，從而可以進(jìn)一步提高反射層42的反射率，進(jìn)而該反射層42可以更薄，進(jìn)一步提高導(dǎo)熱性能。
[0048]請參閱圖5，為本實施例提供的在氧化鋁層421之上設(shè)置有兩層子反射層的波長轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)。該兩層子反射層分別為第一子反射層423和第二子反射層424。其中第一子反射層423和第二子反射層424按照任意順序?qū)盈B設(shè)置于氧化鋁層421之上。第一子反射層423和第二子反射層424層疊設(shè)置在氧化鋁層421之上的方式包括但不限于燒結(jié)坐寸。
[0049]該第一子反射層423和第二子反射層424均通過反射顆粒與粘接材料燒結(jié)而成。第一子反射層423和第二子反射層424的反射顆粒和/或粘接材料不同。第一子反射層423和第二子反射層424的厚度均可以在0.05毫米或者以下，如第一子反射層423和第二子反射層424的厚度均可以低于40um。
[0050]在本實施例中，該反射層包括氧化鋁層421、第一子反射層423和第二子反射層424共三層介質(zhì)層，由于三層介質(zhì)層均具有較好的反射率，因此三層介質(zhì)層的疊加可以使絕大部分的光得到反射。另外，由于第一子反射層423和第二子反射層424的反射顆粒和/或粘接材料不同，使得氧化鋁層421、第一子反射層423和第二子反射層424構(gòu)成三層不同的介質(zhì)層，由于光線在兩個不同介質(zhì)層之間會產(chǎn)生大量的反射，從而三層不同的介質(zhì)層可以進(jìn)一步提高反射層的反射率，且每層介質(zhì)層可以非常薄，從而使包含三層介質(zhì)層的該反射層也可以更薄，進(jìn)一步提高反射層的導(dǎo)熱性能。
[0051]可以理解，還可以在氧化鋁層421之上層疊設(shè)置更多層由不同反射顆粒和/或粘接材料燒結(jié)而成的子反射層，利用光線在兩個不同介質(zhì)層之間會產(chǎn)生大量的反射的原理，來提高反射層的反射率，在此不再一一例舉。
[0052]實施例四
[0053]本實施例提供了另一種波長轉(zhuǎn)換裝置，該波長轉(zhuǎn)換裝置與實施例一、二、三所述的波長轉(zhuǎn)換裝置的區(qū)別在于基底61，且本實施例中的反射層包括設(shè)置在基底61之上的至少兩層層疊設(shè)置的子反射層。
[0054]其中本實施例中的基底61為陶瓷基底，該陶瓷基底61的材質(zhì)可以為氮化鋁或者氧化招等。
[0055]請參閱圖6，為本實施例提供的在基底61之上設(shè)置有兩層子反射層的波長轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)。該兩層子反射層分別為第一子反射層623和第二子反射層624。第一子反射層623和第二子反射層624的厚度均可以在0.05毫米或者以下，如第一子反射層423和第二子反射層424的厚度均可以低于40um。
[0056]該第一子反射層623和第二子反射層624按照任意順序?qū)盈B設(shè)置于基底61之上。第一子反射層623和第二子反射層624層疊設(shè)置在基底61之上的方式包括但不限于燒結(jié)坐寸。
[0057]該第一子反射層623和第二子反射層624均通過反射顆粒與粘接材料燒結(jié)而成。第一子反射層623和第二子反射層624的反射顆粒和/或粘接材料不同。其中反射顆粒包括但不限于氧化鋁、氧化鈦，石英粉、玻璃粉等，粘接材料包括但不限于低溫玻璃、硅膠等。
[0058]第一子反射層623和第二子反射層624的厚度均可以在0.05毫米或者以下，如第一子反射層623和第二子反射層624的厚度均可以低于40um。
[0059]在本實施例中，該反射層包括第一子反射層623和第二子反射層624共兩層介質(zhì)層，由于兩層介質(zhì)層均具有較好的反射率，因此兩層介質(zhì)層的疊加可以使大部分的光線得到反射。另外，由于第一子反射層623和第二子反射層624的反射顆粒和/或粘接材料不同，使得第一子反射層623和第二子反射層624構(gòu)成兩層不同的介質(zhì)層，由于光線在兩層不同介質(zhì)層之間會產(chǎn)生大量的反射，從而兩層不同的介質(zhì)層可以進(jìn)一步提高反射層的反射率，且每層介質(zhì)層可以非常薄，從而使包含兩層介質(zhì)層的該反射層也可以更薄，進(jìn)一步提高反射層的導(dǎo)熱性能。
[0060]請參閱圖7，為本實施例提供的在基底61之上設(shè)置有三層子反射層的波長轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)。該三層子反射層分別為第一子反射層723、第二子反射層724以及第三子反射層725。第一子反射層723、第二子反射層724、第三子反射層725的厚度均可以在0.05毫米或者以下，如第一子反射層423和第二子反射層424的厚度均可以低于40um。
[0061]該第一子反射層723、第二子反射層724、第三子反射層725均通過反射顆粒與粘接材料燒結(jié)而成，其中反射顆粒包括但不限于氧化鋁、氧化鈦，石英粉、玻璃粉等，粘接材料包括但不限于低溫玻璃、硅膠等。
[0062]其中第一子反射層723與第二子反射層724采用的反射顆粒和/或粘接材料不同，第二子反射層724與第三子反射層725采用的反射顆粒和/或粘接材料不同，第一子反射層723與第三子反射層725采用的反射顆粒和/或粘接材料可以相同，也可以不同。
[0063]可以理解，本實施例中的反射層還可以包括層疊設(shè)置在基底之上的更多數(shù)量的子反射層，其中相鄰兩層子反射層采用的反射顆粒和/或粘接材料不同，不相鄰的子反射層采用的反射顆粒和/或粘接材料可以相同，也可以不同。
[0064]在本實施例中，該反射層包括第一子反射層723、第二子反射層724以及第三子反射層725共三層介質(zhì)層，由于三層介質(zhì)層均具有較好的反射率，因此三層介質(zhì)層的疊加可以使大部分的光線得到反射。另外，由于第一子反射層723與第二子反射層724采用的反射顆粒和/或粘接材料不同，第二子反射層724與第三子反射層725采用的反射顆粒和/或粘接材料不同，由于光線在兩層不同介質(zhì)層之間會產(chǎn)生大量的反射，從而三層不同的介質(zhì)層可以進(jìn)一步提高反射層的反射率，且每層介質(zhì)層可以非常薄，從而使包含三層介質(zhì)層的該反射層也可以更薄，進(jìn)一步提高反射層的導(dǎo)熱性能。
[0065]實施例五
[0066]本實施例提供了另一種波長轉(zhuǎn)換裝置，該波長轉(zhuǎn)換裝置與實施例一至四所述的波長轉(zhuǎn)換裝置的區(qū)別在于，本實施例的波長轉(zhuǎn)換裝置還包括散熱器。該散熱器設(shè)置于基底61的背離反射層62的表面。
[0067]請參閱圖8，為本實施例提供的包括散熱器84的波長轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。該散熱器85為金屬板。
[0068]請參閱圖9，為本實施例提供的包括散熱器95的波長轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。該散熱器95為帶有鰭片的異形金屬板。
[0069]在本實施例中，由于該波長轉(zhuǎn)換裝置還包括散熱器，因此，可以進(jìn)一步提高波長轉(zhuǎn)換裝置的散熱性能。
[0070]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或者直接、間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均視為包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種波長轉(zhuǎn)換裝置，包括基底和波長轉(zhuǎn)換層，其特征在于，還包括反射層，所述反射層設(shè)置于所述基底的一表面，所述波長轉(zhuǎn)換層設(shè)置于所述反射層的背離所述基底的表面。2.如權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述反射層包括在所述基底的表面采用預(yù)設(shè)的氧化方式形成的氧化鋁層。3.如權(quán)利要求2所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述預(yù)設(shè)的氧化方式包括高溫氧化方式。4.如權(quán)利要求2或3所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述基底為氮化鋁基底。5.如權(quán)利要求2所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述反射層還包括至少一子反射層，所述至少一子反射層設(shè)置于所述氧化鋁層上，多層所述子反射層層疊設(shè)置。6.如權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述反射層包括至少兩層層疊設(shè)置的子反射層。7.如權(quán)利要求5或6所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，每層所述子反射層通過反射顆粒與粘接材料燒結(jié)而成。8.如權(quán)利要求7所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，相鄰兩層所述子反射層的反射顆粒和/或粘接材料不同。9.如權(quán)利要求7所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，每層所述子反射層中的反射顆粒均勻分布，所述反射顆粒呈球形。10.如權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述波長轉(zhuǎn)換裝置還包括: 散熱器，所述散熱器設(shè)置于所述基底的背離所述反射層的表面。11.如權(quán)利要求10所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述散熱器為金屬板或者帶有鰭片的異形金屬板。12.一種光源系統(tǒng)，其特征在于，所述光源系統(tǒng)包括所述權(quán)利要求1至11任一項所述波長轉(zhuǎn)換裝置。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種波長轉(zhuǎn)換裝置及光源系統(tǒng)，該波長轉(zhuǎn)換裝置包括基底和波長轉(zhuǎn)換層，還包括反射層，所述反射層設(shè)置于所述基底的一表面，所述波長轉(zhuǎn)換層設(shè)置于所述反射層的背離所述基底的表面。本發(fā)明通過在波長轉(zhuǎn)換裝置的基底與波長轉(zhuǎn)換層之間設(shè)置反射層，通過反射層可以對波長轉(zhuǎn)換層出射的光進(jìn)行反射，提高光利用率。同時該反射層包括在基底的表面形成的氧化鋁層和/或至少兩層層疊設(shè)置的子反射層，從而可提高該反射層的反射率，進(jìn)而使該反射層可以薄型化，改善導(dǎo)熱性能。
【IPC分類】F21V7/22, F21V29/00
【公開號】CN105276525
【申請?zhí)枴緾N201410325211
【發(fā)明人】楊佳翼, 胡飛
【申請人】深圳市繹立銳光科技開發(fā)有限公司
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2014年7月9日
【公告號】WO2016004862A1