專利名稱：去除掩模板輔助圖形的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種去除掩模板輔助圖形的方法，屬于掩模板應(yīng)用領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
具有由通過附加電壓而發(fā)光的低分子有機EL (Organic Electro-Luminescence:0EL，有機發(fā)光電子板)材料形成的有機發(fā)光層的有機EL顯示面板是通過下述方式制造成的，即，在透明基板上形成透明電極層，在該透明電極層上形成由低分子有機EL材料形成的有機發(fā)光層，還有該有機發(fā)光層上形成金屬電極層。在該有機EL顯示面板的制造工序中，在透明電極層上的有機發(fā)光層的形成通常是通過采用具有規(guī)定圖案的多個細(xì)微通孔的蒸鍍金屬掩模，將低分子有機EL材料蒸鍍于基板上的方法而進行的。
這種有機電致發(fā)光顯示器包括有機電致發(fā)光裝置，有機電致發(fā)光裝置具有分別堆疊在基底上的陽極、有機材料層和陰極。有機材料層包括有機發(fā)射層，有機發(fā)射層由于復(fù)合空穴和電子得到的激光而發(fā)光。此外，為了將空穴和電子平穩(wěn)的傳輸?shù)桨l(fā)射層并提高發(fā)射效率，電子注入層和電子傳輸層可設(shè)置在陰極和有機發(fā)射層之間，空穴注入層和空穴傳輸層可設(shè)置在陽極和有機發(fā)射層之間。
通常，可通過諸如真空沉積、離子電鍍、濺射等物理氣相沉積法和采用氣象反應(yīng)的化學(xué)氣相沉積法來制造具有這種構(gòu)造的有機電致發(fā)光裝置。此外，當(dāng)通過這些方法來制造有機電致發(fā)光裝置時，需要具有預(yù)定圖案的掩模以在正確的位置堆疊有機材料層。關(guān)于這個問題，掩模在收向外的拉力的狀態(tài)下固定在掩?？蛏稀?br> 由于傳統(tǒng)工藝中，將掩模板固定在掩模框架上時掩模受外向拉力，需要在掩模板的邊料設(shè)計輔助圖形以完成繃網(wǎng)，實現(xiàn)外向拉力的施加，該繃網(wǎng)孔區(qū)，即輔助圖形區(qū)域要在掩模板固定在掩模框架后分離出掩模板有效區(qū)域，即主圖形區(qū)域。
現(xiàn)有技術(shù)是用剪刀對掩模板的輔助圖形區(qū)域進行裁減，但裁減的邊存在不齊整，外觀不美觀，對于一些通過掩模板外邊框進行對位的情況，外邊框的不平整必會導(dǎo)致對位時的位置偏差。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種去除掩模板輔助圖形的方法，通過激光切割技術(shù)將輔助圖形區(qū)域從主圖形區(qū)域分離，可以解決現(xiàn)有技術(shù)中掩模板外邊框存在不齊整、外觀不美觀的問題。
針對以上技術(shù)問題，本發(fā)明提出以下技術(shù)方案: 一種去除掩模板輔助圖形的方法，其特征在于，將相對位置固定好的掩模板及掩?？蚣芊旁谇懈罨_上；通過CCD定位掩模板，通過原始文件確定切割基線的坐標(biāo)，調(diào)整切割參數(shù)和激光切割頭的縱向高度，使其激光焦點落在掩模板厚的中間位置，以保證盡量垂直的切割邊；通過激光切割頭發(fā)射出激光，沿切掩模板上的割基線進行切割。
所述掩膜板包括主圖形區(qū)域、輔助圖形區(qū)域、及位于所述主圖形開口區(qū)域與輔助圖形區(qū)域之間的切割基線；將所述掩膜板繃緊后，通過膠水固定在所述掩?？蛏?，即成為相對位置固定好的掩模板及掩模框架。
優(yōu)選的，在CCD定位時要作出切割坐標(biāo)補償，避免激光切割到掩?？蚣苌?，保證切割后的掩模板與掩?？蚣芡膺吔鐚R。
優(yōu)選的，激光切割的具體參數(shù)如下:激光頻率為6000-8000HZ ;電流為IOOOOmA ;氣體壓力為0-2MPa ;直線切割速度為100-200cm/min。
優(yōu)選的，所述掩模板材料為鎳鐵合金、純鎳、因瓦合金或不銹鋼。
優(yōu)選的，有效切割面積范圍為600mm*800mm。
優(yōu)選的，切割保護氣體為氧氣。
本發(fā)明所提及的CCD是電荷耦合器件圖像傳感器的簡稱。將掩模板與掩?？蚬潭ńY(jié)合后成為掩膜組件。
本發(fā)明所涉及的掩模板及其制作方法，通過激光切割技術(shù)將輔助圖形區(qū)域從主圖形區(qū)域分離，工藝簡單，并且保證剝離邊緣光滑整齊、無毛刺，外邊框?qū)ξ粫r不會導(dǎo)致位置偏差。


下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
作進一步詳細(xì)的說明。
圖1為掩模板結(jié)構(gòu)圖； 圖2為掩模組件結(jié)構(gòu)圖； 圖3為掩模組件背面視圖； 圖4為切割不意圖； 圖中I為掩模板，1-1為輔助圖形開口(繃網(wǎng)孔)，1-2為主圖形區(qū)域開口，1-3為輔助圖形區(qū)域，1-4為主圖形區(qū)域，1-5為切割基線，2為掩?？蚣埽?-1為掩?？蚣苓吙?切割邊界)，3為激光切割頭，4為激光，5為切割基臺。
具體實施方式
實施例
如圖1-4所述，一種去除掩模板輔助圖形的方法，將掩膜板I繃緊后，通過膠水固定在所述掩?？?上，構(gòu)成掩膜組件；將相對位置固定好的掩模板I及掩模框架2 (即掩膜組件)放在切割基臺5上；通過CXD定位掩模板1，通過原始文件確定切割基線1-5的坐標(biāo)，調(diào)整切割參數(shù)和激光切割頭3的縱向高度，使其激光4焦點落在掩模板I厚的中間位置，以保證盡量垂直的切割邊；通過激光切割頭3發(fā)射出激光4，沿切掩模板I上的割基線1-5進行切割。將掩模板I上的輔助圖形區(qū)域1-3切除并脫離掩模板I上的主圖形區(qū)域1-4。工藝簡單，并且保證剝離邊緣光滑整齊、無毛刺，外邊框?qū)ξ粫r不會導(dǎo)致位置偏差。
如圖1所示，掩膜板I包括輔助圖形開口(繃網(wǎng)孔)1_1、主圖形區(qū)域開口 1-2、輔助圖形區(qū)域1-3、主圖形區(qū)域1-4和1-5為切割基線。將掩膜板I固定在掩?？蚣?上(如圖2所示)。
由于激光4光斑有一定的直徑，在CCD定位時要作出切割坐標(biāo)補償，避免激光4切割到掩?？蚣?上，保證切割后的掩模板I與掩?？蚣?外邊界對齊；切割保護氣體為氧氣。
激光切割的具體參數(shù)如下: 激光頻率:6000-8000Hz ； 電流:10000mA ； 氣體壓力:0-2MPa ； 直線切割速度:100-200cm.mirT1。
掩模板材料可以為鎳鐵合金、純鎳、因瓦合金、不銹鋼中的任意一種。
有效切割面積范圍:600mm*800mm。
以上實施例目的在于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明的保護范圍，所有在不違背本發(fā)明精神原則的條件下做出的簡單變換均落入本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種去除掩模板輔助圖形的方法，其特征在于，將相對位置固定好的掩模板及掩?？蚣芊旁谇懈罨_上；通過CCD定位掩模板，通過原始文件確定切割基線的坐標(biāo)，調(diào)整切割參數(shù)和激光切割頭的縱向高度，使其激光焦點落在掩模板厚的中間位置，以保證盡量垂直的切割邊；通過激光切割頭發(fā)射出激光，沿切掩模板上的割基線進行切割。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除掩模板輔助圖形的方法，其特征在于，所述掩膜板包括主圖形區(qū)域、輔助圖形區(qū)域、及位于所述主圖形開口區(qū)域與輔助圖形區(qū)域之間的切割基線；將所述掩膜板繃緊后，通過膠水固定在所述掩?？蛏?，即成為相對位置固定好的掩模板及掩?？蚣?。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除掩模板輔助圖形的方法，其特征在于，在CCD定位時要作出切割坐標(biāo)補償，避免激光切割到掩?？蚣苌?，保證切割后的掩模板與掩?？蚣芡膺吔鐚R。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除掩模板輔助圖形的方法，其特征在于，激光切割的具體參數(shù)如下:激光頻率為6000-8000HZ ;電流為IOOOOmA ;氣體壓力為0_2MPa ;直線切割速度為 100-200cm/min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除掩模板輔助圖形的方法，其特征在于，所述掩模板材料為鎳鐵合金、純鎳或不銹鋼。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的去除掩模板輔助圖形的方法，其特征在于，有效切割面積范圍為600mm*800mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的去除掩模板輔助圖形的方法，其特征在于，切割保護氣體為氧氣。
全文摘要
一種去除掩模板輔助圖形的方法，其特征在于，將相對位置固定好的掩模板及掩模框架放在切割基臺上；通過CCD定位掩模板，通過原始文件確定切割基線的坐標(biāo)，調(diào)整切割參數(shù)和激光切割頭的縱向高度，使其激光焦點落在掩模板厚的中間位置，以保證盡量垂直的切割邊；通過激光切割頭發(fā)射出激光，沿切掩模板上的割基線進行切割。本發(fā)明所涉及的掩模板及其制作方法，通過激光切割技術(shù)將輔助圖形區(qū)域從主圖形區(qū)域分離，工藝簡單，并且保證剝離邊緣光滑整齊、無毛刺，外邊框?qū)ξ粫r不會導(dǎo)致位置偏差。
文檔編號B23K26/38GK103203551SQ201210010708
公開日2013年7月17日 申請日期2012年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月16日
發(fā)明者魏志凌, 高小平, 鄭慶靚, 孫倩 申請人:昆山允升吉光電科技有限公司