專利名稱：Qfn封裝返拆工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種QFN封裝返拆工藝，屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著觸控技術(shù)的飛速發(fā)展，作為用于驅(qū)動(dòng)觸控屏的方形扁平無引腳封裝(以下簡稱QFN)的IC也用得越來越多，而在現(xiàn)有的生產(chǎn)中難免會出現(xiàn)不良品，諸如外觀不良和功能不良等?，F(xiàn)階段行業(yè)內(nèi)對于這些不良的處理方法主要有以下兩種如果屬于焊接不良的，如連焊、虛焊、少錫等，一般對其進(jìn)行維修處理；而如果是外觀不良以及其他不良，則無法進(jìn)行修理，一般作報(bào)廢處理
發(fā)明內(nèi)容

為解決上述問題，發(fā)明人出于節(jié)約資源、降低成本和減少浪費(fèi)的目的，研發(fā)出了一種QFN封裝返拆工藝。本發(fā)明為解決其問題所采用的技術(shù)方案是
QFN封裝返拆工藝，包括以下步驟
1)將需要返修的電路板從整板物料上剪切出來；
2)將剪切出的電路板放至加熱臺進(jìn)行加熱，待器件引腳下的焊錫熔解后取出器
件;
3)對取出的器件進(jìn)行檢查；
4)對檢查不合格的器件進(jìn)行維修
5)將檢查合格以及維修后的器件放至清洗機(jī)清洗；
6)對維修后的器件再次進(jìn)行檢查；
7)對檢查合格的器件進(jìn)行封裝。優(yōu)選的是，所述加熱臺的溫度為275° 285°。進(jìn)一步的，如果所述器件為連接器，其放置在加熱臺上的時(shí)間為3 10s ;如果所述器件為1C，其放置在加熱臺上的時(shí)間為5 30s。優(yōu)選的是，步驟3)中使用烙鐵對器件進(jìn)行去錫維修，烙鐵與器件接觸的時(shí)間小于
3s0優(yōu)選的是，所述清洗機(jī)為超聲波清洗機(jī)，其內(nèi)部放置有機(jī)清洗劑。進(jìn)一步的，所述有機(jī)清洗劑為丙酮溶液。更近一步的，步驟5)中器件放置在清洗機(jī)內(nèi)的清洗時(shí)間為10s。本發(fā)明的有益效果是將元器件拆除后返修再封裝使用，以最大限度的達(dá)到節(jié)約能源、降低成本、減少浪費(fèi)的目的，符合現(xiàn)在社會節(jié)能減排的發(fā)展趨勢，并且實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明圖I為本發(fā)明的操作流程圖。
具體實(shí)施例方式如附圖I所示的QFN封裝返拆工藝，包括以下步驟。步驟SI，將需要返修的電路板從整板物料上剪切出來，剪切時(shí)不能夠剪到板上的器件，并且應(yīng)該一件一件地操作，以防止器件碰撞或者是剪切到器件。剪切后的電路板不能夠從物料盒中一下倒出堆在一起，必需放回物料盒內(nèi)裝起來，以防止電路板上的器件發(fā)生碰撞導(dǎo)致?lián)p壞。步驟S2，將剪切出的電路板放至加熱臺進(jìn)行加熱，待器件引腳下的焊錫熔解后，用鑷子輕輕地取出器件，在錫還沒有完全融化之前，不能夠急于夾起器件，以免把器件刮傷或 者是損壞，然后將取出的器件統(tǒng)一放置在一個(gè)專門用于放置返拆器件的盒子里。需要注意的是，返拆的IC類器件不能夠散放一堆，而且，IC類器件的拆卸方向也要注意，拆件時(shí)應(yīng)該從沒有阻容件或者是阻容件比較少的方向水平移出，以防止碰撞損壞。在返拆連接器一類的器件時(shí)，則要注意鑷子夾取的方向不能夾在有引腳的一側(cè)，要夾在連接器沒有引腳的兩側(cè)，以防止引腳被弄壞或者使引腳粘到焊錫。操作人員在操作時(shí)，還要防止被高溫的加熱臺燙傷。優(yōu)選的是，所述加熱臺的溫度為275° 285°。進(jìn)一步的，如果所述器件為連接器，其放置在加熱臺上的時(shí)間為3 10s ;如果所述器件為1C，其放置在加熱臺上的時(shí)間為5 30s。步驟S3，對取出的器件進(jìn)行檢查或者是維修；器件需要進(jìn)行全檢，檢查器件的引腳之間有沒有發(fā)生焊錫粘連、多錫的不良情況，還要檢查器件表面有沒有臟污或者是刮傷或者是損壞。如果器件為合格品，則直接清洗，然后進(jìn)行封裝生產(chǎn)；而如果器件已經(jīng)損壞，則只能夠進(jìn)行廢棄處理。步驟S4，如果器件沒有損壞，則需要進(jìn)行維修。對于焊錫粘連或者是多錫的不良，采用烙鐵進(jìn)行維修，維修前，操作者必須把烙鐵的烙鐵嘴擦拭干凈，以免烙鐵嘴上的氧化物轉(zhuǎn)移到器件上，而且烙鐵與器件接觸的時(shí)間小于3s，以防止器件被高溫?zé)龎?。對于器件表面臟污的不良，一般可使用無塵布沾上酒精進(jìn)行擦洗，但是，酒精對于由助焊劑所造成的臟污的清洗效果較差，所以，對于特別難于擦洗的臟污，還可以進(jìn)行下一步用清洗機(jī)清洗。步驟S5，將難于擦洗的器件放至清洗機(jī)清洗；優(yōu)選的是，所述清洗機(jī)為超聲波清洗機(jī)，其內(nèi)部放置有機(jī)清洗劑。進(jìn)一步的，所述有機(jī)清洗劑為丙酮溶液。更近一步的，器件放置在清洗機(jī)內(nèi)的清洗時(shí)間為10s。步驟S6，對維修后的器件進(jìn)行檢查；維修之后的器件經(jīng)過清洗，再次進(jìn)行全數(shù)檢查，是否還殘留有焊錫，以及是否還有臟污、刮傷和損壞的不良現(xiàn)象。如果器件沒有損壞，但是還有外觀不良情況，則重復(fù)上述步驟S4及S5 ;而如果器件已經(jīng)損壞，則只能做廢棄處理。步驟S7，對檢查通過的器件進(jìn)行封裝準(zhǔn)備，IC 一類的器件用托盤或密封袋及防靜電物料袋包裝，用托盤盛放時(shí)，需統(tǒng)一器件的擺放方向，以便后續(xù)用機(jī)器進(jìn)行加工；如果是連接器或者是阻容類的器件則用OPT袋打包或者用密封袋包裝。然后把不能夠用貼片機(jī)加工的器件如連接器及阻容件發(fā)送至手工生產(chǎn)線進(jìn)行加工，能夠用托盤盛放并用貼片機(jī)加工的IC器件發(fā)送至貼片機(jī)進(jìn)行加工。
用托盤盛放器件時(shí)，操作人員要再次確認(rèn)器件的方向是否統(tǒng)一，以及將托盤裝在貼片機(jī)上的方向是否正確。另外，還要注意托盤裝機(jī)時(shí)，要輕拿輕放，避免器件從托盤上掉出。最后封裝完成的電路板按正常生產(chǎn)流程進(jìn)行操作。需要注意的是，進(jìn)過了一次返拆后封裝的器件，如果再次被檢查有不良情況發(fā)生，則該器件不能夠再進(jìn)行返拆處理，需做廢棄處理。以下內(nèi)容為發(fā)明人對電路板不良品進(jìn)行隨機(jī)抽取返拆并且再封裝的測試結(jié)果。在電路板不良品中隨機(jī)抽取20pcs進(jìn)行檢查分析，其不良情況如下表所示，
權(quán)利要求
1.QFN封裝返拆工藝，其特征在于，包括以下步驟 1)將需要返修的電路板從整板物料上剪切出來； 2)將剪切出的電路板放至加熱臺進(jìn)行加熱，待器件引腳下的焊錫熔解后取出器件； 3)對取出的器件進(jìn)行檢查； 4)對檢查不合格的器件進(jìn)行維修 5)將檢查合格以及維修后的器件放至清洗機(jī)清洗； 6)對維修后的器件再次進(jìn)行檢查； 7)對檢查合格的器件進(jìn)行封裝。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的QFN封裝返拆工藝，其特征在于，所述加熱臺的溫度為275。 285。。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的QFN封裝返拆工藝，其特征在于，所述器件為連接器，其放置在加熱臺上的時(shí)間為3 10s。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的QFN封裝返拆工藝，其特征在于，所述器件為1C，其放置在加熱臺上的時(shí)間為5 30s。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的QFN封裝返拆工藝，其特征在于，步驟3)中使用烙鐵對器件進(jìn)行去錫維修，烙鐵與器件接觸的時(shí)間小于3s。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的QFN封裝返拆工藝，其特征在于，所述清洗機(jī)為超聲波清洗機(jī)，其內(nèi)部放置有機(jī)清洗劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的QFN封裝返拆工藝，其特征在于，所述有機(jī)清洗劑為丙酮溶液。
8.根據(jù)權(quán)利要求I或6或7所述的QFN封裝返拆工藝，其特征在于，步驟5)中器件放置在清洗機(jī)內(nèi)的清洗時(shí)間為10s。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種QFN封裝返拆工藝，屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域。通過將元器件拆除后返修再封裝使用，以最大限度的達(dá)到節(jié)約能源、降低成本、減少浪費(fèi)的目的，符合現(xiàn)在社會節(jié)能減排的發(fā)展趨勢，并且實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。
文檔編號B23K1/018GK102881600SQ20121034605
公開日2013年1月16日 申請日期2012年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月18日
發(fā)明者黃清華 申請人:奈電軟性科技電子(珠海)有限公司