波長轉(zhuǎn)換裝置及光源系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及波長轉(zhuǎn)換裝置及光源系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的波長轉(zhuǎn)換裝置如圖1所示，該波長轉(zhuǎn)換裝置包括基底11、熒光粉層13以及馬達14。為了保證熒光粉層的散熱，通?；?1為氮化鋁陶瓷。
[0003]采用這種結(jié)構(gòu)的波長轉(zhuǎn)換裝置，當(dāng)激發(fā)光照射該波長轉(zhuǎn)換裝置時，該波長轉(zhuǎn)換裝置出射的受激光中，有一部分受激光的方向與激發(fā)光的方向相反，但有一部分受激光的方向與激發(fā)光的方向相同，此時，無論與激發(fā)光的方向相反的方向上還是在與激發(fā)光的方向相同的方向上對受激光進行收集并利用，都會存在光的損失，從而降低了光利用率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種波長轉(zhuǎn)換裝置，以解決波長轉(zhuǎn)換裝置出射的光的利用率低的問題。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
[0006]一種波長轉(zhuǎn)換裝置，包括基底和波長轉(zhuǎn)換層，還包括反射層，所述反射層設(shè)置于所述基底的一表面，所述波長轉(zhuǎn)換層設(shè)置于所述反射層的背離所述基底的表面。
[0007]優(yōu)選的，所述反射層包括在所述基底的表面采用預(yù)設(shè)的氧化方式形成的氧化鋁層。
[0008]優(yōu)選的，所述反射層還包括至少一子反射層，所述至少一子反射層設(shè)置于所述氧化鋁層上，多層所述子反射層層疊設(shè)置。
[0009]優(yōu)選的，所述反射層包括至少兩層層疊設(shè)置的子反射層。
[0010]優(yōu)選的，每層所述子反射層通過反射顆粒與粘接材料燒結(jié)而成。
[0011]優(yōu)選的，相鄰兩層所述子反射層的反射顆粒和/或粘接材料不同。
[0012]本發(fā)明還提供了一種包括上述波長轉(zhuǎn)換裝置的光源系統(tǒng)。
[0013]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點:
[0014]本發(fā)明通過在波長轉(zhuǎn)換裝置的基底與波長轉(zhuǎn)換層之間設(shè)置反射層，通過反射層可以對波長轉(zhuǎn)換層出射的光進行反射，提高光利用率。同時該反射層包括在基底的表面形成的氧化鋁層和/或至少兩層層疊設(shè)置的子反射層，從而可提高該反射層的反射率，進而使該反射層可以薄型化，改善導(dǎo)熱性能。
【附圖說明】
[0015]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的波長轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)圖；
[0017]圖2為本發(fā)明第一實施例提供的波長轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3為本發(fā)明第二實施例提供的波長轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖4、5為本發(fā)明第三實施例提供的波長轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖6、7為本發(fā)明第四實施例提供的波長轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖8、9為本發(fā)明第五實施例提供的波長轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0022]本發(fā)明提供了一種波長轉(zhuǎn)換裝置，包括基底和波長轉(zhuǎn)換層，還包括反射層，所述反射層設(shè)置于所述基底的一表面，所述波長轉(zhuǎn)換層設(shè)置于所述反射層的背離所述基底的表面。
[0023]其中反射層包括在所述基底的表面采用預(yù)設(shè)的氧化方式形成的氧化鋁層，或者，反射層包括氧化鋁層以及層疊設(shè)置在氧化鋁層之上的至少一子反射層，或者反射層包括至少兩層層疊設(shè)置的子反射層。
[0024]本發(fā)明還提供了一種光源系統(tǒng)，包括如上所述的波長轉(zhuǎn)換裝置。
[0025]本發(fā)明所提供的波長轉(zhuǎn)換裝置通過在基底與波長轉(zhuǎn)換層之間設(shè)置反射層，通過反射層可以對波長轉(zhuǎn)換層出射的光進行反射，提高光利用率。同時該反射層包括在基底的表面形成的氧化鋁層和/或至少兩層層疊設(shè)置的子反射層，從而可提高該反射層的反射率，進而使該反射層可以薄型化，改善導(dǎo)熱性能。
[0026]以上是本發(fā)明的核心思想，為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細的說明。
[0027]在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似應(yīng)用，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。
[0028]其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進行詳細描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0029]下面通過幾個實施例詳細描述。
[0030]實施例一
[0031]本實施例提供了一種波長轉(zhuǎn)換裝置，如圖2所示，該波長轉(zhuǎn)換裝置包括基底21，反射層22和波長轉(zhuǎn)換層23。其中:
[0032]基底21為含鋁的化合物，如基底21可以為陶瓷基底。其中陶瓷基底的主要材質(zhì)為氮化鋁。該基底21的形狀可以為任意形狀，如圓形或者方形等。該基底21具有兩個表面。
[0033]反射層22設(shè)置在基底21的其中一個表面。
[0034]波長轉(zhuǎn)換層23設(shè)置于反射層22的背離基底21的表面。該波長轉(zhuǎn)換層23為波長轉(zhuǎn)換材料層，或者該波長轉(zhuǎn)換層通過波長轉(zhuǎn)換材料與粘接劑燒結(jié)而成。其中波長轉(zhuǎn)換材料包括但不限于熒光粉，發(fā)光染料，納米發(fā)光材料，量子點，熒光染料等。
[0035]在本發(fā)明另一實施例中，該波長轉(zhuǎn)換裝置還包括驅(qū)動裝置24。該驅(qū)動裝置24驅(qū)動波長轉(zhuǎn)換裝置按照預(yù)定路徑運動。
[0036]實施例二
[0037]本實施例提供了另一種波長轉(zhuǎn)換裝置，如圖3所示，該波長轉(zhuǎn)換裝置與實施例一所述的波長轉(zhuǎn)換裝置的區(qū)別在于，本實施例中的反射層為在所述基底的表面采用預(yù)設(shè)的氧化方式形成的氧化鋁層321。如當(dāng)基底21為氮化鋁基底時，則該反射層為在氮化鋁基底的表面采用預(yù)設(shè)的氧化方式形成的氧化鋁層。
[0038]其中預(yù)設(shè)的氧化方式包括但不限于高溫氧化方式。其中高溫是指可以在基底21的表面形成氧化鋁層321所需的溫度，如高溫的溫度范圍為1100-1600度等。
[0039]在本實施例中，當(dāng)采用高溫氧化方式在基底21的表面形成氧化鋁層321時，可以在基底21的表面形成具有孔隙的氧化鋁層321。其中高溫氧化的具體過程可以采用現(xiàn)有技術(shù)提供的任意一種方式，在此不再贅述。
[0040]在本實施例中，氮化鋁基底在高溫氧化后，可在該氮化鋁基底的表面形成一層致密的具有孔隙的氧化鋁層，由于氧化鋁層的反射率非常高，因此，在達到所需要的反射率的情況下，將氧化鋁層作為反射層時，該反射層可以更薄，如要達到需要的反射率，一般氧化鋁層的厚度在10um以下就可以。由于將氧化鋁層作為反射層時，該反射層可以更薄，從而該反射層的導(dǎo)熱性能更好，使得波長轉(zhuǎn)換層產(chǎn)生的熱量可以經(jīng)氧化鋁層快速的傳導(dǎo)至氮化鋁基底上，加快散熱速度，進而提高波長轉(zhuǎn)換層的轉(zhuǎn)換效率。其次，由于是采用高溫氧化的方式直接在氮化鋁基底的表面形成氧化鋁層，使得該氧化鋁層具有孔隙，因此，相對于將反射層燒結(jié)在氮化鋁基底的表面的方式，本發(fā)明實施例提供的方式使得反射層與氮化鋁基底之間結(jié)合的更牢固。再次，由于波長轉(zhuǎn)換層與氧化鋁之間的浸潤性非常好，因此，波長轉(zhuǎn)換層可以與氧化鋁層結(jié)合的更牢固，增強了波長轉(zhuǎn)換層的粘接強度。
[0041]實施例三
[0042]本實施例提供了另一種波長轉(zhuǎn)換裝置，該波長轉(zhuǎn)換裝置與實施例二所述的波長轉(zhuǎn)換裝置的區(qū)別在于，本實施例中的反射層包括在基底的表面采用預(yù)設(shè)的氧化方式形成的氧化鋁層421以及設(shè)置在該氧化鋁層421之上的至少一子反射層。其中氧化鋁層421與實施例二中的氧化鋁層相同，在此不再贅述。
[0043]其中設(shè)置在氧化鋁層421之上的每層子反射層通過反射顆粒與粘接材料燒結(jié)而成。其中反射顆粒包括但不限于氧化鋁、氧化鈦，石英粉、玻璃粉等，粘接材料包括但不限于低溫玻璃等。
[0044]設(shè)置在氧化鋁層421之上的至少一子反射層為兩層或者兩層以上子反射層時，相鄰兩層子反射層之間采用的反射顆粒和/或粘接材料不同，不相鄰的子反射層之間采用的反射顆粒和/或粘接材料可以相同，也可以不同。
[0045]每層子反射層中的反射顆?？梢跃鶆蚍植?，也可以不均勻分布。其中反射顆粒呈球形或者其他形狀。
[0046]請參閱圖4，為本實施例提供的在氧化鋁層421之上設(shè)置有一層子反射層422的波長轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)。其中子反射層422設(shè)置在氧化鋁層421之上的方式包括但不限于燒結(jié)等。該子反射層422的厚度可以很薄，如厚度可以在0.05毫米或者以下。
[0047]在本實施例中，該反射層42包括氧化鋁層421和設(shè)置在氧化鋁層421之上的子反射層422,由于氧化招層421和子反射層422構(gòu)成兩層介質(zhì)層，由于兩層介質(zhì)層均具有較好的反射率，因此兩層介質(zhì)層的疊加可以使絕大部分的光得到反射。另外當(dāng)氧化鋁層421與子反射層422是不同介質(zhì)層時，由于光線在兩個不同介質(zhì)層之間會產(chǎn)生大量的反射