專利名稱：被處理體的取出方法、程序存儲(chǔ)介質(zhì)及載置機(jī)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及從例如適用于半導(dǎo)體制造裝置的從載置臺(tái)取出被處理體的方法、程序存儲(chǔ)介質(zhì)及載置機(jī)構(gòu)，更詳細(xì)而言，涉及例如能夠順利且短時(shí)間內(nèi)將真空吸附在載置臺(tái)上的被處理體從載置臺(tái)取出的被處理體的取出方法，存儲(chǔ)實(shí)行該取出方法程序的程序存儲(chǔ)介質(zhì)，及載置機(jī)構(gòu)。
背景技術(shù)：
這種載置機(jī)構(gòu)，用于對(duì)晶片等被處理體實(shí)施規(guī)定的處理的情況。該搬送機(jī)構(gòu)，例如包括載置晶片等被處理體的載置臺(tái)，在載置臺(tái)的載置面上出沒的多個(gè)升降栓銷，和為了將被處理體吸附固定于載置臺(tái)的載置面而在載置面上的多處開口的多個(gè)流路。通過真空裝置從多個(gè)流路排氣至真空，將被處理體吸附固定于載置面。
在對(duì)被處理體實(shí)施規(guī)定處理的情況下，使用搬送單元將被處理體搬送至載置臺(tái)，將被處理體轉(zhuǎn)移到從載置臺(tái)上升的多個(gè)升降栓銷上，搬送單元從載置臺(tái)退出。此時(shí)在載置機(jī)構(gòu)中，多個(gè)升降栓銷從載置臺(tái)的載置面下降，將被處理體載置于載置面，同時(shí)將被處理體真空吸附、固定于載置面。一旦對(duì)于被處理體的規(guī)定處理結(jié)束后，將被處理體從載置臺(tái)取出。此時(shí)，解除載置臺(tái)上的被處理體的真空吸附后，使多個(gè)升降栓銷從載置臺(tái)上升，抬起被處理體，然后通過搬送單元將由多個(gè)升降栓銷抬起的被處理體從載置臺(tái)取出。
而且，例如在專利文獻(xiàn)1中記載了設(shè)置有與上述載置機(jī)構(gòu)不同類型的載置機(jī)構(gòu)(卡盤)的探針(prober)裝置。該探針裝置有具有連接于真空裝置的吸引口的卡盤，上述卡盤的吸引口傾斜配置于裝載側(cè)，同時(shí)通過切換開關(guān)將送風(fēng)裝置連接于該吸引口。該探針裝置中，在將晶片從卡盤取出時(shí)，由送風(fēng)裝置從吸引口送出空氣，由空氣的送風(fēng)方向與空氣力使得晶片迅速地從卡盤向裝載側(cè)移動(dòng)。
此外，在專利文獻(xiàn)2中記載了真空臺(tái)的吸引、真空裝置。該裝置通過方向切換閥，將泵的排氣側(cè)與吸氣側(cè)連接于真空臺(tái)的腔室，能夠通過切換方向切換閥，選擇泵的排氣側(cè)或吸氣側(cè)中的任一個(gè)與腔室連通。在這種裝置的情況下，將晶片W從真空臺(tái)取出時(shí)，通過方向切換閥，將真空臺(tái)與泵的排氣側(cè)連通。
專利文獻(xiàn)1日本特開昭63-142653號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本實(shí)開昭50-127097號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容然而，在設(shè)置有升降栓銷的現(xiàn)有載置機(jī)構(gòu)的情況下，在將被處理體從載置臺(tái)取出時(shí)，由于被處理體被真空吸附而與載置面緊密接合，所以在使用多個(gè)升降栓銷將被處理體從載置臺(tái)的載置面抬起時(shí)，緩慢地將外部空氣導(dǎo)入被處理體與載置面之間，不能形成減壓狀態(tài)，同時(shí)必須用多個(gè)升降栓銷以極慢的速度抬起被處理體，取出被處理體需很長(zhǎng)時(shí)間，例如，在將被處理體從載置面抬起到交接位置時(shí)，就需要約6～7秒左右的時(shí)間。而且，如果不花費(fèi)時(shí)間，則不能由多個(gè)升降栓銷的上升消除被處理體與載置面11之間的減壓狀態(tài)，被處理體的中央部比周圍先被抬起，被處理體就會(huì)發(fā)生大的變形，導(dǎo)致被處理體破損。被處理體越是大型化、薄型化，就越容易破損。而且，在專利文獻(xiàn)1記載的卡盤和專利文獻(xiàn)2記載的裝置的情況下，由于未設(shè)置升降栓銷，所以不會(huì)產(chǎn)生像設(shè)置了升降栓銷的裝置那樣的問題。
本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的，其目的在于提供一種被處理體的取出方法、程序存儲(chǔ)介質(zhì)及載置機(jī)構(gòu)。該方法在設(shè)置有多個(gè)升降栓銷的載置機(jī)構(gòu)中，即使是晶片等被處理體大型化、薄型化，也能夠無損傷地在短時(shí)間內(nèi)順利地將被處理體從載置臺(tái)取出。
而且，本發(fā)明的發(fā)明方面1所述的被處理體的取出方法，用于將真空吸附在載置臺(tái)上的上述被處理體取出，其中，上述載置臺(tái)具有在其上多處開口的多個(gè)氣體流路，上述被處理體的取出方法的特征在于，包括下述工序(a)在上述多個(gè)氣體流路中關(guān)閉真空的工序，其中，該真空用于真空吸附上述被處理體；(b)用被處理體抬起單元將上述被處理體從上述載置臺(tái)抬起的工序；和(c)在工序(b)中，從上述多個(gè)氣體流路中的至少一個(gè)向上述載置臺(tái)與上述被處理體之間供給氣體的工序。
而且，本發(fā)明的發(fā)明方面2所述的被處理體的取出方法，其特征在于在發(fā)明方面1所述的發(fā)明中，上述抬起工序(b)至少包括抬起速度不同的第一、第二抬起工序，第二抬起工序的抬起速度大于第一工序。
而且，本發(fā)明的發(fā)明發(fā)面3所述的被處理體的取出方法，其特征在于在發(fā)明方面2所述的發(fā)明中，在第一抬起工序中進(jìn)行上述氣體供給工序(c)。
而且，本發(fā)明的發(fā)明方面4所述的程序存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于存儲(chǔ)有驅(qū)動(dòng)計(jì)算機(jī)、執(zhí)行發(fā)明方面1或發(fā)明方面2所述的被處理體的取出方法的程序。
本發(fā)明的發(fā)明方面5所述的載置機(jī)構(gòu)，其特征在于，包括用于載置被處理體的載置臺(tái)；用于在上述載置臺(tái)上抬起上述被處理體，出沒于上述載置臺(tái)的抬起單元；用于將上述被處理體真空吸附在上述載置臺(tái)上，以在上述載置臺(tái)的載置面的多處開口的方式設(shè)置在上述載置臺(tái)上的多個(gè)流路；和設(shè)置有通過上述多個(gè)流路中的至少一個(gè)向上述載置臺(tái)與上述被處理體之間供給氣體的氣體供給單元。
而且，本發(fā)明的發(fā)明方面6所述的載置機(jī)構(gòu)，其特征在于在發(fā)明方面5所述的發(fā)明中，上述被處理體抬起單元至少具有兩個(gè)抬起速度。
而且，本發(fā)明的發(fā)明方面7所述的載置機(jī)構(gòu)，其特征在于在發(fā)明方面5所述的發(fā)明中，上述載置臺(tái)能夠載置大小不同的至少兩種被處理體，上述至少一個(gè)流路配置于大小不同的上述被處理體中小的被處理體側(cè)。
而且，本發(fā)明的發(fā)明方面8所記述的載置機(jī)構(gòu)，其特征在于在發(fā)明方面7所述的發(fā)明中，在上述多個(gè)流路中分別連接有排氣單元，在上述氣體供給單元上連接有可與上述排氣單元進(jìn)行切換的閥門。
而且，本發(fā)明的發(fā)明方面9所述的載置機(jī)構(gòu)，其特征在于在發(fā)明方面8所述的發(fā)明中，上述閥門具有調(diào)整上述氣體流量的單元。
根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明方面1～9所述的發(fā)明，能夠提供一種被處理體的取出方法、程序存儲(chǔ)介質(zhì)及載置機(jī)構(gòu)。該方法在設(shè)置有多個(gè)升降栓銷的載置機(jī)構(gòu)中，即使是晶片等被處理體大型化、薄型化，也能夠無損傷地在短時(shí)間內(nèi)順利地將被處理體從載置臺(tái)取出。


圖1是表示本發(fā)明的載置機(jī)構(gòu)的一種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。
圖2(a)～(d)分別是按照工序順序表示使用圖1所示的載置機(jī)構(gòu)的本發(fā)明的被處理體的取出方法的一種實(shí)施方式的工序圖。
符號(hào)說明10載置機(jī)構(gòu)；11載置臺(tái)；11A載置面；12交接工具；12C升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)；13A、13B流路；14控制裝置(計(jì)算機(jī))；16第一電磁閥(切換閥)；17第二電磁閥(切換閥)；W晶片(被處理體)。
具體實(shí)施例方式
下面，根據(jù)圖1、圖2所示的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明加以說明。并且，圖1是表示本發(fā)明的載置機(jī)構(gòu)的一種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。圖2(a)～(d)分別是按照工序順序表示使用圖1所示的載置機(jī)構(gòu)的本發(fā)明的被處理體的取出方法的一種實(shí)施方式的工序圖。
例如如圖1所示，本實(shí)施方式的載置機(jī)構(gòu)10，包括載置被處理體(例如晶片)W的載置臺(tái)11；為了在載置臺(tái)11上進(jìn)行晶片W的交接，出沒于載置臺(tái)11的載置面11A的交接工具12；為了將晶片W真空吸附于載置臺(tái)11上，以載置臺(tái)11的載置面11A上多處開口的方式設(shè)置在載置臺(tái)11上的多個(gè)流路13。構(gòu)成為在控制裝置14的控制下驅(qū)動(dòng)，將晶片W真空吸附于載置臺(tái)11的載置面11A上。該載置機(jī)構(gòu)10，可適用于對(duì)半導(dǎo)體制造裝置、例如對(duì)晶片W的電氣特性進(jìn)行檢查的檢查裝置。
載置臺(tái)11具有能夠載置大小不同的兩種晶片W、例如直徑為200mm和300mm的晶片W的大小的載置面。如圖1所示，出沒于該載置面11A的交接工具12，例如包括3個(gè)升降栓銷12A(圖1中顯示了2個(gè))，和連接這些升降栓銷12A下端的連接部件12B。為通過現(xiàn)有公知的升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)12C而升降的結(jié)構(gòu)。3個(gè)升降栓銷12A，貫通例如以在載置臺(tái)11中央部形成正三角形的方式配置的3處貫通孔11B，在上升端進(jìn)行晶片W的交接。進(jìn)而，升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)12C，根據(jù)控制裝置14的計(jì)算機(jī)中收容的程序存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)的序列程序而驅(qū)動(dòng)，使得階段性地切換由3個(gè)升降栓銷12A抬起晶片W的速度，在短時(shí)間內(nèi)將晶片W從載置面11A抬起到上升端。
而且，在上述載置臺(tái)11的載置面11A上，形成有同心圓狀的多個(gè)圓形槽，多個(gè)流路13分別在這些圓形槽內(nèi)開口。多個(gè)流路13由在載置200mm的晶片W的部分開口的第一流路13A，和在第一流路13A的外側(cè)、載置300mm的晶片W的部分開口的第二流路13B的兩個(gè)系統(tǒng)構(gòu)成。在將300mm的晶片W真空吸附于載置面11A的情況下，使用第一、第二流路13A、13B。而且，第一流路13A開口的多個(gè)圓形槽，由徑向的槽相互連通。第二流路13B也是同樣的結(jié)構(gòu)。
在第一流路13A的入口處，經(jīng)由第一配管15A可切換地與第一、第二電磁閥16、17連接，由第一、第二電磁閥16、17，使得第一配管15A可切換至真空裝置(未圖示)側(cè)與空氣供給源(未圖示)側(cè)。而且，第二電磁閥17還具有在切換至空氣供給源側(cè)時(shí)起作用的節(jié)流閥17A，由節(jié)流閥17A能夠適宜地調(diào)節(jié)向載置臺(tái)11與晶片W之間供給的空氣的量。而且，第二流路13B的入口處，經(jīng)由第二配管15B與第一配管15A連接，在第二配管15B上配設(shè)有第三電磁閥18，第一、第三電磁閥16、18可以根據(jù)需要而連動(dòng)。此外，在第一配管15A上連接有具有開關(guān)的真空傳感器19，在開關(guān)接通時(shí)，檢測(cè)載置臺(tái)11與晶片W之間的真空度。
所以，將300mm的晶片W真空吸附于載置臺(tái)11上時(shí)，第一、第三電磁閥16、18勵(lì)磁，第一、第二流路13A、13B經(jīng)由第一、第二配管15A、15B與真空裝置側(cè)連通，由真空傳感器19檢測(cè)此時(shí)的真空度。將晶片W從載置臺(tái)11抬起時(shí)，第一、第三電磁閥16、18消磁，同時(shí)第二電磁閥17勵(lì)磁，第一流路13A經(jīng)由第一配管15A與空氣供給源側(cè)連通。
下面，也參照?qǐng)D2，對(duì)載置機(jī)構(gòu)10的動(dòng)作加以說明。并且，圖2中僅表示了第一流路13A。例如對(duì)300mm晶片W實(shí)施規(guī)定處理的情況下，交接工具12的3個(gè)升降栓銷12A處于上升端的狀態(tài)下，通過搬送機(jī)構(gòu)將晶片W交接于3個(gè)升降栓銷12A，搬送機(jī)構(gòu)從載置臺(tái)11后退。在載置臺(tái)11上3個(gè)升降栓銷12A通過升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)12C后退在貫通孔11B內(nèi)，將晶片W載置于載置面11A上。其間，第一、第三電磁閥16、18勵(lì)磁，第一、第二流路13A、13B與真空裝置側(cè)連通，例如以-40kPa左右的吸引力將晶片W真空吸附于載置面11A。此時(shí)，交接工具12的3個(gè)升降栓銷12A位于下降端，各自的前端位于載置面11A的下方。而且，一旦對(duì)晶片W的規(guī)定處理結(jié)束后，就將晶片W從載置臺(tái)11取出。
將晶片W從載置臺(tái)11取出時(shí)，根據(jù)控制裝置14的序列程序，第一、第二、第三電磁閥16、17、18驅(qū)動(dòng)，同時(shí)升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)12C驅(qū)動(dòng)，交接工具12(3個(gè)升降栓銷12A)上升，將晶片W從載置面11A抬起到交接位置。
這樣，首先，由升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)12C，3個(gè)升降栓銷12A上升，各自的上端例如以高速度(例如20mm/秒)從載置臺(tái)11的載置面11A上升到圖2(a)所示的下降了1.0mm位置。然后，第一、第二電磁閥16、18消磁，解除對(duì)晶片W的真空吸附，同時(shí)確認(rèn)真空傳感器19斷開后，由升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)12C，3個(gè)升降栓銷12A以低的掃描速度(例如1.5mm/s)1秒鐘從圖2(a)所示的位置上升到同圖(b)所示的位置，與晶片W的下面接觸，進(jìn)而將晶片W從載置面11A抬起0.5mm，處于即使空氣導(dǎo)入，晶片W也不偏移的狀態(tài)。
這里，第二電磁閥17勵(lì)磁，將第一流路13A與空氣供給源側(cè)連通，將例如0.4～0.45MPa的空氣從空氣供給源經(jīng)由第二電磁閥17和第一配管15A導(dǎo)入至第一流路13A。在空氣導(dǎo)入50m秒后，在導(dǎo)入了空氣的狀態(tài)下，由升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)12C，3個(gè)升降栓銷12A以低掃描速度(例如1.5mm/s)上升1秒鐘，如圖2(c)所示，將晶片W從載置面11A抬起2.0mm，處于外部空氣容易進(jìn)入晶片W與載置面11A之間的間隙的狀態(tài)。并且，導(dǎo)入第一流路13A的空氣量，能夠使用第二電磁閥17的節(jié)流閥17A而設(shè)定為最佳值。
接著，從空氣供給源向載置面11A與晶片W之間導(dǎo)入空氣，同時(shí)3個(gè)升降栓銷12A以高速度(例如20mm/秒)上升，用約0.5秒的時(shí)間一口氣將晶片W從載置面11A抬起到交接位置(上升端)，例如到達(dá)距載置面11A為11.0mm的高度。此時(shí)，即使加快晶片W的抬起速度，也不存在空氣從晶片W的周圍流入、并且晶片W與載置面11A之間的間隙處于減壓狀態(tài)的顧慮。
所以，在本實(shí)施方式中，升降栓銷12A從載置面11A下面1.0mm的位置到達(dá)交接位置，上升約2.5秒，能夠?qū)⒕琖抬起，與現(xiàn)有的需要6～7秒的時(shí)間相比，能夠大幅度地縮短取出晶片W的時(shí)間。
如上所述，如果升降栓銷12A在交接晶片W的位置停止，第二電磁閥17消磁，將第一流路13A從空氣供給源側(cè)隔斷。在該狀態(tài)下，通過搬送機(jī)構(gòu)，將從載置面11A浮起的晶片W取出，與下一個(gè)晶片W交換。
在本實(shí)施方式中，對(duì)于處理300mm的晶片W的情況進(jìn)行了說明，但處理200mm的晶片W的情況下，除了第三電磁閥18經(jīng)常消磁，在真空吸附時(shí)不使用之外，可以與上述實(shí)施方式同樣地實(shí)行晶片W的取出。所以，即使在200mm的晶片W的情況下，也能夠得到與上述實(shí)施方式相同的作用效果。
根據(jù)以上說明的本實(shí)施方式，載置機(jī)構(gòu)10包括載置晶片W的載置臺(tái)11；為了在該載置臺(tái)11上進(jìn)行晶片W的交接，出沒于載置臺(tái)11的交接工具12；為了將晶片W真空吸附于載置臺(tái)11上，以載置臺(tái)11的載置面11A上多處開口的方式設(shè)置在載置臺(tái)11上的第一、第二流路13A、13B。由于設(shè)置有作為通過第一流路13A向載置臺(tái)11與晶片W之間供給空氣的空氣供給單元的空氣供給源，所以將通過載置臺(tái)11上多處開口的第一、第二流路13A、13B而被真空吸附的晶片W，通過其交接工具12從載置臺(tái)11抬起，從載置臺(tái)11取出晶片W時(shí)，通過交接工具12抬起晶片W后，能夠從第一流路13A向載置臺(tái)11與晶片W之間供給空氣，消除晶片W與載置臺(tái)11A之間的減壓狀態(tài)。即使晶片W大型化、薄型化，也能夠縮短由交接工具12取出晶片W的時(shí)間，而且能夠不損傷晶片W、順利地取出。
此外，根據(jù)本實(shí)施方式，載置臺(tái)11能夠載置200mm、300mm兩種晶片W，由于第一流路13A配置于200mm的晶片W側(cè)，所以任意大小的晶片，都能夠確實(shí)地縮短從載置臺(tái)11取出晶片W的時(shí)間。而且，由于第一、第二流路13A、13B分別與真空裝置連接，空氣供給源上連接有可與真空裝置切換的第一、第二電磁閥16、17，所以能夠?qū)⒌谝涣髀?3A從真空裝置側(cè)切換至空氣供給源側(cè)，順利地將晶片W抬起，縮短晶片W的取出時(shí)間。而且，由于第二電磁閥17具有節(jié)流閥17A，所以能夠?qū)λ偷捷d置臺(tái)11與晶片W之間的空氣量進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)節(jié)。
此外，根據(jù)本實(shí)施方式，由于在空氣供給之前，由交接工具12將晶片W從載置臺(tái)11的載置面11A稍稍抬起，所以向載置臺(tái)11與晶片W之間供給空氣、由交接工具12抬起晶片W時(shí)，晶片W不會(huì)發(fā)生從交接工具12的位置偏移，能夠向正上方抬起。而且，由于在抬起晶片W時(shí)，將抬起速度分為兩個(gè)階段，先是緩慢地抬起晶片W，然后再加快速度抬起，所以能夠最大限度地抑制晶片W的變形，不損傷晶片W，且順利地在短時(shí)間內(nèi)取出晶片W。
此外，本發(fā)明不限于上述各實(shí)施方式，可以根據(jù)需要，設(shè)計(jì)變更各構(gòu)成要素。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明適用于半導(dǎo)體制造裝置的載置機(jī)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種被處理體的取出方法，用于將真空吸附在載置臺(tái)上的所述被處理體取出，其中，所述載置臺(tái)具有在其上多處開口的多個(gè)氣體流路，所述被處理體的取出方法的特征在于，包括下述工序(a)在所述多個(gè)氣體流路中關(guān)閉真空的工序，其中，該真空用于真空吸附所述被處理體；(b)用被處理體抬起單元將所述被處理體從所述載置臺(tái)抬起的工序；和(c)在工序(b)中，從所述多個(gè)氣體流路中的至少一個(gè)向所述載置臺(tái)與所述被處理體之間供給氣體的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的被處理體的取出方法，其特征在于所述抬起工序(b)至少包括抬起速度不同的第一、第二抬起工序，第二抬起工序的抬起速度大于第一工序。
3.如權(quán)利要求2所述的被處理體的取出方法，其特征在于在第一抬起工序中進(jìn)行所述氣體供給工序(c)。
4.一種程序存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于存儲(chǔ)有驅(qū)動(dòng)計(jì)算機(jī)、執(zhí)行權(quán)利要求1或2所述的被處理體的取出方法的程序。
5.一種載置機(jī)構(gòu)，其特征在于，包括用于載置被處理體的載置臺(tái)；用于在所述載置臺(tái)上抬起所述被處理體，出沒于所述載置臺(tái)的抬起單元；用于將所述被處理體真空吸附在所述載置臺(tái)上，以在所述載置臺(tái)的載置面的多處開口的方式設(shè)置在所述載置臺(tái)上的多個(gè)流路；和設(shè)置有通過所述多個(gè)流路中的至少一個(gè)向所述載置臺(tái)與所述被處理體之間供給氣體的氣體供給單元。
6.如權(quán)利要求5所述的載置機(jī)構(gòu)，其特征在于所述被處理體抬起單元至少具有兩個(gè)抬起速度。
7.如權(quán)利要求5所述的載置機(jī)構(gòu)，其特征在于所述載置臺(tái)能夠載置大小不同的至少兩種的被處理體，所述至少一個(gè)流路配置于大小不同的所述被處理體中小的被處理體側(cè)。
8.如權(quán)利要求7所述的載置機(jī)構(gòu)，其特征在于所述多個(gè)流路上分別連接有排氣單元，在所述氣體供給單元上連接有可與所述排氣單元切換的閥門。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的載置機(jī)構(gòu)，其特征在于所述閥門具有調(diào)節(jié)所述氣體流量的單元。
全文摘要
本發(fā)明提供一種被處理體的取出方法，用于將真空吸附在載置臺(tái)上的上述被處理體取出，其中，上述載置臺(tái)具有在其上多處開口的多個(gè)氣體流路，上述被處理體的取出方法包括(a)通過上述多個(gè)氣體流路關(guān)閉用于真空吸附上述被處理體的真空的工序；(b)利用被處理體抬起單元將上述被處理體從上述載置臺(tái)抬起的工序；和(c)在工序(b)中，從上述多個(gè)氣體流路中的至少一個(gè)向上述載置臺(tái)與上述被處理體之間供給氣體的工序。此外，本發(fā)明還提供一種存儲(chǔ)有用于運(yùn)行上述取出方法的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序的程序存儲(chǔ)介質(zhì)。
文檔編號(hào)B23Q3/06GK1971870SQ200610149470
公開日2007年5月30日 申請(qǐng)日期2006年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月21日
發(fā)明者鈴木勝 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社