為容易。為了能接近激光束并防止激光照射之下的任何支撐材料的污染，基板可不在其整個(gè)寬度上得到支撐，因此基板可能不是非常平的，即基板11和TCM涂層的位置在激光束軸的方向(z軸線方向)上具有一些高度變化。對于小的工藝窗口，因支撐基板11的方式，由曲率引起的基板11的位置的偏差可導(dǎo)致基板11的部分位于工藝窗口之外，這導(dǎo)致較低的工藝產(chǎn)率。此外，激光束的焦平面不是完全平的，更大的工藝窗口可以適應(yīng)由于焦平面在激光束軸線方向(z軸線方向)上的位置變化引起的激光束的能量密度的變化。

對于0.7mm厚堿石灰浮法玻璃基板上的50ohm/sq ITO涂層使用波長為1030nm～1064nm且脈沖持續(xù)時(shí)間為10ns～15ns脈沖紅外激光器的情況下，對遠(yuǎn)側(cè)燒蝕加工確定了1.4mm的工藝窗口。對于相同參數(shù)的近側(cè)燒蝕加工的工藝窗口為0.3mm。使用紫外線納秒脈沖激光器時(shí)，對于近側(cè)燒蝕和遠(yuǎn)側(cè)燒蝕的工藝窗口均為約0.4mm。通過上述實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的對工藝窗口大小的改善是顯著的。因此，如在本發(fā)明中的情況，在基板11的兩側(cè)12、13上使用遠(yuǎn)側(cè)燒蝕工藝可以顯著地提高工藝產(chǎn)率。優(yōu)選地，應(yīng)當(dāng)對激光束、基板和TCM特性進(jìn)行選擇以提供超過在z軸線方向上基板表面的高度變化和/或在z軸線方向上刻劃激光束的焦平面的位置變化的工藝窗口，或者優(yōu)選在z軸線方向上的基板表面位置和在z軸線方向上刻劃激光束的焦平面的位置的組合變化。

在圖2和圖3所示的每個(gè)實(shí)施方式中，激光束21、21’和基板11之間沿著與第一激光束的軸線正交的平面中的兩個(gè)軸的相對運(yùn)動(dòng)引發(fā)了在導(dǎo)電層(TCM涂層)14、14’中刻劃電極圖案。分別如圖4A和4B或兩者組合所示，這種相對運(yùn)動(dòng)可以通過在垂直于激光束的平面中激光束21、21’和基板11之間的平移運(yùn)動(dòng)或者通過在基板11的表面上掃描激光束21、21’來啟動(dòng)。如圖4A所示，激光束21在平行于基板11的平面中移動(dòng)。如圖4B所示，激光束在垂直于激光束21的軸的徑向方向上偏轉(zhuǎn)到基板11上的不同位置。在圖2所示的實(shí)施方式的情況下，以相同的方式燒蝕在基板11的相對側(cè)上的TCM涂層，但這未在圖中示出。獨(dú)立地刻劃出在基板11的每一側(cè)12、13上刻劃的電極圖案，因此它們可以相同或者它們可以不同，這取決于最終產(chǎn)品所需的特性。圖4A和圖4B還示出了激光器模塊23，其發(fā)射激光束21并且包含用于聚焦和引導(dǎo)激光束21的反射和/或折射光學(xué)元件，例如其可包括一個(gè)或多個(gè)聚焦透鏡21。

PCT設(shè)備還可在感測電極陣列的邊緣區(qū)域中包括金屬層。該金屬層可以沉積在已沉積的TCM的頂部，或者可以在TCM涂層沉積之前涂布到基板上使得其位于基板和TCM涂層之間。上述金屬層通常通過諸如物理氣相沉積(PVD)、絲網(wǎng)印刷或噴墨印刷的工藝來涂布。上述金屬層也使用激光束來刻劃，然而，與TCM涂層不同，金屬層不適合用于遠(yuǎn)側(cè)燒蝕。因此，必須使用近側(cè)燒蝕工藝對金屬層進(jìn)行刻劃。金屬層可形成在基板的兩側(cè)上。如果使用遠(yuǎn)側(cè)工藝刻劃TCM涂層，那么為了在基板的相對一側(cè)刻劃金屬層，可重新聚焦激光束。在圖2所示的工藝中，利用兩個(gè)激光束同時(shí)刻劃，可以在TCM涂層之后通過使激光束重新聚焦在近側(cè)基板表面處來刻劃金屬層，使得第一激光束在基板的第二側(cè)上刻劃金屬層，而第二激光束在基板的第一側(cè)上同時(shí)刻劃金屬層?；蛘?，可在TCM涂層之前對金屬層進(jìn)行刻劃。在圖3A和3B所示的工藝中，利用單個(gè)激光束，首先刻劃基板的第一側(cè)上的TCM涂層，之后再次聚焦激光，然后刻劃基板的第二側(cè)上的金屬層，之后重新聚焦激光器并翻轉(zhuǎn)基板，然后刻劃基板的第二側(cè)上的TCM涂層，最終刻劃基板的第一側(cè)上的金屬層?；蛘撸虅漈CM涂層和金屬層的順序可不同?？梢允褂萌魏雾樞?，必要時(shí)翻轉(zhuǎn)基板。