加工對象物切斷方法
【專利摘要】該加工對象物切斷方法具備如下工序：以單晶藍(lán)寶石基板(31)的背面(31b)作為基板(31)中的激光(L)的入射面，將激光(L)的聚光點(diǎn)(P)對準(zhǔn)于基板(31)內(nèi)，并使聚光點(diǎn)(P)沿著與基板(31)的m面和背面(31b)平行的各條切斷預(yù)定線(52)相對地移動(dòng)，由此沿著各線(52)在基板(31)內(nèi)形成改質(zhì)區(qū)域(72、74)，并且使龜裂(82)到達(dá)表面(31a)。在該工序中，在各線(52)中，使區(qū)域(72)相對于通過區(qū)域(74)且與基板(31)的r面平行的傾斜面(45)，而位于傾斜面(45)與背面(31b)所形成的角度成為銳角的側(cè)。
【專利說明】加工對象物切斷方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于將具備單晶藍(lán)寶石基板的加工對象物切斷成各發(fā)光元件部來制造多個(gè)發(fā)光元件的加工對象物切斷方法。

【背景技術(shù)】
[0002]作為上述【技術(shù)領(lǐng)域】中的現(xiàn)有的加工對象物切斷方法，在專利文獻(xiàn)1中記載了如下方法:通過切割或者劃片在藍(lán)寶石基板的表面和背面形成分離槽，并且通過激光的照射在藍(lán)寶石基板內(nèi)形成多段加工變質(zhì)部，并沿著分離槽和加工變質(zhì)部切斷藍(lán)寶石基板的方法。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0004]專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1日本特開2006-245043號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0007]然而，為了將具備具有與c面形成達(dá)偏角的角度的表面和背面的單晶藍(lán)寶石基板的加工對象物切斷成各個(gè)發(fā)光元件部，通過激光的照射在單晶藍(lán)寶石基板內(nèi)形成改質(zhì)區(qū)域，從沿著與單晶藍(lán)寶石基板的m面和背面平行的多條切斷預(yù)定線的各條形成的改質(zhì)區(qū)域所產(chǎn)生的龜裂會(huì)到達(dá)發(fā)光元件部，由此有應(yīng)制造的發(fā)光元件的成品率下降的情況。
[0008]在此，本發(fā)明的目的是提供一種能夠防止從沿著與單晶藍(lán)寶石基板的m面和背面平行的多條切斷預(yù)定線的各條形成的改質(zhì)區(qū)域所產(chǎn)生的龜裂到達(dá)發(fā)光元件部的加工對象物切斷方法。
[0009]解決技術(shù)問題的手段
[0010]本發(fā)明人等為了達(dá)到上述目的而反復(fù)專心研宄的結(jié)果，徹底查明:從沿著與單晶藍(lán)寶石基板的m面和背面平行的多條切斷預(yù)定線的各條形成的改質(zhì)區(qū)域所產(chǎn)生的龜裂到達(dá)發(fā)光元件部的事實(shí)起因于單晶藍(lán)寶石基板中的m面與r面的關(guān)系。即，從沿著與單晶藍(lán)寶石基板的m面和背面平行的切斷預(yù)定線形成的改質(zhì)區(qū)域所產(chǎn)生的龜裂的伸展方向相比于m面的影響，更強(qiáng)烈受到相對于m面傾斜的r面的影響，朝r面的傾斜方向拉引，其結(jié)果，有該龜裂到達(dá)發(fā)光元件部的情況。本發(fā)明人等基于該認(rèn)識(shí)進(jìn)一步反復(fù)檢討，從而完成本發(fā)明。
[0011]即，本發(fā)明的一側(cè)面的加工對象物切斷方法是用于將具備具有與c面形成達(dá)偏角的角度的表面和背面的單晶藍(lán)寶石基板、以及在表面上包含矩陣狀排列的多個(gè)發(fā)光元件部的元件層的加工對象物切斷成各個(gè)發(fā)光元件部來制造多個(gè)發(fā)光元件的加工對象物切斷方法，具備:以背面作為單晶藍(lán)寶石基板中的激光的入射面，將激光的聚光點(diǎn)對準(zhǔn)于離開背面達(dá)第1距離的單晶藍(lán)寶石基板內(nèi)的位置，并使聚光點(diǎn)沿著以與單晶藍(lán)寶石基板的m面和背面平行的方式設(shè)定的多條第1切斷預(yù)定線的各條相對地移動(dòng)，由此沿著各條第1切斷預(yù)定線在單晶藍(lán)寶石基板內(nèi)形成第1改質(zhì)區(qū)域，以背面作為入射面，將聚光點(diǎn)對準(zhǔn)于離開背面達(dá)比第1距離小的第2距離的單晶藍(lán)寶石基板內(nèi)的位置，并使聚光點(diǎn)沿著各第1切斷預(yù)定線相對地移動(dòng)，由此沿著各條第1切斷預(yù)定線在單晶藍(lán)寶石基板內(nèi)形成第2改質(zhì)區(qū)域的第1工序；以及在第1工序之后，沿著各條第1切斷預(yù)定線使外力作用于加工對象物，由此使從第1改質(zhì)區(qū)域產(chǎn)生的第1龜裂以及從第2改質(zhì)區(qū)域產(chǎn)生的第2龜裂伸展，并沿著各條第1切斷預(yù)定線切斷加工對象物的第2工序，在第1工序中，在各條第1切斷預(yù)定線中，使第2改質(zhì)區(qū)域相對于通過第1改質(zhì)區(qū)域且與單晶藍(lán)寶石基板的r面平行的傾斜面，而位于傾斜面與背面所形成的角度成為銳角的側(cè)。
[0012]在該加工對象物切斷方法中，在以與單晶藍(lán)寶石基板的m面和背面平行的方式設(shè)定的多條第1切斷預(yù)定線的各條中，使第2改質(zhì)區(qū)域相對于通過第1改質(zhì)區(qū)域且與單晶藍(lán)寶石基板的r面平行的傾斜面，而位于傾斜面與背面所形成的角度成為銳角的側(cè)。由此，從第1改質(zhì)區(qū)域朝單晶藍(lán)寶石基板的背面?zhèn)壬煺沟牡?龜裂朝第2改質(zhì)區(qū)域側(cè)伸展，從第2改質(zhì)區(qū)域朝單晶藍(lán)寶石基板的表面?zhèn)壬煺沟牡?龜裂朝第1改質(zhì)區(qū)域側(cè)伸展，該第1龜裂與該第2龜裂在單晶藍(lán)寶石基板內(nèi)相連。因此，能夠抑制從背面?zhèn)鹊牡?改質(zhì)區(qū)域產(chǎn)生的第2龜裂朝單晶藍(lán)寶石基板的表面伸展，并且能夠?qū)尉{(lán)寶石基板的表面?zhèn)鹊膹牡?改質(zhì)區(qū)域產(chǎn)生的第1龜裂收在格線區(qū)域內(nèi)。因此，根據(jù)該加工對象物切斷方法，可以防止從沿著與單晶藍(lán)寶石基板的m面和背面平行的多條切斷預(yù)定線的各條形成的改質(zhì)區(qū)域所產(chǎn)生的龜裂到達(dá)發(fā)光元件部。另外，偏角有包含0°的情況。在該情況下，單晶藍(lán)寶石基板的表面和背面與c面平行。
[0013]在此，在第1工序中，可以以背面作為入射面，將聚光點(diǎn)對準(zhǔn)于離開背面達(dá)第2距離的單晶藍(lán)寶石基板內(nèi)的位置，并使聚光點(diǎn)沿著各條第1切斷預(yù)定線相對地移動(dòng)，由此沿著各第1切斷預(yù)定線在單晶藍(lán)寶石基板內(nèi)形成第2改質(zhì)區(qū)域，并且使第2龜裂到達(dá)背面，在第2工序中，沿著各條第1切斷預(yù)定線從表面?zhèn)葘⒌毒壍纸釉诩庸ο笪?，由此沿著各?切斷預(yù)定線使外力作用于加工對象物。由此，外力以到達(dá)單晶藍(lán)寶石基板的背面的第2龜裂裂開的方式作用于加工對象物，因而能夠沿著第1切斷預(yù)定線容易地且精度高地切斷加工對象物。
[0014]另外，加工對象物切斷方法也可以進(jìn)一步具備:在第2工序之前，以背面作為入射面，將聚光點(diǎn)對準(zhǔn)于單晶藍(lán)寶石基板內(nèi)，并使聚光點(diǎn)沿著以與單晶藍(lán)寶石基板的a面和背面平行的方式設(shè)定的多條第2切斷預(yù)定線的各條相對地移動(dòng)，由此沿著各條第2切斷預(yù)定線在單晶藍(lán)寶石基板內(nèi)形成第3改質(zhì)區(qū)域的第3工序；以及在第1工序和第3工序之后，沿著各條第2切斷預(yù)定線使外力作用于加工對象物，由此使從第3改質(zhì)區(qū)域產(chǎn)生的第3龜裂伸展，并沿著各條第2切斷預(yù)定線切斷加工對象物的第4工序。由此，能夠沿著第1切斷預(yù)定線和第2切斷預(yù)定線容易地且精度高地切斷加工對象物。另外，如果第3工序是在第2工序之前，則可以在第1工序之前實(shí)施，也可以在第1工序之后實(shí)施。另外，如果第4工序是在第1工序和第3工序之后，則可以在第4工序之前實(shí)施，也可以在第4工序之后實(shí)施。
[0015]發(fā)明的效果
[0016]根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種能夠防止從沿著與單晶藍(lán)寶石基板的m面和背面平行的多條切斷預(yù)定線的各條形成的改質(zhì)區(qū)域所產(chǎn)生的龜裂到達(dá)發(fā)光元件部的加工對象物切斷方法。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是改質(zhì)區(qū)域的形成所使用的激光加工裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。
[0018]圖2是成為改質(zhì)區(qū)域的形成的對象的加工對象物的平面圖。
[0019]圖3是沿著圖2的加工對象物的II1-1II線的截面圖。
[0020]圖4是激光加工后的加工對象物的平面圖。
[0021]圖5是沿著圖4的加工對象物的V-V線的截面圖。
[0022]圖6是沿著圖4的加工對象物的V1-VI線的截面圖。
[0023]圖7是成為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的加工對象物切斷方法的對象的加工對象物的平面圖。
[0024]圖8是圖7的加工對象物的單晶藍(lán)寶石基板的單位晶格圖。
[0025]圖9是用于說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的加工對象物切斷方法的加工對象物的截面圖。
[0026]圖10是用于說明圖7的加工對象物的格線區(qū)域的加工對象物的平面圖。
[0027]圖11是用于說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的加工對象物切斷方法的加工對象物的截面圖。
[0028]圖12是用于說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的加工對象物切斷方法的加工對象物的截面圖。
[0029]圖13是用于說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的加工對象物切斷方法的加工對象物的截面圖。
[0030]圖14是用于說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的加工對象物切斷方法的加工對象物的截面圖。
[0031]圖15是用于說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的加工對象物切斷方法的加工對象物的截面圖。
[0032]圖16是用于說明本發(fā)明的其他的實(shí)施方式的加工對象物切斷方法的加工對象物的截面圖。
[0033]圖17是用于說明本發(fā)明的其他的實(shí)施方式的加工對象物切斷方法的加工對象物的截面圖。
[0034]符號(hào)的說明:
[0035]1...加工對象物，10...發(fā)光兀件，31...單晶藍(lán)寶石基板，31a...表面，31b...背面，32...發(fā)光元件部，33...元件層，44...刀緣，45...傾斜面，51...切斷預(yù)定線(第2切斷預(yù)定線)，52…切斷預(yù)定線(第1切斷預(yù)定線)，71，73…改質(zhì)區(qū)域(第3改質(zhì)區(qū)域)，72…改質(zhì)區(qū)域(第2改質(zhì)區(qū)域)，74…改質(zhì)區(qū)域(第1改質(zhì)區(qū)域)，81，83…龜裂(第3龜裂)，82…龜裂(第2龜裂)，84…龜裂(第1龜裂)，L...激光，P…聚光點(diǎn)。

【具體實(shí)施方式】
[0036]以下，對于本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，參照附圖詳細(xì)說明。另外，在各圖中對于相同或相當(dāng)部分賦予相同符號(hào)，并省略重復(fù)的說明。
[0037]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的加工對象物切斷方法中，通過將激光沿著切斷預(yù)定線照射在加工對象物，從而沿著切斷預(yù)定線在加工對象物的內(nèi)部形成改質(zhì)區(qū)域。在此，首先，就該改質(zhì)區(qū)域的形成，參照圖1?圖6進(jìn)行說明。
[0038]如圖1所示，激光加工裝置100具備將激光L脈沖振蕩的激光光源101、以將激光L的光軸(光路)的方向改變90°的方式配置的分色鏡103、以及用于將激光L聚光的聚光用透鏡105。另外，激光加工裝置100具備用于支撐照射有被聚光用透鏡105聚光的激光L的加工對象物1的支撐臺(tái)107、用于使支撐臺(tái)107移動(dòng)的載物臺(tái)111、為了調(diào)節(jié)激光L的輸出或者脈沖寬度等而控制激光光源101的激光光源控制部102、以及控制載物臺(tái)111的移動(dòng)的載物臺(tái)控制部115。
[0039]在該激光加工裝置100中，從激光光源101出射的激光L通過分色鏡103將其光軸的方向改變90°，并被聚光用透鏡105聚光在載置于支撐臺(tái)107上的加工對象物1的內(nèi)部。與此同時(shí)，移動(dòng)載物臺(tái)111，使加工對象物1相對于激光L沿著切斷預(yù)定線5相對移動(dòng)。由此，沿著切斷預(yù)定線5的改質(zhì)區(qū)域形成于加工對象物1。
[0040]如圖2所示，在加工對象物1，設(shè)定有用于切斷加工對象物1的切斷預(yù)定線5。切斷預(yù)定線5是直線狀延伸的假想線。在加工對象物1的內(nèi)部形成改質(zhì)區(qū)域的情況下，如圖3所示，在將聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)于加工對象物1的內(nèi)部的狀態(tài)下，使激光L沿著切斷預(yù)定線5(即在圖2的箭頭A方向上)相對地移動(dòng)。由此，如圖4?圖6所示，改質(zhì)區(qū)域7沿著切斷預(yù)定線5形成在加工對象物1的內(nèi)部，沿著切斷預(yù)定線5形成的改質(zhì)區(qū)域7成為切斷起點(diǎn)區(qū)域8。
[0041]另外，聚光點(diǎn)P是指激光L聚光的地方。另外，切斷預(yù)定線5不限于直線狀，也可以是曲線狀的，不限于假想線，也可以是實(shí)際繪制在加工對象物1的表面3的線。另外，改質(zhì)區(qū)域7有連續(xù)形成的情況，也有斷續(xù)形成的情況。另外，改質(zhì)區(qū)域7可以是列狀的也可以是點(diǎn)狀的，總之，改質(zhì)區(qū)域7只要至少形成在加工對象物1的內(nèi)部即可。另外，有以改質(zhì)區(qū)域7為起點(diǎn)形成龜裂的情況，龜裂和改質(zhì)區(qū)域7可以露出加工對象物1的外表面(表面、背面或外周面)。
[0042]順便一提，這里的激光L透過加工對象物1并且在加工對象物1的內(nèi)部的聚光點(diǎn)附近特別被吸收，由此，在加工對象物1形成有改質(zhì)區(qū)域7(即內(nèi)部吸收型激光加工)。因此，在加工對象物1的表面3，激光L幾乎不被吸收，因而加工對象物1的表面3不會(huì)熔融。一般而言，在從表面3被熔融除去而形成有孔或者槽等的除去部(表面吸收型激光加工)的情況下，加工區(qū)域從表面3側(cè)漸漸地向背面?zhèn)刃羞M(jìn)。
[0043]再者，由本實(shí)施方式所形成的改質(zhì)區(qū)域是指成為密度、折射率、機(jī)械強(qiáng)度或者其他物理特性與周圍不同的狀態(tài)的區(qū)域。作為改質(zhì)區(qū)域，例如有熔融處理區(qū)域、裂紋區(qū)域、絕緣破壞區(qū)域、折射率變化區(qū)域等，也有這些混合存在的區(qū)域。此外，作為改質(zhì)區(qū)域，有在加工對象物的材料中改質(zhì)區(qū)域的密度與非改質(zhì)區(qū)域的密度相比較發(fā)生了變化的區(qū)域、或者形成有晶格缺陷的區(qū)域(這些也統(tǒng)稱為高密度轉(zhuǎn)移區(qū)域)。
[0044]另外，熔融處理區(qū)域或者折射率變化區(qū)域、改質(zhì)區(qū)域的密度與非改質(zhì)區(qū)域的密度相比較發(fā)生了變化的區(qū)域、形成有晶格缺陷的區(qū)域進(jìn)一步有在這些區(qū)域的內(nèi)部或者改質(zhì)區(qū)域與非改質(zhì)區(qū)域的界面內(nèi)含龜裂(裂縫、微裂紋)的情況。所內(nèi)包的龜裂存在遍布改質(zhì)區(qū)域的全部的情況或者形成于僅一部分或多個(gè)部分的情況。
[0045]另外，在本實(shí)施方式中，通過沿著切斷預(yù)定線5形成多個(gè)改質(zhì)點(diǎn)(spot)(加工痕)，從而形成改質(zhì)區(qū)域7。改質(zhì)點(diǎn)是指由脈沖激光的1脈沖的照射(shot)(即1脈沖的激光照射:激光照射)形成的改質(zhì)部分，通過改質(zhì)點(diǎn)聚集而成為改質(zhì)區(qū)域7。作為改質(zhì)點(diǎn)，可以列舉龜裂點(diǎn)、熔融處理點(diǎn)或者折射率變化點(diǎn)、或者這些的至少1個(gè)混合存在者等。
[0046]關(guān)于該改質(zhì)點(diǎn)，優(yōu)選考慮所要求的切斷精度、所要求的切斷面的平坦性、加工對象物的厚度、種類、結(jié)晶方位等來適當(dāng)控制其大小或者所產(chǎn)生的龜裂的長度。
[0047]接著，就本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的加工對象物切斷方法進(jìn)行詳細(xì)說明。如圖7所示，加工對象物1是具備圓形板狀(例如直徑2?6英吋，厚度50?200 μ m)的單晶藍(lán)寶石基板31的晶片。如圖8所示，單晶藍(lán)寶石基板31具有六方晶系的結(jié)晶構(gòu)造，其c軸相對于單晶藍(lán)寶石基板31的厚度方向傾斜角度Θ (例如0.1° )。即，單晶藍(lán)寶石基板31是具有角度9的偏角(off-angle)。如圖9所不，單晶藍(lán)寶石基板31具有與c面形成達(dá)偏角的角度Θ的表面31a和背面31b。在單晶藍(lán)寶石基板31中，m面相對于單晶藍(lán)寶石基板31的厚度方向傾斜角度Θ (參照圖9(a))，a面與單晶藍(lán)寶石基板31的厚度方向平行(參照圖 9(b)) ο
[0048]如圖7和圖9所示，加工對象物1具備在單晶藍(lán)寶石基板31的表面31a上包含矩陣狀排列的多個(gè)發(fā)光元件部32的元件層33。在加工對象物1，格子狀(例如300 ymX300 μπι)地設(shè)定有用于將加工對象物1切斷成各個(gè)發(fā)光元件部32的切斷預(yù)定線(第2切斷預(yù)定線)51和切斷預(yù)定線(第1切斷預(yù)定線)52。切斷預(yù)定線51以與a面和背面31b平行的方式(換言之，與a面和表面31a平行的方式)設(shè)定多個(gè)。切斷預(yù)定線52以與m面和背面31b平行的方式(換言之，與m面和表面31a平行的方式)設(shè)定多個(gè)。另外，在單晶藍(lán)寶石基板31，以與a面平行的方式形成有定向平面31c。
[0049]如圖9所不，各發(fā)光兀件部32具有層萱在單晶藍(lán)寶石基板31的表面31a上的η型半導(dǎo)體層(第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層)34、以及層疊在η型半導(dǎo)體層34上的ρ型半導(dǎo)體層(第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層)35。η型半導(dǎo)體層34遍布全部的發(fā)光元件部32連續(xù)地形成，ρ型半導(dǎo)體層35在每個(gè)發(fā)光元件部32分離而島狀地形成。η型半導(dǎo)體層34和ρ型半導(dǎo)體層35由例如GaN等II1-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成，相互之間pn接合。如圖10所示，在η型半導(dǎo)體層34，在每個(gè)發(fā)光元件部32形成有電極焊盤36，在ρ型半導(dǎo)體層35，在每個(gè)發(fā)光元件部32形成有電極焊盤37。另外，η型半導(dǎo)體層34的厚度為例如6 μπι左右，ρ型半導(dǎo)體層35的厚度為例如1 μπι左右。
[0050]在元件層33相鄰接的發(fā)光元件部32、32之間，具有規(guī)定的寬度(例如10?30 ym)的格線(street)區(qū)域38格子狀地延伸。格線區(qū)域38是在著眼于相鄰接的發(fā)光元件部32A、32B的情況下，一個(gè)發(fā)光元件部32A專有的構(gòu)件之中具有最接近于另一個(gè)發(fā)光元件部32B的外緣的構(gòu)件與另一個(gè)發(fā)光元件部32B專有的構(gòu)件之中具有最接近于一個(gè)發(fā)光元件部32A的外緣的構(gòu)件之間的區(qū)域。
[0051]例如在圖10(a)的情況下，發(fā)光元件部32A專有的構(gòu)件之中具有最接近于發(fā)光元件部32B的外緣的構(gòu)件是ρ型半導(dǎo)體層35，發(fā)光元件部32B專有的構(gòu)件之中具有最接近于發(fā)光元件部32A的外緣的構(gòu)件是電極焊盤36和ρ型半導(dǎo)體層35。因此，該情況下的格線區(qū)域38成為發(fā)光元件部32A的ρ型半導(dǎo)體層35與發(fā)光元件部32B的電極焊盤36和ρ型半導(dǎo)體層35之間的區(qū)域。另外，在圖10(a)的情況下，在格線區(qū)域38，發(fā)光元件部32Α和發(fā)光元件部32Β共有的η型半導(dǎo)體層34露出。
[0052]另外，在圖10(b)的情況下，發(fā)光元件部32Α專有的構(gòu)件之中具有最接近于發(fā)光元件部32Β的外緣的構(gòu)件是η型半導(dǎo)體層34，發(fā)光元件部32Β專有的構(gòu)件之中具有最接近于發(fā)光元件部32A的外緣的構(gòu)件是η型半導(dǎo)體層34。因此，該情況下的格線區(qū)域38成為發(fā)光元件部32Α的η型半導(dǎo)體層34與發(fā)光元件部32Β的η型半導(dǎo)體層34之間的區(qū)域。另外，在圖10(b)的情況下，在格線區(qū)域38，單晶藍(lán)寶石基板31的表面31a露出。
[0053]就用于將如以上構(gòu)成的加工對象物1切斷成各個(gè)發(fā)光元件部32來制造多個(gè)發(fā)光元件的加工對象物切斷方法，進(jìn)行以下說明。首先，如圖11所示，以覆蓋元件層33的方式將保護(hù)膠帶41粘附在加工對象物1，經(jīng)由保護(hù)膠帶41將加工對象物1載置在上述的激光加工裝置100的支撐臺(tái)107上。然后，以單晶藍(lán)寶石基板31的背面31b作為單晶藍(lán)寶石基板31中的激光L的入射面，將激光L的聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)于單晶藍(lán)寶石基板31內(nèi)，并使聚光點(diǎn)P沿著各條切斷預(yù)定線51相對地移動(dòng)。由此，沿著各條切斷預(yù)定線51在單晶藍(lán)寶石基板31內(nèi)形成改質(zhì)區(qū)域(第3改質(zhì)區(qū)域)71，并且使從改質(zhì)區(qū)域71產(chǎn)生的龜裂(第3龜裂)81到達(dá)背面3lb (第3工序)。此時(shí)，龜裂81雖然未到達(dá)單晶藍(lán)寶石基板31的表面31a，但是也從改質(zhì)區(qū)域71朝表面31a側(cè)伸展。
[0054]在該工序中，以單晶藍(lán)寶石基板31的r面與背面31b所形成的角度成為銳角的側(cè)作為一側(cè)，且以單晶藍(lán)寶石基板31的r面與背面31b所形成的角度成為鈍角的側(cè)作為另一偵牝在全部的切斷預(yù)定線51中，使激光L的聚光點(diǎn)P從一側(cè)朝另一側(cè)相對地移動(dòng)。另外，從背面31b至將聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)的位置為止的距離例如是單晶藍(lán)寶石基板31的厚度的一半以下的距離，例如為30 ~ 50 μm0
[0055]接著，如圖12所示，以單晶藍(lán)寶石基板31的背面31b作為單晶藍(lán)寶石基板31中的激光L的入射面，將激光L的聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)于離開背面31b達(dá)距離(第1距離)Zd的單晶藍(lán)寶石基板31內(nèi)的位置，并使聚光點(diǎn)P沿著一條切斷預(yù)定線52相對地移動(dòng)。由此，沿著該一條切斷預(yù)定線52在單晶藍(lán)寶石基板31內(nèi)形成改質(zhì)區(qū)域(第1改質(zhì)區(qū)域)74。此時(shí)，從改質(zhì)區(qū)域74產(chǎn)生的龜裂(第1龜裂)84雖然未到達(dá)單晶藍(lán)寶石基板31的表面31a和背面31b，但是也從改質(zhì)區(qū)域74朝表面31a側(cè)和背面31b側(cè)伸展。
[0056]在形成改質(zhì)區(qū)域74時(shí)，在以從將聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)的位置至表面31a為止的容許最小距離為e，單晶藍(lán)寶石基板31的厚度為t、從背面31b至將聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)的位置為止的距離為Zdl、在相鄰接的發(fā)光元件部32、32之間在與m面平行的方向上延伸的格線區(qū)域38的寬度為d、表面31a的龜裂84的蛇行量為m、與背面31b垂直的方向(即單晶藍(lán)寶石基板31的厚度方向)與龜裂84伸展的方向所形成的角度為α的情況下，以滿足t-[(d/2)_m]/tan a <Zdl<t-e的方式，沿著該一條切斷預(yù)定線52將激光L照射在加工對象物1。
[0057]由此，能夠防止起因于激光L的照射而導(dǎo)致發(fā)光元件部32的特性劣化。另外，即使在沿著切斷預(yù)定線52切斷加工對象物1時(shí)，從改質(zhì)區(qū)域74產(chǎn)生的龜裂84的伸展方向朝r面的傾斜方向拉引，也能夠在單晶藍(lán)寶石基板31的表面31a將龜裂84收在格線區(qū)域38內(nèi)，可以防止該龜裂81到達(dá)發(fā)光元件部32。
[0058]在此，對于從將聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)的位置至表面31a為止的容許最小距離e，如果從將聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)的位置至表面31a為止的距離比容許最小距離e小，則是由于激光L的照射可能會(huì)使發(fā)光元件部32的特性劣化的距離，例如為40?60 μπι。另外，表面31a的龜裂84的蛇行量m是在表面31a蛇行的龜裂84的擺動(dòng)寬度(格線區(qū)域38的寬度方向(即相鄰接的發(fā)光元件部32、32并排的方向)上的擺動(dòng)寬度)的“所設(shè)想的最大值”，例如為_5?+5 μ mo另外，龜裂84伸展的方向雖然是相對于與背面31b垂直的方向朝r面傾斜的側(cè)傾斜的方向，但是與背面31b垂直的方向與龜裂84伸展的方向所形成的角度α不必跟與背面31b垂直的方向與r面所形成的角度一致，例如為5?7°。
[0059]接著，如圖13所示，以單晶藍(lán)寶石基板31的背面31b作為單晶藍(lán)寶石基板31中的激光L的入射面，將激光L的聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)于離開背面31b達(dá)比距離Zdl小的距離Zsl的單晶藍(lán)寶石基板31內(nèi)的位置，使聚光點(diǎn)P沿著該一條切斷預(yù)定線52相對地移動(dòng)。由此，沿著該一條切斷預(yù)定線52在單晶藍(lán)寶石基板31內(nèi)形成改質(zhì)區(qū)域(第2改質(zhì)區(qū)域)72，并且使從改質(zhì)區(qū)域72產(chǎn)生的龜裂(第2龜裂)82到達(dá)背面31b。此時(shí)，從改質(zhì)區(qū)域72產(chǎn)生的龜裂82雖然未到達(dá)單晶藍(lán)寶石基板31的表面31a，但是也從改質(zhì)區(qū)域71朝表面31a側(cè)伸展。
[0060]在形成改質(zhì)區(qū)域72時(shí)，在各條切斷預(yù)定線52，使改質(zhì)區(qū)域72相對于通過改質(zhì)區(qū)域74且與單晶藍(lán)寶石基板31的r面平行的傾斜面45而位于傾斜面45與背面31b所形成的角度成為銳角的側(cè)。更具體而言，從與背面31b垂直的方向看的情況下，以到達(dá)背面31b的龜裂82位于格線區(qū)域38的中心線CL(是格線區(qū)域38的寬度方向上的中心線，在此，與切斷預(yù)定線52 —致)上的方式，使改質(zhì)區(qū)域72位于相對于中心線CL遠(yuǎn)離傾斜面45的側(cè)。
[0061]將以上的改質(zhì)區(qū)域72、74的形成對于全部的切斷預(yù)定線52在各切斷預(yù)定線52依次實(shí)施(第1工序)。另外，在形成改質(zhì)區(qū)域72時(shí)，從將聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)的位置至背面31b為止的距離是例如單晶藍(lán)寶石基板31的厚度的一半以下的距離，例如為30?50 μπι。
[0062]另外，形成在單晶藍(lán)寶石基板31內(nèi)的改質(zhì)區(qū)域71、72、74成為包含熔融處理區(qū)域者。另外，從改質(zhì)區(qū)域71產(chǎn)生的龜裂81通過適當(dāng)調(diào)整激光L的照射條件就可以到達(dá)單晶藍(lán)寶石基板31的背面31b。作為用于使龜裂81到達(dá)背面31b的激光L的照射條件，例如有從背面31b至將激光L的聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)的位置為止的距離、激光L的脈沖寬度、激光L的脈沖間距(將“激光L的聚光點(diǎn)P相對于加工對象物1的移動(dòng)速度”由“激光L的重復(fù)頻率”除后的值)、激光L的脈沖能量等。同樣地，從改質(zhì)區(qū)域72產(chǎn)生的龜裂82通過適當(dāng)調(diào)整激光L的照射條件就可以到達(dá)單晶藍(lán)寶石基板31的表面31a。作為用于使龜裂82到達(dá)表面31a的激光L的照射條件，例如有從背面31b至將激光L的聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)的位置為止的距離、激光L的脈沖寬度、激光L的脈沖間距、激光L的脈沖能量等。另外，在單晶藍(lán)寶石基板31中，在以與a面和背面12b平行的方式設(shè)定的切斷預(yù)定線51中，龜裂81難以伸展，龜裂81容易蛇行。另一方面，在以與m面和背面12b平行的方式設(shè)定的切斷預(yù)定線52中，龜裂82、84容易伸展，龜裂82、84難以蛇行。處于該觀點(diǎn)，切斷預(yù)定線51側(cè)的激光L的脈沖間距可以比切斷預(yù)定線52側(cè)的激光L的脈沖間距小。
[0063]如以上所述形成了改質(zhì)區(qū)域71、72、74之后，如圖14所示，以覆蓋單晶藍(lán)寶石基板31的背面31b的方式將伸展膠帶42粘附在加工對象物1，經(jīng)由該伸展膠帶42將加工對象物1載置在三點(diǎn)彎曲斷裂裝置的承受構(gòu)件43上。然后，如圖14(a)所示，沿著各條切斷預(yù)定線51，從單晶藍(lán)寶石基板31的表面31a側(cè)，經(jīng)由保護(hù)膠帶41將刀緣44抵接在加工對象物1，由此沿著各條切斷預(yù)定線51使外力作用于加工對象物1。由此，使從改質(zhì)區(qū)域71產(chǎn)生的龜裂81朝表面31a側(cè)伸展，沿著各條切斷預(yù)定線51將加工對象物1切斷成條狀(第4工序)。
[0064]接著，如圖14(b)所示，沿著各條切斷預(yù)定線52，從單晶藍(lán)寶石基板31的表面31a偵牝經(jīng)由保護(hù)膠帶41將刀緣44抵接在加工對象物1，由此沿著各條切斷預(yù)定線52使外力作用于加工對象物1。由此，使從改質(zhì)區(qū)域72產(chǎn)生的龜裂82朝表面31a側(cè)伸展，沿著各條切斷預(yù)定線52將加工對象物1切斷成芯片狀(第2工序)。
[0065]將加工對象物1切斷之后，如圖15所示，從加工對象物1去除保護(hù)膠帶41，將伸展膠帶42朝外側(cè)擴(kuò)張。由此，使通過將加工對象物1切斷成芯片狀而得到的多個(gè)發(fā)光元件10相互分離。
[0066]如以上說明，在本實(shí)施方式的加工對象物切斷方法中，在以與單晶藍(lán)寶石基板31的m面和背面31b平行的方式設(shè)定的多各切斷預(yù)定線52的各條中，使改質(zhì)區(qū)域72相對于通過改質(zhì)區(qū)域74且與單晶藍(lán)寶石基板31的r面平行的傾斜面45而位于傾斜面45與背面31b所形成的角度成為銳角的側(cè)。由此，從改質(zhì)區(qū)域74朝背面31b側(cè)伸展的龜裂84朝改質(zhì)區(qū)域72側(cè)伸展，從改質(zhì)區(qū)域72朝表面31a側(cè)伸展的龜裂82朝改質(zhì)區(qū)域74側(cè)伸展，使該龜裂84與該龜裂82在單晶藍(lán)寶石基板31內(nèi)相連。因此，可以抑制從背面31b側(cè)的改質(zhì)區(qū)域72產(chǎn)生的龜裂82朝單晶藍(lán)寶石基板31的表面31a伸展，并且能夠?qū)⒈砻?1a側(cè)的從改質(zhì)區(qū)域74產(chǎn)生的龜裂84收在格線區(qū)域38內(nèi)，可以防止龜裂82、84到達(dá)發(fā)光元件部32。
[0067]另外，在切斷加工對象物1的工序中，通過沿著各條切斷預(yù)定線51、52從單晶藍(lán)寶石基板31的表面31a側(cè)將刀緣44抵接在加工對象物1，從而沿著各條切斷預(yù)定線51、52使外力作用于加工對象物1。由此，外力以到達(dá)單晶藍(lán)寶石基板31的背面31b的龜裂81、82裂開的方式作用于加工對象物1，因而能夠沿著切斷預(yù)定線51、52容易地且精度高地切斷加工對象物1。
[0068]另外，通過對于一條切斷預(yù)定線52形成多列改質(zhì)區(qū)域72、74，即使是在單晶藍(lán)寶石基板31比較厚的情況下，也能夠沿著切斷預(yù)定線52容易地且精度高地切斷加工對象物
1。另外，由于能夠減少用于形成改質(zhì)區(qū)域72、74的一個(gè)的激光L的脈沖能量，因此可以防止起因于激光L的照射而導(dǎo)致發(fā)光元件部32的特性劣化。
[0069]另外，在以與單晶藍(lán)寶石基板31的a面和背面31b平行的方式設(shè)定的多條切斷預(yù)定線51的各條中，使激光L的聚光點(diǎn)P從一側(cè)朝另一側(cè)相對地移動(dòng)。由此，能夠抑制從沿著各條切斷預(yù)定線51形成的改質(zhì)區(qū)域71所產(chǎn)生的龜裂81的蛇行量發(fā)生變化。這是基于如下認(rèn)識(shí):“在單晶藍(lán)寶石基板31中，在從r面與背面31b所形成的角度成為銳角的側(cè)朝其相反側(cè)使激光L的聚光點(diǎn)P相對地移動(dòng)的情況、以及從r面與背面31b所形成的角度成為鈍角的側(cè)朝其相反側(cè)使激光L的聚光點(diǎn)P相對地移動(dòng)的情況下，改質(zhì)區(qū)域71的形成狀態(tài)發(fā)生變化，其結(jié)果，從改質(zhì)區(qū)域71產(chǎn)生的龜裂81的蛇行量發(fā)生變化”。因此，根據(jù)該加工對象物切斷方法，可以抑制從沿著與單晶藍(lán)寶石基板31的a面和背面31b平行的多條切斷預(yù)定線51的各條形成的改質(zhì)區(qū)域71所產(chǎn)生的龜裂82的蛇行量的偏差。另外，從改質(zhì)區(qū)域71產(chǎn)生的龜裂81的蛇行量是指在單晶藍(lán)寶石基板31的表面31a或者背面31b蛇行的龜裂81的擺動(dòng)寬度(格線區(qū)域38的寬度方向上的擺動(dòng)寬度)。
[0070]另外，在形成改質(zhì)區(qū)域71的工序中，以單晶藍(lán)寶石基板31的r面與背面31b所形成的角度成為銳角的側(cè)作為一側(cè)，且以該角度成為鈍角的側(cè)作為另一側(cè)，沿著各條切斷預(yù)定線51使激光L的聚光點(diǎn)P從一側(cè)朝另一側(cè)相對地移動(dòng)，在單晶藍(lán)寶石基板31內(nèi)形成改質(zhì)區(qū)域71，并且使從改質(zhì)區(qū)域71產(chǎn)生的龜裂81到達(dá)背面31b。由此，相比于使激光L的聚光點(diǎn)P從單晶藍(lán)寶石基板31的r面與背面31b所形成的角度成為鈍角的側(cè)至該角度成為銳角的側(cè)相對地移動(dòng)的情況，能夠?qū)母馁|(zhì)區(qū)域71到達(dá)單晶藍(lán)寶石基板31的背面31b的龜裂81的蛇行量抑制得小。
[0071]再者，如以下所述，對于一條切斷預(yù)定線51也可以形成多列改質(zhì)區(qū)域71、73。首先，如圖16所示，以單晶藍(lán)寶石基板31的背面31b作為單晶藍(lán)寶石基板31中的激光L的入射面，將激光L的聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)于離開背面31b達(dá)距離Zd2的單晶藍(lán)寶石基板31內(nèi)的位置，使聚光點(diǎn)P沿著一條切斷預(yù)定線51相對地移動(dòng)。由此，沿著該一條切斷預(yù)定線51在單晶藍(lán)寶石基板31內(nèi)形成改質(zhì)區(qū)域(第3改質(zhì)區(qū)域)73。此時(shí)，從改質(zhì)區(qū)域73產(chǎn)生的龜裂(第3龜裂)83雖然未到達(dá)單晶藍(lán)寶石基板31的表面31a和背面31b，但是也從改質(zhì)區(qū)域73朝表面31a側(cè)和背面31b側(cè)伸展。
[0072]在形成改質(zhì)區(qū)域73時(shí)，以單晶藍(lán)寶石基板31的r面與背面31b所形成的角度成為銳角的側(cè)作為一側(cè)，且以單晶藍(lán)寶石基板31的r面與背面31b所形成的角度成為鈍角的側(cè)作為另一側(cè)，使聚光點(diǎn)P沿著該一條切斷預(yù)定線51從另一側(cè)朝一側(cè)相對地移動(dòng)。
[0073]接著，以單晶藍(lán)寶石基板31的背面31b作為單晶藍(lán)寶石基板31中的激光L的入射面，將激光L的聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)于離開背面31b達(dá)比距離Zdl小的距離Zs2的單晶藍(lán)寶石基板31內(nèi)的位置，使聚光點(diǎn)P沿著該一條切斷預(yù)定線51相對地移動(dòng)。由此，沿著該一條切斷預(yù)定線51在單晶藍(lán)寶石基板31內(nèi)形成改質(zhì)區(qū)域71，并且使從改質(zhì)區(qū)域71產(chǎn)生的龜裂81到達(dá)背面31b。此時(shí)，從改質(zhì)區(qū)域71產(chǎn)生的龜裂81雖然未到達(dá)單晶藍(lán)寶石基板31的表面31a，但是也從改質(zhì)區(qū)域71朝表面31a側(cè)伸展。
[0074]在形成改質(zhì)區(qū)域71時(shí)，如果以單晶藍(lán)寶石基板31的r面與背面31b所形成的角度成為銳角的側(cè)作為一側(cè)，且以單晶藍(lán)寶石基板31的r面與背面31b所形成的角度成為鈍角的側(cè)作為另一側(cè)，則使聚光點(diǎn)P沿著該一條切斷預(yù)定線51從一側(cè)朝另一側(cè)相對地移動(dòng)。
[0075]將以上的改質(zhì)區(qū)域71、73的形成對于全部的切斷預(yù)定線51在各條切斷預(yù)定線51依次實(shí)施(第1工序)。另外，在形成改質(zhì)區(qū)域73時(shí)，使從將聚光點(diǎn)P對準(zhǔn)的位置至表面31a為止的距離不比容許最小距離e小。
[0076]如以上所述，通過對于一條切斷預(yù)定線51形成多列改質(zhì)區(qū)域71、73，即使是在單晶藍(lán)寶石基板31比較厚的情況下，也能夠沿著切斷預(yù)定線51容易地且精度高地切斷加工對象物1。另外，由于能夠減少用于形成改質(zhì)區(qū)域71、73的一個(gè)的激光L的脈沖能量，因此可以防止起因于激光L的照射而導(dǎo)致發(fā)光元件部32的特性劣化。
[0077]以上，就本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的加工對象物切斷方法進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明的加工對象物切斷方法不限定于上述實(shí)施方式的加工對象物切斷方法。
[0078]例如，沿著切斷預(yù)定線51形成改質(zhì)區(qū)域71的工序，不限定于如上述者。與沿著切斷預(yù)定線51如何形成改質(zhì)區(qū)域7沒有關(guān)系，關(guān)于切斷預(yù)定線52，起到上述的“抑制從背面31b側(cè)的改質(zhì)區(qū)域72產(chǎn)生的龜裂82朝單晶藍(lán)寶石基板31的表面31a伸展，并且能夠?qū)⒈砻?1a側(cè)的從改質(zhì)區(qū)域74產(chǎn)生的龜裂84收在格線區(qū)域38內(nèi)，可以防止龜裂82、84到達(dá)發(fā)光元件部32”的效果等。
[0079]另外，在形成改質(zhì)區(qū)域72時(shí)，如圖17所示，從與背面31b垂直的方向看的情況下，也可以以到達(dá)背面31b的龜裂82位于格線區(qū)域38的中心線CL與到達(dá)背面31b的傾斜面45之間的方式，使改質(zhì)區(qū)域72相對于中心線CL而位于接近傾斜面45的側(cè)?？傊?，從與背面31b垂直的方向看的情況下，只要到達(dá)背面31b的龜裂82位于格線區(qū)域38內(nèi)、或者格線區(qū)域38的中心線CL與到達(dá)背面31b的傾斜面45之間的方式，沿著切斷預(yù)定線52形成改質(zhì)區(qū)域72即可。
[0080]另外，在對于一條切斷預(yù)定線形成多列改質(zhì)區(qū)域的情況下，也可以在各條切斷預(yù)定線連續(xù)形成改質(zhì)區(qū)域，將其對于全部的切斷預(yù)定線依次實(shí)施?；蛘?，也可以連續(xù)形成位于與背面31b相同距離的改質(zhì)區(qū)域，接著，連續(xù)形成位于與背面31b其他相同距離的改質(zhì)區(qū)域。
[0081]另外，如果是在切斷加工對象物1的工序之前，則可以先實(shí)施在沿著切斷預(yù)定線51形成改質(zhì)區(qū)域的工序以及沿著切斷預(yù)定線52形成改質(zhì)區(qū)域的工序之中任一個(gè)工序。另夕卜，如果是在形成改質(zhì)區(qū)域的工序之后，則可以先實(shí)施在沿著切斷預(yù)定線51切斷加工對象物1的工序以及沿著切斷預(yù)定線52切斷加工對象物1的工序之中的任一個(gè)工序。
[0082]另外，為了使激光L的聚光點(diǎn)P沿著各條切斷預(yù)定線51、52相對地移動(dòng)，可以使激光加工裝置100的支撐臺(tái)107移動(dòng)，也可以使激光加工裝置100的激光光源101側(cè)(激光光源101、分色鏡103和聚光用透鏡105等)移動(dòng)，或者也可以使支撐臺(tái)107和激光光源101側(cè)兩者移動(dòng)。
[0083]另外，可以制造半導(dǎo)體激光作為發(fā)光元件。在該情況下，加工對象物1具備單晶藍(lán)寶石基板31、層疊在單晶藍(lán)寶石基板31的表面31a上的η型半導(dǎo)體層(第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層)34、層疊在η型半導(dǎo)體層34上的活性層、以及層疊在活性層上的ρ型半導(dǎo)體層(第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層)35。η型半導(dǎo)體層34、活性層和ρ型半導(dǎo)體層35例如由GaN等II1-V族化合物半導(dǎo)體所構(gòu)成，并構(gòu)成量子井結(jié)構(gòu)。
[0084]另外，元件層33可以進(jìn)一步具備用于與電極焊盤36、37的電連接的接觸層等。另夕卜，第1導(dǎo)電型也可以為ρ型，第2導(dǎo)電型也可以為η型。另外，單晶藍(lán)寶石基板31的偏角也有0°的情況。在該情況下，單晶藍(lán)寶石基板31的表面31a和背面31b與c面平行。
[0085]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0086]根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種能夠防止從沿著與單晶藍(lán)寶石基板的m面和背面平行的多條切斷預(yù)定線的各條形成的改質(zhì)區(qū)域所產(chǎn)生的龜裂到達(dá)發(fā)光元件部的加工對象物切斷方法。
【權(quán)利要求】
1.一種加工對象物切斷方法，其特征在于， 是用于將加工對象物切斷成各個(gè)發(fā)光元件部來制造多個(gè)發(fā)光元件的加工對象物切斷方法，所述加工對象物具備具有與C面形成達(dá)偏角的角度的表面和背面的單晶藍(lán)寶石基板、以及在所述表面上包含矩陣狀排列的多個(gè)發(fā)光元件部的元件層， 具備: 第I工序，其以所述背面作為所述單晶藍(lán)寶石基板中的激光的入射面，將所述激光的聚光點(diǎn)對準(zhǔn)于離開所述背面達(dá)第I距離的所述單晶藍(lán)寶石基板內(nèi)的位置，并使所述聚光點(diǎn)沿著以與所述單晶藍(lán)寶石基板的m面和所述背面平行的方式設(shè)定的多條第I切斷預(yù)定線的各條相對地移動(dòng)，由此沿著各條所述第I切斷預(yù)定線在所述單晶藍(lán)寶石基板內(nèi)形成第I改質(zhì)區(qū)域，以所述背面作為所述入射面，將所述聚光點(diǎn)對準(zhǔn)于離開所述背面達(dá)比所述第I距離小的第2距離的所述單晶藍(lán)寶石基板內(nèi)的位置，使所述聚光點(diǎn)沿著各條所述第I切斷預(yù)定線相對地移動(dòng)，由此沿著各條所述第I切斷預(yù)定線在所述單晶藍(lán)寶石基板內(nèi)形成第2改質(zhì)區(qū)域；以及 第2工序，其在所述第I工序之后，沿著各條所述第I切斷預(yù)定線使外力作用于所述加工對象物，由此使從所述第I改質(zhì)區(qū)域產(chǎn)生的第I龜裂以及從所述第2改質(zhì)區(qū)域產(chǎn)生的第2龜裂伸展，并沿著各條所述第I切斷預(yù)定線切斷所述加工對象物， 在所述第I工序中，在各條所述第I切斷預(yù)定線中，使所述第2改質(zhì)區(qū)域相對于通過所述第I改質(zhì)區(qū)域且與所述單晶藍(lán)寶石基板的r面平行的傾斜面，而位于所述傾斜面與所述背面所形成的角度成為銳角的側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的加工對象物切斷方法，其特征在于， 在所述第I工序中，以所述背面作為所述入射面，將所述聚光點(diǎn)對準(zhǔn)于離開所述背面達(dá)所述第2距離的所述單晶藍(lán)寶石基板內(nèi)的所述位置，并使所述聚光點(diǎn)沿著各條所述第I切斷預(yù)定線相對地移動(dòng)，由此沿著各條所述第I切斷預(yù)定線在所述單晶藍(lán)寶石基板內(nèi)形成所述第2改質(zhì)區(qū)域，并且使所述第2龜裂到達(dá)所述背面， 在所述第2工序中，沿著各條所述第I切斷預(yù)定線從所述表面?zhèn)葘⒌毒壍纸釉谒黾庸ο笪?，由此沿著各條所述第I切斷預(yù)定線使外力作用于所述加工對象物。
3.如權(quán)利要求1或2所述的加工對象物切斷方法，其特征在于， 進(jìn)一步具備: 第3工序，其在所述第2工序之前，以所述背面作為所述入射面，將所述聚光點(diǎn)對準(zhǔn)于所述單晶藍(lán)寶石基板內(nèi)，并使所述聚光點(diǎn)沿著以與所述單晶藍(lán)寶石基板的a面和所述背面平行的方式設(shè)定的多條第2切斷預(yù)定線的各條相對地移動(dòng)，由此沿著各條所述第2切斷預(yù)定線在所述單晶藍(lán)寶石基板內(nèi)形成第3改質(zhì)區(qū)域；以及 第4工序，其在所述第I工序和所述第3工序之后，沿著各條所述第2切斷預(yù)定線使外力作用于所述加工對象物，由此使從所述第3改質(zhì)區(qū)域產(chǎn)生的第3龜裂伸展，并沿著各條所述第2切斷預(yù)定線切斷所述加工對象物。
【文檔編號(hào)】B23K26/00GK104508800SQ201380040028
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2013年8月1日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月22日
【發(fā)明者】田力洋子, 山田丈史 申請人:浜松光子學(xué)株式會(huì)社