專利名稱：用于無鉛焊料連接的焊料體系的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于組裝電子部件的無鉛焊料結(jié)構(gòu)，更具體地說，涉及用于電子部件中的第二級焊料連接如將電子模塊連接到電路卡或電路板的無鉛焊料體系。
背景技術(shù)：
使用焊料來連接電子組件中的部件在本領(lǐng)域是眾所周知的。各種電子部件需要連接到其它電子部件或其它封裝級。典型的例子是第二級表面安裝技術(shù)，其中使用柱柵陣列(CGA)或球柵陣列(BGA)來形成電路板和電子模塊組件之間的互連，其中所述電子模塊組件例如是連接到多層陶瓷(MLC)基板的半導(dǎo)體芯片。
通過將焊料球或焊料柱連接到基板底面冶金(bottom surfacemetallurgy)(BSM)，將模塊組件連接到電路板或電路卡。然后在所謂的第二級組裝中將模塊連接到電路板或電路卡。
由于各種環(huán)境因素，本產(chǎn)業(yè)正在轉(zhuǎn)向用于部件組裝的無鉛焊料方案。當(dāng)前的無鉛互連方案將使用錫/銀/銅共熔體作為連接合金，用于模塊和電路卡側(cè)連接。之所以用這種合金是因?yàn)榇蠖鄶?shù)更高熔點(diǎn)的合金具有其它與之相關(guān)的問題。例如，錫銻(235-240℃)具有關(guān)于銻氧化的環(huán)境問題。
無鉛系統(tǒng)的當(dāng)前方案將在模塊和電路卡或電路板側(cè)柱連接上使用相同的焊料合金(特定成分的Sn/Ag/Cu，如3.8的Ag，0.7的Cu，其余是Sn)。但是具有與之有關(guān)的兩個顯著問題。第一，在第二級組裝期間柱會傾斜或倒坍，因?yàn)槟K側(cè)的焊角(fillet)將經(jīng)歷熔化。在235℃下的連接期間，Cu柱與模塊底面冶金B(yǎng)SM焊盤上的Sn、Ag和Cu(SAC)和電路卡側(cè)上的SAC焊膏的連接會引起模塊脫落。SAC共熔體在217℃下熔化。第二，電路卡再加工工藝變得非常棘手，因?yàn)樵趯⒛K從電路卡除去的過程中幾乎所有的柱將保留在電路卡上，然后必須在再連接之前進(jìn)行復(fù)雜的去除。從電路卡的模塊再加工將在電路卡上留下許多柱。這在制造產(chǎn)品的過程極其復(fù)雜和耗時。另一個問題是不存在熔化溫度在220℃和260℃之間的不具有與環(huán)境、工藝或可靠性有關(guān)的問題的容易獲得的合金。
本發(fā)明通過創(chuàng)建用于第二級組裝的焊料熔化體系解決了這些問題。本發(fā)明提供了將充足的金屬間化合物(intermetallics)添加到模塊BSM焊角的SnCu或SnAg的非共熔(off-eutectic)成分，以滿足以下要求材料必須在235℃到260℃的標(biāo)準(zhǔn)連接溫度下回流和液化，以滿足所有無鉛焊料應(yīng)用；材料必須使模塊BSM連接穩(wěn)定，以防止模塊在連接到電路卡或電路板的過程中脫落；材料必須在電路卡或電路板再加工的過程中保持粘附性，以確保盡可能多的柱保持連接到模塊而不保留在電路板或電路卡上。
本發(fā)明公開了包含兩種或多種如下金屬的非共熔無鉛合金的使用錫、銀和銅。這些非共熔成分包含第二金屬間相，其在超過280℃的溫度下熔化，并為模塊BSM連接提供基本的結(jié)構(gòu)支撐。本發(fā)明達(dá)到了在模塊/柱BSM連接中希望的溫度體系，其允許電路板或電路卡在沒有機(jī)械支架的輔助下的連接和從電路卡或電路板的模塊去除/再加工，從而絕大多數(shù)的柱保持連接到模塊BSM。這消除了同時在模塊側(cè)和電路卡側(cè)焊盤上使用相同的焊料帶來的問題。如果沒有焊料溫度體系，通過再加工所有或大多數(shù)柱保留在電路卡或電路板上，在為新模塊的再連接準(zhǔn)備位置的過程中需要勞動量非常大的操作。本發(fā)明使用不同合金以在初始的電路卡連接和后續(xù)的模塊/電路卡再加工的過程中形成穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，以防止柱倒坍。
該材料方案也可以替代計劃用于無鉛BGA的單熔(single melt)Sn、Ag和Cu(SAC)焊料球。通過參考附圖的下述說明，本發(fā)明的這些和其它目的將更加顯而易見。

發(fā)明內(nèi)容
通過提供使用于第二級封裝組件的無鉛焊料體系結(jié)構(gòu)，獲得了本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)。在一個實(shí)施例中，用于模塊側(cè)連接的非共熔焊料成分是90.0-99.0％之間的Sn和10.0-1.0％之間的Cu，并具有熔化溫度超過280℃的金屬間化合物。在一個優(yōu)選實(shí)施例中，該非共熔焊料成分是約93.0％的Sn和7.0％的Cu，并具有SnCu金屬間相結(jié)構(gòu)的分散顆粒。
在另一個實(shí)施例中，用于模塊側(cè)連接的非共溶焊料成分是80.0-96.0％之間的Sn和20.0-4.0％之間的Ag，并具有容化溫度超過280℃的金屬間化合物。在一個優(yōu)選實(shí)施例中，該非共熔焊料成分是約82.0％的Sn和18.0％的Ag，并具有SnAg金屬間相結(jié)構(gòu)的分散顆粒。在一個優(yōu)選實(shí)施例中，該非共熔焊料成分是約88.0％的Sn和12.0％的Ag，并具有SnAg金屬間相結(jié)構(gòu)的分散顆粒。
在本發(fā)明的另一方面，利用非共熔焊料成分提供一種形成用于第二級無鉛焊料組裝的焊料熔化體系的方法。


在所附權(quán)利要求書中具體提出本發(fā)明的被認(rèn)為具有新穎性的特征和本發(fā)明的特征要素。這些附圖只用于舉例說明，并沒有按比例繪制。然而，發(fā)明本身的組織和操作方法最好通過參考附圖的詳細(xì)說明來加以理解，其中圖1a-1f示出了提供用于第二級組裝的無鉛焊料體系的第一種方法；圖2a-2e示出了提供用于第二級組裝的無鉛焊料體系的第二種方法；圖3是根據(jù)本發(fā)明的無鉛BGA結(jié)構(gòu)的截面圖。
具體實(shí)施例方式
通過提供用于第二級組裝的焊料熔化體系來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。
電路卡組裝廠商正在轉(zhuǎn)向用于模塊與電路卡或電路板連接的無鉛焊料的通用方案，這一事實(shí)促使焊料熔化體系的需求。然而，連接溫度不能高于頂面冶金(TSM)結(jié)構(gòu)所允許的溫度。該產(chǎn)業(yè)趨向于共熔95.5Sn/3.8Ag/0.7Cu(或接近該成分)的電路卡側(cè)焊料，這意味著希望具有金屬間相結(jié)構(gòu)的并且液化溫度高于在電路卡焊膏中的95.5Sn/3.8Ag/0.7Cu(后面用“SAC”表示)的三元共熔溫度的非共熔成分。SAC共熔溫度是217℃。非共熔成分允許在電路卡連接的過程中在模塊側(cè)焊角中存在金屬間相結(jié)構(gòu)。表明液化不完全的這種金屬間相結(jié)構(gòu)在消除組裝期間的傾斜或倒坍問題時很關(guān)鍵。
類似地，通過提供更具有粘附性的BSM連接，金屬間相結(jié)構(gòu)將對電路卡再加工有幫助，從而允許從電路卡上除去柱，而同時不從模塊上除去。這種顯示出突出結(jié)果的非共熔焊料合金的例子是82Sn/18Ag和93Sn/7Cu。
本發(fā)明提出了SnCu(錫/銅)和SnAg(錫/銀)合金。在錫/銅的情況下，其中共熔合金的成分是99.3％的Sn和0.7％的Cu(227℃)，測定的合金是97Sn/3Cu和93Sn/7Cu。在235℃下利用97Sn/3Cu合金的電路卡連接中，獲得了令人滿意的結(jié)果，但是需要進(jìn)一步改進(jìn)以獲得更加牢固的電路卡連接和再加工工藝。在235℃下利用93Sn/7Cu合金的電路卡連接中，所有的模塊保持垂直，而不需要任何再加工。相反，先前在235℃下使用SAC作為模塊和電路卡側(cè)焊膏的電路卡連接導(dǎo)致所有的模塊脫落。唯一可選的方法是使用連接到模塊的角上的支架作為模塊的物理支撐。
錫/銀在221℃下的共熔成分是96.5％Sn/3.5％Ag。測定非共熔合金成分是90Sn/10Ag、88Sn/12Ag和82Sn/18Ag。在235℃下利用90Sn/10Ag合金的電路卡連接中，獲得了令人滿意的結(jié)果，但是需要進(jìn)一步改進(jìn)以獲得更加牢固的電路卡連接和再加工工藝。在利用88Sn/12Ag合金的電路卡連接中，所有的模塊在235℃的電路板連接回流中保存下來。在利用82Sn/18Ag合金的電路卡連接中，所有的模塊在245℃的回流期間保持垂直。
因此，對于具有235℃的回流的第二級焊料組裝，優(yōu)選的非共熔焊料合金是93Sn/7Cu、88Sn/12Ag或82Sn/18Ag。對于具有需要245℃或更高溫度的回流的第二級焊料組裝，優(yōu)選的非共熔焊料合金是82Sn/18Ag。這些非共熔焊料合金在連接到模塊BSM的過程中形成金屬間相結(jié)構(gòu)。在非共熔焊料合金是93Sn/7Cu的情況下，金屬間化合物是Cu6Sn5和Cu3Sn。在非共熔焊料合金是88Sn/12Ag或82Sn/18Ag的情況下，金屬間化合物是Ag3Sn。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說很顯然，更高的電路卡連接回流溫度，需要使用具有更高成分的金屬間相結(jié)構(gòu)的非共熔焊料合金。
非共熔焊料金屬的優(yōu)選體積將取決于接觸焊盤的尺寸和如球、柱等的互連部件的尺寸。上述每種非共熔焊料成分的優(yōu)選體積的范圍在大約2000到7000立方毫英寸。BSM接觸焊盤的直徑是32毫英寸，柱的直徑是10毫英寸。在上述討論的測定中，使用的無鉛柱是銅柱。然而，本發(fā)明并不限于銅柱。本發(fā)明的焊料體系也可以應(yīng)用具有容易焊接電鍍涂層的標(biāo)準(zhǔn)科瓦(NiFe)合金，以及Ni、Co、Cu和Pt的合金。同樣地，本發(fā)明也與通常的無鉛焊料球和無鉛焊料連接兼容。
對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說明顯的是，將少量第三種甚至第四種元素添加到所述錫/銅和錫/銀非共熔合金中不會影響體系結(jié)構(gòu)，因此這樣的添加在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。所添加的元素將必須易于如銅和銀那樣與錫形成金屬間化合物。可添加的元素包括鎳、鈷和金，如眾所周知的錫金屬間化合物鎳/錫、鈷/錫和金/錫。
本發(fā)明也不限于柱互連。也可以應(yīng)用“彈簧”、“連接器”、“s-連接器”、“c-連接器”、“懸柱”以及其中將部件硬連接到兩側(cè)即陶瓷和電路卡側(cè)的任何組件。本發(fā)明允許使用可接受的無鉛合金系統(tǒng)，具有溫度體系的附加優(yōu)點(diǎn)，并不需要機(jī)械支撐來幫助連接/再加工工藝。
參考圖1a說明了一種優(yōu)選方法，圖1a示出了連接到電子模塊20的頂側(cè)的電路芯片10。底面冶金(BSM)焊盤30置于模塊20的的底面。通常由石墨制成的操作舟40包含被排列以與模塊20上的BSM焊盤30的位置相一致的開口50。然后將本發(fā)明的非共熔焊料預(yù)制體(preform)60置于舟的開口50中。然后將模塊20放置在舟40上，以使BSM焊盤30與非共熔焊料預(yù)制體60相連接。然后將所得的模塊/舟組件加熱到所需的回流溫度，通常在235℃和245℃之間，從而將焊料預(yù)制體60回流到BSM焊盤30上。然后冷卻模塊/舟組件，結(jié)果用非共熔焊料合金覆蓋了BSM焊盤30。
現(xiàn)在參考圖1b，示出了回流后的模塊20。所得的非共熔覆蓋的BSM焊盤一般被稱為焊料凸起70。參考圖1c，通常由石墨制成的第二舟80包含被排列以與焊料凸起70的位置相一致的開口90。無鉛焊料柱，在該實(shí)例中為銅柱100，被置于舟的開口90中。
參考圖1d，將模塊20放置在舟80上，以使焊料凸起70與柱100的末端相連接。然后將所得的模塊/舟組件加熱到所需的回流溫度。對于銅柱要達(dá)到260℃，并優(yōu)選250℃。根據(jù)使用的特定焊料體系，該回流溫度可以超過350℃。焊料凸起70回流到柱100的末端上，并在冷卻之后形成將柱100粘附到模塊20的模塊側(cè)焊料焊角。
現(xiàn)在參考圖1e，示出了具有通過本發(fā)明的金屬間相結(jié)構(gòu)110連接的柱100的模塊20。參考圖1f，現(xiàn)在將具有連接的柱100的模塊20組裝到電路板或電路卡120上。電路板120具有電接觸焊盤140。將SAC焊膏130施加到接觸焊盤140上。將柱100放置在電路板120上，以使柱100的自由端與SAC焊膏130相接觸。然后加熱模塊/電路板組件，以回流柱末端上的SAC焊膏。一旦冷卻，回流的SAC焊膏形成將柱粘接到電路板120的焊料連接。這樣所得的模塊/電路板組件包括本發(fā)明的模塊和電路板側(cè)連接之間的焊料體系。
現(xiàn)在參考圖2a，說明了使用掩蔽(screen-on)柱工藝的第二方法，從而將本發(fā)明的非共熔焊料合金以焊膏形式掩蔽在柱陣列上，并將其回流。該方法減少了一個回流步驟。將通常由Mo或不銹鋼制成的掩蔽掩膜200放置在包含無鉛焊料柱100的柱舟80上。在該實(shí)施例中，柱舟80包含焊角開口180或柱開口90的擴(kuò)大的上部。掩蔽掩膜200具有被排列以與焊料柱100的位置相一致的掩膜開口150。將非共熔焊膏160掩蔽到掩膜開口150和焊角開口180中，該非共熔焊膏160由與非共熔焊料預(yù)制體60材料相同的成分構(gòu)成。
現(xiàn)在參考圖2b，除去掩蔽掩膜200，保留柱舟80中的柱100與柱100一端的非共熔“焊膏凸起”170。該焊膏凸起170的幾何形狀由掩蔽掩膜200的厚度和柱舟80中的焊角開口180的幾何形狀確定。
現(xiàn)在參考圖2c，將具有BSM焊盤30的模塊20放置在柱舟80上，以使BSM焊盤30與非共熔焊膏凸起170相接觸。然后將所得的模塊/舟組件加熱到所需的回流溫度。對于無鉛銅柱需要升到245℃，優(yōu)選250℃。根據(jù)使用的特定焊料體系，該回流溫度可以超過350℃。非共熔焊膏凸起170回流到柱100的末端上，并在冷卻之后形成將柱100粘接到模塊20的模塊側(cè)焊料焊角。
現(xiàn)在參考圖2d，示出了具有與本發(fā)明所得的金屬間相結(jié)構(gòu)110連接的柱100的模塊20?，F(xiàn)在參考圖2e，將具有連接的柱100的所得模塊20組裝到電路板或電路卡120上。電路板120具有電接觸焊盤140。將SAC焊膏130施加到接觸焊盤140。將柱100放置在電路板120上，以使柱100的自由端與SAC焊膏130相接觸。然后加熱模塊/電路板組件以回流柱末端上的SAC焊膏。一旦冷卻，回流的SAC焊膏形成將柱粘接到電路板120的焊料連接。這樣所得的模塊/電路板組件包括本發(fā)明的模塊和電路板側(cè)連接之間的焊料體系。
在經(jīng)歷不需要支架支撐的電路卡連接回流中，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了目前并不存在的焊料體系。這不僅對于初始電路卡連接關(guān)鍵，而且對電路卡再加工也很關(guān)鍵。根據(jù)本發(fā)明，大多數(shù)(95％或更多)柱在回流/從電路卡上除去的過程中保持連接在模塊上。
盡管在上面描述了優(yōu)選實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，Sn/Ag、Sn/Cu和Sn/Ag/Cu系統(tǒng)的非共熔焊料成分的范圍也在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。當(dāng)在模塊側(cè)上使用這些非共熔焊料方案，并結(jié)合在電路卡側(cè)上使用在3.8-4.0重量％Ag、0.5-0.9重量％Cu、其余為Sn范圍內(nèi)的“標(biāo)準(zhǔn)”的國家電子制造協(xié)會(NEMI)合金時，獲得了自然溫度體系，并使焊料工藝和再加工工藝更加容易。之所以這樣，是因?yàn)榉枪踩酆噶虾辖鸢夯瘻囟雀哂陔娐房▊?cè)焊料合金的金屬間化合物。因此，雖然會開始熔化，但是不完全液化，從而形成了金屬間相結(jié)構(gòu)。具有較高粘度的金屬間相結(jié)構(gòu)是該方案的關(guān)鍵所在。它防止柱或其它部件在連接/再加工工藝期間倒坍。
本發(fā)明不只局限于這些成分。本發(fā)明將使用這些合金中的一種或相同部件的類似成分，以解決柱傾斜和再加工的上述問題。電路卡組裝廠商正在逐步轉(zhuǎn)向用于電路卡側(cè)連接的通用無鉛焊料，并且所選的成分接近95.5Sn/3.8Ag/0.7Cu。
本發(fā)明也不只局限于上述第二級組裝方法。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員明顯的是，其它無鉛第二級組裝方法很容易從使用本發(fā)明的非共熔焊料成分中獲益。在圖3所示的例子中，使用非共熔焊料成分作為焊料球190，用于將具有BSM焊盤30的模塊20第二級BGA組裝到電路板120。使用由本發(fā)明的非共熔成分構(gòu)成的焊料球?qū)@得上述同樣的再加工優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)樵谠偌庸ぶ蟠蠖鄶?shù)焊料球?qū)⒈３诌B接到模塊。這將縮短用于清潔和重新布置電路板或電路卡連接位置的時間和工作量。
對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說明顯的是，對于本發(fā)明，只要不脫離本發(fā)明的精神，可以在這里具體描述的那些實(shí)施例之外對本發(fā)明進(jìn)行其它修改。因此，這樣的修改被認(rèn)為落入了只由所附權(quán)利要求書限定的本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種非共熔焊料組合物(60)，主要包括90.0-99.0％的Sn；10.0-1.0％的Cu；以及具有熔化溫度大于280℃的金屬間化合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的非共熔焊料組合物(60)，其中所述組合物是約93.0％的Sn；7.0％的Cu；以及具有SnCu金屬間相結(jié)構(gòu)的分散顆粒。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的非共熔焊料組合物(60)，其中所述金屬間相結(jié)構(gòu)包括在超過300℃溫度下的Cu6Sn5。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的非共熔焊料組合物(60)，其中所述金屬間相結(jié)構(gòu)包括在超過300℃溫度下的Cu3Sn。
5.根據(jù)權(quán)利要求2的非共熔焊料組合物(60)，其中所述組合物的體積在2000和7000立方毫英寸之間。
6.一種非共熔焊料組合物(60)，主要包括80.0-96.0％的Sn；20.0-4.0％的Ag；以及具有熔化溫度大于280℃的金屬間化合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的非共熔焊料組合物(60)，其中所述組合物是約82.0％的Sn；18.0％的Ag；以及具有SnAg金屬間相結(jié)構(gòu)的分散顆粒。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的非共熔焊料組合物(60)，其中所述金屬間相結(jié)構(gòu)包括在超過280℃溫度下的Ag3Sn。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的非共熔焊料組合物(60)，其中所述組合物的體積在2000和7000立方毫英寸之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的非共熔焊料組合物(60)，其中所述組合物是約88.0％的Sn；12.0％的Ag；以及具有SnAg金屬間相結(jié)構(gòu)的分散顆粒。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的非共熔焊料組合物(60)，其中所述金屬間相結(jié)構(gòu)包括在超過280℃溫度下的Ag3Sn。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的非共熔焊料組合物(60)，其中所述組合物的體積在2000和7000立方毫英寸之間。
13.一種形成用于第二級焊料組裝的無鉛焊料熔化體系的方法，包括以下步驟提供電子模塊(20)，在所述電子模塊(20)的底面上具有底面冶金焊盤(30)；將非共熔無鉛焊料(60)放置在所述底面冶金焊盤(30)上；將無鉛柱(100)的第一端與所述非共熔無鉛焊料(60)相接觸；加熱所述非共熔無鉛焊料(60)以回流所述非共熔無鉛焊料，并形成將所述無鉛柱(100)的第一端粘接到所述底面冶金焊盤(30)的模塊側(cè)非共熔無鉛焊料焊角(110)；提供電路板(120)，所述電路板(120)的頂面上具有接觸焊盤(140)；將焊膏(130)施加到所述連接焊盤(140)上；放置無鉛柱(100)的第二端與所述焊膏(130)相接觸；加熱所述焊膏(130)以回流所述焊膏，并形成將所述無鉛柱(100)的第二端粘接到所述接觸焊盤(140)的電路卡側(cè)焊料焊角，從而形成用于第二級焊料組裝的焊料體系。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中所述模塊側(cè)非共熔焊料焊角(110)具有約93.0％的Sn和7.0％的Cu的成分，并具有SnCu金屬間相結(jié)構(gòu)的分散顆粒。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中所述模塊側(cè)非共熔焊料焊角(110)具有約82.0％的Sn和18.0％的Ag的成分，并具有SnAg金屬間相結(jié)構(gòu)的分散顆粒。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中所述模塊側(cè)非共熔焊料焊角(110)具有約88.0％的Sn和12.0％的Ag的成分，并具有SnAg金屬間相結(jié)構(gòu)的分散顆粒。
17.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中將所述非共熔無鉛焊料(60)放置在所述底面冶金焊盤(30)上，作為固體非共熔無鉛焊料預(yù)制體。
18.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，通過利用掩蔽掩膜掩蔽非共熔無鉛焊膏(160)，將所述非共熔無鉛焊料(60)放置在所述無鉛柱(100)的第二端上。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于電子部件的第二級焊料連接如將電子模塊(20)連接到電路板(120)的無鉛焊料體系。將SnCu或SnAg的非共熔焊料(60)成分用于模塊側(cè)連接。該非共熔焊料(60)包含充足的金屬間化合物以提供模塊側(cè)連接，具有牢固的第二級組裝和再加工工藝。所述非共熔成分(60)在組裝過程中提供模塊側(cè)焊角中的金屬間相結(jié)構(gòu)。所述金屬間相結(jié)構(gòu)消除了第二級組裝過程中的傾斜和倒坍問題，并通過提供允許柱(100)從電路板(120)上除去同時不從模塊(20)上除去的粘附性更大的連接，幫助再加工。
文檔編號B23K101/40GK1681618SQ03821951
公開日2005年10月12日 申請日期2003年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月18日
發(fā)明者M·因特蘭特, M·G·法爾庫克, W·E·薩布林斯基 申請人:國際商業(yè)機(jī)器公司