專利名稱：定位面金屬積瘤修整塊的制作方法
技術領域：
本實用新型屬于金屬切削加工領域，具體涉及一種清除定位面上金屬積瘤的定位面金屬積瘤修整塊。
背景技術：
有色金屬(如鋁合金和鎂合金等)在切削加工時，金屬工件依靠定位面進行定位。由于刀具切削力的作用和切削時產(chǎn)生的振動，導致工件與定位面之間發(fā)生振動摩擦，使得部分金屬微粒粘結(jié)在定位面上(這些粘結(jié)在定位面上金屬微粒稱之為金屬積瘤)，從而造成定位表面不平整，引起定位誤差以及損傷工件表面，因此需經(jīng)常性地清理定位面上的金屬積瘤。
清除這些金屬積瘤的傳統(tǒng)方法是用砂紙修磨定位面或用硬質(zhì)工具(如刀片類)刮削定位面，但這些方法都容易造成定位面損傷，影響定位面精度。為解決這個問題，提出了下面的發(fā)明。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種定位面金屬積瘤修整塊，以清除這些金屬積瘤，而不損傷定位面的表面和精度。為此，本實用新型采用如下技術方案本實用新型的定位面金屬積瘤修整塊為金屬塊，其底面呈平面狀，該底面上開有若干個平行的半圓弧溝槽，每個半圓弧溝槽兩端各有一個刀刃。
所述金屬塊底面磨光，粗糙度≤0.8。
所述半圓弧形溝槽與金屬塊的運動方向垂直。
半圓弧溝槽的圓弧半徑在0.5～1mm之間。
金屬塊底面各邊有倒圓角，防止其底面各邊刮傷定位面。
金屬塊材料為工具鋼T8或硬質(zhì)金屬材料(其HRC在58～65之間)。
本實用新型與現(xiàn)有技術相比，具有如下優(yōu)點和有益效果本實用新型定位面金屬積瘤修整塊的底面上開有若干個平行的半圓弧溝槽，其圓弧半徑在0.5～1mm之間，每個半圓弧溝槽兩端各有一個刀刃，再加上底面磨光，粗糙度≤0.8，這樣能提高精度以及易于定位面的定位；另外，由于金屬塊材料為工具鋼T8或硬質(zhì)金屬材料(其HRC在58～65之間)，其底面各邊有倒圓角，能防止其底面各邊刮傷定位面。
圖1是本實用新型的定位面金屬積瘤修整塊的結(jié)構示意圖；圖2是定位面的結(jié)構示意圖；圖3是定位面金屬積瘤修整塊與定位面接觸的示意圖。
圖中1-金屬塊 2-定位面 1.1為底面 1.2為半圓弧溝槽 1.3為刀刃2.1為金屬積瘤具體實施方式
為了更好地理解本實用新型，
以下結(jié)合附圖對本實用新型作進一步地描述。
如圖1和圖2所示，本實用新型的定位面金屬積瘤修整塊為金屬塊1，其底面1.1呈平面狀，該底面1.1上開有若干個平行的半圓弧溝槽1.2，每個半圓弧溝槽1.2兩端各有一個刀刃1.3。
金屬塊1底面磨光，粗糙度≤0.8；半圓弧形溝槽1-2與金屬塊1的運動方向垂直；半圓弧溝槽1.2的圓弧半徑在0.5～1mm之間；金屬塊1的底面1.1各邊有倒圓角，防止其底面1.1各邊刮傷定位面2；金屬塊1的材料為工具鋼T8或硬質(zhì)金屬材料(其HRC在58～65之間)。
如圖3所示，清除定位面2上的金屬積瘤2.1時，定位面2固定，金屬塊1按箭頭方向運動，依靠半圓弧溝槽1.2的刀刃1.3可以切削掉這些金屬積瘤2.1。
本實用新型能提高精度以及易于定位面的定位，防止其底面各邊刮傷定位面，可應用于金屬切削加工領域，清除定位面上的金屬積瘤。
權利要求1.一種定位面金屬積瘤修整塊，其特征在于為金屬塊(1)，其底面(1.1)呈平面狀，該底面(1.1)上開有若干個平行的半圓弧溝槽(1.2)，每個半圓弧溝槽(1.2)兩端各有一個刀刃(1.3)。
2.根據(jù)權利要求1所述的定位面金屬積瘤修整塊，其特征在于所述金屬塊(1)的底面(1.1)磨光，粗糙度≤0.8。
3.根據(jù)權利要求1所述的定位面金屬積瘤修整塊，其特征在于所述半圓弧形溝槽(1.2)與金屬塊(1)的運動方向垂直。
4.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的定位面金屬積瘤修整塊，其特征在于所述半圓弧溝槽(1.2)的圓弧半徑在0.5～1mm之間。
5.根據(jù)權利要求4所述的定位面金屬積瘤修整塊，其特征在于所述金屬塊(1)的底面(1.1)各邊有倒圓角。
專利摘要本實用新型公開了一種定位面金屬積瘤修整塊，本修整塊為金屬塊1，其底面1.1呈平面狀，該底面1.1上開有若干個平行的半圓弧溝槽1.2，每個半圓弧溝槽1.2兩端各有一個刀刃1.3。金屬塊1底面磨光，粗糙度≤0.8；半圓弧形溝槽1.2與金屬塊1的運動方向垂直；半圓弧溝槽1.2的圓弧半徑在0.5～1mm之間；金屬塊1的底面1.1各邊有倒圓角。本實用新型能提高精度以及易于定位面的定位，防止其底面各邊刮傷定位面，可應用于金屬切削加工領域，清除定位面上的金屬積瘤。
文檔編號B23D79/06GK2796914SQ20052006065
公開日2006年7月19日 申請日期2005年7月4日 優(yōu)先權日2005年7月4日
發(fā)明者林放, 龔祝平, 孫延明, 賴朝安, 易靜蓉, 陳平, 張開生, 鄭時雄 申請人:華南理工大學