提供電樞殼體的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及提供電樞殼體的方法，包括如下步驟：提供具有第一部件和第二部件的可鍛材料的實心圓筒；在遠(yuǎn)離第二部件的方向上擠壓第一部件的周邊的至少一部分以限定升高壁；朝著第一部件在軸向上壓縮第二部件，產(chǎn)生大致垂直于第一部件的實心平狀圓盤；將升高壁的厚度降低為小于實心平狀圓盤的厚度；在以下每個步驟之后磁性地退火電樞殼體：提供具有第一部件和第二部件的可鍛材料的實心圓筒；在遠(yuǎn)離第二部件的方向上擠壓第一部件的周邊的至少一部分以限定升高壁；朝著第一部件在軸向上壓縮第二部件，產(chǎn)生大致垂直于第一部件的實心平狀圓盤；將升高壁的厚度降低為小于實心平狀圓盤的厚度，其中第一部件、第二部件以及周邊的至少一部分全部整體地連接為單個零件。
【專利說明】提供電樞殼體的方法
[0001]本申請是國際申請?zhí)枮镻CT/US2009/034013、國際申請日為2009年2月13日、于2009年8月20日進(jìn)入中國國家階段、申請?zhí)枮?00980000102.0的發(fā)明專利申請“提供電樞殼體的方法”的分案申請。相關(guān)申請的交叉參考
[0002]本申請的母案申請是要求2008年2月15日申請的名稱為“Armature Frame (電樞框架)”的美國臨時專利申請N0.61/028，967以及2008年4月14日申請的名稱為“Methodof Providing a Solenoid Housing(提供電磁螺線管殼體的方法)”的美國非臨時專利申請N0.12/102，392的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益的部分繼續(xù)非臨時專利申請，這兩個專利申請整體地通過
參考結(jié)合于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及電樞的殼體及提供電樞殼體的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]在一些電機中，電樞旋轉(zhuǎn)以使得能進(jìn)行電能跨過電機的傳輸。電樞的自旋通常使得電機軸也能自旋。由于電樞一般旋轉(zhuǎn)或自旋，其通常安裝在滾珠軸承上并且殼體通常放置在電樞和/或軸承周圍以保護它們免受碎片的傷害。
[0005]在其它電機中，電樞可與齒輪或閥相聯(lián)系并且殼體通常用來保護電樞、齒輪或閥免受碎片的傷害以使得這些部件能正確地操作。
[0006]電樞的殼體通常以部件組裝，其中平狀圓盤8焊接或以任何方式附接至圓筒12。在其它實施例中，圓筒12是杯(參見圖1A-1B)。這些部件能由金屬片切割并且彎曲以獲得所示形狀，其中切割和彎曲通常增加制造時間和勞動力。在所述部件切割和彎曲之后，它們
還需要組裝在一起。
[0007]除了或代替將零件組裝在一起之外，提供電樞殼體的另一種方式可以是加工各種零件。一些方法包括加工圓筒12或圓盤8的至少一部分。
[0008]然而，以上述方式制造電樞殼體存在幾個缺點。在將部件組裝在一起時，在將圓筒12附接至圓盤8時會引入弱點并且任何機械故障通常位于圓筒12和圓盤8的接合點處。
[0009]另外，由于電磁場通常從圓盤8流動至圓筒12，所以瓶頸頻繁地出現(xiàn)在圓盤8和圓筒12的接合點處，因為圓盤8是金屬片并且其薄度提供了電磁場可由此流動的較小橫截面。因此，這種電磁場通常將受到阻礙。
[0010]而且，人們能證明圓盤8和圓筒12的晶粒結(jié)構(gòu)的定向抑制了電磁場的流動，因為晶粒結(jié)構(gòu)相對于徑向行進(jìn)的電磁場可以是垂直的或成角度的。由于圓盤8或圓筒12通常由金屬片切割，晶粒結(jié)構(gòu)的定向通常是不知道的并且通常是不可預(yù)測的或不可調(diào)節(jié)的。
[0011]關(guān)于加工圓盤8或圓筒12的部件，這種實踐是通常勞動密集的并且通常是耗時的，因為一次僅移除數(shù)千分之一或數(shù)百分之一英寸，并且以這個速度移除材料通常導(dǎo)致產(chǎn)生電樞的時間較長。而且，用于加工部件的板條通常昂貴并且需要大量的空間來進(jìn)行正確的操作。因此，從加工部件中獲得的對于組裝部件的任何好處在價值上都被相關(guān)的成本所超過。
[0012]美國專利N0.4，217，567在圖10和1A中顯示為涉及一種簡單的軟鐵插塞或插頭75，其具有受壓為干涉配合入由向內(nèi)延伸的支柱部分52所形成的外部中空空間的符形鼻部。插塞75具有跨過由線軸55的壁60所限定的間隙增大磁通量承載能力的作用。仍然能以低成本獲得基本上相同的作用，其中磁通量承載插塞裝置包括一個或多個壓入由支柱部分52所限定的中空外部腔中的軟鋼珠76。
[0013]Kuroda等的美國專利N0.6，029，704顯示為公開了一種壓力成形或冷鍛的鋼板以及空心的圓柱形殼體。然而，由于Kuroda專利的殼體由多個部件制成并且組裝,其不能有效地傳導(dǎo)電磁場。
[0014]Fechant等的美國專利N0.4，365，223涉及一種可將零件放在一起的殼體。
[0015]因此期望一種制作電樞殼體的方法，其在沒有犧牲制造效率之下減少弱點。另一個期望是一種改進(jìn)電磁場流動的制作電樞殼體的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]因此本發(fā)明的目標(biāo)是提供一種在沒有現(xiàn)有技術(shù)的弱點和缺點之下制作電樞殼體的方法。
[0017]另一目標(biāo)是一種改進(jìn)電磁場流動的殼體。
[0018]又一目標(biāo)是一種由單塊材料提供且制造成本降低的殼體。
[0019]本發(fā)明的這些和其它目標(biāo)由一種提供電樞殼體的方法來實現(xiàn)，該方法具有步驟:提供具有第一部件和第二部件的可鍛材料的實心圓筒；在遠(yuǎn)離第二部件的方向上升高第一部件的周邊的至少一部分以限定升高壁；朝著第一部件在軸向上壓縮第二部件，產(chǎn)生大致垂直于第一部件的平狀圓盤；并且其中第一部件、第二部件以及周邊的至少一部分全部整體地連接為單個零件。
[0020]在另一實施例中，該方法還包括將至少一個孔布置于平狀圓盤中的步驟。在一些實施例中，該方法切割平狀圓盤。在又一實施例中，該方法成形平狀圓盤。在可選的實施例中，該方法包括拋光第一部件和第二部件。
[0021]在其它實施例中，該方法包括成形由第一部件和第二部件的接合所限定的區(qū)域。在再一實施例中，該方法在以下步驟的至少一個之后磁性地退火電樞殼體:提供具有第一部件和第二部件的可鍛材料的實心圓筒；在遠(yuǎn)離第二部件的方向上升高第一部件的周邊的至少一部分以限定升高壁；以及朝著第一部件在軸向上壓縮第二部件，產(chǎn)生大致垂直于第一部件的平狀圓盤。
[0022]在一些實施例中，該方法包括相對于升高壁的所述至少一部分的橫截面控制平狀圓盤的橫截面。在這些實施例的一些中，該方法將升高壁的厚度降低為小于平狀圓盤的厚度。
[0023]在更具體的實施例中，該方法將平狀圓盤的多個晶粒線定向在從平狀圓盤的大致中心向外延伸的大致徑向上。在更具體的實施例中，該方法將第一部件的多個晶粒線定向在沿著升高壁的長度延伸的大致軸向上。在另一實施例中，該方法包括遠(yuǎn)離第一部件地延伸平狀圓盤的中心部分以產(chǎn)生軸套?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0024]本發(fā)明相信為新穎的特點以及本發(fā)明的元件特性尤其在所附權(quán)利要求中闡明。附圖僅用于示例的目的并且不是按比例繪制的。然而，本發(fā)明自身，結(jié)構(gòu)和操作方法都如此，可通過參考下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述更好地理解，其中:
[0025]圖1A-1B示出現(xiàn)有技術(shù)。
[0026]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的提供電樞殼體的方法。
[0027]圖3A-3C示出由圖2所示的方法提供的至少升高第一部件的周邊的步驟。
[0028]圖4A-4B示出由圖2所示的方法提供的電樞殼體的升高壁。
[0029]圖5A-5C示出壓縮由圖2所示的方法提供的殼體的第二部件的步驟。
[0030]圖6A-6B示出由圖2所示的方法提供的平狀圓盤。
[0031]圖7A-7C示出將至少一個孔布置于由圖2所示的方法所提供的殼體中的步驟。
[0032]圖8A-8B示出由圖2所示的方法提供的具有中心孔的殼體。
[0033]圖9A-9C示出將另外的孔布置于由圖2所示的方法所提供的殼體中的步驟。
[0034]圖10A-10B示出由圖2所示的方法提供的具有側(cè)孔的殼體。
[0035]圖1IA-1IB示出成形由圖2所示的方法提供的平狀圓盤的步驟。
[0036]圖12A-12B示出由圖2所示的方法成形的平狀圓盤。
[0037]圖13示出由圖2所示的方法提供的殼體。
[0038]圖14A-14C示出壓縮由圖2所示的方法提供的殼體的第二部件的步驟的另一個實施例。
[0039]圖15A-15B示出由圖2所示的方法提供的具有軸套的平狀圓盤。
[0040]圖16A-16C示出在由圖2所示的方法提供的軸套和殼體中鉆出至少一個孔的步驟。
[0041]圖17A-17B示出由圖2所示的方法提供的具有中心孔的軸套和平狀圓盤。
【具體實施方式】
[0042]在本發(fā)明的優(yōu)選實施例的描述中，將參照圖2-13，其中相同的數(shù)字涉及本發(fā)明的相同特征。
[0043]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的提供電樞殼體的方法20，其中電樞殼體102(參見圖12D)通過方法20從單個可鍛材料的實心圓筒單元106生產(chǎn)。方法20的優(yōu)點是其最小化了通常與制造電樞殼體的傳統(tǒng)方法相關(guān)的材料損耗，其中傳統(tǒng)殼體通常切割或機械加工而成，從而產(chǎn)生浪費。另一個優(yōu)點是減少生產(chǎn)時間，因為傳統(tǒng)方法通常除了切割、鉆孔和/或機械加工時間以外通常需要組裝。在一些實施例中，材料106是低碳鋼，比如SAE1006、1008、1010
坐寸ο
[0044]如圖2所示，方法20包括步驟:提供具有第一部件和第二部件的可鍛材料的實心圓筒的步驟24 ;在遠(yuǎn)離第二部件的方向上升高第一部件的周邊的至少一部分以限定升高壁的步驟26 ;以及朝著第一部件在軸向上壓縮第二部件的步驟28，其中第一部件、第二部件以及周邊的至少一部分作為單個零件整體地連接32。
[0045]圖3A-3C示出在升高第一部件108的至少周邊的步驟26期間使用的沖頭112和第一模具115。如所不，材料106放置在第一模具115內(nèi)并且沖頭112被向下帶入材料106。由于沖頭112的直徑小于模具115中的孔口 117的直徑，第一部件108的材料在沖頭112移動的相反方向上向上擠出，或向下擠出。因此，在沖頭112移除時，第一部件108包括周邊128升高的至少一部分。參見圖3C-4B。
[0046]圖4A示出第一部件108的周邊128的至少一部分，用于限定升高壁或升高唇緣。圖4B示出升高壁128，其示出為圍繞第一部件108的整個周邊延伸。在其它實施例中，升高壁128圍繞第一部件108的整個周邊的一部分延伸。
[0047]圖5A-5C示出在箭頭122的方向上用第二沖頭121壓縮第二部件110的步驟28，這產(chǎn)生與縱向地穿過第一部件108的軸線大致垂直的平狀圓盤126。在一些實施例中，圖5A-5C所示的提供平狀圓盤126的這些步驟已知為鐓鍛。如所示，在其中第二部件110被弄平為圓盤126的壓縮步驟28期間，第一部件108由第二模具119 (或一起工作以保持第一部件108的模具119’和119’’)緊固地保持在原位，第二模具119成形有斜面或其它輪廓，這引起斜面和/或輪廓在壓縮步驟之后賦予第一部件108。在其它實施例中，第一部件108由第一模具115保持在原位。
[0048]圖6A-6B示出當(dāng)?shù)诙考?10在圖5A-5C所示的步驟之后被壓縮時的電樞殼體102，其中平狀圓盤126作為單個單元整體地附接至升高壁128。
[0049]如圖2所示，方法20的一些實施例包括將至少一個孔布置于平狀圓盤126中的步驟52。圖7A-7C示出升高壁128由模具123保持于原位并且沖頭131在箭頭139的方向上被向下帶動，此時沖頭131與平狀圓盤126相接觸并且穿過平狀圓盤126以在平狀圓盤126的大致中心處產(chǎn)生孔72。參見圖8A-8B。
[0050]圖9A-9C示出其它實施例，其中除了中心孔72之外或替代地，方法52將兩個側(cè)孔74、74’放置于平狀圓盤126中。如所示，平狀圓盤126由模具145保持在原位并且沖頭147被向下地帶動，此時沖頭147與平狀圓盤126相接觸并且穿過平狀圓盤126以產(chǎn)生兩個側(cè)孔 74、74’。參見圖1OA-1OB0
[0051]在其它實施例中，圖2示出切割平狀圓盤的步驟54。另外的實施例包括成形平狀圓盤的步驟56。如圖11A-11B所示，平狀圓盤126由模具153保持在原位并且具有孔157的沖頭155被向下帶動，此時沖頭155與平狀圓盤126相接觸并且穿過平狀圓盤126以切割或產(chǎn)生平狀圓盤126的與孔157相一致的幾何形狀。參見圖12A-12B，其中幾何形狀通常類似于橢圓形。
[0052]在另一個實施例中，圖14A-14C示出在箭頭222的方向上用第二沖頭221壓縮第二部件110步驟28，這產(chǎn)生與縱向地穿過第一部件208的軸線大致垂直的平狀圓盤226。由于第二沖頭221包括凹陷224，第二部件110的一部分被迫向上進(jìn)入凹陷224而不是被弄平以形成圓盤226。這就產(chǎn)生與平狀圓盤226同時成形或擠出的軸套234。圖14A-14C所示的提供平狀圓盤226的這些步驟已知為鐓鍛。如所示，在其中第二部件110被弄平為圓盤226的壓縮步驟28期間，第一部件108由第二模具219 (或一起工作以保持第一部件108的模具219’和219’ ’)緊固地保持在原位，模具219成形有斜面或其它輪廓，這引起斜面和/或輪廓在壓縮步驟之后賦予第一部件108。
[0053]圖15A-15B示出當(dāng)?shù)诙考?10在圖14A-14C所示的步驟之后被壓縮時的電樞殼體102，其中軸套234整體地附接至平狀圓盤126，圓盤126又整體地附接至升高壁128，所有這些限定了單個單元。[0054]如圖2中所示，方法20的一些實施例包括將至少一個孔布置于平狀圓盤226中的步驟52。圖16A-16C示出升高壁228由模具223保持在原位并且鉆頭231在箭頭239的方向上被向下帶動，此時鉆頭231與軸套234相接觸并且穿過軸套234以在軸套234的大致中心處產(chǎn)生孔272，用于限定第二升高壁236。參見圖17A-17B?？蛇x地，圖7A-7C的沖頭131用于在軸套234中沖出孔272。
[0055]方法20的可選實施例包括拋光平狀圓盤以使殼體102具有美學(xué)上令人愉悅的或有光澤的外觀的步驟58。在方法20的一些實施例中，方法20包括成形第一部件以及由第一部件和平狀圓盤面向第一部件的側(cè)面的接合(圖6A的包括斜面的部分132)所限定的區(qū)域的步驟30。
[0056]在圖2-13所示的任何步驟之前，材料106和/或電樞殼體102在每個步驟之間進(jìn)行退火或應(yīng)力緩解的步驟62。在一些實施例中，材料106磁性地退火。在進(jìn)一步的實施例中，退火在方法20的每個步驟之間實施。退火是有益的，因為其減少了在冷卻處理期間或擠出期間引入材料106的應(yīng)力，這種應(yīng)力出現(xiàn)于每次材料106被壓入模具、彎曲或不然的話成形的時候。在沒有退火之下，材料106在每個冷卻處理步驟之后變得越來越脆，并且材料106變得越來越難以在隨后的冷卻處理步驟中成形并且非常有可能斷裂或失效。通常材料106越頻繁地退火，材料106在隨后步驟中越易于擠出或成形。
[0057]在一個實施例中，上面的擠出或冷卻處理步驟在室溫下實施。在其它實施例中，將材料的溫度升高以便于擠出并且避免通常在升高溫度進(jìn)行的退火與處理材料106的上述步驟之間的等候時間。
[0058]同樣，在圖2-13中所示的任何步驟之前，材料106和/或電樞殼體102用磷酸鹽涂覆以便于擠出材料106。
[0059]在一個實施例中，退火包括將材料106加熱至大約850°C并且然后允許材料106在將材料106爐冷至720°C之前停留在這個溫度處，并且在允許材料106冷卻至室溫之前停留在這個溫度。
[0060]然而，退火中涉及的成本和時間會引起操作者忽略一個或多個退火步驟。在一些實施例中，退火在圖2-13中所闡明的一些步驟期間或在方法20中實施。所需要的僅是充分地退火以使得可由方法20提供殼體102。在進(jìn)一步的實施例中，退火在方法20期間或圖2-13所闡明的步驟期間至少實施一次。
[0061]在方法20的又一實施例中，所述方法包括相對于升高周邊或升高壁的至少一部分的橫截面控制平狀圓盤的橫截面的步驟34。換言之，并且參照圖13，基座134的橫截面被控制為小于、大于或與升高周邊128的橫截面一樣。更具體地，基座圓盤128的厚度135、135’相對于升高壁128的厚度137進(jìn)行控制。
[0062]如所示那樣，所述方法將平狀圓盤的厚度增大46為大于升高周邊或升高壁的厚度，因為較大的厚度135便于電力、電流、電能、磁能和/或電磁場在從平狀圓盤128傳輸至升高壁128的流動。如所示，圓盤126具有相對于其外周邊的厚度135’朝著圓盤126的中心增大的厚度135。
[0063]在另一個實施例中，所述方法將升高周邊的厚度137降低46為小于平狀圓盤的厚度135。較大的厚度135具有用于傳導(dǎo)電磁場或與較薄的圓盤126相比允許電磁能流動的更多材料，尤其在電磁場要到達(dá)向外定位的升高壁128時。如圖3A-3B所示，升高壁128由在徑向方向上更接近第一模具115的沖頭112形成為比基部圓盤126要薄，引起壁128被壓縮或擠壓并且導(dǎo)致厚度137小于厚度135、135’并且壁138遠(yuǎn)離圓盤126地被拉長或伸展。
[0064]由金屬片制成以形成然后焊接至中心支柱的基部和升高壁的現(xiàn)有技術(shù)電樞殼體不能獲得上述橫截面控制(參見圖1B)并且因此其便于電磁場從圓盤126流動至壁128的能力受限。
[0065]在另一個實施例和優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)的另一個優(yōu)點中，方法20包括將平狀圓盤126的多個晶粒線定向在大致徑向上的步驟36。如上所述，電磁場從平狀圓盤126傳輸至升高壁128。除了控制平狀圓盤126的橫截面(包括厚度)以便于電磁場傳輸通過平狀圓盤126的步驟34以外，將多個平狀圓盤的晶粒線定向在大致徑向上的步驟36進(jìn)一步便于電磁場的傳輸，因為在電能朝著升高壁128移動時電磁場沿著晶粒線的大致徑向方向穿過。
[0066]在典型的其中晶粒線沒有定向的現(xiàn)有技術(shù)殼體中，晶粒線可相對于電磁場的行進(jìn)以隨意的、垂直的或成角度的關(guān)系定向，在此情況下晶粒線抑制電磁場的流動而不是便于流動。
[0067]由于方法20壓縮第二端110，第二端110向外展開，或第二端110的直徑尺寸增大，從而產(chǎn)生平狀圓盤126。在第二端110向外展開時，圓盤126內(nèi)的晶粒線也在向外方向上移動并且在大致徑向上或其中第二端110展開的向外方向上自動地定向。
[0068]在又一實施例和優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)的另一個優(yōu)點中，方法20包括將第一部件108的多個晶粒線定向在沿著第一部件的長度延伸的大致軸向上的步驟40。如上所述，電磁場沿著升高周邊128的長度或高度軸向地延伸。因此將第一部件108的多個晶粒線定向在大致軸向上的步驟40便于電磁場傳輸通過升高的周邊128或壁。參見圖13，其中示出具有如上所述定向的晶粒線104的殼體102。
[0069]在典型的其中晶粒線沒有定向的現(xiàn)有技術(shù)殼體中，晶粒線可相對于電磁場的行進(jìn)以隨意的、垂直的或成角度的關(guān)系定向，在此情況下晶粒線抑制電磁場的流動而不是便于流動。
[0070]由于方法20通過沿著第一端108的長度在縱向上將材料106推入第一模具115來擠出第一端108，所以第一端108內(nèi)的晶粒線同樣也沿著第一端108的長度在縱向上或在第一端108擠出的方向上移動。
[0071]雖然已經(jīng)結(jié)合特定的優(yōu)選實施例特別描述了本發(fā)明，很明顯，在前面描述的教導(dǎo)下，許多替代、變型和變化對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是很明顯的。因此期待所附權(quán)利要求將涵蓋落入本發(fā)明真實范圍和精神內(nèi)的任何這種替代、變型和變化。
【權(quán)利要求】
1.一種提供電樞殼體的方法，其包括如下步驟: 提供具有第一部件和第二部件的可鍛材料的實心圓筒； 在遠(yuǎn)離第二部件的方向上擠壓第一部件的周邊的至少一部分以限定升高壁； 朝著第一部件在軸向上壓縮第二部件，產(chǎn)生大致垂直于第一部件的實心平狀圓盤； 將升高壁的厚度降低為小于實心平狀圓盤的厚度，以便于能量的流動；并且在以下每個步驟之后磁性地退火電樞殼體:提供具有第一部件和第二部件的可鍛材料的實心圓筒；在遠(yuǎn)離第二部件的方向上擠壓第一部件的周邊的至少一部分以限定升高壁；朝著第一部件在軸向上壓縮第二部件，產(chǎn)生大致垂直于第一部件的實心平狀圓盤；以及將升高壁的厚度降低為小于實心平狀圓盤的厚度； 其中所述第一部件、所述第二部件以及所述周邊的至少一部分全部整體地連接為單個零件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括將至少一個孔布置于實心平狀圓盤中的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括切割實心平狀圓盤的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括成形實心平狀圓盤的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求 1的方法，還包括拋光第一部件和第二部件的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括成形由第一部件和第二部件的接合所限定的區(qū)域的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括在以下步驟的至少一個之后磁性地退火電樞殼體的步驟: 提供具有第一部件和第二部件的可鍛材料的實心圓筒； 在遠(yuǎn)離第二部件的方向上擠壓第一部件的周邊的至少一部分以限定升高壁； 朝著第一部件在軸向上壓縮第二部件，產(chǎn)生大致垂直于第一部件的實心平狀圓盤； 遠(yuǎn)離第一部件地延伸實心平狀圓盤的中心部分以產(chǎn)生軸套； 將至少一個孔布置于實心平狀圓盤和軸套中；以及 成形實心平狀圓盤。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括相對于升高壁的至少一部分的橫截面控制實心平狀圓盤的橫截面的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括將實心平狀圓盤的多個晶粒線定向在從實心平狀圓盤的大致中心向外延伸的大致徑向上的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括將第一部件的多個晶粒線定向在沿著升高壁的長度延伸的大致軸向上的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括遠(yuǎn)離第一部件地延伸實心平狀圓盤的中心部分以產(chǎn)生軸套的步驟。
12.—種提供電樞殼體的方法，其包括如下步驟: 提供具有第一部件和第二部件的可鍛材料的實心圓筒； 在遠(yuǎn)離第二部件的方向上擠壓第一部件的周邊的至少一部分以限定升高壁； 朝著第一部件在軸向上壓縮第二部件，產(chǎn)生大致垂直于第一部件的實心平狀圓盤； 將升高壁的厚度降低為小于實心平狀圓盤的厚度，以便于能量的流動； 將實心平狀圓盤的多個晶粒線定向在從實心平狀圓盤的大致中心向外延伸的大致徑向上； 將第一部件的多個晶粒線定向在沿著升高壁的長度延伸的大致軸向上；并且在以下每個步驟之后磁性地退火電樞殼體:提供具有第一部件和第二部件的可鍛材料的實心圓筒；在遠(yuǎn)離第二部件的方向上擠壓第一部件的周邊的至少一部分以限定升高壁；朝著第一部件在軸向上壓縮第二部件，產(chǎn)生大致垂直于第一部件的實心平狀圓盤；將升高壁的厚度降低為小于實心平狀圓盤的厚度；定向?qū)嵭钠綘顖A盤的多個晶粒線；以及定向第一部件的多個晶粒線；并且 其中所述第一部件、所述第二部件以及所述周邊的至少一部分全部整體地連接為單個零件。
13.一種提供電樞殼體的方法，其包括如下步驟: 提供具有第一部件和第二部件的可鍛材料的實心圓筒； 在遠(yuǎn)離第二部件的方向上擠壓第一部件的周邊的至少一部分以限定升高壁； 朝著第一部件在軸向上壓縮第二部件，產(chǎn)生大致垂直于第一部件的實心平狀圓盤； 將升高壁的厚度降低為小于實心平狀圓盤的厚度，以便于能量的流動； 將至少一個孔布置于實心平狀圓盤中； 成形實心平狀圓盤； 在以下每個步驟之后磁性地退火電樞殼體: 提供具有第一部件和第二部件的可鍛材料的實心圓筒； 在遠(yuǎn)離第二部件的方向上擠壓第一部件的周邊的至少一部分以限定升高壁； 朝著第一部件在軸向上壓縮第二部件，產(chǎn)生大致垂直于第一部件的實心平狀圓盤； 將升高壁的厚度降低為小于實心平狀圓盤的厚度； 將至少一個孔布置于實心平狀圓盤中；以及 成形實心平狀圓盤；并且 其中所述第一部件、所述第二部件以及所述周邊的至少一部分全部整體地連接為單個零件。
【文檔編號】B21K1/24GK104028691SQ201410219947
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2009年2月13日 優(yōu)先權(quán)日:2008年2月15日
【發(fā)明者】S·R·梅塔, H·C·I·帕塔薩拉蒂, N·賈亞桑卡爾 申請人:因迪梅特公司